RU2638078C1 - Compact infrared solid-state laser - Google Patents

Compact infrared solid-state laser Download PDF

Info

Publication number
RU2638078C1
RU2638078C1 RU2016134698A RU2016134698A RU2638078C1 RU 2638078 C1 RU2638078 C1 RU 2638078C1 RU 2016134698 A RU2016134698 A RU 2016134698A RU 2016134698 A RU2016134698 A RU 2016134698A RU 2638078 C1 RU2638078 C1 RU 2638078C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
znse
crystal
radiation
pump
Prior art date
Application number
RU2016134698A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Алексей Александрович Воробьев
Михаил Викторович Сахаров
Анатолий Анатольевич Автин
Original Assignee
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ КАЗЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" МИНИСТЕРСТВА ОБОРОНЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ КАЗЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" МИНИСТЕРСТВА ОБОРОНЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ filed Critical ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ КАЗЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" МИНИСТЕРСТВА ОБОРОНЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Priority to RU2016134698A priority Critical patent/RU2638078C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2638078C1 publication Critical patent/RU2638078C1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Abstract

FIELD: physics.
SUBSTANCE: compact infrared solid-state laser contains a pumping laser and a crystal of Fe2+:ZnSe - a passive q - switching dye, while translucent and reflective dielectric coatings are applied on the crystal face of Fe2+:ZnSe parallel to the optical axis of the pumping laser.
EFFECT: enabling the realisation of compact laser emitter of the IR range with a reduced number of optical elements.
1 dwg

Description

Изобретение относится к области лазерной физики и может быть использовано при разработке источников лазерного излучения среднего инфракрасного (ИК) диапазона (3,95...5,05 мкм).The invention relates to the field of laser physics and can be used to develop sources of laser radiation of the middle infrared (IR) range (3.95 ... 5.05 microns).

В рамках работы [1] реализована генерация мощного малогабаритного Er:YLF-лазера с диодной накачкой в режиме модуляции добротности пассивным затвором на кристалле Fe2+:ZnSe. В качестве источника накачки использовалась матрица лазерных диодов Активный элемент лазера (Er:YLF, концентрация активатора 15 ат.%) имел форму цилиндра с размерами 02x35 мм. На один из торцов активного элемента было нанесено диэлектрическое покрытие, выполняющее роль глухого зеркала для излучения генерации и просветляющего покрытия для излучения накачки. На второй торец было нанесено просветляющее покрытие.In the framework of [1], the generation of a high-power small-sized Er: YLF laser with diode pumping in the Q-switching mode by a passive gate on an Fe 2+ : ZnSe crystal was realized. A matrix of laser diodes was used as the pump source. The active element of the laser (Er: YLF, activator concentration 15 at.%) Had the shape of a cylinder with dimensions of 02x35 mm. A dielectric coating was applied to one of the ends of the active element, acting as a deaf mirror for radiation generation and an antireflection coating for pump radiation. An antireflection coating was applied to the second end.

Ввод излучения накачки в активный элемент осуществлялся по продольно-поперечной схеме, реализованной с помощью системы призм полного внутреннего отражения. Резонатор лазера был образован плоским глухим зеркалом, напыленным на торце активного элемента, и внешним сферическим выходным зеркалом (радиус кривизны 1,2 м, коэффициент отражения 0,85 или 0,95). В экспериментах использовались два Fe2+:ZnSe-затвора с различным начальным пропусканием.The pump radiation was introduced into the active element according to the longitudinal-transverse scheme, implemented using a system of prisms of total internal reflection. The laser cavity was formed by a flat dull mirror sprayed at the end of the active element and an external spherical output mirror (radius of curvature 1.2 m, reflection coefficient 0.85 or 0.95). Two Fe 2+ were used in the experiments: a ZnSe gate with different initial transmission.

