RU2452924C1 - Method of determining circular polarisation sign of laser radiation - Google Patents
Method of determining circular polarisation sign of laser radiation Download PDFInfo
- Publication number
- RU2452924C1 RU2452924C1 RU2010153472/28A RU2010153472A RU2452924C1 RU 2452924 C1 RU2452924 C1 RU 2452924C1 RU 2010153472/28 A RU2010153472/28 A RU 2010153472/28A RU 2010153472 A RU2010153472 A RU 2010153472A RU 2452924 C1 RU2452924 C1 RU 2452924C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- laser radiation
- sign
- electrodes
- palladium
- silver
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано для определения поляризационных характеристик лазерного излучения, в частности знака циркулярной поляризации лазерного излучения.The invention relates to optical instrumentation and can be used to determine the polarization characteristics of laser radiation, in particular the sign of circular polarization of laser radiation.
Известен способ определения знака циркулярной поляризации лазерного излучения, в котором излучение лазера направляют на фоточувствительный элемент в виде кристалла теллура, оснащенный с фронтальной и тыльной стороны кольцевыми электродами, полярность сигнала ЭДС между которыми указывает на знак циркулярной поляризации этого излучения [Аснин В.М., Бакун А.А., Данишевский A.M. и др. Обнаружение фотоэдс, зависящей от знака циркулярной поляризации света. // Письма в ЖЭТФ, 1978, т.28, в.2, с.80-84]. Известен также способ определения знака циркулярной поляризации лазерного излучения, в котором излучение лазера направляют на фоточувствительный элемент в виде кристалла ниобата лития, оснащенный с облучаемой стороны плоскими электродами, полярность сигнала ЭДС между которыми указывает на знак циркулярной поляризации лазерного излучения [Казанский П.Г., Прохоров A.M., Черных В.А. Прямое обнаружение циркулярного фототока в ниобате лития. // Письма в ЖЭТФ, 1985, т.41, в.9, с.370-372].A known method for determining the sign of circular polarization of laser radiation, in which the laser radiation is directed to a photosensitive element in the form of a tellurium crystal, equipped with ring electrodes on the front and back, the polarity of the emf signal between which indicates the sign of circular polarization of this radiation [Asnin V.M. Bakun A.A., Danishevsky AM et al. Detection of photo emf depending on the sign of circular polarization of light. // Letters to JETP, 1978, v.28, v.2, s.80-84]. There is also a method for determining the sign of circular polarization of laser radiation, in which the laser radiation is directed to a photosensitive element in the form of a lithium niobate crystal equipped with flat electrodes on the irradiated side, the polarity of the emf signal between which indicates the sign of circular polarization of laser radiation [Kazan P., Prokhorov AM, Chernykh V.A. Direct detection of circular photocurrent in lithium niobate. // Letters to JETP, 1985, v.41, v.9, p.370-372].
Недостатком указанных способов является использование объемных дорогостоящих оптических кристаллов, которые работают в относительно узком спектральном диапазоне.The disadvantage of these methods is the use of bulk expensive optical crystals that operate in a relatively narrow spectral range.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому способу является способ определения знака циркулярной поляризации лазерного излучения, включающий воздействие лазерного излучения на снабженный двумя электродами фоточувствительный элемент, расположенный облучаемым межэлектродным участком наклонно к падающему пучку лазера так, что линия, соединяющая электроды по кратчайшему расстоянию, перпендикулярна к плоскости падения лазерного излучения, измерение электрического сигнала между электродами, определение знака циркулярной поляризации лазерного излучения по полярности электрического сигнала, в котором в качестве фоточувствительного элемента используется пленочная полупроводниковая гетероструктура, представляющая собой квантовую яму [S.D.Ganichev, E.L.Ivchenko, S.N.Danilov, J.Eroms, W.Wegscheider, D.Weiss and W.Pret. Conversion of Spin into Directed Electric Current in Quantum Wells // Physical Review Letters. 2001, vol.86, No.19, p.4358-4361].The closest in technical essence to the claimed method is a method for determining the sign of circular polarization of laser radiation, including the action of laser radiation on a photosensitive element equipped with two electrodes, located irradiated interelectrode section inclined to the incident laser beam so that the line connecting the electrodes at the shortest distance is perpendicular to plane of incidence of laser radiation, measurement of the electrical signal between the electrodes, determination of the circular sign polarization of laser radiation by the polarity of the electric signal, in which a film semiconductor heterostructure representing a quantum well is used as a photosensitive element [S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, S.N.Danilov, J.Eroms, W.Wegscheider, D.Weiss and W.Pret. Conversion of Spin into Directed Electric Current in Quantum Wells // Physical Review Letters. 2001, vol. 86, No.19, p. 4358-4361].
