RU2572128C1 - Способ получения порошков пористого кремния - Google Patents

Способ получения порошков пористого кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2572128C1
RU2572128C1 RU2014131500/05A RU2014131500A RU2572128C1 RU 2572128 C1 RU2572128 C1 RU 2572128C1 RU 2014131500/05 A RU2014131500/05 A RU 2014131500/05A RU 2014131500 A RU2014131500 A RU 2014131500A RU 2572128 C1 RU2572128 C1 RU 2572128C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
etching
silicon
electrochemical
porous silicon
powder
Prior art date
Application number
RU2014131500/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Сергеевич Леньшин
Владимир Михайлович Кашкаров
Павел Владимирович Середин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО ВГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО ВГУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО ВГУ)
Priority to RU2014131500/05A priority Critical patent/RU2572128C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2572128C1 publication Critical patent/RU2572128C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области нанотехнологий и наноматериалов и может быть использовано в стоматологии и биомедицине. Сущность способа заключается в том, что получение наноразмерного порошка кремния обеспечивают травлением монокристаллического кремния в ячейке электрохимического травления с контрэлектродом U-образной формы из нержавеющей стали с последующим механическим отделением пористого слоя от подложки, его измельчением в изопропиловом спирте в ультразвуковой ванне и сушкой в естественных условиях, при этом в качестве электролита используют раствор диметилформамида с добавлением плавиковой кислоты и 20% по объему 30%-ной перекиси водорода. Технический результат - увеличение скорости травления монокристаллического кремния. 2 ил.

