RU2607288C2 - Способ газоразряного напыления пленок - Google Patents

Способ газоразряного напыления пленок Download PDF

Info

Publication number
RU2607288C2
RU2607288C2 RU2015110792A RU2015110792A RU2607288C2 RU 2607288 C2 RU2607288 C2 RU 2607288C2 RU 2015110792 A RU2015110792 A RU 2015110792A RU 2015110792 A RU2015110792 A RU 2015110792A RU 2607288 C2 RU2607288 C2 RU 2607288C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
discharge
spraying
electron beam
films
sputtering
Prior art date
Application number
RU2015110792A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2015110792A (ru
Inventor
Виктор Федотович Тарасенко
Михаил Иванович Ломаев
Дмитрий Викторович Белоплотов
Виктор Александрович Панарин
Эдуард Анатольевич Соснин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН)
Priority to RU2015110792A priority Critical patent/RU2607288C2/ru
Publication of RU2015110792A publication Critical patent/RU2015110792A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2607288C2 publication Critical patent/RU2607288C2/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3471Introduction of auxiliary energy into the plasma

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу газоразрядного выполнения пленок. С помощью высоковольтных импульсов напряжения с длительностью импульсов на полувысоте не более 10 наносекунд и длительностью фронта не более 4 наносекунд формируют разряд, инициируемый пучком электронов в газовых средах при давлениях от 100 Торр до атмосферного. В промежутке между высоковольтным распыляемым электродом с головкой, которая имеет радиус кривизны, равный 0,2 мм, и электропроводящей поверхностью для напыления, на которую одновременно воздействуют электронный пучок, ударная волна, ультрафиолетовое и вакуумное ультрафиолетовое излучение плазмы, сопровождающие разряд. Изобретение позволяет упростить процедуру напыления пленки. 2 ил., 1 пр.

