RU2631919C1 - Method for determining polarization sign of circular and elliptically polarized laser radiation - Google Patents
Method for determining polarization sign of circular and elliptically polarized laser radiation Download PDFInfo
- Publication number
- RU2631919C1 RU2631919C1 RU2016124285A RU2016124285A RU2631919C1 RU 2631919 C1 RU2631919 C1 RU 2631919C1 RU 2016124285 A RU2016124285 A RU 2016124285A RU 2016124285 A RU2016124285 A RU 2016124285A RU 2631919 C1 RU2631919 C1 RU 2631919C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sign
- film
- polarization
- laser radiation
- electrodes
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано для определения поляризационных характеристик лазерного излучения, в частности знака поляризации циркулярно и эллиптически поляризованного лазерного излучения.The invention relates to optical instrumentation and can be used to determine the polarization characteristics of laser radiation, in particular the polarization sign of circularly and elliptically polarized laser radiation.
Под знаком поляризации циркулярно и эллиптически поляризованного лазерного излучения понимается направление вращения вектора электрического поля в циркулярно и эллиптически поляризованном лазерном излучении.By the polarization sign of circularly and elliptically polarized laser radiation is meant the direction of rotation of the electric field vector in circularly and elliptically polarized laser radiation.
Известен способ определения знака поляризации циркулярно и эллиптически поляризованного лазерного излучения, в котором анализируемое излучение сначала преобразуется при помощи четвертьволновой пластины в линейно поляризованное, а затем, проходя через анализатор, попадает на фотоэлемент, который измеряет его интенсивность. Построенная в полярной системе координат диаграмма распределения интенсивности от угла поворота анализатора имеет форму «восьмерки». В зависимости от того, в каких квадрантах системы координат расположена диаграмма, определяют знак поляризации [Физический практикум. Электричество и оптика. Изд. 2-е. Под ред. проф. В.И. Ивероновой. М.: Наука, 1968]. Известен также способ определения знака поляризации циркулярно и эллиптически поляризованного лазерного излучения, в котором излучение лазера направляют на фоточувствительный элемент в виде кристалла ниобата лития, оснащенный с облучаемой стороны плоскими электродами, полярность электрического сигнала между которыми указывает на знак поляризации [Казанский П.Г., Прохоров А.М., Черных В.А. Прямое обнаружение циркулярного фототока в ниобате лития // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т. 41, Вып. 9. С. 370-372].A known method for determining the polarization sign of circularly and elliptically polarized laser radiation, in which the analyzed radiation is first converted using a quarter-wave plate into linearly polarized, and then passing through the analyzer, gets on the photocell, which measures its intensity. The diagram of the intensity distribution from the angle of rotation of the analyzer constructed in the polar coordinate system has the form of a "figure eight". Depending on in which quadrants of the coordinate system the diagram is located, the sign of polarization is determined [Physical Workshop. Electricity and optics. Ed. 2nd. Ed. prof. IN AND. Iveronova. M .: Nauka, 1968]. There is also a method for determining the polarization sign of circularly and elliptically polarized laser radiation, in which the laser radiation is directed to a photosensitive element in the form of a lithium niobate crystal, equipped with flat electrodes on the irradiated side, the polarity of the electric signal between which indicates the polarization sign [Kazan P.G. Prokhorov A.M., Chernykh V.A. Direct detection of circular photocurrent in lithium niobate // Letters in JETP. 1985.Vol. 41, no. 9. S. 370-372].
Недостатками указанных способов являются длительность определения знака поляризации в первом случае и использование в том и другом случаях объемных дорогостоящих оптических кристаллов, которые работают в относительно узких спектральных диапазонах.The disadvantages of these methods are the duration of determining the sign of polarization in the first case and the use in both cases of bulk expensive optical crystals that operate in relatively narrow spectral ranges.
