RU2597657C1 - Method of making sensitive elements of gas concentration sensors - Google Patents
Method of making sensitive elements of gas concentration sensors Download PDFInfo
- Publication number
- RU2597657C1 RU2597657C1 RU2015113719/28A RU2015113719A RU2597657C1 RU 2597657 C1 RU2597657 C1 RU 2597657C1 RU 2015113719/28 A RU2015113719/28 A RU 2015113719/28A RU 2015113719 A RU2015113719 A RU 2015113719A RU 2597657 C1 RU2597657 C1 RU 2597657C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sensitive elements
- substrate
- etching
- aqueous solution
- anisotropic etching
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных чувствительных элементов с тонкими диэлектрическими мембранами для датчиков концентрации газа.The invention relates to the field of microelectronics, in particular, to the technology of manufacturing semiconductor structures, which are the element base of functional microelectronics and can be used in the technology of manufacturing integral sensitive elements with thin dielectric membranes for gas concentration sensors.
Существуют различные способы формирования полупроводниковых чувствительных элементов с тонкими диэлектрическими мембранами для датчиков концентрации газа.There are various methods for forming semiconductor sensitive elements with thin dielectric membranes for gas concentration sensors.
Известен способ получения датчика концентрации газа на тонкой диэлектрической мембране [1]. На кремниевой подложке формируют диэлектрическую мембрану. На мембране последовательно формируют резистивный нагреватель, слой изолирующего диэлектрика и пленку чувствительного материала. Мембрану выполняют круглой, резистивный нагреватель - в форме незамкнутого кольца, центр которого совпадает с центром круглой мембраны, а его внешний радиус меньше радиуса круглой мембраны. Пленочные контакты нагревателя выполняют на свободных торцевых кромках резистивного нагревателя. Недостаток способа заключается в том, что тонкую диэлектрическую мембрану формируют методом изотропного травления кремния, при котором затруднительно получить заданную форму и размеры.A known method of obtaining a sensor of gas concentration on a thin dielectric membrane [1]. A dielectric membrane is formed on the silicon substrate. A resistive heater, an insulating dielectric layer and a film of sensitive material are sequentially formed on the membrane. The membrane is made round, the resistive heater is in the form of an open ring, the center of which coincides with the center of the round membrane, and its outer radius is smaller than the radius of the round membrane. The film contacts of the heater are performed on the free end edges of the resistive heater. The disadvantage of this method is that a thin dielectric membrane is formed by isotropic etching of silicon, in which it is difficult to obtain a given shape and size.
Известен способ формирования диэлектрических мембран методом анизотропного травления вплавь [2]. На лицевой стороне кремниевой подложки формируют структуру датчика, а затем проводят анизотропное травление кремния вплавь, лицевой стороной вверх, т.е. травитель контактирует только с обратной стороной подложки. Недостаток состоит в том, что данным способом практически невозможно добиться равномерного вытравливания кремния из полостей под мембраной. Это обусловлено тем, что процесс травления сопровождается выделением газа, который скапливается в полостях и препятствует равномерному доступу травителя к образцу, не позволяя одновременно получить мембраны по всей площади подложки. В то же время этот способ не обеспечивает надежную защиту чувствительного слоя, т.к. он постоянно находится под воздействием паров травителя.A known method of forming dielectric membranes by anisotropic etching by swimming [2]. A sensor structure is formed on the front side of the silicon substrate, and then anisotropic etching of the silicon is carried out by swimming, face up, i.e. The etchant only contacts the back of the substrate. The disadvantage is that this method is almost impossible to achieve uniform etching of silicon from the cavities under the membrane. This is due to the fact that the etching process is accompanied by the release of gas, which accumulates in the cavities and prevents uniform access of the etchant to the sample, not allowing simultaneous production of membranes over the entire area of the substrate. At the same time, this method does not provide reliable protection of the sensitive layer, because it is constantly under the influence of etchant vapors.
