RU2631553C2 - Magnetron spray system with electron injection - Google Patents

Magnetron spray system with electron injection Download PDF

Info

Publication number
RU2631553C2
RU2631553C2 RU2015154392A RU2015154392A RU2631553C2 RU 2631553 C2 RU2631553 C2 RU 2631553C2 RU 2015154392 A RU2015154392 A RU 2015154392A RU 2015154392 A RU2015154392 A RU 2015154392A RU 2631553 C2 RU2631553 C2 RU 2631553C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cathode
target
magnetron
electron
discharge
Prior art date
Application number
RU2015154392A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2015154392A (en
Inventor
Максим Валентинович Шандриков
Ефим Михайлович Окс
Алексей Сергеевич Бугаев
Алексей Вадимович Визирь
Александр Геннадьевич Останин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН)
Priority to RU2015154392A priority Critical patent/RU2631553C2/en
Publication of RU2015154392A publication Critical patent/RU2015154392A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2631553C2 publication Critical patent/RU2631553C2/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

FIELD: physics.
SUBSTANCE: device contains a cathode node in the anode body (1), which includes a flat target-cathode (2). In the cathode node behind the target-cathode plane (2), which is electrically connected to the electrode (3), there is a magnet system (4) with a magnetic circuit (5). The electron injector (6) is located in the cathode node. Electrons are injected into the cathode layer of the magnetron discharge through the hole in the target-cathode (2). As a result, a significant additional energy corresponding to the cathodic drop in the potential is obtained, and effective ionization of the working gas occurs near the surface of the sputtered target under conditions of reduced pressure, when an independent form of combustion of the magnetron discharge is difficult or even impossible.
EFFECT: reducing the working gas pressure in the drift space of the atomized atom flow between the target and the substrate.
3 cl, 2 dwg

Description

Изобретение относится к плазменной технике, в частности к магнетронным распылительным системам, и может быть использовано для нанесения покрытий методом магнетронного распыления металлической мишени в вакууме.The invention relates to plasma technology, in particular to magnetron sputtering systems, and can be used for coating by magnetron sputtering of a metal target in a vacuum.

Магнетронные распылительные системы (МРС) с плоской мишенью широко используются для осаждения покрытий. Нижнее предельное рабочее давление такого типа разряда составляет, как правило, (1÷2)⋅10-3 Торр. Относительно высокое давление газа в пространстве дрейфа потока распыленных атомов увеличивает их рассеивание (подложки достигает менее 35% распыленного материала), а также ухудшает качество осаждаемого покрытия за счет высокой доли атомов рабочего газа в формируемой пленочной структуре. Положительную роль на формирование покрытия оказывает ионное ассистирование из плазмы магнетронного разряда. Снижение рабочего давления с 3⋅10-3 до 1⋅10-3 Торр приводит к увеличению ионного тока на подложку практически в два раза при тех же параметрах магнетронного разряда.Flat target magnetron sputtering systems (MPCs) are widely used for coating deposition. The lower limit working pressure of this type of discharge is, as a rule, (1 ÷ 2) ⋅10 -3 Torr. The relatively high gas pressure in the drift space of the atomized atom flux increases their dispersion (the substrate reaches less than 35% of the atomized material) and also degrades the quality of the deposited coating due to the high fraction of working gas atoms in the formed film structure. A positive role in the formation of the coating is exerted by ion assisting from a plasma of a magnetron discharge. A decrease in the working pressure from 3⋅10 -3 to 1⋅10 -3 Torr leads to an almost twofold increase in the ion current to the substrate for the same magnetron discharge parameters.

