RU2623832C1 - Method of obtaining antimonide gallium with a large specific electrical resistance - Google Patents
Method of obtaining antimonide gallium with a large specific electrical resistance Download PDFInfo
- Publication number
- RU2623832C1 RU2623832C1 RU2016116693A RU2016116693A RU2623832C1 RU 2623832 C1 RU2623832 C1 RU 2623832C1 RU 2016116693 A RU2016116693 A RU 2016116693A RU 2016116693 A RU2016116693 A RU 2016116693A RU 2623832 C1 RU2623832 C1 RU 2623832C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gallium
- atoms
- gallium antimonide
- content
- antimonide
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 18
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title description 7
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 7
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H01L21/205—
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, применяемым в производстве полупроводниковых приборов.The invention relates to electronic equipment, and in particular to methods of manufacturing gallium antimonide with high electrical resistivity used in the manufacture of semiconductor devices.
Одними из наиболее перспективных материалов для оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 4,2-0,8 мкм, являются материалы на основе антимонида галлия (GaSb), т.к. твердые растворы на его основе перекрывают широкий спектральный диапазон от 4,20 мкм до 0.80 мкм. Но активное производство оптоэлектронных приборов на основе данного материала ограничено отсутствием технологии промышленного изготовления GaSb с большим (свыше 200 Ом⋅см при Т=77 К) удельным электрическим сопротивлением.One of the most promising materials for optoelectronic devices operating in the spectral range of 4.2-0.8 μm are materials based on gallium antimonide (GaSb), because solid solutions based on it cover a wide spectral range from 4.20 μm to 0.80 μm. But the active production of optoelectronic devices based on this material is limited by the lack of industrial GaSb manufacturing technology with a large (over 200 Ohm⋅cm at T = 77 K) electrical resistivity.
Обычно GaSb, преднамеренно нелегированный, вне зависимости от технологии его получения, обладает низким удельным электрическим сопротивлением и имеет p-тип проводимости, обусловленный дефектами кристаллической решетки, а именно наличием вакансий атомов сурьмы (Sb) и увеличенным содержанием атомов галлия (Ga) на местах атомов Sb в кристаллической решетке. Использование GaSb с низким удельным электрическим сопротивлением не позволяет изготавливать интегральные схемы на таких подложках, а в оптоэлектронных приборах (фотоприемниках) сложно изготавливать структуры с толстой областью объемного заряда (p-i-n, n-i-p), что приводит к увеличению электрической емкости и понижению рабочей частоты прибора.Usually, GaSb, deliberately undoped, regardless of the technology of its preparation, has a low electrical resistivity and p type conductivity due to defects in the crystal lattice, namely, the presence of antimony (Sb) atom vacancies and an increased content of gallium (Ga) atoms at the atomic sites Sb in the crystal lattice. The use of GaSb with a low electrical resistivity does not allow to fabricate integrated circuits on such substrates, and it is difficult to fabricate structures with a thick space charge region (p-i-n, n-i-p) in optoelectronic devices (photodetectors), which leads to an increase in the electric capacitance and lowering the operating frequency of the device.
В настоящее время круг технологий, позволяющих получить преднамеренно нелегированный антимонид галлия с высоким удельным электрическим сопротивлением, весьма ограничен.Currently, the range of technologies allowing to obtain a deliberately undoped gallium antimonide with high electrical resistivity is very limited.
Так, авторами выявлен один источник информации, в котором описан способ получения преднамеренно нелегированного антимонида галлия с высоким удельным электрическим сопротивлением [Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Е.А. Куницина, Я.А. Пархоменко, Д.А. Васюков, Ю.П. Яковлев «Роль свинца при выращивании твердых растворов Ga1-XInXAsYSb1-Y методом жидкофазной эпитаксии», Физика и технология полупроводников, 2001, т.35, вып. 8, стр. 941-947] методом жидкофазной эпитаксии. Указанный способ выбран в качестве ближайшего аналога.So, the authors have identified one source of information that describes a method for producing a deliberately undoped gallium antimonide with high electrical resistivity [T.I. Voronina, T.S. Lagunova, E.A. Kunitsina, Ya.A. Parkhomenko, D.A. Vasyukov, Yu.P. Yakovlev, “The Role of Lead in the Growth of Ga 1-X In X As Y Sb 1-Y Solid Solutions by Liquid Phase Epitaxy,” Physics and Technology of Semiconductors, 2001, v. 35, no. 8, pp. 941-947] by the method of liquid-phase epitaxy. The specified method is selected as the closest analogue.