В устройстве [2] излучение лазера на основе кристалла YAG: Er3+ с длиной волны генерации 2,94 мкм, работавшего в режиме активной модуляции добротности, фокусировалось цилиндрической линзой (в линию длиной около 10 мм и шириной ~100 мкм) на поверхность кристалла ZnSe, содержавшую обогащенный ионами Fe2+ слой, длительность импульса накачки составляла ~100 нс. Излучение суперлюминесценции регистрировалось в направлении вдоль линии фокусировки накачки в области кристалла, непосредственно прилегающей к его поверхности. Грани, через которые излучение выходило из кристалла, скалывались. Ось пучка излучения являлась продолжением линии накачки с учетом преломления на грани кристалла. Поэтому резонатор, обеспечивающий обратную связь для излучения, отсутствовал.In device [2], the radiation of a laser based on a YAG: Er 3+ crystal with a generation wavelength of 2.94 μm, operating in the regime of active Q-switching, was focused by a cylindrical lens (in a line about 10 mm long and ~ 100 μm wide) onto the crystal surface ZnSe containing a layer enriched in Fe 2+ ions , the pump pulse duration was ~ 100 ns. Superluminescence radiation was detected in the direction along the focusing line of the pump in the region of the crystal immediately adjacent to its surface. The faces through which the radiation exited the crystal were chipped off. The axis of the radiation beam was a continuation of the pump line with allowance for refraction at the crystal face. Therefore, a resonator providing feedback for radiation was absent.

В работе [3] приведена схема установки по исследованию Fe:ZnSe-лазера (концентрация ионов Fe2+ составляла 2,5×1018 см-3) при накачке излучением Er:YAG-лазера, работающего в режиме свободной генерации. Активный элемент представлял собой параллелепипед с поперечными размерами 9,7×10,1 мм и длиной (длина усиления) 7,7 мм, торцы которого полировались и не просветлялись. Чтобы уменьшить сброс инверсии усиленным спонтанным шумом, распространяющимся в поперечном к оптической оси резонатора направлении, боковые поверхности кристалла были заматированы и покрыты (зачернены) аквадагом. Резонатор лазера Fe:ZnSe образован «глухим» сферическим зеркалом с радиусом кривизны 1000 мм и плоски полупрозрачным зеркалом. Коэффициент пропускания выходного зеркала на длине волны генерации составлял 72%, длина резонатора - 350 мм. Пучок излучения Er:YAG-лазера, сфокусированный в пятно диаметром 6 мм (95% энергии), падал на кристалл Fe:ZnSe под углом 3° к оптической оси резонатора.In [3], a setup was presented for the study of a Fe: ZnSe laser (the concentration of Fe 2+ ions was 2.5 × 10 18 cm -3 ) when radiation was pumped by an Er: YAG laser operating in the free-running mode. The active element was a parallelepiped with transverse dimensions of 9.7 × 10.1 mm and a length (gain length) of 7.7 mm, the ends of which were polished and not brightened. To reduce the inversion dump by amplified spontaneous noise propagating in the direction transverse to the optical axis of the resonator, the side surfaces of the crystal were matted and covered (blackened) with aquadag. The Fe: ZnSe laser resonator is formed by a “deaf” spherical mirror with a radius of curvature of 1000 mm and a plane translucent mirror. The transmittance of the output mirror at the generation wavelength was 72%, and the cavity length was 350 mm. The radiation beam of an Er: YAG laser focused into a spot with a diameter of 6 mm (95% of energy) was incident on a Fe: ZnSe crystal at an angle of 3 ° to the optical axis of the cavity.

Наиболее близким к предполагаемому изобретению является устройство, описанное в [4, 5], где указано, что впервые достигнута генерация на кристалле Fe2+:ZnSe при комнатной температуре при накачке короткими (50 нс) импульсами лазера Er:YAG (2,94 мкм), запущенного в режиме модулированной добротности с помощью также кристалла Fe2+:ZnSe, но с меньшей концентрацией Fe [4].Closest to the proposed invention is the device described in [4, 5], where it is indicated that lasing on a Fe 2+ : ZnSe crystal was first achieved at room temperature when pumped with short (50 ns) Er: YAG laser pulses (2.94 μm ), launched in the Q-switched mode with the help of also a Fe 2+ : ZnSe crystal, but with a lower Fe concentration [4].

