RU2563545C1 - Мощный полевой транзистор свч - Google Patents
Мощный полевой транзистор свч Download PDFInfo
- Publication number
- RU2563545C1 RU2563545C1 RU2014126324/28A RU2014126324A RU2563545C1 RU 2563545 C1 RU2563545 C1 RU 2563545C1 RU 2014126324/28 A RU2014126324/28 A RU 2014126324/28A RU 2014126324 A RU2014126324 A RU 2014126324A RU 2563545 C1 RU2563545 C1 RU 2563545C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layers
- layer
- thickness
- gaas
- effect transistor
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев, по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм, группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 12-18 нм и, по меньшей мере, двух δn-слоев, легированных донорной примесью, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs толщиной каждый 1-3 нм, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя, двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная, другая - с противоположной стороны - затворная, при этом барьерные слои в каждой i-p-i системе имеют толщину (100-200, 4-15, 2-10) нм в подложечной, (2-10, 4-10, 4-15) нм в затворной соответственно, уровень легирования акцепторной примесью (4-20)×1018 см-2 соответственно, барьерного слоя i-GaAs толщиной 5-30 нм, слоя омического контакта n+-GaAs толщиной (10-60) нм электродов истока и стока, при этом электрод затвора выполнен длиной не более 0,5 мкм. Технический результат - повышение выходной мощности и коэффициента усиления. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к мощным полевым транзисторам СВЧ на полупроводниковых гетероструктурах, и предназначено для разработки и производства широкого круга устройств электронной техники СВЧ, в том числе радиолокационных устройств.
Существенный прогресс в части повышения быстродействия и выходной мощности СВЧ, выделяемой в нагрузке, включенной на выходе полевого транзистора СВЧ, обеспечило изобретение так называемых транзисторов с высокой электронной подвижностью (НЕМТ - High Electron Mobility Transistor). Область с электронной проводимостью в таких транзисторах состоит из легированного донорными примесями широкозонного и нелегированного узкозонного, но заполненного электронами, полупроводниковых слоев.
Это обеспечивает существенное увеличение быстродействия таких полевых транзисторов СВЧ (до 100 ГГц) и увеличение удельной выходной мощности СВЧ до 1÷1,1 Вт/мм на частоте 10 ГГц.
Известен полевой транзистор на полупроводниковой гетероструктуре, включающий монокристаллическую подложку из нитрида алюминия (AlN), темплетный слой AlN, канальный слой нитрида галлия (GaN) и барьерный слой AlxGa1-xN, в котором с целью увеличения рабочих токов и выходной мощности полевых транзисторов посредством увеличения проводимости канального слоя полупроводниковой гетероструктуры, между темплетным и канальным слоями расположены один над другим соответственно переходный слой AlyGa1-yΝ, буферный слой AlzGa1-zΝ, значение у на границе с темплетным слоем составляет 1, а на границе с буферным слоем равно значению z буферного слоя, при этом 0,3≤x≤0,5, a 0,1≤z≤0,5.
При этом буферный слой на границе с канальным слоем легирован Si на глубину 50-150 Å [1].
Данный транзистор при высокой выходной мощности имеет коэффициент усиления, по меньше мере, в два раза меньше, чем обычные транзисторы на полупроводниковой гетероструктуре арсенида галлия.
Известен полевой транзистор СВЧ (полевой транзистор) на полупроводниковой гетероструктуре, содержащий высокоомную подложку и, по меньшей мере, один слой широкозонного и один слой узкозонного полупроводниковых материалов с согласованными или несогласованными кристаллическими решетками, а также электроды истока, затвора, стока, расположенные на наружной поверхности полупроводникового материала, в котором с целью улучшения линейности характеристик полевого транзистора и уменьшения влияния флуктуаций концентрации и подвижности носителей тока в канале полевого транзистора на параметры его эквивалентной схемы, а также снижения модуляционных шумов устройств СВЧ на упомянутых транзисторах, часть слоя полупроводникового материала, расположенная на расстоянии от электрода затвора, превышающем 30 нм, выполнена с концентрацией легирующей примеси большей 3×1017 см-3 и поверхностной плотностью этой примеси большей 1012 см-2, а средняя концентрация легирующей примеси между упомянутой частью слоя полупроводникового материала и электродом затвора не превышает 3×1017 см-3 [2] - прототип.
Данный полевой транзистор из-за большого расстояния от электрода затвора до канала и низкой подвижности электронов в канале не позволяет получать высокий уровень выходной мощности и высокий коэффициент усиления.
