RU2632729C1 - Method for manufacturing thermoelectric element for thermoelectric devices - Google Patents
Method for manufacturing thermoelectric element for thermoelectric devices Download PDFInfo
- Publication number
- RU2632729C1 RU2632729C1 RU2016149430A RU2016149430A RU2632729C1 RU 2632729 C1 RU2632729 C1 RU 2632729C1 RU 2016149430 A RU2016149430 A RU 2016149430A RU 2016149430 A RU2016149430 A RU 2016149430A RU 2632729 C1 RU2632729 C1 RU 2632729C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tape
- thermoelectric material
- thermoelectric
- sides
- drum
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электротехнике и нанотехнологиям, в частности к способу изготовления термоэлектрического элемента для термоэлектрических устройств, например термоэлектрической батареи, и может быть использовано в потребительской электронике, медицине, лабораторном оборудовании и других областях.The invention relates to electrical engineering and nanotechnology, in particular to a method for manufacturing a thermoelectric element for thermoelectric devices, for example a thermoelectric battery, and can be used in consumer electronics, medicine, laboratory equipment and other fields.
Известен способ изготовления термоэлектрического элемента для термоэлектрических устройств, при котором на подложку в виде гибкой ленты на основе полиимидного полимера осуществляют вакуумное напыление термоэлектрического материала, причем напыление выполняют на противоположные ее стороны с формированием термоэлектрических и коммутационных участков (US 3554815A, 12.01.1971). В известном способе напыление осуществляют путем испарения термоэлектрического материала, термоэлектрические участки создают из висмута и сурьмы, которые обладают низкой эффективностью. Кроме того, асимметричное расположение полупроводниковых слоев и формирование их топологии может быть создано химическим способом по методу фотолитографии.There is a known method of manufacturing a thermoelectric element for thermoelectric devices, in which a thermoelectric material is vacuum deposited on a substrate in the form of a flexible tape based on a polyimide polymer, moreover, the deposition is performed on its opposite sides with the formation of thermoelectric and switching sections (US 3554815A, 01/12/1971). In the known method, the deposition is carried out by evaporation of a thermoelectric material, the thermoelectric sections are created from bismuth and antimony, which have low efficiency. In addition, the asymmetric arrangement of semiconductor layers and the formation of their topology can be created chemically by the method of photolithography.
Недостатком известной технологии является использование материалов низкой эффективности, необходимость разрыва этапа вакуумного нанесения материала за счет включения промежуточных этапов формирования необходимой топологии с помощью фотолитографии, что приводит к большому количеству высокотехнологичных и сложных операций и низким эффективности, надежности и высокой вероятности брака.A disadvantage of the known technology is the use of materials of low efficiency, the need to break the stage of vacuum deposition of the material due to the inclusion of intermediate stages of the formation of the necessary topology using photolithography, which leads to a large number of high-tech and complex operations and low efficiency, reliability and high probability of marriage.
Задачей создания изобретения является повышение термоэлектрической эффективности термоэлектрического элемента, повышение производительности его изготовления, обеспечение возможности создания ленты с многокомпонентными термоэлектрическими пленками, снижение вероятности брака, отказ от использования биологически и экологически опасных химических реактивов для создания необходимой топологии термоэлектрического материала.The objective of the invention is to increase the thermoelectric efficiency of a thermoelectric element, increase the productivity of its manufacture, provide the ability to create tapes with multicomponent thermoelectric films, reduce the likelihood of marriage, refuse to use biologically and environmentally hazardous chemicals to create the necessary topology of thermoelectric material.
Для этого в способе изготовления термоэлектрического элемента для термоэлектрических устройств, включающем изготовление подложки в виде гибкой ленты на основе полиимидного полимера и вакуумное напыление термоэлектрического материала на противоположные ее стороны, сначала полученную гибкую ленту наматывают на барабан, который располагают в вакуумной камере, и осуществляют вакуумное напыление термоэлектрического материала на противоположные ее стороны, при этом ленту последовательно протягивают с помощью отклоняющих и натяжных роликов через первую зону нагрева и импульсного лазерного осаждения термоэлектрического материала p-типа проводимости на нагретый участок одной стороны ленты, осуществляют переворот ленты в устройстве разворота и протягивают ленту через вторую зону локального нагрева до заданной температуры и импульсного лазерного осаждения термоэлектрического материала n-типа проводимости на нагретый участок противоположной стороны ленты, после чего протягивают ленту через зону одновременного формирования на двух сторонах ленты технологического рисунка путем лазерного испарения термоэлектрического материала на каждой из ее сторон, после чего осуществляют намотку ленты с полученным двусторонним технологическим рисунком на второй барабан.To this end, in a method for manufacturing a thermoelectric element for thermoelectric devices, including the manufacture of a substrate in the form of a flexible tape based on a polyimide polymer and vacuum deposition of a thermoelectric material on its opposite sides, first, the obtained flexible tape is wound on a drum, which is placed in a vacuum chamber, and vacuum spraying is performed thermoelectric material on its opposite sides, while the tape is successively stretched using deflecting and tension ro through the first zone of heating and pulsed laser deposition of p-type thermoelectric material on a heated portion of one side of the tape, the tape is flipped in a reversal device and the tape is pulled through the second zone of local heating to a predetermined temperature and pulsed laser deposition of n-type thermoelectric material on heated portion of the opposite side of the tape, after which the tape is pulled through the zone of simultaneous formation of technological tape on both sides of the tape a bundle by laser evaporation of thermoelectric material on each of its sides, after which the tape is wound with the obtained two-sided technological pattern onto the second drum.