В устройстве [5] активный элемент для Fe2+:ZnSe-лазера был изготовлен из монокристалла Fe2+:ZnSe, выращенного из паровой фазы методом свободного роста на монокристаллическую затравку. Легирование ионами Fe2+ до концентрации ~1×1018 см-3 проводилось непосредственно в процессе роста. Активный элемент лазера накачки имел длину 10 мм в поперечный размер 17×10 мм. Резонатор был образован задним сферическим зеркалом (радиус кривизны 50 см) и плоским выходным зеркалом с интерференционными покрытиями, нанесенными на подложку из CaF2. Кристалл Fe2+:ZnSe был установлен вблизи выходного зеркала под углом Брюстера к оптической оси резонатора. Накачка Fe2+:ZnSe-лазера осуществлялась излучением Er:YAG-лазера с длиной волны излучения 2,94 мкм в режиме пассивной модуляции добротности резонатора. Пассивным затвором в Er:YAG-лазере служила плоскопараллельная пластинка из монокристалла Fe2+:ZnSe.In the device [5], the active element for the Fe 2+ : ZnSe laser was made from a Fe 2+ : ZnSe single crystal grown from the vapor phase by free growth using a single crystal seed. Doping with Fe 2+ ions to a concentration of ~ 1 × 10 18 cm -3 was carried out directly during growth. The active element of the pump laser had a length of 10 mm in the transverse size of 17 × 10 mm. The resonator was formed by a rear spherical mirror (radius of curvature 50 cm) and a flat output mirror with interference coatings deposited on a CaF 2 substrate. A Fe 2+ : ZnSe crystal was installed near the output mirror at a Brewster angle to the optical axis of the resonator. The Fe 2+ : ZnSe laser was pumped by radiation from an Er: YAG laser with a radiation wavelength of 2.94 μm in the passive Q-switching mode of the cavity. A passive shutter in an Er: YAG laser was a plane-parallel plate made of a Fe 2+ : ZnSe single crystal.

Общим недостатком устройств [1-5] является использование двух кристаллов Fe2+:ZnSe для получения лазерного излучения среднего ИК-диапазона. Один кристалл используется в качестве пассивного модулятора добротности резонатора лазера накачки для увеличения мощности импульса накачки. Второй - для непосредственного получения генерации лазерного излучения в среднем ИК-диапазоне. Причем в устройстве [3] специально предпринимают меры для срыва генерации в кристалле Fe2+:ZnSe в направлении, поперечном к оптической оси резонатора лазера накачки.A common disadvantage of the devices [1-5] is the use of two crystals of Fe 2+ : ZnSe to obtain laser radiation of the mid-IR range. One crystal is used as a passive Q-switched resonator for the pump laser to increase the power of the pump pulse. The second is for direct generation of laser radiation in the mid-IR range. Moreover, in device [3], special measures are taken to disrupt the generation of Fe 2+ : ZnSe in the crystal in the direction transverse to the optical axis of the pump laser cavity.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является инфракрасный твердотельный лазер [6], в котором один кристалл Fe2+:ZnSe используется одновременно как пассивный модулятор добротности и как активный элемент. Для этого кристалл Fe2+:ZnSe имеет форму параллелепипеда и располагается внутри резонатора лазера накачки. Причем на грани кристалла, перпендикулярные оптической оси лазера накачки, наносится просветляющее диэлектрическое покрытие с максимумом пропускания на длине волны лазера накачки. На грани кристалла, параллельные оптической оси лазера накачки, наносится просветляющее диэлектрическое покрытие с максимумом пропускания на требуемой длине волны среднего ИК-диапазона (3,95…5,05 мкм). Резонатор лазера накачки представляет собой заднее сферическое и переднее плоскопараллельное зеркала с интерференционными покрытиями, нанесенными на подложку из CaF2 либо какой-либо другой оптический материал, прозрачный в ИК области спектра. Покрытия обоих зеркал имеют максимум отражения на длине волны лазера накачки, образуя «глухой» полуконфокальный резонатор. Резонатор и активная среда, выполненная из кристалла Er:YAG, представляют собой лазер накачки.The closest in technical essence to the present invention is an infrared solid-state laser [6], in which one crystal of Fe 2+ : ZnSe is used simultaneously as a passive Q-switch and as an active element. For this, the Fe 2+ : ZnSe crystal has a parallelepiped shape and is located inside the pump laser cavity. Moreover, on the crystal face, perpendicular to the optical axis of the pump laser, an antireflection dielectric coating is applied with a maximum transmission at the wavelength of the pump laser. On the crystal edge, parallel to the optical axis of the pump laser, an antireflection dielectric coating is applied with a maximum transmission at the required wavelength of the mid-IR range (3.95 ... 5.05 μm). The pump laser cavity is a rear spherical and front plane-parallel mirrors with interference coatings deposited on a substrate of CaF 2 or some other optical material that is transparent in the infrared region of the spectrum. The coatings of both mirrors have a maximum reflection at the wavelength of the pump laser, forming a “deaf” semi-confocal resonator. The resonator and the active medium made of an Er: YAG crystal are a pump laser.