Данный способ включает выращивание антимонида галлия на подложке из антимонида галлия методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава на основе свинца, как нейтрального растворителя, содержащего атомы галлия и сурьмы, при этом обеспечено превышение атомов сурьмы по отношению к атомам галлия, в результате чего удалось сместиться по диаграмме состояния Ga-Sb в область нестехиометрических составов, обогащенных сурьмой. В этом случае уменьшается число вакансий Sb и уменьшается концентрация свободных носителей. Было достигнуто удельное электрическое сопротивление материала слоев порядка 400 Ом⋅см при Т=77 К. Принципиальным недостатком жидкофазной эпитаксии является низкая производительность и высокая неоднородность материала по площади, что препятствует использованию этого способа в производстве.This method involves the growth of gallium antimonide on a substrate of gallium antimonide by liquid-phase epitaxy from a solution of a melt based on lead, as a neutral solvent containing gallium and antimony atoms, while the excess of antimony atoms relative to gallium atoms is ensured, as a result of which it was possible to shift Ga-Sb state diagram into the region of non-stoichiometric antimony enriched compositions. In this case, the number of Sb vacancies decreases and the concentration of free carriers decreases. The specific electrical resistance of the material of the layers was of the order of 400 Ohm⋅cm at T = 77 K. The principal disadvantage of liquid-phase epitaxy is the low productivity and high heterogeneity of the material over the area, which prevents the use of this method in production.
Задачей изобретения является разработка способа промышленного изготовления на подложках из антимонида галлия слоев антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением.The objective of the invention is to develop a method of industrial production on substrates of gallium antimonide layers of gallium antimonide with high electrical resistivity.
Сущность изобретения заключается в том, что в способе изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, включающем выращивание антимонида галлия методом эпитаксии на подложке из антимонида галлия, при этом процесс эпитаксиального выращивания ведут при обеспечении превышения содержания атомов сурьмы по отношению к содержанию атомов галлия, согласно изобретению процесс выращивания антимонида галлия осуществляют методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при температуре в диапазоне от 550 до 620°С при обеспечении превышения содержания атомов сурьмы по отношению к содержанию атомов галлия в газовой фазе в 20-50 раз.The essence of the invention lies in the fact that in the method of manufacturing gallium antimonide with high electrical resistivity, including growing gallium antimonide by epitaxy on a substrate of gallium antimonide, the epitaxial growth process is carried out while ensuring that the content of antimony atoms exceeds the content of gallium atoms, according to The invention, the process of growing gallium antimonide is carried out by gas-phase epitaxy from organometallic compounds at a temperature in the range from 550 to 620 ° C while ensuring that the content of antimony atoms is 20-50 times higher than the content of gallium atoms in the gas phase.
Авторам заявляемого изобретения удалось получить преднамеренно нелегированный GaSb методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (ГФЭ МОС) в условиях, характеризующихся превышением в газовой фазе количества атомов сурьмы по отношению к количеству атомов галлия.The authors of the claimed invention managed to obtain a deliberately undoped GaSb by gas phase epitaxy from organometallic compounds (HFE MOS) under conditions characterized by an excess of the number of antimony atoms in the gas phase relative to the number of gallium atoms.
При таких условиях роста атомы сурьмы встраиваются в кристаллическую решетку GaSb и частично замещают атомы галлия, что приводит к уменьшению концентрации вакансий сурьмы и, следовательно, к уменьшению концентрации свободных носителей. При изменении соотношения атомов Ga и Sb в газовой фазе изменяется тип проводимости выращенного GaSb и концентрация носителей тока в нем.Under such growth conditions, antimony atoms are embedded in the GaSb crystal lattice and partially replace gallium atoms, which leads to a decrease in the concentration of antimony vacancies and, consequently, to a decrease in the concentration of free carriers. As the ratio of Ga and Sb atoms in the gas phase changes, the type of conductivity of the grown GaSb and the concentration of current carriers in it change.
Технологические параметры заявляемого способа были подобраны опытным путем и, как показали эксперименты, при проведении процесса газофазного эпитаксиального наращивания GaSb при температурах в диапазоне от 550 до 620°С и при обеспечении превышения содержания атомов сурьмы по отношению к содержанию атомов галлия в газовой фазе в 20-50 раз получены слои преднамеренно нелегированного GaSb с удельным электрическим сопротивлением более 400 Ом⋅см (Т=77 К).The technological parameters of the proposed method were selected empirically and, as shown by experiments, during the process of gas-phase epitaxial growth of GaSb at temperatures in the range from 550 to 620 ° C and while exceeding the content of antimony atoms relative to the content of gallium atoms in the gas phase in 20 50 times layers of intentionally undoped GaSb with a specific electrical resistance of more than 400 Ohm⋅cm (T = 77 K) were obtained.