Недостатками этого способа являются сложность и трудоемкость изготовления пленочных гетероструктур, невозможность получения пленки с большой площадью. Кроме того, такие гетероструктуры работают лишь в дальней инфракрасной области спектра.The disadvantages of this method are the complexity and complexity of the manufacture of film heterostructures, the inability to obtain a film with a large area. In addition, such heterostructures work only in the far infrared region of the spectrum.
Задачей изобретения является разработка способа определения знака циркулярной поляризации лазерного излучения на основе явления поверхностного циркулярного фотогальванического эффекта в серебро-палладиевой резистивной пленке.The objective of the invention is to develop a method for determining the sign of circular polarization of laser radiation based on the phenomenon of surface circular photovoltaic effect in a silver-palladium resistive film.
Сущность изобретения заключается в том, что в отличие от известного способа определения знака циркулярной поляризации лазерного излучения, включающего воздействие лазерного излучения на снабженный двумя электродами фоточувствительный элемент, расположенный облучаемым межэлектродным участком наклонно к падающему пучку лазера так, что линия, соединяющая электроды по кратчайшему расстоянию, перпендикулярна к плоскости падения лазерного излучения, измерение электрического сигнала между электродами, определение знака циркулярной поляризации лазерного излучения по полярности электрического сигнала, в качестве фоточувствительного элемента используют серебро-палладиевую резистивную пленку с удельным поверхностным сопротивлением от 10 до 1000 Ом/квадрат.The essence of the invention lies in the fact that, in contrast to the known method for determining the sign of circular polarization of laser radiation, including the action of laser radiation on a photosensitive element provided with two electrodes, the irradiated interelectrode section is inclined to the incident laser beam so that the line connecting the electrodes at the shortest distance perpendicular to the plane of incidence of laser radiation, measuring the electrical signal between the electrodes, determining the sign of the circular field For laser radiation polarization by the polarity of the electric signal, a silver-palladium resistive film with a specific surface resistance of 10 to 1000 Ohm / square is used as a photosensitive element.
Для получения максимального коэффициента оптоэлектрического преобразования серебро-палладиевую резистивную пленку располагают к пучку лазера под углом ±(60±5)°.To obtain the maximum coefficient of optoelectric conversion, a silver-palladium resistive film is placed to the laser beam at an angle of ± (60 ± 5) °.
Техническим результатом изобретения является снижение стоимости способа определения знака циркулярной поляризации лазерного излучения за счет использования в качестве фоточувствительного элемента серебро-палладиевой резистивной пленки, а также расширение рабочего диапазона длин волн - от ультрафиолета (250 нм) до средней инфракрасной области (5000 нм).The technical result of the invention is to reduce the cost of the method for determining the sign of circular polarization of laser radiation by using a silver-palladium resistive film as a photosensitive element, as well as expanding the operating wavelength range from ultraviolet (250 nm) to mid-infrared (5000 nm).
