RU2595937C1 - Релаксационный генератор импульсов на лавинном транзисторе с низким напряжением питания - Google Patents

Релаксационный генератор импульсов на лавинном транзисторе с низким напряжением питания Download PDF

Info

Publication number
RU2595937C1
RU2595937C1 RU2015135579/08A RU2015135579A RU2595937C1 RU 2595937 C1 RU2595937 C1 RU 2595937C1 RU 2015135579/08 A RU2015135579/08 A RU 2015135579/08A RU 2015135579 A RU2015135579 A RU 2015135579A RU 2595937 C1 RU2595937 C1 RU 2595937C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
avalanche transistor
resistor
diode
voltage
avalanche
Prior art date
Application number
RU2015135579/08A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Леонидович Пущин
Original Assignee
Евгений Леонидович Пущин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Евгений Леонидович Пущин filed Critical Евгений Леонидович Пущин
Priority to RU2015135579/08A priority Critical patent/RU2595937C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2595937C1 publication Critical patent/RU2595937C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в импульсных схемах различного назначения, питаемых от низковольтных источников. Достигаемый технический результат - обеспечение самозапуска генератора и возможность использования низковольтных источников питания. Генератор импульсов на лавинном транзисторе с использованием S-образной вольтамперной характеристики со стороны коллектора содержит накопительный конденсатор, первый резистор, первый диод, включенный встречно-параллельно переходу эмиттер-база лавинного транзистора, второй диод, компенсирующий конденсатор, второй резистор и трансформаторный дроссель. 2 ил.