Description

Изобретение относится к физическим методам модификации поверхности, в частности к способам распыления металлов, образующего покрытие, осуществляемым с помощью электрического разряда, и может быть использовано для получения металлических и металлосодержащих пленок на металлических, диэлектрических и полупроводниковых поверхностях.
Известны различные способы получения металлических пленок с помощью различных типов разряда.
Известен способ электровзрывного получения металлических пленок, основанный на пропускании через фольги и проволочки испаряемого материала импульсов тока, достаточных для их электрического взрыва, с последующей конденсацией продуктов взрыва на поверхность [Романов Д.А., Будовских Е.А., Ващук Е.С., Громов В.Е. Способ электровзрывного напыления композитных покрытий системы TiB2-Cu на медные контактные поверхности // Патент RU 2489515, С23С 14/32, 14/14]. Недостатком этого способа является нестабильность процесса взрыва и, как следствие, выхода испаряемого и осаждаемого материала.
Известны способы получения пленок, основанные на катодном распылении материала мишени в плазме магнетронного разряда, осуществляемого при давлениях 10-1-10-2 Па и диффузионном конвективном переносе в плазме при катодном распылении (давление около 1 Па) [Будилов В.В., Шехтман С.Р., Киреев P.M. Способ катодного распыления // Патент RU 2101383 С23С 8/36, Кривобоков В.П., Кузьмин О.С., Легостаев В.Н. Магнетронная распылительная система // Патент RU 2107970, H01J 37/34, H01J 37/317, С23С 14/35]. Магнетронное распыление позволяет получать покрытия из металлов, сплавов, полупроводниковых материалов без нарушения их стехиометрического состава. Также можно получать пленки нитритов, карбидов, сульфитов, оксидов различных материалов. Осаждение при низких давлениях (близких к вакуумным условиям) исключает модификацию напыляемого вещества в объеме, что полезно при получении чистых пленок (металлических, окисных, полупроводниковых и т.д.). Пленки формируются только на поверхности изделия.
Распыление материала, его транспортировка и осаждение на поверхность может осуществляться с помощью плазмотронов [Абдуллин И.Ш. Кашапов Н.Ф. Способ напыления пленки на подложку // Патент RU 2185006, H01L 21/31, С23С 14/35]. Применяются различные плазмотроны, в которых струи плотной плазмы формируются в дуговом (электродуговое напыление), высокочастотном или индуктивном разряде в т.н. плазмообразующих газах: аргоне, гелии, азоте, водороде, кислороде и воздухе. Варьируя параметры плазматрона, можно получать пленки из различных материалов и разной толщины. Плазматроны могут работать как в атмосферных условиях (атмосферное плазменное напыление), так и в условиях контролируемой атмосферы, в том числе при умеренных величинах давления среды. Этот способ обеспечивает только напыление материала на изделие без предварительной подготовки поверхности, что в ряде задач является недостатком.
Общими недостатками электродугового и магнетронного распыления является сложность оборудования и процедуры напыления.
Задачей изобретения является упрощение процедуры напыления пленки, обеспечение работы в плотных газовых средах, в том числе атмосферного давления, получение пленки из распыляемого материала, в том числе материала, подвергнутого плазмохимическим изменениям в разряде, сочетание процесса напыления пленки с известными методами модификации поверхности - одновременной очистки поверхности, внедрения в нее элементов газовой среды.
Поставленная задача реализуется с помощью разряда, инициируемого пучком электронов лавин в газовых средах при давлениях от 100 Торр до атмосферного. Разряд формируется с помощью высоковольтных импульсов напряжения с длительностью импульсов на полувысоте, не превышающей 10 наносекунд, и длительностью фронта, не превышающей 4 наносекунды, в промежутке между высоковольтным распыляемым острийным электродом с радиусом кривизны 0,2 мм и электропроводящей поверхностью для напыления. Получение напыляемого материала, его транспортировка и осаждение на поверхность реализуются под воздействием разряда, а также сопровождающими разряд электронным пучком, ударной волны, ультрафиолетового и вакуумного ультрафиолетового излучения плазмы.
Способ обеспечивает работу в плотных газовых средах, в том числе атмосферного давления. Кроме того, в описанном способе формируется пленка из материала, подвергнутого плазмохимическим изменениям в плазме разряда, процесс напыления пленки одновременно сочетается с процессами очистки поверхности, внедрения в нее элементов газовой среды.
Способ поясняется следующим образом (фиг. 1).