Для вывода излучения среднего ИК-диапазона устанавливают резонатор, параллельно граням кристалла Fe2+:ZnSe с нанесенным просветляющим диэлектрическим покрытием с максимумом пропускания на требуемой длине волны среднего ИК-диапазона (3,95…5,05 мкм). Недостатком устройства [6] является наличие дополнительного резонатора, который требует дополнительной трудоемкой юстировки, а также увеличивает количество оптических элементов устройства, в целом снижая его надежность.To output the mid-IR radiation, a resonator is installed parallel to the faces of the Fe 2+ : ZnSe crystal with a coated antireflection dielectric with a maximum transmission at the required wavelength of the mid-IR range (3.95 ... 5.05 μm). The disadvantage of the device [6] is the presence of an additional resonator, which requires additional laborious adjustment, and also increases the number of optical elements of the device, generally reducing its reliability.

Задачей предлагаемого изобретения является получение малогабаритного лазерного излучателя ИК-диапазона со сниженным количеством дорогостоящих оптических элементов. Для этого на грани кристалла Fe2+:ZnSe (пассивный модулятор добротности - лазерная активная среда), параллельные оптической оси лазера накачки, наносят полупрозрачное и отражающее оптические покрытия (диэлектрические или металлические интерференционные покрытия) для длины волны среднего ИК-диапазона (3,95…5,05 мкм).The objective of the invention is to obtain a compact laser emitter of the infrared range with a reduced number of expensive optical elements. To do this, on the edge of a Fe 2+ : ZnSe crystal (passive Q-switch - laser active medium), parallel to the optical axis of the pump laser, translucent and reflective optical coatings (dielectric or metal interference coatings) are applied for the mid-IR wavelength (3.95 ... 5.05 μm).

Устройство работает следующим образом. Кристалл Fe2+:ZnSe имеет форму параллелепипеда и располагается внутри резонатора лазера накачки. Резонатор лазера накачки представляет собой заднее сферическое и переднее плоскопараллельное зеркала с интерференционными покрытиями, нанесенными на подложку из CaF2 либо какой-либо другой оптический материал, прозрачный в ИК области спектра. Покрытия обоих зеркал имеют максимум отражения на длине волны лазера накачки, образуя «глухой» полуконфокальный резонатор. Резонатор и активная среда, выполненная из кристалла Er:YAG, представляют собой лазер накачки. Наличие полупрозрачного и отражающего оптических покрытий обеспечивает наличие обратной положительной связи в кристалле Fe2+:ZnSe, формируя таким образом лазерное излучение среднего ИК-диапазона.The device operates as follows. The Fe 2+ : ZnSe crystal has a parallelepiped shape and is located inside the pump laser cavity. The pump laser cavity is a rear spherical and front plane-parallel mirrors with interference coatings deposited on a substrate of CaF 2 or some other optical material that is transparent in the infrared region of the spectrum. The coatings of both mirrors have a maximum reflection at the wavelength of the pump laser, forming a “deaf” semi-confocal resonator. The resonator and the active medium made of an Er: YAG crystal are a pump laser. The presence of translucent and reflective optical coatings provides the presence of positive feedback in the Fe 2+ : ZnSe crystal, thus forming laser radiation of the mid-IR range.