Известно устройство, в котором для понижения рабочего давления планарного магнетронного разряда используется эффект полого катода посредством размещения дополнительного кольца, установленного непосредственно на мишень магнетронной распылительной системы [1]. Поскольку кольцо, как и мишень, находится под отрицательным потенциалом и подвергается интенсивному ионному распылению, для предотвращения загрязнения потока распыленных атомов нежелательными примесями материал кольца и мишени по составу должны быть полностью идентичны. Широкое использование в МРС спекаемых композитных мишеней делает такой подход экономически нецелесообразным и технически сложно реализуемым.A device is known in which the hollow cathode effect is used to lower the working pressure of a planar magnetron discharge by placing an additional ring mounted directly on the target of the magnetron sputtering system [1]. Since the ring, like the target, is at a negative potential and undergoes intense ion sputtering, to prevent contamination of the atomized atom stream by undesirable impurities, the material of the ring and the target must be completely identical in composition. The widespread use of sintered composite targets in MPCs makes this approach economically impractical and technically difficult to implement.

Известно устройство, в котором для понижения рабочего давления планарного магнетронного разряда за счет дополнительной ионизации рабочего газа используется термоэмиссионный катод в виде спирали либо самокалящейся трубки, выполненной из тугоплавкового материала (например, тантала) [2]. Катод, эмитирующий электроны, располагается в пространстве между мишенью магнетрона и подложкой. Анодом дополнительного разряда служит анод магнетронного разряда. Близким техническим решением является использование в качестве эмиттера электронов накаленных полых катодов в виде трубки или набора трубок. Ток разряда с накаленным катодом, как правило, составляет от единиц до десятков ампер. Несмотря на ряд недостатков (необходимость введения дополнительных электродов в процесс, невозможность работы в среде реакционных газов, термическая нагрузка на подложку) указанный подход помогает решить основную задачу - понизить нижнее предельное давление магнетронного разряда вплоть до 5⋅10-4 Торр. Использование холодного полого катода позволяет избежать известных недостатков термоэмиссионных катодов [3].A device is known in which to lower the working pressure of a planar magnetron discharge due to additional ionization of the working gas, a thermionic cathode in the form of a spiral or a self-heating tube made of refractory material (for example, tantalum) is used [2]. The cathode emitting electrons is located in the space between the magnetron target and the substrate. The anode of the additional discharge is the anode of the magnetron discharge. A close technical solution is to use incandescent hollow cathodes as an electron emitter in the form of a tube or a set of tubes. The discharge current with a hot cathode, as a rule, ranges from units to tens of amperes. Despite a number of drawbacks (the need to introduce additional electrodes into the process, the impossibility of working in a reaction gas environment, the thermal load on the substrate), this approach helps to solve the main problem - to lower the lower limit pressure of a magnetron discharge down to 5⋅10 -4 Torr. The use of a cold hollow cathode avoids the known disadvantages of thermionic cathodes [3].

Наиболее близким устройством по наибольшему количеству общих признаков к предлагаемому изобретению и взятым нами за прототип является импульсная МРС с дополнительным вакуумно-дуговым генератором плазмы [4]. Устройство представляет собой стандартную МРС и включает в себя плоскую цилиндрическую мишень, магнитопровод с двумя кольцевыми магнитами и корпус, имеющий потенциал анода. Вакуумно-дуговой генератор плазмы служит для инициирования основного магнетронного разряда при низком давлении и располагается на периферии мишени МРС. Для улучшения однородности и увеличения плотности начальной плазмы вблизи мишени может использоваться два вакуумно-дуговых генератора, размещенных на диаметрально противоположных концах мишени. Инжекция плазмы осуществляется от периферии к центру вдоль плоскости мишени.The closest device in the most common features to the proposed invention and taken as a prototype is a pulsed MRS with an additional vacuum-arc plasma generator [4]. The device is a standard MPC and includes a flat cylindrical target, a magnetic circuit with two ring magnets and a housing having anode potential. A vacuum-arc plasma generator is used to initiate the main magnetron discharge at low pressure and is located on the periphery of the MRS target. To improve uniformity and increase the density of the initial plasma near the target, two vacuum-arc generators located at diametrically opposite ends of the target can be used. Plasma injection is carried out from the periphery to the center along the target plane.

Причиной, препятствующей достижению указанного ниже технического результата при использовании указанного устройства, является низкая энергия электронов из дополнительного разряда и, как следствие, низкая степень ионизации рабочего газа при снижении рабочего давления в области мишени, что требует значительного увеличения тока электронов из дополнительного разряда.The reason that impedes the achievement of the technical result indicated below when using the indicated device is the low energy of the electrons from the additional discharge and, as a consequence, the low degree of ionization of the working gas with a decrease in the working pressure in the target region, which requires a significant increase in the electron current from the additional discharge.