Description

Изобретение относится к области нанотехнологий и наноматериалов и может быть использовано в стоматологии и биомедицине.
Известен способ получения порошков пористого кремния.
Способ получения нанокристаллического кремния, согласно изобретению, включает реакцию спекания при температуре ~800 K тонкоизмельченного силицида магния и аэросила с последующим растворением и вымыванием оксида магния в подкисленном водном растворе, с последующей очисткой порошка нанокристаллического кремния осаждением этанолом и растворением в трихлорметане.
Изобретение обеспечивает получение порошка нанокристаллического кремния, обладающего устойчивой яркой фотолюминесценцией, максимум интенсивности которой возможно сдвигать в области от 750 нм до 550 нм, а также позволяет получать частицы нанокристаллического кремния, сохраняющие люминесцентные свойства при высоких, до ~650 К, температурах в массовых количествах без использования дорогих и легковоспламеняющихся веществ.
К недостаткам относится энергозатратность способа (высокие температуры получения), использование нагретой концентрированной плавиковой кислоты в процессе постобработки, которая высокотоксичным реагентом.
Также известен и способ получения порошков пористого кремния, который заключается в том, что пористый кремний, получают из монокристаллического кремния, подвергая его электролитическому травлению в двухэлектродной ячейке с использованием электролита, содержащего воду, этанол и плавиковую кислоту. Травление выполняют в два этапа. На первом этапе травление исходного кремния выполняют при постоянном токе при приложении к кремниевой пластине положительного потенциала. На втором этапе травления изменяют полярность напряжения, прикладываемого к ячейке травления, без изменения его величины. При этом к кремниевой пластине прикладывают отрицательный потенциал и травят материал в течение 10-60 мин (патент РФ 2316077, МПК H01L 33/00, опубл. 27.01.2008).
Данный способ по решаемой задаче, достигаемому техническому результату является наиболее близким аналогом к заявляемому способу и поэтому выбран в качестве прототипа.
Однако и он не лишен недостатков, которые заключаются в том, что недостатком данного изобретения является относительно быстрая деградация люминесцентных свойств материала вследствие постепенного окисления поверхности наночастиц пористого кремния при образовании устойчивых группировок кремний-кислород (Si-O). Такие группировки сначала образуются на поверхности наночастицы и затем мигрируют в несколько первых приповерхностных слоев, что приводит к полному затуханию люминесценции. Производительность данного способа получения по сравнению с предлагаемым способом получения крайне низка. Кроме того, полученные наночастицы пористого кремния не удается перевести в коллоидный раствор, что затрудняет их дальнейшее использование, например, в качестве люминесцирующих оптических меток.
Задача способа заключается в устранении недостатков аналога и прототипа и в получении более высокого уровня технического результата.
Технический результат - увеличение скорости травления монокристаллического кремния достигается за счет того, что травление происходит в ячейке электрохимического анодного травления особой конфигурации с контрэлектродом из нержавеющей стали с последующей промывкой полученного пористого материала в дистиллированной воде, после чего его механически отделяют от кристаллической подложки, измельчают, а затем полученный порошок пористого кремния сушат в естественных условиях.
Предлагаемый способ проиллюстрирован чертежами, где на фиг. 1 изображена схема ячейки электрохимического травления, а на фиг. 2 показано изображение порошка, полученного с помощью просвечивающего электронного микроскопа и электронограмма порошка.
Способ получения порошков пористого кремния осуществляют следующим образом.
Для реализации способа используется оригинальная ячейка электрохимического анодного травления (фиг. 1), состоящей из: фторопластовой ванны (1), в которой находится раствор электролита (2), U-образного контрэлектрода из нержавеющей стали (3), который в процессе электрохимического травления является катодом, и исходной пластины кристаллического кремния (4), которая в процессе электрохимического травления является анодом и на которой получается слой пористого кремния, а также системы контроля и установки тока (5), состоящей из источника постоянного тока со встроенным мультиметром.
Порошок получается анодным электрохимическим травлением монокристаллического кремния n-типа проводимости, легированного фосфором, с удельным сопротивлением менее 1.0 Ом·см.
Пластина прямоугольной формы размером 2 см × 1 см помещается в раствор электролита следующего состава: 2 об. части концентрированной плавиковой кислоты + 2 об. части диметилформамида + 1 об. часть перекиси водорода (30%-ной). Малое удельное сопротивление исходной кремниевой пластины обеспечивает равномерное распределение анодного потенциала по всей площади пластины, погруженной в раствор электролита при латеральном расположении электрода над поверхностью электролита.
Таким образом, травление производят в ячейке электрохимического анодного травления с контрэлектродом U-образной формы из нержавеющей стали, с последующим механическим отделением пористого слоя от подложки, его измельчением в изопропиловом спирте в ультразвуковой ванне и сушкой в естественных условиях, при этом в качестве электролита используют раствор плавиковой кислоты в диметилформамиде с добавкой 20% по объему перекиси водорода (30%-ной).
Это позволяет избежать проблем, характерных для стандартного расположения кремниевой пластины в донной части кюветы, связанных с уплотнением пластины кремния, во избежание протечек электролита, содержащего агрессивную плавиковую кислоту. Травление проводится в режиме постоянного тока при плотности 15-20 мА/см2. Время травления можно варьировать от 10 до 60 мин ., что позволяет изменять толщину пористого слоя в пределах от 10 до 80 мкм.
При увеличении времени травления свыше 60 минут резко падает плотность тока через пластину, и эффективность травления существенно снижается. После завершения процесса травления пластина со слоем пористого кремния, образовавшегося с двух сторон пластины, промывается в дистиллированной воде и в изопропиловом спирте, затем пористый слой механически отделяется от пластины с помощью скребка и получившийся порошок помещается в ультразвуковую ванну, заполненную изопропиловым спиртом, в которой производится дробление частиц порошка до размера 5-50 нм в течение 20 минут. На фиг. 2 приведены изображение порошка пористого кремния, полученное методом просвечивающей электронной микроскопии, и его электронограмма.
После этого частицы порошка извлекаются из спирта выпариванием и высушиваются на воздухе в естественных условиях. За один сеанс удается получить от 10 до 30 мг порошка. Полученный порошок контролировали методом просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов. Наличие достаточно четких колец на электронограммах подтверждает, что кремний в частицах находится в кристаллическом состоянии. Порошок обладает яркой фотолюминесценцией (ФЛ) с относительно широкой полосой (~300 нм) и пиком ФЛ в области 650 нм.

Claims (1)

  1. Способ получения порошков пористого кремния нанометрового размера, включающий анодное электрохимическое травление в электролите исходного монокристаллического кремния в ячейке электрохимического травления, отличающийся тем, что травление производят в ячейке электрохимического анодного травления с контрэлектродом U-образной формы из нержавеющей стали с последующим механическим отделением пористого слоя от подложки, его измельчением в изопропиловом спирте в ультразвуковой ванне и сушкой в естественных условиях, при этом в качестве электролита используют раствор диметилформамида с добавлением плавиковой кислоты и 20 об.%. 30%-ной перекиси водорода.
RU2014131500/05A 2014-07-29 2014-07-29 Способ получения порошков пористого кремния RU2572128C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014131500/05A RU2572128C1 (ru) 2014-07-29 2014-07-29 Способ получения порошков пористого кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014131500/05A RU2572128C1 (ru) 2014-07-29 2014-07-29 Способ получения порошков пористого кремния

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2572128C1 true RU2572128C1 (ru) 2015-12-27