Description

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в импульсных схемах различного назначения, питаемых от низковольтных источников, например гальванических или солнечных батарей, низковольтных аккумуляторов и пр.
Известен генератор наносекундных импульсов, основанный на базовой схеме, с использованием S-образной вольтамперной характеристики лавинного транзистора со стороны коллектора (В.П. Дьяконов. Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. Серия «Компоненты и технологии». - М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2012, с 58). Схема этого генератора является основой для большинства устройств, выполненных на лавинных транзисторах. Она содержит цепь питания базы, служащую для создания условий лавинного пробоя, в которую входят резистор, ограничивающий ток базы от источника запирающего напряжения, разделительный конденсатор для передачи импульса запуска на базу и защитный диод, включенный встречно-параллельно с переходом эмиттер-база лавинного транзистора, зарядный резистор, через который осуществляется заряд накопительного конденсатора, и резистор нагрузки, включенный последовательно в цепь разряда накопительного конденсатора через лавинный транзистор.
Недостатком генератора на основе этой схемы является низкий КПД заряда накопительного конденсатора через зарядный резистор, асимптотически приближающийся к 50% при приближении напряжения заряда к напряжению источника питания (см., например, Я.Б. Зельдович, И.М. Яглом. Высшая математика для начинающих физиков и техников. М.: Наука, с. 380). Если для сокращения интервалов между импульсами напряжение питания поднимают выше требуемого напряжения заряда, то, независимо от величины зарядного резистора, КПД заряда приближается к нулю, так как падение напряжения на балластном резисторе и, следовательно, выделяемая на нем мощность соответственно возрастают. Этим фактором, в частности, объясняются низкие возможности повышения частоты следования импульсов для этой схемы заряда. Применение источников тока для повышения частоты импульсов значительно усложняет конструкцию, не решая проблемы потерь на тепловыделение и уменьшения нагрузки на лавинный транзистор при переключениях.
Наиболее близким к предлагаемому устройству является генератор импульсов тока на лавинном транзисторе с использованием S-образной вольт-амперной характеристики со стороны коллектора (Патент РФ №2557475 H03K 3/335, опубл. 20.07.2015), который содержит зарядный дроссель, один вывод которого подключен к источнику питания, а второй - к коллектору лавинного транзистора и к первому выводу накопительного конденсатора, другой вывод которого через нагрузку соединен с эмиттером лавинного транзистора и общим проводом.
Недостатками данного устройства являются свойственное большинству генераторов на лавинных транзисторах высокое напряжение питания (даже уменьшенное в два раза), необходимость подбора напряжения источника питания при замене типа транзистора, а иногда и другого транзистора того же типа, а также необходимость запускающего импульса и источника запирающего напряжения для нормальной работы генератора.
Предлагаемое изобретение направлено на создание легкоуправляемой энергосберегающей схемы генератора импульсов наносекундного диапазона, техническим результатом применения которой является обеспечение самозапуска генератора и возможность использования низковольтных источников питания, что особенно важно в длительно изолированных системах, использующих источники энергии низкого качества, например солнечные батареи или радиоактивность.
Поставленная задача решается генератором импульсов на лавинном транзисторе с использованием S-образной вольтамперной характеристики со стороны коллектора, содержащим накопительный конденсатор, подключенный первым выводом к коллектору лавинного транзистора, а вторым выводом через первый резистор соединенный с эмиттером лавинного транзистора и общим проводом, первый диод, включенный встречно-параллельно переходу эмиттер-база лавинного транзистора, в отличие от прототипа содержащим второй диод, компенсирующий конденсатор, второй резистор и трансформаторный дроссель, первичная и вторичная обмотки которого разнополярно подключены к источнику питания. Другой вывод первичной обмотки соединен с коллектором лавинного транзистора и первым выводом накопительного конденсатора. Другой вывод вторичной обмотки соединен с первым выводом компенсирующего конденсатора и анодом второго диода, катод которого через второй резистор соединен с базой лавинного транзистора, вторым выводом компенсирующего конденсатора и катодом первого диода.
Сущность изобретения поясняется чертежами, где на Фиг. 1 представлена электрическая схема релаксационного генератора импульсов на лавинном транзисторе с низким напряжением питания, на Фиг. 2 - график напряжения на коллекторе при заряде и разряде накопительного конденсатора в ждущем режиме.
Генератор импульсов (Фиг. 1) содержит лавинный транзистор (ЛТ) 1, трансформаторный дроссель 2, первичная I и вторичная II обмотки которого разнополярно подключены к источнику питания Ек, накопительный конденсатор 3, первый резистор 4, первый диод 5, второй резистор 6, второй диод 7 и компенсирующий конденсатор 8. Другой вывод первичной обмотки I трансформаторного дросселя 2 соединен с первым выводом накопительного конденсатора 3 и коллектором ЛТ 1; другой вывод вторичной обмотки II подключен через последовательно соединенные второй диод 7 и второй резистор 6, а также через включенный параллельно им компенсирующий конденсатор 8 к базе ЛТ 1. Первый диод 5 включен встречно-параллельно переходу эмиттер-база ЛТ 1. Второй вывод накопительного конденсатора 3 соединен через первый резистор 4 с эмиттером ЛТ, анодом первого диода и общим проводом. Выходной импульс снимается с первого резистора 4. Запускающий импульс отрицательной полярности подается через второй резистор 6 на базу ЛТ 1.