На газоразрядный промежуток 1, заполненный плотной газовой средой, образованный электродом 2 с малым радиусом кривизны (или несколькими электродами) и электропроводящей поверхностью для напыления 3 от источника питания 4, подаются высоковольтные импульсы напряжения с длительностью импульсов на полувысоте, не превышающей десятков наносекунд, и длительностью фронта, не превышающей нескольких наносекунд. Это ведет к формированию разряда, инициируемого пучком электронов лавин в плотных газовых средах, в том числе атмосферного давления. При зажигании происходят несколько процессов: благодаря малому радиусу кривизны происходит распыление электрода 2 в сторону поверхности для напыления 3 и радиально оси разряда. Одновременно разряд служит источником электронного пучка, ударной волны, ультрафиолетового и вакуумного ультрафиолетового излучения плазмы. Перечисленные факторы воздействуют на поверхность для напыления 3, на распыляемые с электрода 2 частицы и на плотную газовую среду в разрядном промежутке 1. В результате происходит как плазменная очистка поверхности для напыления 3, так и внедрение в нее ионов газовой среды, в которой осуществляется разряд, напыление материала электрода 2 на поверхность для напыления 3, а также плазмохимические реакции по взаимодействию напыляемого материала с возбужденной разрядом плотной газовой средой.
Такой способ обеспечивает работу в плотных газовых средах, в том числе атмосферного давления, как в случаях с электровзрывным методом и плазмотронным напылением, но процедура напыления пленки проще, чем в перечисленных способах. Кроме того, в описанном способе формируется пленка из материала, подвергнутого плазмохимическим изменениям в плазме разряда, процесс напыления пленки одновременно сочетается с процессами очистки поверхности, внедрения в нее элементов газовой среды. Такую совокупность процессов аналогичные способы не обеспечивают.
Конкретным примером, доказывающим работоспособность способа, является эксперимент, проведенный в следующих условиях.
Использовали разрядный промежуток, соответствующий фиг. 1, между медным острийным электродом с головкой, имеющей радиус кривизны 0.2 мм, и плоской медной поверхностью для напыления диаметром 38 мм, разрядным зазором 2 мм. Перед началом работы систему вакуумировали и тренировали разрядом в аргоне при давлении 30 Торр. После этого промежуток заполнялся азотом при величинах давления от 100 Торр до атмосферы. Для формирования разряда, инициируемого пучком электронов лавин, на промежуток подавались высоковольтные импульсы напряжения с амплитудой порядка 13 кВ, длительностью импульса на полувысоте 10 не, длительностью фронта 4 не и частотой 60 Гц. В сформованном разряде пиковые величины импульсов тока составляли 300 А.
Процесс распыления материала медного острийного электрода наблюдался визуально. Также проводилась фотосъемка области разряда с выдержкой 1 с, результат которой показан на фиг. 2. На фотографии отчетливо видны светящиеся потоки, эмитируемые из разрядной области и распространяющиеся радиально к оси разрядной области.
Кроме того, с помощью спектрометра ЕРР2000С-25 (StellarNet-Inc., рабочий диапазон длин волн 195-850 нм) через точечные диафрагмы получены спектры излучения плазмы разряда в различных зонах разряда и в областях визуально наблюдаемых светящихся потоков. В спектрах достоверно присутствуют атомарные линии меди (с наибольшей интенсивностью на длинах волн 521.8, 515.3, 510.5 и 324.7 нм). Полученный распыленный материал не только осаждался на поверхность для напыления, но и подвергался комплексному воздействию факторов разряда, инициируемого пучком электронов лавин, в том числе воздействию активированного разрядом азота и рентгеновскому облучению [Бакшт Е.X., Тарасенко В.Ф., Шутько Ю.В., Ерофеев М.В., Квант, электрон, 2012, том 42, номер 2, 153-156, Runaway Electrons Preionized Diffuse Discharges. Editor: V.F. Tarasenko. Nova Science Publishers, Inc. New York. USA. 2014. 598 р.]. В результате на напыляемой поверхности образовалась пленка черно-коричневого цвета, характерного для азида меди [Руководство по неорганическому синтезу: в 6-ти томах. T.4., М.: Мир, 1985. С. 1076].
Анализ Фурье-спектров полученной пленки, проведенный с помощью инфракрасного Фурье-спектрометра «ФТ-801» с использованием микроскопа «Микрон-2» на стальной зеркальной поверхности, подтвердил тот факт, что в состав пленки входят азиды. На фиг. 3 приведен пример Фурье-спектра, характерный для вещества с азидной группой, полученный при анализе полученной пленки. Таким образом, при использовании разряда, инициируемого пучком электронов лавин, были обеспечены как напыление материала острийного электрода, так и его плазмохимическая модификация.
Отметим, что за счет наличия в разряде ударной волны разлет напыляемого материала происходит не только на напыляемую поверхность, но и в стороны (фиг. 2), что увеличивает площадь напыления. Кроме того, разряд, инициируемый пучком электронов лавин, позволяет модифицировать поверхность, очищать и внедрять в нее элементы газовой среды [Шулепов М.А., Тарасенко В.Ф., Гончаренко И.М., Коваль Н.Н., Костыря И.Д. Модификация приповерхностных слоев из меди при воздействии объемным наносекундным разрядом в воздухе атмосферного давления // Письма в ЖТФ. 2008. Том 34. Вып. 7. С. 51-57].
Таким образом, испытания показали, что в сравнении с другими способами предложенный способ обеспечивает напыление в плотных газовых средах, в том числе атмосферного давления, получать пленки из распыляемого материала, в том числе материала, подвергнутого плазмохимическим изменениям в разряде, является простым в реализации в сравнении с аналогами, сочетает процесс напыления пленки с известными методами модификации поверхности - одновременную очистку поверхности, внедрение в нее элементов газовой среды.