Family

ID=55023495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014131500/05A RU2572128C1 (ru) 2014-07-29 2014-07-29 Способ получения порошков пористого кремния

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2572128C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2652259C1 (ru) * 2017-02-20 2018-04-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") Способ получения нанопорошков пористого кремния
WO2020071936A1 (ru) * 2018-10-02 2020-04-09 КУДРЯВЦЕВ, Александр Андреевич Способ получения пористых кремниевых частиц, пористые кремниевые частицы

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU415897A3 (ru) * 1970-12-15 1974-02-15
EP1232116A1 (en) * 1999-10-22 2002-08-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Silicon nanoparticle and method for producing the same
RU2194805C2 (ru) * 2000-08-28 2002-12-20 Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина Электролит для получения пористого кремния
FR2891280A1 (fr) * 2005-09-29 2007-03-30 St Microelectronics Sa Formation de silicium poreux dans une plaquette de silicium
RU2316077C1 (ru) * 2006-06-29 2008-01-27 Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова Способ получения фотолюминесцирующего пористого кремния

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU415897A3 (ru) * 1970-12-15 1974-02-15
EP1232116A1 (en) * 1999-10-22 2002-08-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Silicon nanoparticle and method for producing the same
RU2194805C2 (ru) * 2000-08-28 2002-12-20 Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина Электролит для получения пористого кремния
FR2891280A1 (fr) * 2005-09-29 2007-03-30 St Microelectronics Sa Formation de silicium poreux dans une plaquette de silicium
RU2316077C1 (ru) * 2006-06-29 2008-01-27 Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова Способ получения фотолюминесцирующего пористого кремния

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2652259C1 (ru) * 2017-02-20 2018-04-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") Способ получения нанопорошков пористого кремния
WO2020071936A1 (ru) * 2018-10-02 2020-04-09 КУДРЯВЦЕВ, Александр Андреевич Способ получения пористых кремниевых частиц, пористые кремниевые частицы

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Xu et al. Morphological control of ZnO nanostructures by electrodeposition
Hofmann et al. Controlling the properties of graphene produced by electrochemical exfoliation
Liang et al. Robust flexible WS2/PEDOT: PSS film for use in high-performance miniature supercapacitors
Petrák et al. Fabrication of porous boron-doped diamond on SiO2 fiber templates
He et al. Preparation and properties of ZnO nanostructures by electrochemical anodization method
Chern et al. Nonlithographic patterning and metal-assisted chemical etching for manufacturing of tunable light-emitting silicon nanowire arrays
KR102051154B1 (ko) 대규모 그라핀 시트: 이것이 혼입된 물품, 조성물, 방법 및 장치
Irrera et al. Quantum confinement and electroluminescence in ultrathin silicon nanowires fabricated by a maskless etching technique
Nagaraju et al. Effect of diameter and height of electrochemically-deposited ZnO nanorod arrays on the performance of piezoelectric nanogenerators
Pizzocchero et al. Non-destructive electrochemical graphene transfer from reusable thin-film catalysts
Ni et al. Superior electrochemical performance of Li3VO4/NiO/Ni electrode via a coordinated electrochemical reconstruction
Nalla et al. Transient photoconductivity and femtosecond nonlinear optical properties of a conjugated polymer–graphene oxide composite
Albu et al. TiO2 nanotube layers: Flexible and electrically active flow-through membranes
Wang et al. Synthesis of tower-like ZnO structures and visible photoluminescence origins of varied-shaped ZnO nanostructures
Favaro et al. Shaping graphene oxide by electrochemistry: From foams to self-assembled molecular materials
Chernysheva et al. Investigation of sulfuric acid intercalation into thermally expanded graphite in order to optimize the synthesis of electrochemical graphene oxide
Leprince-Wang et al. Fabrication of ZnO micro-and nano-structures by electrodeposition using nanoporous and lithography defined templates
RU2572128C1 (ru) Способ получения порошков пористого кремния
Ryu et al. Hierarchically nanostructured MnO 2 electrodes for pseudocapacitor application
Hasan et al. Influence of HF concentration and current density on characteristic morphological features of mesoporous silicon
RU2652259C1 (ru) Способ получения нанопорошков пористого кремния
RU2572134C1 (ru) Способ получения порошков пористого кремния
McSweeney et al. Mesoporosity in doped silicon nanowires from metal assisted chemical etching monitored by phonon scattering
Wang et al. Hierarchical porous patterns of n-type 6H–SiC crystals via photo-electrochemical etching
Eswar et al. Synthesis of ZnO thin film on porous silicon by spin coating in various low molarities precursor

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170730