На фиг.1 приведена схема устройства, поясняющая предлагаемый способ, где цифрами обозначены: 7 - источник линейно-поляризованного лазерного излучения, 2 - четвертьволновая пластинка, установленная перпендикулярно к лучу лазера, 3 - серебро-палладиевая резистивная пленка, 4 - электроды, 5 - подложка, 6 - осциллограф. Здесь k - волновой вектор падающего излучения, n - нормаль к поверхности пленки; плоскость падения луча на поверхность пленки определяется векторами k и n; α - угол падения; γ - фазовый угол (угол между линиями ne и ξ), определяющий направление вращения вектора электрического поля E и эллиптичность поляризации на выходе четвертьволновой пластины (линия ξ, лежит в плоскости падения, ξ⊥k; ne - оптическая ось четвертьволновой пластины, n0⊥ne); xyz - декартовая система координат (плоскость xy лежит на поверхности резистивной пленки, ось у перпендикулярна к плоскости падения).Figure 1 shows a diagram of a device explaining the proposed method, where the numbers denote: 7 - a source of linearly polarized laser radiation, 2 - a quarter-wave plate mounted perpendicular to the laser beam, 3 - silver-palladium resistive film, 4 - electrodes, 5 - substrate, 6 - oscilloscope. Here k is the wave vector of the incident radiation, n is the normal to the film surface; the plane of incidence of the beam on the film surface is determined by the vectors k and n; α is the angle of incidence; γ is the phase angle (the angle between the lines n e and ξ), which determines the direction of rotation of the electric field vector E and the ellipticity of polarization at the output of the quarter-wave plate (line ξ, lies in the plane of incidence, ξ⊥k; n e is the optical axis of the quarter-wave plate, n 0 ⊥n e ); xyz is the Cartesian coordinate system (the xy plane lies on the surface of the resistive film, the y axis is perpendicular to the plane of incidence).
На фиг.2 приведены кривые коэффициента преобразования мощности падающего лазерного излучения в электрический сигнал резистивной пленкой в зависимости от угла падения α пучка для положительного знака циркулярной поляризации излучения (вращение вектора напряженности электрического поля происходит по часовой стрелке при наблюдении навстречу световому лучу) 1 и для отрицательного знака циркулярной поляризации излучения против часовой стрелки (вращение вектора напряженности электрического поля происходит против часовой стрелки при наблюдении навстречу световому лучу) 2.Figure 2 shows the curves of the coefficient of conversion of the power of the incident laser radiation into an electrical signal by a resistive film as a function of the angle of incidence α of the beam for the positive sign of the circular polarization of radiation (the rotation of the electric field vector occurs clockwise when viewed towards the light beam) 1 and for negative sign of circular polarization of radiation counterclockwise (rotation of the electric field vector occurs counterclockwise when Luden toward light beam) 2.
На фиг.3 приведены кривые коэффициента преобразования мощности падающего лазерного излучения в электрический сигнал, возникающего между электродами серебро-палладиевой резистивной пленки при α=45°, в зависимости от угла поворота γ четвертьволновой пластинки, задающего форму и знак циркулярной поляризации лазерного излучения. На фиг.3 экспериментальная кривая 1 получена для пленки, расположенной так, что линия, соединяющая электроды по кратчайшему расстоянию, перпендикулярна к плоскости падения лазерного излучения, кривая 2 - для пленки, расположенной так, что линия, соединяющая электроды по кратчайшему расстоянию, параллельна к плоскости падения лазерного излучения.Figure 3 shows the curves of the coefficient of conversion of the power of the incident laser radiation into an electrical signal arising between the electrodes of the silver-palladium resistive film at α = 45 °, depending on the angle of rotation γ of the quarter-wave plate, which defines the shape and sign of the circular polarization of the laser radiation. In Fig. 3,
Способ осуществляется следующим образом. Лазерное излучение с циркулярной поляризацией (фиг.1) направляется на поверхность серебро-палладиевой резистивной пленки 3, расположенной облучаемым межэлектродным участком наклонно к падающему пучку лазера так, что линия, соединяющая электроды 4 по кратчайшему расстоянию, перпендикулярна к плоскости падения лазерного излучения. Воздействие циркулярно-поляризованного лазерного излучения на поверхность серебро-палладиевой резистивной пленки, сформированной с использованием толстопленочной технологии на диэлектрической подложке 5, из-за явления поверхностного циркулярного фотогальванического эффекта приводит к генерации однополярного сигнала ЭДС между электродами пленки, амплитуда и полярность которого регистрируется осциллографом 6. Левый от плоскости падения луча электрод резистивной пленки, если смотреть в направлении луча, приобретает положительный потенциал относительно правого электрода при положительном угле наклона резистивной пленки по отношению к лазерному лучу и отрицательном знаке циркулярной поляризации лазерного излучении, а также при отрицательном угле наклона резистивной пленки и положительном знаке циркулярной поляризации