Известен способ изготовления датчиков концентрации газа на основе диэлектрической мембраны, выполненной на кремниевой подложке [3]. Способ включает нанесение диэлектрической пленки на лицевую сторону кремниевой подложки, формирование на пленке элементов структуры датчика - нагревателя, чувствительного слоя и контактных площадок и создание тонкой диэлектрической мембраны методом анизотропного травления кремниевой подложки с обратной стороны. Причем после формирования на поверхности подложки диэлектрического слоя и структуры датчика, перед этапом одностороннего анизотропного травления, подложки разделяют на отдельные кристаллы, которые устанавливают методом "перевернутого кристалла" в ячейки на заранее заготовленных ситалловых платах при помощи токопроводящего клея или припоя. Затем производят вытравливание кремния до образования мембран. Способ отличается большой трудоемкостью, т.к. обработку каждого кристалла проводят индивидуально.A known method of manufacturing gas concentration sensors based on a dielectric membrane made on a silicon substrate [3]. The method includes applying a dielectric film to the face of a silicon substrate, forming on the film elements of the sensor structure — a heater, a sensitive layer and contact pads, and creating a thin dielectric membrane by anisotropic etching of the silicon substrate from the back. Moreover, after the dielectric layer and the sensor structure are formed on the surface of the substrate, before the one-sided anisotropic etching step, the substrates are separated into separate crystals, which are installed by the “inverted crystal” method in the cells on pre-prepared sitall plates using conductive glue or solder. Then, silicon is etched to form membranes. The method is very labor intensive, because the processing of each crystal is carried out individually.
Наиболее близким к предлагаемому изобретению и принятым в качестве прототипа является способ изготовления универсальных датчиков концентрации газа на основе диэлектрических мембран, выполненных на кремниевой подложке [4]. Способ включает нанесение диэлектрической пленки на лицевую сторону кремниевой подложки, формирование на пленке элементов структуры датчика и создание тонкопленочной диэлектрической мембраны анизотропным травлением кремниевой подложки с обратной стороны. Анизотропное травление проводят в два этапа, причем первый - до нанесения диэлектрической пленки, а второй - после завершения всех операций формирования элементов структуры датчика, с предварительной защитой лицевой стороны подложки от травителя, при этом одновременно формируют разделительные полосы между кристаллами глубиной от 30% до 40% от толщины подложки. В этом способе не приводят составы растворов травителей и режимы проведения процессов травления как для первого, так и для второго этапов анизотропного травления.Closest to the proposed invention and adopted as a prototype is a method of manufacturing universal gas concentration sensors based on dielectric membranes made on a silicon substrate [4]. The method includes applying a dielectric film to the front side of the silicon substrate, forming the sensor structure elements on the film, and creating a thin film dielectric membrane by anisotropic etching of the silicon substrate from the back side. Anisotropic etching is carried out in two stages, the first one before applying a dielectric film, and the second after completing all the operations of forming structural elements of the sensor, with preliminary protection of the front side of the substrate from the etchant, while dividing strips between crystals from 30% to 40 deep are formed % of the thickness of the substrate. In this method, the compositions of the etchant solutions and the modes of conducting etching processes for both the first and second stages of anisotropic etching are not given.
Техническим результатом предлагаемого изобретения является возможность получения тонких (1-5 мкм) диэлектрических мембран по всей площади подложки одновременно, что обеспечивает снижение трудоемкости технологического процесса и повышение выхода годных чувствительных элементов датчиков концентрации газа в процессе их изготовления в целом.The technical result of the invention is the ability to obtain thin (1-5 μm) dielectric membranes over the entire area of the substrate at the same time, which reduces the complexity of the process and increases the yield of sensitive sensors of gas concentration sensors during their manufacture as a whole.
Это достигается тем, что в известном способе изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа, включающем нанесение диэлектрической пленки на лицевую сторону кремниевой подложки, формирование структуры чувствительных элементов и создание тонких диэлектрических мембран методом анизотропного травления кремниевой подложки с обратной стороны, проводимого в два этапа, первый до нанесения диэлектрической пленки, а второй после завершения всех операций формирования структуры чувствительных элементов с предварительной защитой от травителя лицевой стороны подложки, анизотропное травление кремния на первом этапе проводят сначала в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином, а затем в водном растворе гидроокиси калия, а на втором этапе только в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином.This is achieved by the fact that in the known method for manufacturing the sensitive elements of gas concentration sensors, including applying a dielectric film to the front side of the silicon substrate, forming the structure of the sensitive elements and creating thin dielectric membranes by anisotropic etching of the silicon substrate from the back, carried out in two stages, the first to applying a dielectric film, and the second after completion of all operations of forming the structure of sensitive elements with preliminary Protecting the front side of the substrate from an etchant, anisotropic etching of silicon in the first stage is carried out first in an aqueous solution of a mixture of ethylene diamine and pyrocatechol, and then in an aqueous solution of potassium hydroxide, and in the second stage only in an aqueous solution of a mixture of ethylene diamine and pyrocatechol.