Задачей, решаемой предлагаемым изобретением, является обеспечение компактной конструкции МРС, обеспечивающей эффективное распыление мишени при пониженном давлении рабочего газа и минимальных дополнительных энергозатратах.The problem solved by the invention is the provision of a compact design of the MPC, which provides effective sputtering of the target with reduced pressure of the working gas and minimal additional energy consumption.

Техническим результатом является снижение давления рабочего газа в пространстве дрейфа потока распыленных атомов между мишенью и подложкой.The technical result is to reduce the pressure of the working gas in the space of the drift of the stream of atomized atoms between the target and the substrate.

Указанный технический результат достигается тем, что в магнетронной распылительной системе, содержащей в корпусе-аноде катодный узел, включающий в себя магнитный блок, закрытый плоской распыляемой мишенью-катодом и обращенной распыляемой поверхностью в сторону подложки, согласно изобретению катодный узел дополнительно снабжен, по крайней мере, одним инжектором электронов, обеспечивающим поток электронов через отверстие в плоской мишени, которая при этом для инжектора выполняет функцию анода.This technical result is achieved in that in a magnetron sputtering system comprising a cathode assembly in the anode body including a magnetic unit closed by a flat sputtering target cathode and facing the sprayed surface toward the substrate, according to the invention, the cathode assembly is further provided with at least , one electron injector, providing the flow of electrons through the hole in a flat target, which in this case serves as an anode for the injector.

Размещение инжектора в катодном узле с выводом электронов в плоской мишени позволяет инжектируемым электронам дополнительно ускоряться в прикатодном слое магнетронного разряда, вследствие чего они имеют достаточную энергию для эффективной ионизации газа вблизи плоскости распыляемой мишени при пониженном давлении.Placing the injector in the cathode assembly with the electron output in a flat target allows the injected electrons to accelerate further in the near-cathode layer of the magnetron discharge, as a result of which they have sufficient energy to efficiently ionize the gas near the plane of the sprayed target under reduced pressure.

Кроме того, для создания плазмы в инжекторе может быть использован тлеющий разряд с холодным полым катодом, обладающий простотой, надежностью и достаточно высокой степенью ионизации рабочего газа за счет осцилляции электронов. Также в качестве источника электронов в инжекторе может использоваться плазма дугового разряда с накаленным либо самокалящимся катодом.In addition, to create a plasma in the injector, a glow discharge with a cold hollow cathode can be used, which has simplicity, reliability, and a sufficiently high degree of ionization of the working gas due to electron oscillation. Also, an arc discharge plasma with a glowing or self-heating cathode can be used as an electron source in the injector.

Конструкция МРС с инжекцией электронов схематично представлена на фиг. 1.The design of MPC with electron injection is shown schematically in FIG. one.

Устройство содержит в корпусе-аноде 1 катодный узел, включающий в себя плоскую мишень 2, распыляемой поверхностью мишени обращенной наружу в сторону к подложке. В катодном узле за плоскостью мишени 2, электрически соединенной с электродом 3, расположены система магнитов 4 с магнитопроводом 5, обеспечивающие магнитное поле арочной конфигурации в области распыляемой мишени 2. Инжектор электронов 6 размещен также в катодном узле и выполнен в виде трубки малого диаметра. В месте расположения инжектора в мишени 2 МРС выполнено соосное отверстие для прохождения инжектируемых электронов через мишень наружу. Рабочий газ подается с торца инжектора электронов.The device comprises a cathode assembly in the anode housing 1, which includes a flat target 2, sprayed by the surface of the target facing outward to the substrate. In the cathode assembly behind the target plane 2, electrically connected to the electrode 3, there is a system of magnets 4 with a magnetic circuit 5, providing a magnetic field of an arched configuration in the region of the sputtering target 2. An electron injector 6 is also located in the cathode assembly and is made in the form of a tube of small diameter. In the location of the injector in the target 2 MPC made a coaxial hole for the passage of injected electrons through the target out. The working gas is supplied from the end of the electron injector.

