RU2595911C2 - Термоэлектрический тепловой насос с нанопленочными полупроводниковыми ветвями - Google Patents
Термоэлектрический тепловой насос с нанопленочными полупроводниковыми ветвями Download PDFInfo
- Publication number
- RU2595911C2 RU2595911C2 RU2013146759/08A RU2013146759A RU2595911C2 RU 2595911 C2 RU2595911 C2 RU 2595911C2 RU 2013146759/08 A RU2013146759/08 A RU 2013146759/08A RU 2013146759 A RU2013146759 A RU 2013146759A RU 2595911 C2 RU2595911 C2 RU 2595911C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thermoelectric
- heat
- semiconductor
- metal
- heat pump
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к системам теплообмена. Технический результат - повышение эффективности термоэлектрического теплового насоса за счет уменьшения выделения паразитного тепла Джоуля в полупроводниковых ветвях и создание условий для возникновения дополнительного термоэффекта между горячими и холодными спаями, изготовленными из разных металлов. Это достигается тем, что полупроводниковые ветви p- и n-типа изготавливаются в виде нанопленок с практически нулевым сопротивлением протекающему току за счет большого соотношения поперечного сечения и высоты ветви. Изготовление горячего и холодного спаев из двух металлов с различными термоэлектрическими характеристиками позволяет трансформировать паразитные термоэлектрические эффекты между металлическими спаями и полупроводниками в дополнительное охлаждение. Использование представленного устройства позволит создать тепловые насосы большей эффективности при малых габаритах, причем перспективным направлением является создание многослойных тепловых насосов, состоящих из нескольких каскадов. 1 ил.
Description
Изобретение относится к системам теплообмена.
Известен термоэлектрический тепловой насос 11], у которого горячие и холодные спаи изготовлены из одинаковых металлов и высота полупроводниковых ветвей больше их ширины и длины. Однако протекание электрического тока по полупроводниковым ветвям p- и n-типа приводит к выделениям паразитного тепла Джоуля. Причем количество выделенного тепла пропорционально квадрату величины протекающего тока [1]. Кроме того, дополнительные паразитные тепловыделения происходят на границах между металлическими спаями и полупроводниковыми ветвями p- и n-типа.
Цель изобретения - повышение эффективности термоэлектрического теплового насоса за счет уменьшения выделения паразитного тепла Джоуля в полупроводниковых ветвях и создание условий для возникновения дополнительного термоэффекта между горячими и холодными спаями, изготовленными из разных металлов.
Это достигается тем, что полупроводниковые ветви p- и n-типа изготавливаются в виде нанопленок с практически нулевым сопротивлением протекающему току за счет большого соотношения поперечного сечения к высоте ветви. Уменьшение высоты ветвей приводит к возрастанию паразитного кондуктивного обратного теплопереноса, но это не играет большой роли, так как большинство режимов работы тепловых насосов по интенсифицированию процессов переноса тепла от одного объекта к другому соответствует равенству температуры на обоих спаях [2]. Высота полупроводниковых ветвей задается соразмерной длине свободного пробега электронов в полупроводниках p- и n-типа. Так как количество соударений электронов с кристаллической решеткой полупроводников p- и n-типа будет уменьшено на несколько порядков, а также часть электронов вообще беспрепятственно проникнут сквозь ветвь в противоположный спай, то это позволит практически устранить паразитные выделения тепла Джоуля. С увеличением тока возрастает количество тепла от термоэлектрического эффекта Пельтье [1]. Ограничением служит возрастание тепловых выделений Джоуля. Так как эффект Пельтье линейно зависит от величины электрического тока, а теплота Джоуля квадратична по отношению к току, то существует оптимальное значение тока, при котором можно отводить тепло с максимальной эффективностью. При исключении паразитных выделений тепла Джоуля из уравнения теплового баланса [1], величину тока можно существенно увеличить, получив большую эффективность теплового насоса, до новых оптимальных значений, ограниченных процессами кондукции между объектом охлаждения, тепловым насосом и системой теплоотвода.