При этом так же, как и в известном способе, анизотропным травлением одновременно формируют разделительные полосы между кристаллами, но в отличие от прототипа предлагаемый способ обеспечивает лучший контроль глубины разделительных полос в процессе изготовления чувствительных элементов. Это достигается благодаря контролируемому началу травления разделительных полос, а не посредством смыкания плоскостей с кристаллографической ориентацией (111) в процессе анизотропного травления, как это характерно для прототипа. Для этого при подготовке подложек к проведению анизотропного травления кремния в областях разделительных полос слой маскирующего термического окисла кремния удаляют частично, что исключает их травление в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином на первом этапе. Затем, в процессе травления в водном растворе гидроокиси калия, остаточный маскирующий слой в областях разделительных полос удаляется, и они начинают травиться. Применение предложенного способа позволяет контролируемо начать процесс травления разделительных полос на завершающей стадии первого этапа анизотропного травления кремния, по окончании которого разделительные полосы протравливаются частично. Основной протрав разделительных полос формируют на втором этапе анизотропного травления кремния, что способствует обеспечению надежного вакуумного прижима и повышению жесткости подложки на этапах формирования структуры чувствительных элементов, а также повышает выход годных изделий.In this case, as in the known method, anisotropic etching simultaneously forms dividing strips between the crystals, but in contrast to the prototype, the proposed method provides better control of the depth of the dividing strips in the manufacturing process of sensitive elements. This is achieved due to the controlled start of etching of the dividing strips, and not by closing planes with crystallographic orientation (111) during anisotropic etching, as is typical for the prototype. To this end, when preparing the substrates for anisotropic etching of silicon in the regions of the separation strips, the masking thermal silicon oxide layer is partially removed, which excludes their etching in an aqueous solution of a mixture of ethylenediamine with pyrocatechol in the first stage. Then, during the etching process in an aqueous solution of potassium hydroxide, the residual mask layer in the areas of the dividing strips is removed, and they begin to be etched. The application of the proposed method allows you to start the process of etching the separation strips at the final stage of the first stage of anisotropic etching of silicon, at the end of which the separation strips are partially etched. The main mordant of the dividing strips is formed at the second stage of anisotropic etching of silicon, which helps to ensure reliable vacuum pressing and increase the rigidity of the substrate at the stages of formation of the structure of sensitive elements, and also increases the yield of suitable products.
Сущность изобретения заключается в том, что процесс образования мембран осуществляют равномерным травлением кремниевой подложки за счет полного ее погружения в травитель, но при этом, благодаря двухэтапному анизотропному травлению, минимизируют время воздействия травителя на подложку со сформированной структурой чувствительных элементов, что позволяет обеспечить надежную защиту лицевой стороны подложки со сформированными чувствительными слоями от агрессивных травителей. На первом этапе посредством анизотропного травления сначала в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином, а затем в водном растворе гидроокиси калия формируют рельеф полостей под мембранами на максимально возможную глубину (от 80% до 90% толщины подложки). При этом формируют рельеф разделительных полос на минимально возможную глубину (от 10% до 20% толщины подложки). Для надежного разделения подложек на отдельные кристаллы в результате двух этапов анизотропного травления общая глубина разделительных полос должна составлять треть от толщины подложки. Это делают для того, чтобы сократить время травления на втором этапе - окончательном дотравливании, которое производится при герметично защищенной лицевой стороне подложки, а также повысить жесткость подложки за счет частичного формирования разделительных полос. Необходимость уменьшения времени дотравливания вызвана тем, что при контакте с травителем известные защитные покрытия разрушаются, а контакт травителя с элементами структуры датчика, особенно с чувствительным слоем, недопустим. Поэтому надежная защита лицевой стороны готовой структуры датчика возможна только в течение сравнительно короткого промежутка времени. Одновременное формирование анизотропным травлением разделительных