Claims (1)

  1. Способ газоразрядного напыления пленок, включающий получение, транспортировку и осаждение напыляемого материала на поверхность под воздействием разряда, отличающийся тем, что посредством высоковольтных импульсов напряжения с длительностью импульсов на полувысоте не более 10 наносекунд и длительностью фронта не более 4 наносекунд формируют разряд, инициируемый пучком электронов в газовых средах при давлении от 100 Торр до атмосферного, в промежутке между высоковольтным распыляемым электродом, головка которого имеет радиус кривизны 0,2 мм, и электропроводящей поверхностью для напыления, на которую одновременно воздействуют электронным пучком, ударной волной, ультрафиолетовым и вакуумным ультрафиолетовым излучением плазмы, сопровождающими разряд.
RU2015110792A 2015-03-25 2015-03-25 Способ газоразряного напыления пленок RU2607288C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015110792A RU2607288C2 (ru) 2015-03-25 2015-03-25 Способ газоразряного напыления пленок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015110792A RU2607288C2 (ru) 2015-03-25 2015-03-25 Способ газоразряного напыления пленок

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015110792A RU2015110792A (ru) 2016-10-20
RU2607288C2 true RU2607288C2 (ru) 2017-01-10

Family

ID=57138225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015110792A RU2607288C2 (ru) 2015-03-25 2015-03-25 Способ газоразряного напыления пленок

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2607288C2 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4424101A (en) * 1980-11-06 1984-01-03 The Perkin-Elmer Corp. Method of depositing doped refractory metal silicides using DC magnetron/RF diode mode co-sputtering techniques
RU2185006C1 (ru) * 2000-11-27 2002-07-10 Абдуллин Ильдар Шаукатович Способ напыления пленки на подложку
US20050155675A1 (en) * 2001-12-19 2005-07-21 Tsuyoshi Yoshitake Amorphous ferrosilicide film exhibiting semiconductor characteristics and method of for producing the same
RU2340703C1 (ru) * 2007-03-20 2008-12-10 Валерий Николаевич Пименов Способ плазменной обработки поверхности изделия
RU2415966C1 (ru) * 2009-11-30 2011-04-10 Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН Способ нанесения покрытия на изделия из твердых сплавов

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4424101A (en) * 1980-11-06 1984-01-03 The Perkin-Elmer Corp. Method of depositing doped refractory metal silicides using DC magnetron/RF diode mode co-sputtering techniques
RU2185006C1 (ru) * 2000-11-27 2002-07-10 Абдуллин Ильдар Шаукатович Способ напыления пленки на подложку
US20050155675A1 (en) * 2001-12-19 2005-07-21 Tsuyoshi Yoshitake Amorphous ferrosilicide film exhibiting semiconductor characteristics and method of for producing the same
RU2340703C1 (ru) * 2007-03-20 2008-12-10 Валерий Николаевич Пименов Способ плазменной обработки поверхности изделия
RU2415966C1 (ru) * 2009-11-30 2011-04-10 Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН Способ нанесения покрытия на изделия из твердых сплавов

Also Published As

Publication number Publication date
RU2015110792A (ru) 2016-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Anders A review comparing cathodic arcs and high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS)
Belkind et al. Characterization of pulsed dc magnetron sputtering plasmas
US3625848A (en) Arc deposition process and apparatus
RU2640505C2 (ru) Способы, использующие удаленную плазму дугового разряда
JP3546246B2 (ja) プラズマ強化装置と電気アーク蒸着法
KR20120024544A (ko) 펄스형 플라즈마를 사용한 원자층 에칭
Prysiazhnyi et al. Generation of large‐area highly‐nonequlibrium plasma in pure hydrogen at atmospheric pressure
Beloplotov et al. Blue and green jets in laboratory discharges initiated by runaway electrons
CA2894942A1 (en) Plasma source
Ganciu et al. Preionised pulsed magnetron discharges for ionised physical vapour deposition
US8646409B2 (en) Plasma booster for plasma treatment installation
RU2607288C2 (ru) Способ газоразряного напыления пленок
Tsukamoto et al. Time-of-flight mass spectrometric diagnostics for ionized and neutral species in high-power pulsed magnetron sputtering of titanium
EP1239056A1 (en) Improvement of a method and apparatus for thin film deposition, especially in reactive conditions
RU2238999C1 (ru) Способ импульсно-периодической имплантации ионов и плазменного осаждения покрытий
Yukimura et al. High-power inductively coupled impulse sputtering glow plasma
RU2752334C1 (ru) Газоразрядное распылительное устройство на основе планарного магнетрона с ионным источником
Bárdoš et al. New microwave and hollow cathode hybrid plasma sources
JP5956302B2 (ja) プラズマ処理装置、ヘテロ膜の形成方法
Burmakov et al. Characteristic features of the formation of a combined magnetron-laser plasma in the processes of deposition of film coatings
Takaki et al. Characteristics of amorphous carbon films prepared by hybrid RF (195 kHz) plasma triggered by shunting arc discharge
Jing et al. High-power pulsed magnetron sputtering glow plasma in argon gas and pulsed ion extraction
RU2433081C1 (ru) Способ ионно-лучевой обработки
RU2463382C2 (ru) Способ и устройство для получения многослойно-композиционных наноструктурированных покрытий и материалов
Kazakov et al. Formation of emission plasma by a constricted arc discharge in a pulsed forevacuum plasma-cathode electron source

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190326