Наиболее близким по технической сущности к заявленному способу является способ определения знака поляризации циркулярно и эллиптически поляризованного лазерного излучения, включающий воздействие анализируемым излучением на снабженный двумя электродами пленочный фоточувствительный элемент, расположенный облучаемым межэлектродным участком наклонно к падающему лучу лазера так, что плоскость падения луча на пленку параллельна электродам, измерение электрического сигнала между электродами и определение знака поляризации по полярности измеренного электрического сигнала, в котором в качестве фоточувствительного элемента используют серебро-палладиевую резистивную пленку [Михеев Г.М., Саушин А.С., Зонов Р.Г., Стяпшин В.М. Спектральная зависимость циркулярного фототока в серебро-палладиевых резистивных пленках // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40, №10. С. 37-45].The closest in technical essence to the claimed method is a method for determining the sign of the polarization of circularly and elliptically polarized laser radiation, including the exposure of the analyzed photosensitized film photosensitive element located irradiated interelectrode section inclined to the incident laser beam so that the plane of incidence of the beam on the film is parallel electrodes, measuring the electrical signal between the electrodes and determining the sign of polarization by polar the measured electric signal, in which a silver-palladium resistive film is used as a photosensitive element [Mikheev G.M., Saushin A.S., Zonov R.G., Styapshin V.M. Spectral dependence of the circular photocurrent in silver-palladium resistive films // Letters in ZhTF. 2014.Vol. 40, No. 10. S. 37-45].
Недостатком указанного способа является невозможность определения знака поляризации в ультрафиолетовом диапазоне длин волн.The disadvantage of this method is the inability to determine the sign of polarization in the ultraviolet wavelength range.
Задачей изобретения является разработка способа определения знака поляризации циркулярно и эллиптически поляризованного лазерного излучения с возможностью работы в ультрафиолетовой области спектра.The objective of the invention is to develop a method for determining the sign of polarization of circularly and elliptically polarized laser radiation with the ability to work in the ultraviolet region of the spectrum.
Сущность изобретения заключается в том, что в отличие от известного способа определения знака поляризации циркулярно и эллиптически поляризованного лазерного излучения, включающего воздействие анализируемым излучением на снабженный двумя электродами пленочный фоточувствительный элемент, расположенный облучаемым межэлектродным участком наклонно к падающему лучу лазера так, что плоскость падения луча на пленку параллельна электродам, измерение электрического сигнала между электродами и определение знака поляризации по полярности измеренного электрического сигнала, в качестве фоточувствительного элемента используют нанокристаллическую пленку селенида меди толщиной от 50 до 500 нм.The essence of the invention lies in the fact that, in contrast to the known method for determining the sign of the polarization of circularly and elliptically polarized laser radiation, including the action of the analyzed radiation on a film-sensitive photosensitive element arranged with two electrodes, the irradiated interelectrode section is inclined to the incident laser beam so that the plane of incidence of the beam on the film is parallel to the electrodes, measuring the electrical signal between the electrodes and determining the sign of polarization by polarity of the measured electrical signal, a nanocrystalline copper selenide film with a thickness of 50 to 500 nm is used as a photosensitive element.
Для получения максимального коэффициента фотовольтаического преобразования нанокристаллическую пленку селенида меди располагают к лучу лазера под углом ±(55±10)°.To obtain the maximum photovoltaic conversion coefficient, the nanocrystalline film of copper selenide is positioned to the laser beam at an angle of ± (55 ± 10) °.
Техническим результатом является обеспечение возможности работы способа определения знака поляризации циркулярно и эллиптически поляризованного лазерного излучения в ультрафиолетовой области спектра.The technical result is to enable the method for determining the sign of polarization of circularly and elliptically polarized laser radiation in the ultraviolet region of the spectrum.
Фиг. 1 показывает способ определения знака поляризации циркулярно и эллиптически поляризованного лазерного излучения по данному изобретению: 1 - нанокристаллическая пленка селенида меди; 2 - электроды; 3 - стеклянная подложка; 4 - электроизмерительное устройство. Здесь σ - плоскость падения; k - волновой вектор падающего излучения; n - нормаль к поверхности пленки; α - угол падения; «+» и «-» - положительный и отрицательный входы электроизмерительного устройства соответственно.FIG. 1 shows a method for determining the sign of polarization of circularly and elliptically polarized laser radiation according to this invention: 1 - a nanocrystalline film of copper selenide; 2 - electrodes; 3 - glass substrate; 4 - electrical measuring device. Here σ is the plane of incidence; k is the wave vector of the incident radiation; n is the normal to the surface of the film; α is the angle of incidence; “+” And “-” are the positive and negative inputs of the electrical measuring device, respectively.