При отличных от найденных параметрах роста не удается получить качественный GaSb с большим удельным электрическим сопротивлением.At growth parameters different from those found, it is not possible to obtain high-quality GaSb with a large electrical resistivity.
При температуре ниже 550°С и соотношении содержания атомов Sb и Ga в газовой фазе менее 20 получаемый GaSb имеет р-тип проводимости, а при соотношении содержания атомов Sb и Ga в газовой фазе более 50 получаемый GaSb имеет большое количество кристаллографических дефектов и его электрофизические характеристики не могут быть измерены.At temperatures below 550 ° C and a ratio of Sb and Ga atoms in the gas phase of less than 20, the resulting GaSb has p-type conductivity, and with a ratio of Sb and Ga atoms in the gas phase of more than 50, the resulting GaSb has a large number of crystallographic defects and its electrophysical characteristics cannot be measured.
При температуре выше 620°С при соотношении атомов Sb и Ga в газовой фазе в диапазоне от 20 до 50 наблюдается возникновение большого количества кристаллографических дефектов.At temperatures above 620 ° C, with the ratio of Sb and Ga atoms in the gas phase in the range from 20 to 50, a large number of crystallographic defects are observed.
С помощью ГФЭ МОС осуществляют выращивание как материала GaSb, так и приборных структур GaSb при достаточно высоком структурном совершенстве и хорошей однородности одновременно на большом количестве подложек значительной площади. При этом современное оборудование ГФЭ МОС способно обеспечить воспроизводимое наращивание однородных многослойных структур GaSb с прецизионным контролем толщины, состава и уровня легирования слоев с хорошей резкостью гетерограниц.Using GFE MOS, both GaSb material and GaSb instrument structures are grown with sufficiently high structural perfection and good uniformity simultaneously on a large number of substrates of significant area. At the same time, modern equipment of HFC MOS is able to provide reproducible build-up of homogeneous multilayer GaSb structures with precision control of the thickness, composition and level of doping of layers with good sharpness of heterointerfaces.
Таким образом, техническим результатом, достигаемым при реализации изобретения, является создание способа промышленного изготовления GaSb с большим удельным электрическим сопротивлением.Thus, the technical result achieved by the implementation of the invention is the creation of a method for the industrial manufacture of GaSb with high electrical resistivity.
Способ реализуют следующим образом.The method is implemented as follows.
Используют реактор, обеспечивающий проведение ГФЭ МОС.Use a reactor that provides for the HFE MOS.
Получают преднамеренно нелегированный антимонид галлия методом ГФЭ МОС в потоке водорода на подложке из антимонида галлия при температуре от 550 до 620°С, при этом обеспечивают превышение содержания атомов сурьмы по отношению к содержанию атомов галлия в газовой фазе в 20-50 раз. Суммарная скорость потока водорода через реактор составляет 0,1-0,3 м/мин.A deliberately undoped gallium antimonide is produced by the HFC MOS method in a hydrogen stream on a substrate of gallium antimonide at a temperature of 550 to 620 ° C, while providing an excess of the content of antimony atoms relative to the content of gallium atoms in the gas phase by 20-50 times. The total hydrogen flow rate through the reactor is 0.1-0.3 m / min.
В результате, как показывают исследования, получают высокоомный, имеющий удельное электрическое сопротивление более 400 Ом*см при температуре Т=77 К нелегированный антимонид галлия, электрические свойства которого близки к свойствам полуизолятора.As a result, studies show that they obtain a high-resistance, having a specific electrical resistance of more than 400 Ohm * cm at a temperature of T = 77 K, undoped gallium antimonide, whose electrical properties are close to those of a semi-insulator.
Ниже приведены примеры реализации способа.The following are examples of the implementation of the method.
Пример 1.Example 1
Получали нелегированный антимонид галлия методом ГФЭ МОС в потоке водорода на подложке из антимонида галлия площадью ~20 см2 при температуре 560°С, при этом обеспечивали превышение содержания атомов сурьмы по отношению к содержанию атомов галлия в газовой фазе в 25 раз.Prepared by the method of undoped gallium antimonide HPE MOS stream of hydrogen on a substrate of gallium antimonide area of ~ 20 cm 2 at a temperature of 560 ° C, thus provide an excess of antimony atom relative to the content of the gallium atoms in the gas phase by 25 times.