Схема в режиме релаксации работает следующим образом.
До наступления условий лавинного пробоя ЛТ 1 работает как простой транзистор в составе блокинг-генератора. При включении источника питания Ек транзистор 1 открывается током через вторичную обмотку II трансформаторного дросселя 2, второй диод 7 и второй резистор 6, ограничивающий этот ток. Участием компенсирующего конденсатора 8 малой емкости и обратным током запертого первого диода 5 на этом этапе можно пренебречь. Транзистор 1 входит в насыщение, ток первичной обмотки I трансформаторного дросселя 2 возрастает и в некоторый момент превышает величину, соответствующую насыщенному состоянию транзистора 1. В результате развивается обычный для блокинг-генератора (Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Изд. 4-е, перераб. и доп. М.: «Энергия», 1977, с. 572) лавинообразный процесс запирания транзистора 1, в котором основную роль играет положительная обратная связь, выражающаяся в резком понижении потенциала второго вывода вторичной обмотки II относительно общего провода и смене направления тока вторичной обмотки. Ток обратного направления вторичной обмотки состоит из трех составляющих: обратного тока второго диода 7 и зарядных токов емкостей второго диода 7 и конденсатора 8, компенсирующих эффект Миллера (Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: в 2 т.: пер. с нем. - Т. 1. - М.: Додека-XXI, 2008, с. 149) при росте напряжения на коллекторе транзистора 1, а также обеспечивающих прямой ток первого диода 5 для создания запирающего напряжения на базе. Основная часть накопленной магнитной энергии трансформаторного дросселя 2 переходит в заряд накопительного конденсатора 3. Компенсация эффекта Миллера и запирающее напряжение на базе предотвращают преждевременное открывание транзистора 1 и повышают напряжение Uβ′ лавинного пробоя. Если энергии, накопленной дросселем, достаточно, накопительный конденсатор 3 заряжается до лавинного пробоя транзистора. С этого момента транзистор 1 работает как лавинный. Поскольку накопленная магнитная энергия при заданной величине напряжения Ек зависит от тока базы ЛТ 1, то требуемое напряжение лавинного пробоя определяет нужную величину второго (ограничительного) резистора 6.
С момента включения источника питания или выхода ЛТ 1 из насыщения после очередного процесса лавинного пробоя до накопления тока намагничивания дросселя, достаточного для заряда конденсатора до напряжения лавинного пробоя, может быть относительно большой интервал времени по сравнению с описанным выше процессом лавинообразных переключений транзистора. Это обстоятельство зависит от величины ограничительного резистора 6 и может быть использовано как для управления частотой подачи выходных импульсов предлагаемого устройства, так и синхронизации их с другим процессом. При этом устройство может быть не только ведущим, но и ведомым, что важно при согласовании с неуправляемыми процессами. Это иллюстрирует график на Фиг. 2. В момент t0 на базу ЛТ подается запирающий импульс отрицательной полярности длительностью t1-t0. Транзистор принудительно выходит из насыщения и, как указывалось выше, лавинообразно запирается. Ток самоиндукции заряжает конденсатор 3, что иллюстрирует участок 1 кривой заряда. В момент t1 задний фронт запускающего импульса открывает ЛТ и, поскольку в момент t1 напряжение на коллекторе ЛТ, равное Uβ′, превышает минимальное напряжение лавинного пробоя Uβ, то происходит лавинный пробой и напряжение на коллекторе падает по кривой 3 графика. Штрихованный участок 2 кривой напряжения на коллекторе показывает, что если нет запускающего импульса, то при выбранной достаточно большой величине резистора 6 лавинного пробоя не происходит, и конденсатор 3 разряжается по более пологой кривой. Перелом этой кривой на падающем участке в точке t3 шкалы времени показывает, что включается положительная обратная связь через конденсатор 8, ускоряющая процесс разряда. Ордината Uβ графика показывает, что момент t1 заднего фронта запускающего импульса может быть выбран между моментами t2 и t3, которые, в свою очередь, привязаны к моменту t0.
Поставленная задача достигается в изобретении благодаря следующему.
Высокое напряжение питания, требуемое в приведенных выше схемах аналога (Ек>Uβ′) или прототипа (Ек≈Uβ′/2), предполагает использование специального повышающего источника питания. Предлагаемое устройство накапливает с помощью низковольтного источника такой запас энергии, который требуется для осуществления одного импульса.
Так как положительный задний фронт запускающего импульса полагает начало резкому падению потенциала коллектора ЛТ 1, положительная обратная связь, в которой задействованы вторичная обмотка трансформаторного дросселя 2 и конденсатор 8, усиливает этот эффект и включает процесс лавинного пробоя, тем самым позволяя использовать генератор запускающих импульсов малой мощности без большой крутизны фронтов.
Низкое напряжение питания предлагаемого устройства определяется напряжением питания базы в период накопления дросселем магнитной энергии, складывающимся из напряжений на p-n переходах диода 7 и база-эмиттер ЛТ 1, а также на активном сопротивлении вторичной обмотки дросселя 2 и втором (низкоомном) резисторе 6.
При снижении температуры среды сумма пороговых напряжений p-n переходов второго диода 7 и база-эмиттер ЛТ 1 может превысить напряжение питания Ек. В этом случае трансформаторный дроссель 2 может набрать энергию для лавинного пробоя только при положительном напряжении сигнала от запускающего генератора, что демонстрирует график этого сигнала на Фиг. 2 от начала до момента t0. Это делает режим работы существенно ждущим. Точно так же исключает возможность релаксации и снижение питания предлагаемого устройства в диапазоне положительных температур.
Таким образом, предложенное изобретение позволяет повысить экономичность и управляемость генератора.