На фиг. 1 представлена схема предлагаемого изобретения, где цифрами обозначены: 1 - активная среда - кристалл Er:YAG; 2 - излучение накачки; 3 - полуконфокальный «глухой» резонатор для длины волны 2,94 мкм; 4 - кристалл Fe2+:ZnSe (пассивный модулятор добротности - лазерная активная среда); 5 - полупрозрачное оптическое покрытие для длины волны среднего ИК-диапазона (3,95…5,05 мкм); 6 - отражающее оптическое покрытие для длины волны среднего ИК-диапазона (3,95…5,05 мкм); 7 - грани кристалла Fe2+:ZnSe, просветленные для длины волны 2,94 мкм; 8 - излучение лазера накачки (2,94 мкм); 9 - лазерное излучение среднего ИК-дипазона.In FIG. 1 presents a diagram of the invention, where the numbers denote: 1 - active medium - crystal Er: YAG; 2 - pump radiation; 3 - semiconfocal "deaf" resonator for a wavelength of 2.94 microns; 4 - crystal Fe 2+ : ZnSe (passive Q-switch - laser active medium); 5 - translucent optical coating for a wavelength of the mid-IR range (3.95 ... 5.05 microns); 6 - reflective optical coating for a wavelength of the mid-IR range (3.95 ... 5.05 microns); 7 - crystal faces of Fe 2+ : ZnSe, enlightened for a wavelength of 2.94 μm; 8 - radiation of a pump laser (2.94 μm); 9 - laser radiation of the middle infrared range.

ЛитератураLiterature

1. Иночкин М.В., Назаров В.В., Сачков Д.Ю., Хлопонин Л.В., Храмов В.Ю., Коростелин Ю.В., Ландман А.И., Подмарьков Ю.П., Фролов М.П. Малогабаритный Er:YLF-лазер с пассивным Fe2+:ZnSe-затвором. "Оптический журнал", 79, 6, 2012, с. 31-35.1. Inochkin M.V., Nazarov V.V., Sachkov D.Yu., Khloponin L.V., Hramov V.Yu., Korostelin Yu.V., Landman A.I., Podmarkov Yu.P., Frolov M.P. Small Er: YLF laser with passive Fe 2+ : ZnSe shutter. "Optical Journal", 79, 6, 2012, p. 31-35.

2. Ильичев Н.Н., Данилов В.П., Калинушкин В.П., Студеникин М.И., Шапкин П.В., Насибов А.С. Суперлюминесцентный ИК излучатель на кристалле ZnSe:Fe, работающий при комнатной температуре. Квантовая электроника. 2008, том 38, №2, с. 95-96.2. Ilyichev NN, Danilov V.P., Kalinushkin V.P., Studenikin M.I., Shapkin P.V., Nasibov A.S. Superluminescent IR emitter based on a ZnSe: Fe crystal operating at room temperature. Quantum Electronics. 2008, Volume 38, No 2, p. 95-96.

3. Великанов С.Д., Зарецкий Н.А., Зотов Е.А., Козловский В.И., Коростелин Ю.В., Крохин О.Н., Манешкин А.А., Подмарьков Ю.П., Савинова С.А., Скасырский Я.К., Фролов М.П., Чуваткин Р.С., Юткин И.М. Исследование работы Fe:ZnSe-лазера в импульсном и импульсно-периодическом режимах. Квантовая электроника. 45, №1 (2015), с. 1-7.3. Velikanov S.D., Zaretsky N.A., Zotov E.A., Kozlovsky V.I., Korostelin Yu.V., Krokhin ON, Maneshkin A.A., Podmarkov Yu.P., Savinova S.A., Skasyrsky Y.K., Frolov M.P., Chuvatkin R.S., Yutkin I.M. Investigation of the operation of a Fe: ZnSe laser in pulsed and pulsed-periodic modes. Quantum Electronics. 45, No. 1 (2015), p. 1-7.

4. Ландман А.И. Парофазный рост монокристаллов соединений AIIBVI, легированных переходными металлами, для лазеров среднего ИК диапазона. Диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. М.: Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН. 2008 г., 118 с.4. Landman A.I. Vapor-phase growth of single crystals of compounds A II B VI doped with transition metals for mid-IR lasers. Theses for the degree of candidate of physical and mathematical sciences. M .: Physical Institute. P.N. Lebedev RAS. 2008, 118 p.

5. Акимов В.А., Воронов А.А., Козловский В.И., Коростелин Ю.В., Ландман А.И., Подмарьков Ю.П., Фролов М.П. Эффективная лазерная генерация кристалла Fe2+:ZnSe при комнатной температуре. Квантовая электроника. 36, №4 (2006).5. Akimov V.A., Voronov A.A., Kozlovsky V.I., Korostelin Yu.V., Landman A.I., Podmarkov Yu.P., Frolov M.P. Efficient laser generation of a Fe 2+ : ZnSe crystal at room temperature. Quantum Electronics. 36, No. 4 (2006).