полос между кристаллами обусловлено недопустимостью применения известных способов разделения подложки на отдельные кристаллы ввиду неизбежного загрязнения чувствительных слоев и обеспечивает легкость разделения подложки на отдельные кристаллы.The essence of the invention lies in the fact that the process of membrane formation is carried out by uniform etching of the silicon substrate due to its complete immersion in the etchant, but at the same time, due to two-stage anisotropic etching, the exposure time of the etchant on the substrate with the formed structure of sensitive elements is minimized, which ensures reliable protection of the face sides of the substrate with sensitive layers formed by aggressive etchants. At the first stage, by anisotropic etching, first in an aqueous solution of a mixture of ethylenediamine with pyrocatechol, and then in an aqueous solution of potassium hydroxide, the relief of the cavities under the membranes is formed to the maximum possible depth (from 80% to 90% of the substrate thickness). At the same time, the relief of the dividing strips is formed to the minimum possible depth (from 10% to 20% of the thickness of the substrate). For reliable separation of the substrates into individual crystals as a result of two stages of anisotropic etching, the total depth of the separation bands should be one third of the thickness of the substrate. This is done in order to reduce the etching time in the second stage - the final etching, which is carried out with a hermetically protected front side of the substrate, and also to increase the rigidity of the substrate due to the partial formation of dividing strips. The need to reduce the time of etching is caused by the fact that upon contact with the etchant, the known protective coatings are destroyed, and the contact of the etchant with the elements of the sensor structure, especially with the sensitive layer, is unacceptable. Therefore, reliable protection of the front side of the finished sensor structure is possible only for a relatively short period of time. The simultaneous formation of dividing bands between the crystals by anisotropic etching is due to the inadmissibility of using known methods of separating the substrate into individual crystals due to the inevitable contamination of sensitive layers and provides ease of separation of the substrate into individual crystals.
Таким образом, вся совокупность признаков способа изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа обеспечивает равномерное формирование мембран устройства по всей площади подложки без риска губительного воздействия травителя на структуру чувствительного элемента и материал мембраны, что обеспечивает высокий уровень выхода годных устройств в процессе их изготовления.Thus, the entire set of features of the method for manufacturing the sensitive elements of gas concentration sensors ensures uniform formation of the device’s membranes over the entire substrate area without the risk of the destructive effect of the etchant on the structure of the sensitive element and the membrane material, which ensures a high level of suitable devices during their manufacturing.
Пример реализации способа.An example implementation of the method.
Сущность способа поясняется чертежами на фиг. 1 - фиг. 4. На фиг. 1 показана структура кристалла чувствительного элемента перед первым этапом анизотропного травления кремния. На фиг. 2 показана структура кристалла чувствительного элемента после травления в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином на первом этапе анизотропного травления кремния. На фиг. 3 показана структура кристалла чувствительного элемента по окончании первого этапа анизотропного травления кремния после травления в водном растворе гидроокиси калия. На фиг. 4 показана готовая структура кристалла чувствительного элемента по окончании второго этапа анизотропного травления кремния в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином.The essence of the method is illustrated by drawings in FIG. 1 - FIG. 4. In FIG. 1 shows the crystal structure of the sensor before the first stage of anisotropic etching of silicon. In FIG. Figure 2 shows the crystal structure of the sensor after etching in an aqueous solution of a mixture of ethylenediamine with pyrocatechol at the first stage of anisotropic etching of silicon. In FIG. Figure 3 shows the crystal structure of the sensor at the end of the first stage of anisotropic etching of silicon after etching in an aqueous solution of potassium hydroxide. In FIG. Figure 4 shows the finished crystal structure of the sensor at the end of the second stage of anisotropic etching of silicon in an aqueous solution of a mixture of ethylenediamine with pyrocatechol.