На фиг. 1 представлена схема осуществления способа изготовления термоэлектрического элемента, на фиг. 2 - вид сбоку и вид сверху фиг. 1.In FIG. 1 is a flow diagram of a method for manufacturing a thermoelectric element; FIG. 2 is a side view and a top view of FIG. one.
Способ создания термоэлектрического элемента в виде гибкой ленты основан на использовании метода импульсного лазерного осаждения, который позволяет создавать пленки сложного химического состава, которые обладают большей термоэлектрической эффективностью.The method of creating a thermoelectric element in the form of a flexible tape is based on the use of pulsed laser deposition, which allows you to create films of complex chemical composition, which have greater thermoelectric figure of merit.
Подложку 1 в виде гибкой ленты на основе полиимидного полимера, намотанной на барабан 2, загружают в напылительную вакуумную камеру 24. Через отклоняющий ролик 4 и натяжной ролик 5 ленту подают на нагреватель 6, образуя с ним скользящий термический контакт и нагревают локально до заданной температуры. С помощью импульсного лазера 8 распыляют термоэлектрический материал 7 p-типа проводимости, который испаряясь в виде газоплазменного облака 9 осаждается на нагретом участке подложки. Далее ленту после натяжного ролика 10 переворачивают в устройстве разворота ленты 11 и после натяжного ролика 12 подают на нагреватель 13, образуя с ним скользящий термический контакт, и нагревают локально до заданной температуры. С помощью импульсного лазера 15 распыляют термоэлектрический материал 14 n-типа проводимости, который, испаряясь в виде газоплазменного облака 16, осаждается на нагретом участке подложки. Далее после отклоняющего ролика 18 ленту натягивают роликами 19 и 21, между которыми ленту 1 с нанесенными сплошными пленками термоэлектрического материала 7 и 14 обрабатывают лазерным лучом 20 для формирования симметричной топологии термоэлектрических участков.The substrate 1 in the form of a flexible tape based on a polyimide polymer wound on a
Ленту с полученным технологическим рисунком отклоняющим роликом 22 наматывают на второй барабан 3. Технологические участки обработки ленты разделены заслонками 17 и 23. При формировании технологического рисунка на сторонах ленты лазерный луч 20 фокусируют на поверхности ленты 1 и с помощью сканатора обрабатывают ленту в зоне обработки 25. Лазерное излучение испаряет одновременно термоэлектрические материалы 7 и 14, проникая через ленту 1 и не разрушая ее, т.к. подложка хорошо прозрачна для длины волны лазерного луча 20. В результате получают ленту с зеркальными участками термоэлектрического материала разного типа проводимости по разные стороны ленты. Шаблон обработки лазером 20 создают заранее на ПК. В случае многорядного производства термоэлектрической ленты далее следует этап разделения ленты на единичные ленты.The tape with the technological pattern obtained by the deflecting
Техническим результатом является использование более эффективных термоэлектрических материалов за счет использования метода импульсного лазерного осаждения, который позволяет создавать многокомпонентные термоэлектрические пленки, отличающиеся высокой термоэлектрической эффективностью; отсутствие необходимости использования процесса фотолитографии, который обладает низкой производительностью и необходимостью использования перечня опасных и дорогих химических реактивов, что приводит к высокой производительности производства термоэлектрической ленты и низкой стоимости; возможность напыления и формирования топологии сразу нескольких лент на единой подложке, обеспечивая высокую производительность процесса и снижение себестоимости.The technical result is the use of more efficient thermoelectric materials through the use of pulsed laser deposition, which allows you to create multicomponent thermoelectric films, characterized by high thermoelectric figure of merit; the absence of the need to use the photolithography process, which has low productivity and the need to use a list of dangerous and expensive chemicals, which leads to high production performance of thermoelectric tape and low cost; the possibility of spraying and forming the topology of several tapes at once on a single substrate, providing high process performance and cost reduction.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016149430A RU2632729C1 (en) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | Method for manufacturing thermoelectric element for thermoelectric devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016149430A RU2632729C1 (en) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | Method for manufacturing thermoelectric element for thermoelectric devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2632729C1 true RU2632729C1 (en) | 2017-10-09 |
Family