Устройство работает следующим образом. Вакуумная камера, в которую установлена в МРС, откачивается до остаточного давления не выше 1⋅10-4 Торр. В полость инжектора электронов 6 подается рабочий газ с расходом не менее 5 см3/мин. К инжектору электронов 6 (катод) и мишени 2 (анод) прикладывается постоянный потенциал порядка 600÷700 В от источника питания I, в результате чего в полости трубки происходит инициирование тлеющего разряда с током от единиц до нескольких сотен мА при напряжении 300÷500 В. Особенностью разрядной системы является то, что катод магнетронного разряда (мишень 2) одновременно является анодом инжектора электронов. При подаче постоянного напряжения от источника питания II между мишенью 2 (катод) и корпусом-анодом 1 (анод) зажигается основной магнетронный разряд. При функционировании газового разряда в инжекторе 6 часть электронов из полости трубки замыкается на анод (мишень 2), оставшаяся часть через апертуру в мишени инжектируется в прикатодный слой магнетронного разряда, где получают значительную дополнительную энергию, соответствующую катодному падению потенциала (300÷500 эВ), и производит эффективную ионизацию рабочего газа вблизи поверхности распыляемой мишени в условиях пониженного давления, когда самостоятельная форма горения магнетронного разряда затруднительна или даже невозможна.The device operates as follows. The vacuum chamber, which is installed in the MPC, is pumped to a residual pressure of no higher than 1⋅10 -4 Torr. Working gas is supplied to the cavity of the electron injector 6 with a flow rate of at least 5 cm 3 / min. A constant potential of the order of 600 ÷ 700 V from the power source I is applied to the electron injector 6 (cathode) and target 2 (anode), as a result of which a glow discharge is initiated in the tube cavity with a current from units to several hundred mA at a voltage of 300 ÷ 500 V A feature of the discharge system is that the cathode of the magnetron discharge (target 2) is simultaneously the anode of the electron injector. When a constant voltage is applied from the power source II between the target 2 (cathode) and the anode body 1 (anode), the main magnetron discharge is ignited. When a gas discharge is operating in injector 6, some of the electrons from the tube cavity are closed to the anode (target 2), the remaining part is injected through the aperture in the target into the near-cathode layer of the magnetron discharge, where significant additional energy corresponding to the cathode potential drop (300 ÷ 500 eV) is obtained, and produces effective ionization of the working gas near the surface of the sputtered target under conditions of reduced pressure, when an independent form of magnetron discharge burning is difficult or even impossible.

На фиг. 2 представлено влияние инжекции порции высокоэнергетичных электронов на нижнее предельное рабочее давление магнетронного разряда при его постоянной мощности для двух значений тока: 100 мА (кривая 1) и 200 мА (кривая 2). Для этого ток магнетронного разряда стабилизировался источником питания на заданном уровне, а повышение напряжения горения магнетронного разряда при снижении рабочего давления компенсировалось увеличением тока электронов из инжектора. Как видно, для поддержания функционирования магнетронного разряда при пониженном давлении с той же мощностью, в отличие от прототипа с внешним расположением инжектора электронов, в данном случае ток инжектора может быть в несколько раз меньше тока магнетронного разряда, что связано с более эффективной ионизацией рабочего газа вблизи мишени за счет дополнительной энергии, приобретенной за счет ускорения в катодном слое магнетронного разряда. С увеличением рабочего тока магнетронного разряда требуется незначительное увеличение тока инжектора (кривая 2).In FIG. Figure 2 shows the effect of injection of a portion of high-energy electrons on the lower limit working pressure of a magnetron discharge at its constant power for two current values: 100 mA (curve 1) and 200 mA (curve 2). For this, the magnetron discharge current was stabilized by the power source at a given level, and the increase in the burning voltage of the magnetron discharge with a decrease in the working pressure was compensated by an increase in the electron current from the injector. As can be seen, in order to maintain the functioning of the magnetron discharge under reduced pressure with the same power, in contrast to the prototype with the external location of the electron injector, in this case, the injector current can be several times lower than the magnetron discharge current, which is associated with more efficient ionization of the working gas near targets due to additional energy acquired due to acceleration in the cathode layer of the magnetron discharge. With an increase in the working current of the magnetron discharge, a slight increase in the injector current is required (curve 2).