6. RU №2593819, 2016 г.6. RU No. 2593819, 2016

Claims (1)

Малогабаритный инфракрасный твердотельный лазер, содержащий лазер накачки, кристалл Fe2+:ZnSe - пассивный модулятор добротности, отличающийся тем, что на грани кристалла Fe2+:ZnSe, параллельные оптической оси лазера накачки, наносят полупрозрачное и отражающее диэлектрические покрытия.A small-sized infrared solid-state laser containing a pump laser, a Fe 2+ : ZnSe crystal is a passive Q-switch, characterized in that a translucent and reflective dielectric coating is applied on the edge of the Fe 2+ : ZnSe crystal parallel to the optical axis of the pump laser.
RU2016134698A 2016-08-25 2016-08-25 Compact infrared solid-state laser RU2638078C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016134698A RU2638078C1 (en) 2016-08-25 2016-08-25 Compact infrared solid-state laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016134698A RU2638078C1 (en) 2016-08-25 2016-08-25 Compact infrared solid-state laser

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2638078C1 true RU2638078C1 (en) 2017-12-11

Family

ID=60718527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016134698A RU2638078C1 (en) 2016-08-25 2016-08-25 Compact infrared solid-state laser

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2638078C1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5541946A (en) * 1993-11-19 1996-07-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Laser with multiple gain elements pumped by a single excitation source
WO2005101591A1 (en) * 2003-11-24 2005-10-27 Raytheon Company Slab laser and method with improved and directionally homogenized beam quality
US20140362879A1 (en) * 2001-09-20 2014-12-11 The Uab Research Foundation Saturable absorbers for q-switching of middle infrared laser cavaties
RU2593819C1 (en) * 2015-05-21 2016-08-10 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации Infrared solid-state laser

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5541946A (en) * 1993-11-19 1996-07-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Laser with multiple gain elements pumped by a single excitation source
US20140362879A1 (en) * 2001-09-20 2014-12-11 The Uab Research Foundation Saturable absorbers for q-switching of middle infrared laser cavaties
WO2005101591A1 (en) * 2003-11-24 2005-10-27 Raytheon Company Slab laser and method with improved and directionally homogenized beam quality
RU2593819C1 (en) * 2015-05-21 2016-08-10 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации Infrared solid-state laser

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8532151B2 (en) Passively Q-switched microlaser
US7149231B2 (en) Monolithic, side-pumped, passively Q-switched solid-state laser
EP0744089B1 (en) Passively q-switched picosecond microlaser
US7397832B2 (en) Laser cavity pumping method and laser system thereof
US3924201A (en) Laser apparatus employing mechanical stabilization means
US5557624A (en) Laser system using U-doped crystal Q-switch
JPH095810A (en) Unitary-body type optical parametric oscillator pumped by micro-laser
Magni et al. Recent developments in laser resonator design
Gavrishchuk et al. Room-temperature high-energy laser
CN110932075B (en) Dual-wavelength pulse pair laser output method and laser
RU2593819C1 (en) Infrared solid-state laser
CN110854658A (en) High repetition frequency 1.5um human eye safety Q-switched microchip laser
JP3410108B2 (en) A range finding system using an eye-safe laser with a Brewster angle Q-switch in a single cavity cavity of both the pump laser and the optical parametric oscillator
Inochkin et al. A compact Er: YLF laser with a passive Fe 2+: ZnSe shutter
RU2638078C1 (en) Compact infrared solid-state laser
CN112054375B (en) Electron-phonon coupled high-integration all-solid-state laser wavelength regulation and control method and laser
CN210201153U (en) Medium-long wave infrared laser
US5724372A (en) Diode-pumped laser system using uranium-doped Q-switch
CN109149351B (en) Q-switched laser
Andreev et al. Single-mode YAG: Nd laser with a stimulated Brillouin scattering mirror and conversion of radiation to the second and fourth harmonics
Di Lieto et al. A diode-laser-pumped tunable Ho: YLF laser in the 2 µm region
RU2636260C1 (en) Solid state laser with q-switching
RU211262U1 (en) LONGITUDINALLY PUMPED LASER
RU2726915C1 (en) Method for nonlinear intracavity wavelength conversion in a laser with longitudinal pumping
CN112993729B (en) Low-quantum-loss 1.6-micrometer high-peak-power pumping source of medium-wave optical parametric oscillator

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180826