лазерного излучения. Этот же электрод резистивной пленки приобретает отрицательный потенциал относительно правого электрода при положительном угле наклона и положительном знаке циркулярной поляризации лазерного излучении, а также при отрицательном угле наклона резистивной пленки и отрицательном знаке циркулярной поляризации лазерного излучения.The method is as follows. The circularly polarized laser radiation (Fig. 1) is directed onto the surface of the silver-palladium resistive film 3 located by the irradiated interelectrode portion obliquely to the incident laser beam so that the line connecting the electrodes 4 along the shortest distance is perpendicular to the plane of incidence of the laser radiation. The effect of circularly polarized laser radiation on the surface of a silver-palladium resistive film formed using thick-film technology on a dielectric substrate 5, due to the surface circular photovoltaic effect, leads to the generation of a unipolar EMF signal between the film electrodes, the amplitude and polarity of which is recorded by oscilloscope 6. The electrode of the resistive film left of the plane of incidence of the beam, when viewed in the direction of the beam, acquires a positive the potential relative to the right electrode with a positive angle of inclination of the resistive film with respect to the laser beam and a negative sign of circular polarization of the laser radiation, as well as with a negative angle of inclination of the resistive film and positive sign of the circular polarization of laser radiation. The same electrode of the resistive film acquires a negative potential with respect to the right electrode at a positive angle of inclination and a positive sign of circular polarization of the laser radiation, as well as at a negative angle of inclination of the resistive film and a negative sign of circular polarization of the laser radiation.
Серебро-палладиевые резистивные пленки изготавливаются с использованием толстопленочной технологии путем вжигания на изоляционную основу паст, в состав которых входят оксид серебра Ag2O, палладий Pd, стеклянная фритта и растворитель. В процессе высокотемпературных физико-химических процессов формируется резистивная пленка, состоящая из композиции стекла, палладия Pd, оксида палладия PdO и сплава палладия с серебром Pd-Ag. Палладий и сплав палладия с серебром являются проводниками, резистивные свойства композиции придает оксид палладия, который является полупроводником p-типа. Процентное содержание этих компонентов и определяет параметры серебро-палладиевой резистивной пленки, в частности сопротивление и температурный коэффициент сопротивления. Таким образом, резистивная пленка содержит в себе одновременно изолирующую, проводниковую и полупроводниковую фазы.Silver-palladium resistive films are made using thick-film technology by burning pastes on the insulating base, which include silver oxide Ag 2 O, palladium Pd, glass frit and solvent. During high-temperature physicochemical processes, a resistive film is formed consisting of a composition of glass, palladium Pd, palladium oxide PdO and an alloy of palladium with silver Pd-Ag. Palladium and an alloy of palladium with silver are conductors; the palladium oxide, which is a p-type semiconductor, gives the composition its resistive properties. The percentage of these components determines the parameters of the silver-palladium resistive film, in particular, the resistance and temperature coefficient of resistance. Thus, the resistive film contains simultaneously the insulating, conductor and semiconductor phases.
В случае импульсного лазерного излучения с энергией εlaser и длительностью импульсов τlaser в резистивной пленке возникает однополярная импульсная ЭДС, которая характеризуется своей полярностью p (p может принимать значения ±1), амплитудным значением A (A>0, по определению) и длительностью импульсов τ. Эти характеристики наведенной в пленке ЭДС можно определить с помощью осциллографа. Величину ЭДС U можно выразить через ее полярность и амплитудное значение как U=рА, тогда количественной мерой эффективности оптоэлектрического преобразования в резистивной пленке может служить коэффициент преобразования η, который можно определить следующим образом:In the case of pulsed laser radiation with energy ε laser and pulse duration τ laser , a unipolar pulsed EMF appears in the resistive film, which is characterized by its polarity p (p can take values ± 1), amplitude value A (A> 0, by definition) and pulse duration τ. These characteristics of the induced EMF in the film can be determined using an oscilloscope. The EMF value U can be expressed through its polarity and amplitude value as U = pA, then the conversion coefficient η can serve as a quantitative measure of the efficiency of the optoelectric conversion in a resistive film, which can be determined as follows:
Заметим, что в соответствии с формулой (1) коэффициент преобразования может принимать как положительные, так и отрицательные значения в зависимости от полярности регистрируемого импульса ЭДС.Note that, in accordance with formula (1), the conversion coefficient can take both positive and negative values depending on the polarity of the recorded EMF pulse.