Таким образом, данное изобретение, в отличие от указанных ранее устройств, обеспечивает снижение рабочего давления в пространстве между распыляемой мишенью и подложкой при минимальных дополнительных энергозатратах.Thus, this invention, in contrast to the previously mentioned devices, provides a reduction in working pressure in the space between the sprayed target and the substrate with minimal additional energy consumption.

Источники информации, принятые во внимание при составлении заявки на изобретениеSources of information taken into account when drawing up an application for an invention

1. Zhehui Wang, Samuel A. Cohen Hollow cathode magnetron. // J. Vac. Sci. Technol. A 17 (1), Jan/Feb 1999, p. 77.1. Zhehui Wang, Samuel A. Cohen Hollow cathode magnetron. // J. Vac. Sci. Technol. A 17 (1), Jan / Feb 1999, p. 77.

2. J. Cuomo and S.M. Rossnagel // J. Vac Sci. Technol. - 1986. - A 4 (3). - P. 393.2. J. Cuomo and S.M. Rossnagel // J. Vac Sci. Technol. - 1986. - A 4 (3). - P. 393.

3. J. Musil, S. Kadlec, and W.D. Munz // J. Vac Sci. Technol. - 1991. - A 9 (3). - P. 1171.3. J. Musil, S. Kadlec, and W.D. Munz // J. Vac Sci. Technol. - 1991 .-- A 9 (3). - P. 1171.

4. RU 2220226 C1, 12.04.2002 г.4. RU 2220226 C1, 04/12/2002

Claims (3)

1. Магнетронная распылительная система, содержащая размещенный в корпусе-аноде катодный узел, включающий систему магнитов с магнитопроводом, закрытый плоской распыляемой мишенью-катодом, отличающаяся тем, что катодный узел снабжен по крайней мере одним инжектором электронов, размещенным в нем с возможностью обеспечения потока электронов через отверстие, выполненное в мишени-катоде, которая является анодом инжектора электронов.1. A magnetron sputtering system comprising a cathode assembly located in the anode body, including a magnet system with a magnetic circuit, closed by a flat sputtering cathode target, characterized in that the cathode assembly is provided with at least one electron injector disposed therein to provide an electron flow through the hole made in the cathode target, which is the anode of the electron injector. 2. Магнетронная распылительная система по п. 1, отличающаяся тем, что инжектор электронов выполнен с холодным полым катодом для эмиссии электронов из плазмы тлеющего разряда.2. The magnetron sputtering system according to claim 1, characterized in that the electron injector is made with a cold hollow cathode for emitting electrons from a glow discharge plasma. 3. Магнетронная распылительная система по п. 1, отличающаяся тем, что инжектор электронов выполнен с накаленным или самокалящимся катодом для эмиссии электронов из плазмы дугового разряда.3. The magnetron sputtering system according to claim 1, characterized in that the electron injector is made with a glowing or self-heating cathode for emission of electrons from an arc discharge plasma.
RU2015154392A 2015-12-17 2015-12-17 Magnetron spray system with electron injection RU2631553C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015154392A RU2631553C2 (en) 2015-12-17 2015-12-17 Magnetron spray system with electron injection

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015154392A RU2631553C2 (en) 2015-12-17 2015-12-17 Magnetron spray system with electron injection

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015154392A RU2015154392A (en) 2017-06-22
RU2631553C2 true RU2631553C2 (en) 2017-09-25

Family

ID=59240371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015154392A RU2631553C2 (en) 2015-12-17 2015-12-17 Magnetron spray system with electron injection