В результате, как показали исследования, получили преднамеренно нелегированный антимонид галлия, имеющий удельное электрическое сопротивление 410 Ом⋅см при температуре Т=77 К, обладающий высокой структурной однородностью (с отклонением параметров не более 1%.).As a result, studies have shown that they obtained a deliberately undoped gallium antimonide having a specific electrical resistance of 410 Ohm⋅cm at a temperature of T = 77 K, which has high structural homogeneity (with a parameter deviation of not more than 1%.).
Пример 2.Example 2
Получали нелегированный антимонид галлия методом ГФЭ МОС в потоке водорода на подложке из антимонида галлия площадью ~20 см2 при температуре 600°С, при этом обеспечивали превышение содержания атомов сурьмы по отношению к содержанию атомов галлия в газовой фазе в 40 раз.Prepared by the method of undoped gallium antimonide HPE MOS stream of hydrogen on a substrate of gallium antimonide area of ~ 20 cm 2 at a temperature of 600 ° C, thus provide an excess of antimony atom relative to the content of the gallium atoms in the gas phase by 40 times.
В результате, как показали исследования, на подложке получили преднамеренно нелегированный антимонид галлия, имеющий удельное электрическое сопротивление порядка 420 Ом⋅см при температуре Т=77 К, обладающий высокой структурной однородностью (с отклонением параметров не более 1%).As a result, studies have shown that a deliberately undoped gallium antimonide having a specific electrical resistance of the order of 420 Ohm⋅cm at a temperature of T = 77 K and having high structural uniformity (with a parameter deviation of no more than 1%) was obtained on the substrate.
Пример 3.Example 3
Получали нелегированный антимонид галлия методом ГФЭ МОС в потоке водорода на 6 подложках из антимонида галлия, каждая площадью ~20 см2, при температуре 620°С, при этом обеспечивали превышение содержания атомов сурьмы по отношению к содержанию атомов галлия в газовой фазе в 50 раз.Prepared undoped gallium antimonide method HPE MOS under hydrogen stream for 6 substrates of gallium antimonide, each area of ~ 20 cm2, at a temperature of 620 ° C, thus provide an excess of antimony atom relative to the content of the gallium atoms in the gas phase by 50 times.
В результате, как показали исследования, на подложках получили преднамеренно нелегированный антимонид галлия, имеющий удельное электрическое сопротивление порядка 440 Ом⋅см при температуре Т=77 К, обладающий хорошей структурной однородностью (с отклонением параметров не более 1%).As a result, studies have shown that intentionally undoped gallium antimonide, having a specific electrical resistance of the order of 440 Ohm⋅cm at a temperature of T = 77 K, and having good structural uniformity (with a parameter deviation of no more than 1%) was obtained on substrates.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016116693A RU2623832C1 (en) | 2016-04-27 | 2016-04-27 | Method of obtaining antimonide gallium with a large specific electrical resistance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016116693A RU2623832C1 (en) | 2016-04-27 | 2016-04-27 | Method of obtaining antimonide gallium with a large specific electrical resistance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2623832C1 true RU2623832C1 (en) | 2017-06-29 |
Family
ID=59312444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016116693A RU2623832C1 (en) | 2016-04-27 | 2016-04-27 | Method of obtaining antimonide gallium with a large specific electrical resistance |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2623832C1 (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW358876B (en) * | 1997-02-17 | 1999-05-21 | Nat Science Council | InAs/GaSb super lattice structure infrared detector fabricated by organometallic vapor phase epitaxy |
| CN101148776A (en) * | 2006-09-18 | 2008-03-26 | 中国科学院半导体研究所 | Epitaxy growth method for gallium antimonide on gallium arsenide substrate |
| CN102569521A (en) * | 2012-02-02 | 2012-07-11 | 中国科学院半导体研究所 | Manufacturing method of passivated InAs/GaSb secondary category superlattice infrared detector |
| US9214518B1 (en) * | 2014-07-18 | 2015-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited and National Taiwan University | Using molecular beam epitaxy in a semiconductor structure with a high K/GaSb interface |