Фиг. 2 показывает схему наблюдения электрического сигнала в нанокристаллической пленке селенида меди в зависимости от поляризации падающего лазерного излучения: 1 - нанокристаллическая пленка селенида меди; 2 - электроды; 3 - стеклянная подложка; 5 - осциллограф; 6 - четвертьволновая пластина. Здесь «+» и «-» - положительный и отрицательный входы осциллографа соответственно; σ - плоскость падения; n - нормаль к поверхности пленки; k, Е - соответственно волновой и электрический векторы падающего излучения (k⊥Е); α - угол падения, γ - угол поворота четвертьволновой пластины (угол между «медленной» осью четвертьволновой пластины ne и осью ξ), определяющий направление вращения вектора Е и эллиптичность поляризации на выходе четвертьволновой пластины (ось ξ лежит в плоскости σ, ξ⊥k, no - «быстрая» ось четвертьволновой пластины, no⊥ne).FIG. 2 shows a scheme for observing an electrical signal in a nanocrystalline film of copper selenide depending on the polarization of the incident laser radiation: 1 - nanocrystalline film of copper selenide; 2 - electrodes; 3 - glass substrate; 5 - an oscilloscope; 6 - quarter-wave plate. Here, “+” and “-” are the positive and negative inputs of the oscilloscope, respectively; σ is the plane of incidence; n is the normal to the surface of the film; k, E are the wave and electric vectors of the incident radiation (k⊥Е), respectively; α is the angle of incidence, γ is the angle of rotation of the quarter-wave plate (the angle between the “slow” axis of the quarter-wave plate n e and the axis ξ), which determines the direction of rotation of the vector E and the ellipticity of polarization at the output of the quarter-wave plate (the axis ξ lies in the plane σ, ξ⊥k , n o is the “fast” axis of the quarter-wave plate, n o ⊥n e ).
Фиг. 3 показывает аппроксимированную зависимость коэффициента преобразования мощности падающего лазерного излучения в электрический сигнал, возникающий между электродами, от угла γ, полученную на длине волны 266 нм при α=50° и указанной на Фиг. 2 схеме подключения электродов к входам осциллографа. Верхняя вставка - эллипсы поляризации, соответствующие различным углам γ.FIG. 3 shows an approximated dependence of the coefficient of conversion of the power of the incident laser radiation into an electric signal arising between the electrodes on the angle γ obtained at a wavelength of 266 nm at α = 50 ° and indicated in FIG. 2 diagram of the connection of the electrodes to the inputs of the oscilloscope. The top inset contains polarization ellipses corresponding to different angles γ.
Способ определения знака поляризации циркулярно и эллиптически поляризованного лазерного излучения по данному изобретению осуществляется следующим образом. Анализируемое лазерное излучение с циркулярной или эллиптической поляризацией направляется на поверхность нанокристаллической пленки селенида меди (Фиг. 1). Пленка снабжена двумя электродами и расположена облучаемым межэлектродным участком наклонно к падающему лучу лазера так, что плоскость падения параллельна электродам. Вследствие поверхностного фотовольтаического эффекта воздействие циркулярно или эллиптически поляризованного лазерного излучения на поверхность пленки приводит к генерации однополярного электрического сигнала (фотоэдс) между электродами, полярность которого регистрируется электроизмерительным устройством. Левый от плоскости падения электрод, если смотреть в направлении луча, приобретает положительный потенциал относительно правого электрода при положительном угле падения (α>0 на Фиг. 1) и отрицательном знаке поляризации лазерного излучения, а так же при отрицательном угле падения и положительном знаке поляризации лазерного излучения. Этот же электрод приобретает отрицательный потенциал относительно правого электрода при положительном угле падения и положительном знаке поляризации лазерного излучения, а также при отрицательном угле падения и отрицательном знаке поляризации лазерного излучения. При этом за положительный знак поляризации принимается направление вращения вектора электрического поля в циркулярно и эллиптически поляризованном лазерном излучении по часовой стрелке при наблюдении навстречу лазерному лучу, а за отрицательный - направление вращения указанного вектора против часовой стрелки при той же схеме наблюдения.The method for determining the sign of polarization of circularly and elliptically polarized laser radiation according to this invention is as follows. The analyzed laser radiation with circular or elliptical polarization is directed to the surface of the nanocrystalline film of copper selenide (Fig. 1). The film is equipped with two electrodes and is located irradiated interelectrode section obliquely to the incident laser beam so that the plane of incidence is parallel to the electrodes. Due to the surface photovoltaic effect, the effect of circularly or elliptically polarized laser radiation on the surface of the film leads to the generation of a unipolar electrical signal (photo emf) between the electrodes, the polarity of which is recorded by an electrical measuring device. The electrode left of the plane of incidence, when viewed in the direction of the beam, acquires a positive potential relative to the right electrode at a positive angle of incidence (α> 0 in Fig. 1) and a negative sign of polarization of the laser radiation, as well as a negative angle of incidence and a positive sign of laser polarization radiation. The same electrode acquires a negative potential with respect to the right electrode at a positive angle of incidence and a positive sign of polarization of the laser radiation, as well as at a negative angle of incidence and a negative sign of polarization of the laser radiation. In this case, the direction of rotation of the vector of the electric field in circularly and elliptically polarized laser radiation clockwise when viewed towards the laser beam is taken as the positive sign of polarization, and the direction of rotation of this vector counterclockwise for the same observation scheme is taken as the negative sign.