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2631553C2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2726223C1 (en) * 2019-11-28 2020-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") Magnetron sprayer
RU2752334C1 (en) * 2020-05-08 2021-07-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физического материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук Gas-discharge sputtering apparatus based on planar magnetron with ion source
RU2761900C1 (en) * 2021-02-08 2021-12-13 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Magnetron sputtering apparatus
RU2816980C1 (en) * 2023-03-29 2024-04-08 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Device for vacuum application of hardening coating on surface of articles

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1665717A1 (en) * 1989-07-21 1995-02-09 Московский институт электронной техники Magnetron sprayer with thermoelectronic ionizer
RU2220226C1 (en) * 2002-04-12 2003-12-27 Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете Magnetron spraying system
JP2009057637A (en) * 2003-11-17 2009-03-19 Samsung Electronics Co Ltd Ionized physical vapor deposition apparatus using helical magnetic resonance coil
KR20110046055A (en) * 2009-10-28 2011-05-04 한국과학기술연구원 Apparatus and method for plasma ion implantation of argentum element to improve anti-microbial property

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1665717A1 (en) * 1989-07-21 1995-02-09 Московский институт электронной техники Magnetron sprayer with thermoelectronic ionizer
RU2220226C1 (en) * 2002-04-12 2003-12-27 Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете Magnetron spraying system
JP2009057637A (en) * 2003-11-17 2009-03-19 Samsung Electronics Co Ltd Ionized physical vapor deposition apparatus using helical magnetic resonance coil
KR20110046055A (en) * 2009-10-28 2011-05-04 한국과학기술연구원 Apparatus and method for plasma ion implantation of argentum element to improve anti-microbial property

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2726223C1 (en) * 2019-11-28 2020-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") Magnetron sprayer
RU2752334C1 (en) * 2020-05-08 2021-07-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физического материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук Gas-discharge sputtering apparatus based on planar magnetron with ion source
RU2761900C1 (en) * 2021-02-08 2021-12-13 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Magnetron sputtering apparatus
RU2816980C1 (en) * 2023-03-29 2024-04-08 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Device for vacuum application of hardening coating on surface of articles

Also Published As

Publication number Publication date
RU2015154392A (en) 2017-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Andersson et al. Gasless sputtering: Opportunities for ultraclean metallization, coatings in space, and propulsion
EP1554412B1 (en) Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
Poolcharuansin et al. Plasma parameters in a pre-ionized HiPIMS discharge operating at low pressure
TWI553132B (en) Arc deposition device and vacuum treatment device
RU2631553C2 (en) Magnetron spray system with electron injection
US7038389B2 (en) Magnetron plasma source
CA1066425A (en) Continuous ionization injector for low pressure gas discharge device
US3404084A (en) Apparatus for depositing ionized electron beam evaporated material on a negatively biased substrate
RU2373603C1 (en) Source of fast neutral atoms
Vizir et al. Parameters and properties of a pulsed planar vacuum magnetron discharge
Shandrikov et al. Effect of electron injection on the parameters of a pulsed planar magnetron
RU134932U1 (en) MAGNETRON SPRAYING SYSTEM
RU2801364C1 (en) Method for generating solid state ion fluxes
Shandrikov et al. Parameters and ion mass-to-charge composition of a high-power impulse magnetron discharge with electron injection
RU2657896C1 (en) Device for coating synthesis
US7866278B2 (en) Thin-film deposition system
US20190373711A1 (en) System for generating a plasma jet of metal ions
RU2454046C1 (en) Plasma electron emitter
RU2797582C1 (en) Device for deposition of metal films
US20160118231A1 (en) Method and Device for Generating an Electrical Discharge
RU2642847C2 (en) Method of increasing life of self-glowing hollow cathode in high-density discharge in axially-symmetric magnetic field
RU2761900C1 (en) Magnetron sputtering apparatus
Vizir et al. Ion beam composition in ion source based on magnetron sputtering discharge at extremely low working pressure
JP3032380B2 (en) Plasma electron gun
RU166770U1 (en) GAS DISCHARGE PLASMA GENERATOR FOR RELIABLE PLASMA PROCESSING PROCESSES

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20191218