Дополнительным преимуществом является возможность изготовления горячего и холодного спая из двух металлов с различными термоэлектрическими характеристиками. Это приведет к тому, что электроны, беспрепятственно проникшие через полупроводниковые ветви p- и n-типа к противоположному спаю, сформируют термоэлектрический эффект с выделением или поглощением тепла как в обычном термоэлектрическом устройстве, состоящем только из металлических ветвей. Низкая добротность металлических термоэлектрических устройств была обусловлена высокой электропроводностью металлических ветвей, но если металлические спаи разделены полупроводниками p- и n-типа, то это затруднит обратный перенос зарядов и повысит добротность термоэффекта между двумя спаями из различных металлов.
При выборе термоэлектрических характеристик металлов для спаев целесообразно также учитывать термоэлектрические явления на границе металлических спаев и полупроводниковых ветвей p- и n-типа.
Таким образом, в одном тепловом насосе будут одновременно присутствовать термоэлектрические эффекты для контакта полупроводников p- и n-типа, контакта двух металлов и контакта металлов с полупроводниками p- и n-типа.
На фиг.1 представлена структура термоэлектрического теплового насоса с нанопленочными полупроводниковыми ветвями.
Структура термоэлектрического теплового насоса с нанопленочными полупроводниковыми ветвями представляет собой полупроводниковые ветви p-типа 1 и n-типа 2, а также металлические спаи 3 и 4, состоящие из двух металлов с различными термоэлектрическими характеристиками. Причем металлический спай 3 имеет полную энергию зарядов, меньшую, чем в полупроводниках p- и n-типа, а металлический спай 4 имеет полную энергию зарядов, большую, чем в полупроводнике n-типа, но меньшую, чем в полупроводнике p-типа.
Это позволяет при прохождении зарядов 5 от металлического спая 4 к полупроводнику p-типа получить охлаждающий термоэффект за счет изменения полной энергии зарядов в большую сторону. При прохождении зарядов 6 от полупроводника p-типа к металлическому спаю 3 возникает нагревающий термоэффект за счет изменения полной энергии зарядов в меньшую сторону. При прохождении зарядов 7 от полупроводника n-типа к металлическому спаю 4 возникает охлаждающий термоэффект за счет изменения полной энергии зарядов в большую сторону. При прохождении зарядов 8 от металлического спая 3 к полупроводнику n-типа возникает охлаждающий термоэффект за счет изменения полной энергии зарядов в большую сторону.
Заряды 9 проникают без взаимодействия с полупроводниковой ветвью p-типа от 4 металлического спая к 3 и создают нагревающий термоэффект за счет изменения полной энергии зарядов в меньшую сторону, так как в металлическом спае 3 энергия электронов больше, чем в металлическом спае 4. Заряды 10 проникают без взаимодействия с полупроводниковой ветвью n-типа от металлического спая 3 к 4 и создают охлаждающий термоэффект за счет изменения полной энергии зарядов в большую сторону, так как в металлическом спае 4 энергия электронов меньше, чем в металлическом спае 3.
Заряды 11 проникают через металлический спай 3 от полупроводника p-типа к n-типу, создавая нагревающий термоэффект. Заряды 12 проникают через металлический спай 4 от полупроводника n-типа к p-типу, создавая охлаждающий термоэффект.
Таким образом, заряды 5, 7, 8, 10 и 12 интегрально создают охлаждающий термоэффект как с одной, так и с другой стороны теплового насоса, что при незначительной толщине нанопленки позволяет эффективно тепловому насосу отводить энергию от объекта охлаждения за счет кондукции. Заряды 6, 9 и 11 создают нагревающий термоэффект со стороны металлического спая 3, что позволяет с высокой эффективностью отвести тепловую энергию при помощи кондукции или конвекции с применением охлаждающих жидкостей или газов.
Использование представленного устройства позволит создать тепловые насосы большей эффективности при малых габаритах, причем перспективным направлением является создание многослойных тепловых насосов, состоящих из нескольких каскадов.
Литература
1. Анатычук Л.И. Термоэлектричество. Т2. - Киев: Букрек, 2003. - 386 с.