Нанокристаллическую пленку селенида меди формируют на стеклянной подложке в едином вакуумном цикле методом термического испарения в режиме взрывной кристаллизации [Когай В.Я., Вахрушев А.В., Федотов А.Ю. Спонтанная взрывная кристаллизация и фазовые превращения в наноразмерной двухслойной пленке селен / медь // Письма в ЖЭТФ. 2012. Т. 95, Вып. 9. С. 514-517].A nanocrystalline film of copper selenide is formed on a glass substrate in a single vacuum cycle by thermal evaporation in the mode of explosive crystallization [Kogai V.Ya., Vakhrushev A.V., Fedotov A.Yu. Spontaneous explosive crystallization and phase transformations in a nanoscale two-layer selenium / copper film // Letters in JETP. 2012.V. 95, Issue. 9. S. 514-517].
В качестве электроизмерительного устройства можно использовать осциллограф или любой другой регистратор разнополярного импульсного напряжения, который, например, может состоять из усилителя с широкой полосой пропускания, схемы хранения-выборки и вольтметра, предназначенного для измерения напряжения положительной и отрицательной полярности.As an electrical measuring device, you can use an oscilloscope or any other recorder of bipolar impulse voltage, which, for example, may consist of an amplifier with a wide passband, a storage-sample circuit and a voltmeter designed to measure voltage of positive and negative polarity.
В случае падения на нанокристаллическую пленку селенида меди импульсного лазерного излучения с энергией Е и длительностью импульсов τ в пленке возникает однополярная импульсная фотоэдс, которая характеризуется экстремальным значением U электрического сигнала, возникающего между электродами. Поскольку для нанокристаллической пленки селенида меди зависимость величины U от мощности падающего лазерного излучения носит линейный характер, количественной мерой эффективности преобразования мощности падающего лазерного излучения в электрический сигнал, возникающий между электродами, может служить коэффициент фотовольтаического преобразования η, который можно определить следующим образом:In the case of a pulsed laser radiation with energy E and pulse duration τ falling on a copper selenide nanocrystalline film, a unipolar pulsed photo emf appears in the film, which is characterized by the extreme value U of the electric signal arising between the electrodes. Since the dependence of U on the incident laser radiation power for a nanocrystalline copper selenide film is linear, the photovoltaic conversion coefficient η can be used as a quantitative measure of the conversion efficiency of the incident laser radiation into an electric signal arising between the electrodes:
η=Uτ/E.η = Uτ / E.
Заметим, что в соответствии с данной формулой коэффициент фотовольтаического преобразования может принимать как положительные, так и отрицательные значения в зависимости от полярности регистрируемого электрического сигнала.Note that, in accordance with this formula, the photovoltaic conversion coefficient can take both positive and negative values depending on the polarity of the recorded electrical signal.