ID=60040642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016149430A RU2632729C1 (en) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | Method for manufacturing thermoelectric element for thermoelectric devices |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2632729C1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3554815A (en) * | 1963-04-30 | 1971-01-12 | Du Pont | Thin,flexible thermoelectric device |
RU2326466C2 (en) * | 2003-05-08 | 2008-06-10 | Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко., Лтд. | Thermoelectric semiconducting material, thermoelectric semiconducting element with application of thermoelectric semiconducting material, thermoelectric module with application of thermoelectric semiconducting element and method of their manufacturing |
US20090084421A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Battelle Memorial Institute | Thermoelectric devices |
US8242348B2 (en) * | 2009-08-25 | 2012-08-14 | General Atomics | Methods of manufacturing quantum well materials |
RU2557366C2 (en) * | 2011-03-22 | 2015-07-20 | Текникал Юниверсити Оф Денмарк | Structure used for manufacture of thermoelectric generator, thermoelectric generator containing such structure and method of its manufacture |
-
2016
- 2016-12-15 RU RU2016149430A patent/RU2632729C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3554815A (en) * | 1963-04-30 | 1971-01-12 | Du Pont | Thin,flexible thermoelectric device |
RU2326466C2 (en) * | 2003-05-08 | 2008-06-10 | Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко., Лтд. | Thermoelectric semiconducting material, thermoelectric semiconducting element with application of thermoelectric semiconducting material, thermoelectric module with application of thermoelectric semiconducting element and method of their manufacturing |
US20090084421A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Battelle Memorial Institute | Thermoelectric devices |
US8242348B2 (en) * | 2009-08-25 | 2012-08-14 | General Atomics | Methods of manufacturing quantum well materials |
RU2557366C2 (en) * | 2011-03-22 | 2015-07-20 | Текникал Юниверсити Оф Денмарк | Structure used for manufacture of thermoelectric generator, thermoelectric generator containing such structure and method of its manufacture |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Lee et al. | High‐resolution spin‐on‐patterning of perovskite thin films for a multiplexed image sensor array | |
Zhang et al. | Controlled layer thinning and p‐type doping of WSe2 by vapor XeF2 | |
Yang et al. | Electrically tunable valley-light emitting diode (vLED) based on CVD-grown monolayer WS2 | |
KR950020991A (en) | Formation method and forming apparatus of the deposited film | |
Lin et al. | Metal contact and carrier transport in single crystalline CH3NH3PbBr3 perovskite | |
Yan et al. | Self-powered SnSe photodetectors fabricated by ultrafast laser | |
JP6195266B2 (en) | Manufacturing method of electronic device | |
RU2632729C1 (en) | Method for manufacturing thermoelectric element for thermoelectric devices | |
CN110729365A (en) | Wide-response spectral detector based on antimony telluride material and preparation method thereof | |
KR20130056011A (en) | Graphene based photodetector comprising complex transparent electrode, method of manufacturing the same and device comprising the same | |
Yang et al. | A thin film thermoelectric device fabricated by a self-aligned shadow mask method | |
Weis et al. | Charge injection and accumulation in organic light-emitting diode with PEDOT: PSS anode | |
GB2575804A (en) | Top gate gas sensor | |
Zhang et al. | Gate‐Tunable Photovoltaic Behavior and Polarized Image Sensor Based on All‐2D TaIrTe4/MoS2 Van Der Waals Schottky Diode | |
CN113823703B (en) | Room-temperature platinum telluride array terahertz detector and preparation method thereof | |
Eom et al. | Origin of the giant persistent photoconductivity in LaAlO3/SrTiO3 heterostructures probed by noise spectroscopy | |
Paul David et al. | Thin film metal oxides for displays and other optoelectronic applications | |
KR20170123111A (en) | Method of manufacturing Graphene layer using joule heating | |
US9991478B2 (en) | Methods for fabricating an organic electro-luminescence device and flexible electric device | |
US10573774B2 (en) | Method of forming electrodes for electronic device using two dimensional semiconductor and electronic device thereof | |
JP2005158954A (en) | Organic thin film forming method and apparatus thereof, organic thin film formed thereby, and organic thin-film transistor comprising the same | |
Tao et al. | Roll-to-roll manufacture of flexible thin-film thermoelectric generators using flexography with vacuum vapour deposition | |
Liang et al. | Ladder-like metal oxide nanowires: Synthesis, electrical transport, and enhanced light absorption properties | |
KR102301846B1 (en) | Method of mamufacturing transition metal dichalcogenide thin film and method of mamufacturing electronic device using the same | |
US20170170012A1 (en) | Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191216 |