Claims (1)

  1. Генератор импульсов на лавинном транзисторе с использованием S-образной вольтамперной характеристики со стороны коллектора, содержащий накопительный конденсатор, подключенный первым выводом к коллектору лавинного транзистора, вторым выводом через первый резистор соединенный с эмиттером лавинного транзистора и общим проводом, первый диод, включенный встречно-параллельно переходу эмиттер-база лавинного транзистора, отличающийся тем, что дополнительно содержит второй диод, компенсирующий конденсатор, второй резистор и трансформаторный дроссель, первичная и вторичная обмотки которого разнополярно подключены к источнику питания, другой вывод первичной обмотки соединен с коллектором лавинного транзистора и первым выводом накопительного конденсатора, другой вывод вторичной обмотки соединен с первым выводом компенсирующего конденсатора и анодом второго диода, катод которого через второй резистор соединен с базой лавинного транзистора, вторым выводом компенсирующего конденсатора и катодом первого диода.
RU2015135579/08A 2015-08-21 2015-08-21 Релаксационный генератор импульсов на лавинном транзисторе с низким напряжением питания RU2595937C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015135579/08A RU2595937C1 (ru) 2015-08-21 2015-08-21 Релаксационный генератор импульсов на лавинном транзисторе с низким напряжением питания

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015135579/08A RU2595937C1 (ru) 2015-08-21 2015-08-21 Релаксационный генератор импульсов на лавинном транзисторе с низким напряжением питания

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2595937C1 true RU2595937C1 (ru) 2016-08-27

Family

ID=56891913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015135579/08A RU2595937C1 (ru) 2015-08-21 2015-08-21 Релаксационный генератор импульсов на лавинном транзисторе с низким напряжением питания

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2595937C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2713559C2 (ru) * 2018-05-08 2020-02-05 Евгений Леонидович Пущин Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием
CN112865759A (zh) * 2021-01-19 2021-05-28 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种时域高稳定超宽谱脉冲源

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1401574A1 (ru) * 1984-07-03 1988-06-07 Предприятие П/Я А-3592 Формирователь импульсов
RU2257007C1 (ru) * 2004-02-09 2005-07-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Алмаз" Электронный ключ с трансформаторной развязкой
EP2355326A1 (en) * 2009-09-30 2011-08-10 Imec Synchronous rectifier circuit
RU2557475C1 (ru) * 2014-06-03 2015-07-20 Евгений Леонидович Пущин Генератор импульсов на лавинном транзисторе с повышенными кпд и частотой следования импульсов (варианты)

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1401574A1 (ru) * 1984-07-03 1988-06-07 Предприятие П/Я А-3592 Формирователь импульсов
RU2257007C1 (ru) * 2004-02-09 2005-07-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Алмаз" Электронный ключ с трансформаторной развязкой
EP2355326A1 (en) * 2009-09-30 2011-08-10 Imec Synchronous rectifier circuit
RU2557475C1 (ru) * 2014-06-03 2015-07-20 Евгений Леонидович Пущин Генератор импульсов на лавинном транзисторе с повышенными кпд и частотой следования импульсов (варианты)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2713559C2 (ru) * 2018-05-08 2020-02-05 Евгений Леонидович Пущин Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием
RU2713559C9 (ru) * 2018-05-08 2021-02-04 Евгений Леонидович Пущин Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием
CN112865759A (zh) * 2021-01-19 2021-05-28 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种时域高稳定超宽谱脉冲源
CN112865759B (zh) * 2021-01-19 2022-06-07 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种时域高稳定超宽谱脉冲源

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10063131B2 (en) Secondary-side control circuit, control method and flyback converter thereof
JP4999839B2 (ja) 太陽電池モジュール用の保護回路装置
US7564704B2 (en) Method of forming a power supply controller and structure therefor
US9504105B2 (en) On-time control for switched mode power supplies
US20190229615A1 (en) Resonant pulsed voltage multiplier and capacitor charger
US3371232A (en) High current, short duration pulse generator
CN109004818B (zh) 本质安全型直流容性负载缓启动装置
RU2595937C1 (ru) Релаксационный генератор импульсов на лавинном транзисторе с низким напряжением питания
Seidel et al. 25.3 A 1.3 A gate driver for GaN with fully integrated gate charge buffer capacitor delivering 11nC enabled by high-voltage energy storing
US9655175B2 (en) Off-time control for switched mode power supplies
US20100123412A1 (en) Pulse generating circuit
RU2557475C1 (ru) Генератор импульсов на лавинном транзисторе с повышенными кпд и частотой следования импульсов (варианты)
US8699249B1 (en) Compensation schemes for the voltage droop of solid-state Marx modulators
CN108063549B (zh) 一种隔离控制电路
US7499293B2 (en) High voltage pulse power circuit
JP6673801B2 (ja) ゲートパルス発生回路およびパルス電源装置
Patel et al. Power supplies for plasma heating: PSM and involved challenges
CN116391307A (zh) 一种电压调节模块及集成芯片
RU2585278C1 (ru) Преобразователь напряжения
RU2812962C1 (ru) Двухполярный регулятор постоянного напряжения
RU82390U1 (ru) Высоковольтный импульсный модулятор с наносекундным фронтом для управления электрооптическими затворами в виде ячейки поккельса
Kokkonda et al. A SiC based Two-Stage Pulsed Power Converter System for Laser Diode Driving Applications
CN113179005B (zh) 一种双脉冲电源及其工作方法
RU143858U1 (ru) Импульсный повышающий однотактный конвертор
CN113037070B (zh) 开关电源快速启动电路

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190822