Вместо осциллографа в качестве регистрирующего устройства можно использовать любой регистратор разнополярного импульсного напряжения, который, например, может состоять из усилителя с широкой полосой пропускания, схемы хранения-выборки и вольтметра, предназначенного для измерения напряжения положительной и отрицательной полярности.Instead of an oscilloscope, you can use any recorder of different polarity impulse voltage, which, for example, can consist of an amplifier with a wide passband, a storage-sample circuit and a voltmeter designed to measure voltage of positive and negative polarity.
Для импульсного лазерного излучения с фиксированным знаком циркулярной поляризации коэффициент преобразования η лазерной мощности в импульсное электрическое напряжение серебро-палладиевой резистивной пленки зависит от угла падения лазерного луча на поверхность пленки и принимает максимальное значение вблизи углов ±(60±5)°. При этом полярность поверхностного циркулярного фотогальванического эффекта в резистивной пленке зависит как от знака циркулярной поляризации падающего лазерного излучения, так и от знака угла падения луча на поверхность пленки (фиг.2).For pulsed laser radiation with a fixed circular polarization sign, the conversion coefficient η of the laser power to the pulsed voltage of the silver-palladium resistive film depends on the angle of incidence of the laser beam on the film surface and takes a maximum value near the angles of ± (60 ± 5) °. In this case, the polarity of the surface circular photovoltaic effect in the resistive film depends both on the sign of the circular polarization of the incident laser radiation and on the sign of the angle of incidence of the beam on the film surface (Fig. 2).
Нами экспериментальным путем установлено, что знак коэффициента преобразования мощности (определяемый по формуле (1)) циркулярно поляризованного лазерного излучения в электрический сигнал в серебро-палладиевой резистивной пленке зависит от характеристик поляризации, которые можно изменять вращением четвертьволновой пластинки 2 (фиг.1). Это демонстрируется кривой 1, представленной на фиг.3. При повороте четвертьволновой пластины 2 (через которую проходит линейно поляризованное излучение лазера 1) на определенный угол γ изменяется эллиптичность поляризации и знак циркулярной поляризации. Например, в пределах углов γ от nπ до (n+1)π/2, n=0, 1, 2, …, вращение вектора напряженности электрического поля лазерного излучения, выходящего из четвертьволновой пластинки, происходит против часовой стрелки и знак циркулярной поляризации является отрицательным. В эксперименте этому случаю соответствует положительный знак коэффициента преобразования, или положительная полярность ЭДС, индуцированной в серебро-палладиевой пленке. В пределах углов γ от (n+1)π/2, до (n+1)π вращение вектора напряженности электрического поля лазерного излучения, выходящего из четвертьволновой пластинки, происходит по часовой стрелке и знак циркулярной поляризации является положительным. В эксперименте этому случаю соответствует отрицательный знак коэффициента преобразования, или отрицательная полярность ЭДС, индуцированной в серебро-палладиевой пленке.We experimentally established that the sign of the power conversion coefficient (determined by formula (1)) of circularly polarized laser radiation into an electric signal in a silver-palladium resistive film depends on the polarization characteristics that can be changed by rotation of the quarter-wave plate 2 (Fig. 1). This is illustrated by
Необходимо особо отметить, что в том случае, если линия, соединяющая электроды по кратчайшему расстоянию, параллельна к плоскости падения лазерного излучения, на электродах пленки также возникает электрический сигнал, амплитуда которого зависит от эллиптичности циркулярной поляризации лазерного излучения (фиг.3, кривая 2). Максимальное и минимальное значение электрический сигнал принимает, соответственно, при круговой и линейной поляризации лазерного излучения, но при изменении знака циркулярной поляризации излучения полярность электрического сигнала не изменяется.It should be specially noted that if the line connecting the electrodes at the shortest distance is parallel to the plane of incidence of the laser radiation, an electric signal also appears on the film electrodes, the amplitude of which depends on the ellipticity of the circular polarization of the laser radiation (Fig. 3, curve 2) . The maximum and minimum value of the electric signal takes, respectively, with circular and linear polarization of the laser radiation, but when the sign of the circular polarization of the radiation changes, the polarity of the electric signal does not change.