Для реализации способа изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа используют кремниевую подложку 1 ориентации (100).To implement a method for manufacturing the sensitive elements of gas concentration sensors, a
Первоначально формируют слой 2 термического окисла кремния, используемый в дальнейшем в качестве маскирующего слоя при анизотропном травлении (далее - маскирующий слой). Толщина маскирующего слоя 2 должна быть достаточной для того, чтобы провести анизотропное травление на всю толщину подложки 1. Использование в качестве травителя водного раствора смеси этилендиамина с пирокатехином, ввиду высокой стойкости к травлению в нем термического окисла кремния, позволяет уменьшить требуемую для получения сквозного протрава полостей 3 под мембранами толщину маскирующего слоя 2, что упрощает технологический процесс изготовления чувствительных элементов. Для кремниевых подложек стандартных размеров, толщиной до 1 мм, для обеспечения сквозного протрава полостей 3 под мембранами предложенным способом требуется маскирующий слой 2 толщиной не более 1 мкм. При использовании в качестве анизотропного травителя только водного раствора гидроокиси калия маскирующего слоя 2 толщиной 1 мкм не достаточно даже для получения протрава полостей 3 под мембранами на глубину 400 мкм.Initially,
Затем, исходя из толщины полученного маскирующего слоя 2, проводят расчет режимов изотропного травления. Задачей на данном этапе является формирование рисунка в маскирующем слое 2, представленного на фиг. 1, позволяющего в процессе первого этапа анизотропного травления получить необходимый рельеф подложки 1, представленный на фиг. 3.Then, based on the thickness of the obtained
На первом этапе анизотропного травления получают как можно более глубокие полости 3 под мембраной, при этом травление разделительных полос 4 начинают, когда полости 3 уже протравлены от 60% до 70% от общей толщины подложки 1. Таким образом, на первом этапе анизотропного травления полости 3 вытравливают от 80% до 90% от общей толщины подложки 1, тогда как глубина разделительных полос 4 не должна превышать по окончании первого этапа травления от 20% до 30% от общей толщины подложки 1. Перед первым этапом анизотропного травления кремния, для формирования необходимого рельефа в маскирующем слое, представленного на фиг. 1, проводят две фотолитографии.In the first stage of anisotropic etching, the
Первую, двустороннюю, фотолитографию проводят для взаимной ориентации топологии кристалла на лицевой и обратной сторонах подложки и формирования рисунка окон 5 в маскирующем слое 2 для создания полостей 3 под мембранами. Для этого изотропным травлением в буферном травителе на обеих сторонах подложки в маскирующем слое 2 создают рисунок временных меток совмещения и одновременно на обратной стороне подложки в маскирующем слое 2 создают рисунок окон 5.The first, two-sided, photolithography is carried out for the mutual orientation of the crystal topology on the front and back sides of the substrate and the formation of a pattern of
Затем для формирования в маскирующем слое 2 рисунка окон 6 для создания разделительных полос 4 по обратной стороне подложки 1 проводят вторую фотолитографию. Изотропное травление при этом проводится не на всю толщину маскирующего слоя 2. Остаточная толщина маскирующего слоя 2 в областях разделительных полос 4 должна быть достаточной для того, чтобы на первом этапе анизотропного травления кремния, полностью исключить травление разделительных полос 4 в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином, а также исключить травление разделительных полос 4 в водном растворе гидроокиси калия до тех пор, пока в полостях 3 под мембранами протрав не составит от 60% до 70% от общей толщины подложки 1.Then, to form
Затем проводят первый этап анизотропного травления кремния. Сначала травление проводится при температуре 100°С в водном растворе этилендиамина с пирокатехином. Массовые доли компонентов травителя: 11 частей этилендиамина, 4 части пирокатехина, 5 частей воды. Плотность раствора при комнатной температуре составляет 1,055 г/см3. В результате в подложке 1 формируется рельеф, представленный на фиг. 2. Затем травление проводится при температуре 100°С в водном растворе гидроокиси калия. Массовые доли компонентов травителя: 3 части гидроокиси калия, 7 частей воды. Плотность раствора при комнатной температуре составляет 1,242 г/см2. Для дополнительного контроля начала анизотропного травления кремния в областях разделительных полос 4 и обеспечения равномерности их травления допускается остановка процесса травления кремния в водном растворе гидроокиси калия для удаления в буферном травителе остаточного маскирующего слоя 2 из областей разделительных полос 4. В результате первого этапа анизотропного травления в подложке 1 формируется рельеф, представленный на фиг. 3.Then carry out the first stage of anisotropic etching of silicon. First, etching is carried out at a temperature of 100 ° C in an aqueous solution of ethylenediamine with pyrocatechol. Mass fraction of the components of the etchant: 11 parts of ethylenediamine, 4 parts of catechol, 5 parts of water. The density of the solution at room temperature is 1,055 g / cm 3 . As a result, the relief shown in FIG. 2. Then the etching is carried out at a temperature of 100 ° C in an aqueous solution of potassium hydroxide. Mass fraction of the components of the etchant: 3 parts of potassium hydroxide, 7 parts of water. The density of the solution at room temperature is 1.242 g / cm 2 . To further control the onset of anisotropic etching of silicon in the regions of the