| CN105281201A (en) * | 2014-07-21 | 2016-01-27 | 长春理工大学 | Epitaxial structure of GaSb group infrared laser having electron barrier layer |
| RU2575972C1 (en) * | 2014-11-18 | 2016-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | METHOD FOR PRODUCTION OF GaSb-BASED PHOTOCONVERTER |
-
2016
- 2016-04-27 RU RU2016116693A patent/RU2623832C1/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW358876B (en) * | 1997-02-17 | 1999-05-21 | Nat Science Council | InAs/GaSb super lattice structure infrared detector fabricated by organometallic vapor phase epitaxy |
| CN101148776A (en) * | 2006-09-18 | 2008-03-26 | 中国科学院半导体研究所 | Epitaxy growth method for gallium antimonide on gallium arsenide substrate |
| CN102569521A (en) * | 2012-02-02 | 2012-07-11 | 中国科学院半导体研究所 | Manufacturing method of passivated InAs/GaSb secondary category superlattice infrared detector |
| US9214518B1 (en) * | 2014-07-18 | 2015-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited and National Taiwan University | Using molecular beam epitaxy in a semiconductor structure with a high K/GaSb interface |
| CN105281201A (en) * | 2014-07-21 | 2016-01-27 | 长春理工大学 | Epitaxial structure of GaSb group infrared laser having electron barrier layer |
| RU2575972C1 (en) * | 2014-11-18 | 2016-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | METHOD FOR PRODUCTION OF GaSb-BASED PHOTOCONVERTER |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sun et al. | HCl flow-induced phase change of α-, β-, and ε-Ga2O3 films grown by MOCVD | |
| Arakawa et al. | High hole mobility p-type GaN with low residual hydrogen concentration prepared by pulsed sputtering | |
| Lim et al. | Synergistic effect of Indium and Gallium co-doping on growth behavior and physical properties of hydrothermally grown ZnO nanorods | |
| Baldini et al. | Semiconducting Sn-doped β-Ga 2 O 3 homoepitaxial layers grown by metal organic vapour-phase epitaxy | |
| Sasaki et al. | Growth temperature dependences of structural and electrical properties of Ga2O3 epitaxial films grown on β-Ga2O3 (010) substrates by molecular beam epitaxy | |
| Duan et al. | The synthesis and characterization of Ag–N dual-doped p-type ZnO: experiment and theory | |
| WO2001012884A1 (en) | p-TYPE SINGLE CRYSTAL ZINC OXIDE HAVING LOW RESISTIVITY AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF | |
| Xu et al. | Growth and characterization of Si-doped β-Ga2O3 films by pulsed laser deposition | |
| CN101896998A (en) | Semiconductor substrate, method for producing semiconductor substrate, and electronic device | |
| CN102428555A (en) | Semiconductor substrate, process for producing semiconductor substrate, and electronic device | |
| Zhang et al. | Fabrication and properties of p-type K doped Zn1− xMgxO thin film | |
| Zhou et al. | Quality control of GaAs nanowire structures by limiting As flux in molecular beam epitaxy | |
| Makin et al. | Growth of ordered and disordered ZnSnN2 | |
| Bilousov et al. | Reduced workfunction intermetallic seed layers allow growth of porous n-GaN and low resistivity, ohmic electron transport | |
| RU2623832C1 (en) | Method of obtaining antimonide gallium with a large specific electrical resistance | |
| KR20220035402A (en) | (111) Method for controlled n-doping of group III–V materials grown on SI. | |
| Sinel’Nikov et al. | Ga x In 1− x Bi y As z Sb 1− y− z/InSb and InBi y As z Sb 1− y− z/InSb heterostructures grown in a temperature gradient | |
| Zhu et al. | Phase evolution, bandgap engineering and p-type conduction in undoped/N-doped BexZn1− xO alloy epitaxial films | |
| RU2610388C2 (en) | Method of simultaneous production of p-i-n structure of gaas with p, i and n area in one epitaxial layer | |
| Sankaran | Te doping of vapor phase epitaxial GaAs | |
| Lin et al. | Characterization of quaternary AlInGaN films obtained by incorporating Al into InGaN film with the RF reactive magnetron sputtering technology | |
| WO2022182531A2 (en) | Methods for forming k-phase gallium oxide materials | |
| RU2727124C1 (en) | Method of producing low-alloy layer of gaas by liquid-phase epitaxy | |
| Suzuki et al. | Effects of nitrogen precursor on the Au-assisted vapor–liquid–solid growth of GaAs (N) nanostructures | |
| JP6283245B2 (en) | Method for manufacturing compound semiconductor substrate |