Таким образом, при воздействии циркулярно-поляризованным лазерным излучением на поверхность серебро-палладиевой резистивной пленки, расположенной облучаемым межэлектродным участком наклонно к падающему пучку лазера так, что линия, соединяющая электроды по кратчайшему расстоянию, перпендикулярна к плоскости падения лазерного излучения, между электродами пленки возникает электрический сигнал, полярность которого зависит от знака циркулярной поляризации излучения, что, соответственно, позволяет определить знак циркулярной поляризации лазерного излучения, используя в качестве чувствительного элемента серебро-палладиевую резистивную пленку, изготовленную с использованием толстопленочной технологии.Thus, when circularly polarized laser radiation acts on the surface of a silver-palladium resistive film located by the irradiated interelectrode section, it is oblique to the incident laser beam so that the line connecting the electrodes in the shortest distance is perpendicular to the plane of the laser radiation incidence, an electric electrode appears between the film electrodes a signal whose polarity depends on the sign of the circular polarization of the radiation, which, accordingly, allows us to determine the sign of the circular polarization ii laser radiation, using as sensing element a silver-palladium resistive film made using thick-film technology.
Содержание функциональных исходных материалов, как окись серебра Ag2O и палладий Pd, в пастах для изготовления резистивных пленок с удельным поверхностным сопротивлением от 10 до 1000 Ом/квадрат отличается не более чем в 2 раза, поэтому эти пленки могут использоваться в качестве фоточувствительного элемента в предлагаемом способе определения знака циркулярной поляризации лазерного излучения.The content of functional starting materials, such as silver oxide Ag 2 O and palladium Pd, in pastes for the manufacture of resistive films with a specific surface resistance of 10 to 1000 Ohm / square differs by no more than 2 times; therefore, these films can be used as a photosensitive element in the proposed method for determining the sign of circular polarization of laser radiation.
При воздействии циркулярно поляризованным лазерным излучением на серебро-палладиевую резистивную пленку ее максимальный коэффициент оптоэлектрического преобразования достигается при углах падения ±(60±5)°.When a silver-palladium resistive film is exposed to circularly polarized laser radiation, its maximum optoelectric conversion coefficient is reached at incidence angles of ± (60 ± 5) °.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010153472/28A RU2452924C1 (en) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | Method of determining circular polarisation sign of laser radiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010153472/28A RU2452924C1 (en) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | Method of determining circular polarisation sign of laser radiation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2452924C1 true RU2452924C1 (en) | 2012-06-10 |
Family
ID=46680062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010153472/28A RU2452924C1 (en) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | Method of determining circular polarisation sign of laser radiation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2452924C1 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2558599C2 (en) * | 2013-10-18 | 2015-08-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения РАН | Method of making photosensitive silver-palladium resistive film |
| RU2631919C1 (en) * | 2016-06-17 | 2017-09-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения Российской академии наук | Method for determining polarization sign of circular and elliptically polarized laser radiation |
| RU2636256C2 (en) * | 2016-02-09 | 2017-11-21 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова" | Method for measuring power and frequency of laser radiation pulses and device for its implementation |
| RU2662042C1 (en) * | 2017-09-05 | 2018-07-23 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Method for determining the sign of circular polarization of light and detector for its implementation |
| RU2805784C1 (en) * | 2023-04-17 | 2023-10-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ)" | Infrared detector of circularly polarized radiation based on graphene |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2278981A1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-01-23 | Andrei Kourilovitch | Ellipsometer |