Затем на лицевой стороне подложки 1 в буферном травителе стравливают маскирующий слой 2 до остаточной толщины порядка 100 нм. После этого на остаточный слой наносят диэлектрическую мембранную пленку 7 из оксинитрида кремния, например, методом реактивного магнетронного распыления кремниевой мишени. Элементное соотношение компонентов мембранной пленки: 2 части кремния, 1 часть кислорода, 1 часть азота. Использование в качестве диэлектрической мембраны пленки 7 предложенного состава способствует повышению выхода годных чувствительных элементов благодаря стойкости пленки к травлению в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином на втором этапе анизотропного травления. Также использование пленки 7 предложенного состава за счет близости значений коэффициентов линейного температурного расширения пленки и кремния способствует снижению возникающих в процессе изготовления и эксплуатации чувствительных элементов механических напряжений на границе раздела мембрана - подложка и приводит к повышению выхода годных и сроку службы чувствительных элементов.Then, the
Затем проводят этапы формирования структуры чувствительных элементов. На лицевой стороне подложки, в центре предполагаемых мембран, при помощи взрывной фотолитографии формируют резистивные нагревательные элементы 8, резистивные датчики температуры 9 и контактные площадки 10 к чувствительным слоям 11. Контактные площадки от всех сформированных элементов выносят за пределы мембран.Then carry out the steps of forming the structure of sensitive elements. On the front side of the substrate, in the center of the proposed membranes,
Далее реактивным магнетронным распылением на лицевой стороне подложки формируют слой изолирующего диэлектрика 12 из оксинитрида кремния того же элементного соотношения, что и мембранная пленка 7. После чего проводят вскрытие в слое изолирующего диэлектрика 12 окон к контактным площадкам 10 к чувствительным слоям 11, а также вскрытие окон к контактным площадкам всех элементов структуры чувствительных элементов. Затем проводят операции формирования чувствительных слоев 11. В зависимости от того, концентрацию какого газа необходимо определять изготавливаемыми чувствительными элементами, подбирают нужный материал чувствительных слоев 11. Ограничений по применению известных способов формирования чувствительных слоев для предлагаемого способа изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа нет.Next, reactive magnetron sputtering on the front side of the substrate form an insulating
После формирования структуры чувствительных элементов проводят второй этап анизотропного травления кремния при температуре 80°С в водном растворе смеси этилендиамина с пирокатехином, состав которого соответствует предложенному для первого этапа анизотропного травления. При этом лицевую сторону подложки 1 со сформированной структурой чувствительного элемента герметично защищают от попадания на нее травителя. В результате второго этапа травления получают диэлектрические мембраны. Затем подложку 1 с готовыми чувствительными элементами извлекают из защитного устройства и разламывают по разделительным полосам 4 на отдельные кристаллы. Схематичное изображение одного готового кристалла чувствительного элемента датчика концентрации газа представлено на фиг. 4.After the formation of the structure of the sensitive elements, the second stage of anisotropic etching of silicon is carried out at a temperature of 80 ° C in an aqueous solution of a mixture of ethylenediamine with pyrocatechol, the composition of which corresponds to that proposed for the first stage of anisotropic etching. In this case, the front side of the
Предложенный способ позволяет проводить все технологические операции изготовления полупроводниковых чувствительных элементов для датчиков концентрации газа групповым методом, что существенно упрощает процесс их изготовления, снижает себестоимость продукции, повышает ее надежность и воспроизводимость характеристик.The proposed method allows to carry out all technological operations of manufacturing semiconductor sensitive elements for gas concentration sensors by the group method, which significantly simplifies the process of their manufacture, reduces the cost of production, increases its reliability and reproducibility of characteristics.