Нами экспериментальным путем установлено, что знак коэффициента фотовольтаического преобразования в нанокристаллических пленках селенида меди зависит от характеристик поляризации падающего лазерного излучения, которые можно плавно изменять вращением четвертьволновой пластины 6 (Фиг. 2). Это демонстрируется кривой (Фиг. 3), полученной при облучении нанокристаллической пленки селенида меди толщиной 300 нм ультрафиолетовым лазерным излучением с длиной волны 266 нм. При повороте четвертьволновой пластины, через которую проходит линейно поляризованное в плоскости σ излучение лазера, на определенный угол γ изменяется эллиптичность поляризации и знак поляризации излучения на ее выходе. Например, в пределах углов γ от nπ до (n+1)π/2, где n=0, 1, 2, …, вращение вектора напряженности электрического поля, выходящего из четвертьволновой пластины лазерного излучения, происходит против часовой стрелки при наблюдении навстречу лазерному лучу, и знак поляризации является отрицательным. В эксперименте этому случаю соответствует положительный знак коэффициента фотовольтаического преобразования или положительная полярность фотоэдс, индуцированной в нанокристаллической пленке селенида меди. В пределах углов γ от (n+1)π/2 до (n+1)π вращение вектора напряженности электрического поля лазерного излучения, выходящего из четвертьволновой пластины, происходит по часовой стрелке при тех же параметрах наблюдения, и знак циркулярной поляризации является положительным. В эксперименте этому случаю соответствует отрицательный знак коэффициента фотовольтаического преобразования или отрицательная полярность фотоэдс, индуцированной в нанокристаллической пленке селенида меди.We experimentally established that the sign of the photovoltaic conversion coefficient in nanocrystalline films of copper selenide depends on the polarization characteristics of the incident laser radiation, which can be smoothly changed by rotation of the quarter-wave plate 6 (Fig. 2). This is demonstrated by the curve (Fig. 3) obtained by irradiating a nanocrystalline film of copper selenide with a thickness of 300 nm by ultraviolet laser radiation with a wavelength of 266 nm. When the quarter-wave plate is rotated through which the laser radiation linearly polarized in the σ plane passes, the ellipticity of the polarization and the sign of the polarization of radiation at its output change by a certain angle γ. For example, in the range of angles γ from nπ to (n + 1) π / 2, where n = 0, 1, 2, ..., the rotation of the electric field vector emerging from the quarter-wave plate of the laser radiation occurs counterclockwise when observed towards the laser beam, and the sign of polarization is negative. In the experiment, this case corresponds to the positive sign of the photovoltaic conversion coefficient or the positive polarity of the photo emf induced in the nanocrystalline film of copper selenide. Within the angles γ from (n + 1) π / 2 to (n + 1) π, the rotation of the electric field vector of the laser radiation emerging from the quarter-wave plate occurs clockwise for the same observation parameters, and the sign of circular polarization is positive. In the experiment, this case corresponds to the negative sign of the photovoltaic conversion coefficient or the negative polarity of the photo emf induced in the nanocrystalline film of copper selenide.
Проведенные эксперименты показали, что при толщине нанокристаллической пленки селенида меди меньше 50 нм и больше 500 нм электрический сигнал, возникающий между электродами, существенно ослабевает.The experiments showed that when the thickness of the nanocrystalline film of copper selenide is less than 50 nm and more than 500 nm, the electrical signal arising between the electrodes is significantly weakened.
Таким образом, при воздействии циркулярно или эллиптически поляризованным лазерным излучением на поверхность нанокристаллической пленки селенида меди толщиной от 50 до 500 нм, расположенной облучаемым межэлектродным участком наклонно к падающему пучку лазера так, что плоскость падения луча на пленку параллельна электродам, между данными электродами возникает электрический сигнал, полярность которого зависит от знака поляризации излучения. Это позволяет однозначно определять знак поляризации падающего лазерного излучения по полярности регистрируемого электрического сигнала.Thus, when circularly or elliptically polarized laser radiation acts on the surface of a nanocrystalline film of copper selenide with a thickness of 50 to 500 nm, located by the irradiated interelectrode section, inclined to the incident laser beam so that the plane of incidence of the beam on the film is parallel to the electrodes, an electrical signal appears between these electrodes whose polarity depends on the sign of the polarization of the radiation. This allows you to uniquely determine the sign of the polarization of the incident laser radiation by the polarity of the recorded electrical signal.