| RU2273946C2 (en) * | 2004-05-25 | 2006-04-10 | Геннадий Михайлович Михеев | Optic-electronic device |
| RU2365027C1 (en) * | 2007-11-19 | 2009-08-20 | Институт прикладной механики УрО РАН | Opto-electric converter |
| EP2190022A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-26 | Hitachi Ltd. | Spin-polarised charge carrier device |
-
2010
- 2010-12-27 RU RU2010153472/28A patent/RU2452924C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2278981A1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-01-23 | Andrei Kourilovitch | Ellipsometer |
| RU2273946C2 (en) * | 2004-05-25 | 2006-04-10 | Геннадий Михайлович Михеев | Optic-electronic device |
| RU2365027C1 (en) * | 2007-11-19 | 2009-08-20 | Институт прикладной механики УрО РАН | Opto-electric converter |
| EP2190022A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-26 | Hitachi Ltd. | Spin-polarised charge carrier device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2558599C2 (en) * | 2013-10-18 | 2015-08-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения РАН | Method of making photosensitive silver-palladium resistive film |
| RU2636256C2 (en) * | 2016-02-09 | 2017-11-21 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова" | Method for measuring power and frequency of laser radiation pulses and device for its implementation |
| RU2631919C1 (en) * | 2016-06-17 | 2017-09-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения Российской академии наук | Method for determining polarization sign of circular and elliptically polarized laser radiation |
| RU2662042C1 (en) * | 2017-09-05 | 2018-07-23 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Method for determining the sign of circular polarization of light and detector for its implementation |
| RU2805784C1 (en) * | 2023-04-17 | 2023-10-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ)" | Infrared detector of circularly polarized radiation based on graphene |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8047713B2 (en) | Plasmon resonance detector | |
| Rastogi et al. | Complex optical index of HgTe nanocrystal infrared thin films and its use for short wave infrared photodiode design | |
| Chi et al. | A Wide‐Range Photosensitive Weyl Semimetal Single Crystal—TaAs | |
| WO2016140946A1 (en) | Plasmon-enhanced terahertz graphene-based photodetector and method of fabrication | |
| US9109296B2 (en) | Method for etching conductive metal oxide layer using microelectrode | |
| RU2452924C1 (en) | Method of determining circular polarisation sign of laser radiation | |
| Wang et al. | Hot-electron photodetector with wavelength selectivity in near-infrared via Tamm plasmon | |
| JP2012209486A5 (en) | ||
| JPWO2019031591A1 (en) | Electric measurement type surface plasmon resonance sensor and electric measurement type surface plasmon resonance sensor chip used therefor | |
| US20170030770A1 (en) | Fully-coherent terahertz detection method and system | |
| EP2602599A1 (en) | Bolometric detector for detecting Teraherz electromagnetic radiation | |
| JP2006229052A (en) | Solar cell, its manufacturing method, and short-circuited part removal device | |
| CN113419200B (en) | Method for detecting current-induced spin polarization of Bi2Te3 surface hexagonal warpage | |
| US8625085B2 (en) | Defect evaluation method for semiconductor | |
| Mikheev et al. | Light-induced EMF in silver-palladium film resistors | |
| CN100458382C (en) | Quick-responding high-sensitivity ultraviolet detector made by calcium-titanium oxide monocrystal material | |
| Mikheev et al. | Circular photogalvanic effect observed in silver-palladium film resistors | |
| JP7313607B2 (en) | Electrical measurement type surface plasmon resonance sensor, electrical measurement type surface plasmon resonance sensor chip, and method for detecting surface plasmon resonance change | |
| JPWO2003087739A1 (en) | Light detection sensor | |
| RU2699930C1 (en) | High-speed photodetector | |
| Saushin et al. | The influence of PdO content on circular photocurrent in resistive Ag/Pd films | |
| RU2351904C1 (en) | Photodetector | |
| Mikheev et al. | Quick-response film photodetector of high-power laser radiation based on the optical rectification effect | |
| RU2477457C1 (en) | Optoelectronic analyser of optical radiation polarisation | |
| CN103180963B (en) | The manufacture method of photodetector and this photodetector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20131228 |