2. Исмаилов Т.А. Термоэлектрические полупроводниковые устройства и интенсификаторы теплопередачи. - СПб.: Политехника, 2005.
Claims (1)
- Термоэлектрический тепловой насос с нанопленочными полупроводниковыми ветвями, выполненный из тонких полупроводниковых ветвей p- и n-типа с минимальными паразитными тепловыделениями, а также горячего и холодного спаев, изготовленных из двух металлов с различными термоэлектрическими характеристиками, отличающийся тем, что к термоэффекту между полупроводниками p- и n-типа добавляются еще охлаждающий термоэффект на границе металл-полупроводник и металл-металл.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013146759/08A RU2595911C2 (ru) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | Термоэлектрический тепловой насос с нанопленочными полупроводниковыми ветвями |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013146759/08A RU2595911C2 (ru) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | Термоэлектрический тепловой насос с нанопленочными полупроводниковыми ветвями |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013146759A RU2013146759A (ru) | 2015-04-27 |
RU2595911C2 true RU2595911C2 (ru) | 2016-08-27 |
Family
ID=53282980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013146759/08A RU2595911C2 (ru) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | Термоэлектрический тепловой насос с нанопленочными полупроводниковыми ветвями |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2595911C2 (ru) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5441576A (en) * | 1993-02-01 | 1995-08-15 | Bierschenk; James L. | Thermoelectric cooler |
RU116979U1 (ru) * | 2012-02-10 | 2012-06-10 | Андрей Владимирович Резвов | Термоэлектрический охлаждающий модуль |
-
2013
- 2013-10-18 RU RU2013146759/08A patent/RU2595911C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5441576A (en) * | 1993-02-01 | 1995-08-15 | Bierschenk; James L. | Thermoelectric cooler |
RU116979U1 (ru) * | 2012-02-10 | 2012-06-10 | Андрей Владимирович Резвов | Термоэлектрический охлаждающий модуль |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013146759A (ru) | 2015-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Chen et al. | Review of development status of Bi2Te3‐based semiconductor thermoelectric power generation | |
Zhang et al. | High-temperature and high-power-density nanostructured thermoelectric generator for automotive waste heat recovery | |
Lee | The Thomson effect and the ideal equation on thermoelectric coolers | |
Liang et al. | Comparison and parameter optimization of a two-stage thermoelectric generator using high temperature exhaust of internal combustion engine | |
JP4881919B2 (ja) | 熱電素子を有する熱電発電機 | |
RU2011104079A (ru) | Раздельная термоэлектрическая структура, устройства и системы, в которых используется эта структура | |
JP2020532108A (ja) | 熱電デバイス、デバイスを冷却するための方法、および電気的エネルギーを発生させるための方法 | |
US20110259386A1 (en) | Thermoelectric generating module | |
Wang et al. | A novel multilayer composite structured thermoelectric module with high output power | |
Gong et al. | A novel cascaded thin-film thermoelectric cooler for on-chip hotspot cooling | |
JP2013062370A (ja) | 平面型薄膜熱電モジュール | |
RU2595911C2 (ru) | Термоэлектрический тепловой насос с нанопленочными полупроводниковыми ветвями | |
Oki et al. | Numerical Optimization of Trapezoidal Thermoelectric Elements for Double-Pipe-Shaped Module | |
Meng et al. | Simulation of a thermoelectric module having parallelogram elements | |
Shen et al. | Inverse optimization investigation for thermoelectric material from device level | |
RU2563305C1 (ru) | Термоэлектрический генератор автомобиля | |
Gupta et al. | A review on thermoelectric cooler | |
CN105633264A (zh) | 一种串联电腿结构的温差电池 | |
JP6002623B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
CN103794581A (zh) | 一种热电散热装置 | |
US20150171301A1 (en) | Thermoelectric device | |
US20140332048A1 (en) | Thermoelectric device | |
Anatychuk et al. | Energy potential of permeable segmented thermoelements in cooling mode | |
RU2575618C2 (ru) | Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода | |
US20060016248A1 (en) | Thermoelectric Circuits Utilizing Series Isothermal Heterojunctions |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160306 |