Также экспериментально установлено, что при воздействии циркулярно или эллиптически поляризованным лазерным излучением на нанокристаллическую пленку селенида меди максимальный коэффициент фотовольтаического преобразования в ней достигается при углах падения ±(55±10)°.It was also experimentally established that, when a nanocrystalline copper selenide film is exposed to circular or elliptically polarized laser radiation, the maximum photovoltaic conversion coefficient in it is reached at incidence angles of ± (55 ± 10) °.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016124285A RU2631919C1 (en) | 2016-06-17 | 2016-06-17 | Method for determining polarization sign of circular and elliptically polarized laser radiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016124285A RU2631919C1 (en) | 2016-06-17 | 2016-06-17 | Method for determining polarization sign of circular and elliptically polarized laser radiation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2631919C1 true RU2631919C1 (en) | 2017-09-28 |
Family
ID=60040570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016124285A RU2631919C1 (en) | 2016-06-17 | 2016-06-17 | Method for determining polarization sign of circular and elliptically polarized laser radiation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2631919C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2793722C1 (en) * | 2022-03-15 | 2023-04-05 | Дмитрий Сергеевич Сергеев | Method for determining the direction of rotation of the plane of radiation polarization |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2288460C2 (en) * | 2005-01-11 | 2006-11-27 | ГОУ ВПО Дальневосточный государственный университет путей сообщения МПС России (ДВГУПС) | Method for determining rotation sign of radiation polarization plane in optically active crystal |
| DE102005020912A1 (en) * | 2005-05-04 | 2006-11-30 | Carl Zeiss Meditec Ag | Optical radiation`s polarization direction rotation measurement method, for measuring e.g. blood sugar, involves determining rotary angle of polarization level and parameter value of concentration of material, from measurand value |
| RU2452924C1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-06-10 | Геннадий Михайлович Михеев | Method of determining circular polarisation sign of laser radiation |
-
2016
- 2016-06-17 RU RU2016124285A patent/RU2631919C1/en active IP Right Revival
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2288460C2 (en) * | 2005-01-11 | 2006-11-27 | ГОУ ВПО Дальневосточный государственный университет путей сообщения МПС России (ДВГУПС) | Method for determining rotation sign of radiation polarization plane in optically active crystal |
| DE102005020912A1 (en) * | 2005-05-04 | 2006-11-30 | Carl Zeiss Meditec Ag | Optical radiation`s polarization direction rotation measurement method, for measuring e.g. blood sugar, involves determining rotary angle of polarization level and parameter value of concentration of material, from measurand value |
| RU2452924C1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-06-10 | Геннадий Михайлович Михеев | Method of determining circular polarisation sign of laser radiation |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Г.М. Михеев и др. "Спектральная зависимость циркулярного фототока в серебро-палладиевых резистивных пленках" ПИСЬМА В ЖТФ, том 40, вып. 10, 2014 г., стр.37-45. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2793722C1 (en) * | 2022-03-15 | 2023-04-05 | Дмитрий Сергеевич Сергеев | Method for determining the direction of rotation of the plane of radiation polarization |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sirica et al. | Tracking ultrafast photocurrents in the Weyl semimetal TaAs using THz emission spectroscopy | |
| Shaikh et al. | Study on optical properties of l-valine doped ADP crystal | |
| Yasuda et al. | Submicrometer single crystal diffractometry for highly accurate structure determination | |
| JP4528075B2 (en) | Laser damage evaluation method for optical materials | |
| Karch et al. | Photoexcitation of valley-orbit currents in (111)-oriented silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors | |
| WO2018042971A1 (en) | Method and device for evaluating topological insulation from solid spin characteristics | |
| RU2452924C1 (en) | Method of determining circular polarisation sign of laser radiation | |
| RU2631919C1 (en) | Method for determining polarization sign of circular and elliptically polarized laser radiation | |
| JP4637934B2 (en) | Laser damage evaluation method for optical materials | |
| Mikheev et al. | Spectral dependence of circular photocurrent in silver-palladium resistive films | |
| Rajesh et al. | Growth and characterization of large size ADP single crystals and the effect of glycine on their growth and properties | |
| RU2273946C2 (en) | Optic-electronic device | |
| Samuel et al. | Nonlinear refractive index measurement on pure and Nd doped YAG ceramic by dual arm Z-scan technique | |
| Flettner et al. | Atomic and molecular high-harmonic generation: A comparison of ellipticity dependence based on the three-step model | |
| Mikheev et al. | Optical rectification effect in nanostructured carbon films | |
| Saushin et al. | The influence of PdO content on circular photocurrent in resistive Ag/Pd films | |
| Bogomolov et al. | Photovoltaic and pyroelectric effects in self-polarized ferroelectric PZT (25/75) films | |
| RU2775357C1 (en) | Method for determining the "fast" optical axis of a quarter-wave plate | |
| EP4004964B1 (en) | Tomographic atom probe with terahertz pulse generator | |
| Verkhovskaya et al. | The photorefractive and photovoltaic properties of a composite based on ferroelectric polymer doped with carbon nanotubes | |
| Zonov et al. | Wavelength‐Dependent Photocurrent Generation Efficiency in the Carbon Nanowall Films | |
| Ma et al. | Terahertz wave generation from two-color laser-excited air plasma modulated by bichromatic laser fields | |
| Makhin et al. | Photoelectric Response in Indium-Tin Oxide Films | |
| Ginsberg et al. | Tuning the ellipticity of harmonics generated in graphene | |
| Patwardhan et al. | Loss of polarization in collapsing beams of elliptical polarization |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180618 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20191224 |