Предложенный способ в зависимости от выбора материала чувствительного слоя 11 позволяет изготавливать чувствительные элементы для датчиков концентрации практически любых газов, что делает его универсальным для производства датчиков концентрации газа.The proposed method, depending on the choice of material of the
Источники информацииInformation sources
1. Патент России №2054664, кл. G01N 27/12, 1996 г.1. Patent of Russia №2054664, cl. G01N 27/12, 1996
2. Патент России №2073932, кл. H01L 21/306, 1997 г.2. Patent of Russia No. 2073932, cl. H01L 21/306, 1997
3. Патент России №2143678, кл. G01N 27/12, H01L 21/02, 1999 г.3. Patent of Russia No. 2143678, cl. G01N 27/12, H01L 21/02, 1999
4. Патент России №2449412, кл. H01L 21/306, 2012 г.4. Patent of Russia No. 2449412, cl. H01L 21/306, 2012
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015113719/28A RU2597657C1 (en) | 2015-04-14 | 2015-04-14 | Method of making sensitive elements of gas concentration sensors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015113719/28A RU2597657C1 (en) | 2015-04-14 | 2015-04-14 | Method of making sensitive elements of gas concentration sensors |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2597657C1 true RU2597657C1 (en) | 2016-09-20 |
Family
ID=56937754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015113719/28A RU2597657C1 (en) | 2015-04-14 | 2015-04-14 | Method of making sensitive elements of gas concentration sensors |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2597657C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2625248C1 (en) * | 2016-09-28 | 2017-07-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Method of manufacturing crystals of microelectromechanical systems |
| RU2650793C1 (en) * | 2017-01-31 | 2018-04-17 | Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор Микрон" | Method of manufacturing sensitive elements of gas sensors |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2143678C1 (en) * | 1998-04-29 | 1999-12-27 | Открытое Акционерное Общество Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш" | Semiconductor gas sensor and process of its manufacture |
| US20090126460A1 (en) * | 2005-09-02 | 2009-05-21 | Julian William Gardner | Gas-Sensing Semiconductor Devices |
| RU2449412C1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-04-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Method for manufacturing multipurpose gas composition sensors |
| US20120193730A1 (en) * | 2009-10-05 | 2012-08-02 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | Gas sensor element and manufacturing method of the same |
-
2015
- 2015-04-14 RU RU2015113719/28A patent/RU2597657C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2143678C1 (en) * | 1998-04-29 | 1999-12-27 | Открытое Акционерное Общество Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш" | Semiconductor gas sensor and process of its manufacture |
| US20090126460A1 (en) * | 2005-09-02 | 2009-05-21 | Julian William Gardner | Gas-Sensing Semiconductor Devices |
| US20120193730A1 (en) * | 2009-10-05 | 2012-08-02 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | Gas sensor element and manufacturing method of the same |
| RU2449412C1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-04-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Method for manufacturing multipurpose gas composition sensors |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2625248C1 (en) * | 2016-09-28 | 2017-07-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Method of manufacturing crystals of microelectromechanical systems |
| RU2650793C1 (en) * | 2017-01-31 | 2018-04-17 | Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор Микрон" | Method of manufacturing sensitive elements of gas sensors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201447308A (en) | Probe guide plate and method for manufacturing the same | |
| EP0060854A4 (en) | Infrared radiation detector. | |
| US10338057B2 (en) | Device and method for forming same | |
| RU2597657C1 (en) | Method of making sensitive elements of gas concentration sensors | |
| WO2011146384A1 (en) | Methods of forming superconductor circuits | |
| US8847335B2 (en) | Membrane structure for electrochemical sensor | |
| US8720268B2 (en) | Flow rate detection device having anti-undercurrent material | |
| US10761057B2 (en) | Membrane device and method for manufacturing same | |
| RU2449412C1 (en) | Method for manufacturing multipurpose gas composition sensors | |
| TWI299787B (en) | Micro sample heating apparatus and method of making the same | |
| US10825719B2 (en) | Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding | |
| RU2137249C1 (en) | Process of manufacture of micromechanical instruments | |
| RU2702820C1 (en) | Method of making semiconductor pressure sensors | |
| KR101209172B1 (en) | Separation method of polyimide electrode from substrate and preparation method of polyimide electrode comprising the same | |
| RU2672033C1 (en) | Method for formation of silica areas in silicon plate | |
| Dragoi et al. | Plasma activated wafer bonding for MEMS | |
| JP2006501072A (en) | Method for forming a microstructure from a single crystal substrate | |
| KR20070044273A (en) | Method for analyzing damage layer of surface of soi wafer | |
| JPS63127531A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| RU2650793C1 (en) | Method of manufacturing sensitive elements of gas sensors | |
| JP2002341548A (en) | Method of processing wafer | |
| TWI738568B (en) | A method of preparing a semiconductor specimen for failure analysis | |
| US11427731B2 (en) | Adhesive silicon oxynitride film | |
| JP3877564B2 (en) | Electrophoresis chip and manufacturing method thereof | |
| JPH07113708A (en) | Manufacture of semiconductor absolute pressure sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170415 |