Техническим результатом изобретения является повышение выходной мощности и коэффициента усиления мощного полевого транзистора СВЧ.
Указанный технический результат достигается заявленным мощным полевым транзистором СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре, содержащим полупроводниковую подложку и последовательность, по меньшей мере, одного слоя широкозонного и одного слоя узкозонного материала с заданными характеристиками полупроводниковой гетероструктуры типа AlGaAs-InGaAs-GaAs, электроды истока, затвора, стока, расположенные на наружной поверхности полупроводниковой гетероструктуры, в котором
упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев,
по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм,
группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 12-18 нм и,
по меньшей мере, двух δn-слоев, легированных донорной примесью с поверхностной плотностью (2-10)×1012 см-2, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs толщиной каждый 1-3 нм, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя,
двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная, другая - с противоположной стороны - затворная, при этом барьерные слои в каждой i-p-i системе имеют толщину (100-200, 4-15, 2-10) нм в подложечной, (2-10, 4-10, 4-15) нм в затворной соответственно, уровень легирования акцепторной примесью (4-20)×1018 см-3 соответственно,
барьерного слоя i-GaAs толщиной 5-30 нм,
слоя омического контакта n+-GaAs толщиной (10-60) нм электродов истока и стока,
при этом электрод затвора выполнен длиной не более 0,5 мкм.
Значения химических элементов x, y соответственно в каждом из упомянутых слоев полупроводниковой гетероструктуры определяются неравенствами 0,25<x<0,4 и 0,15<y<0,2.
В упомянутой группе проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, между каждым из спейсерных слоев i-AlxGa1-xAs и собственно канальным слоем InyGa1-yAs могут быть выполнены переходные слои.
Раскрытие сущности изобретения.
Совокупность существенных признаков заявленного мощного полевого транзистора СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре типа AlGaAs-InGaAs-GaAs, когда последняя имеет, в том числе, следующие основные слои, выполненные и расположенные указанным образом, а именно:
по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм,
группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 12-18 нм и, по меньшей мере, двух δn-слоев, легированных донорной примесью с поверхностной плотностью доноров (2-10)×1012 см-2, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs толщиной каждый 1-3 нм, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя,
двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная, другая - с противоположной стороны - затворная, при этом барьерные слои в каждой i-p-i системе имеют толщину (100-200, 4-15, 2-10) нм в подложечной, (2-10, 4-10, 4-15) нм в затворной соответственно, уровень легирования акцепторной примесью (4-20)×1018 см-3 соответственно.
Это обеспечивает формирование в собственно канальном слое InyGa1-yAs и спейсерных i-слоях AlxGa1-xAs, благодаря донорным и акцепторным примесям двух ôn-слоев, легированных донорной примесью AlxGa1-xAs, и барьерных p+-слоев AlxGa1-xAs, разделенных барьерными слоями i-AlxGa1-xAs, дополнительных потенциальных барьеров, которые локализуют электроны и препятствуют поперечному переносу электронов в барьерные слои i-AlxGa1-xAs и тем самым обеспечивают уменьшение рассеяния электронов и тем самым увеличение подвижности электронов в слабых электрических полях и, как следствие, повышение выходной мощности и коэффициента усиления мощного полевого транзистора СВЧ.
Буферный слой GaAs толщиной 200 нм является минимальным, который обеспечивает минимальную плотность дефектов в канале полевого транзистора и соответственно сохранение высокой подвижности электронов и, как следствие, повышение выходной мощности и коэффициента усиления.
Выполнение слоя омического контакта n+-GaAs толщиной 10-60 нм электродов истока и стока обеспечивает их минимальное сопротивление и, как следствие, - повышение выходной мощности коэффициента усиления.
Выполнение электрода затвора длиной не более 0,5 мкм в совокупности с указанной полупроводниковой гетероструктурой обеспечивает повышение выходной мощности и коэффициента усиления.
Выполнение буферного слоя GaAs толщиной менее 200 нм нежелательно из-за резкого увеличения плотности дефектов в канале полевого транзистора, соответственно, снижения подвижности электронов, а более 200 нм ограничено конструкционной необходимостью и техническими возможностями.
Выполнение в группе проводящих слоев:
собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной как менее 12 нм, так и более 18 нм нежелательно, в первом случае - из-за уменьшения поверхностной плотности электронов в квантовой яме собственно канального слоя и соответственно падения рабочего тока, во втором - из-за деления одной упомянутой квантовой ямы на две связанные и соответственно ухудшения управляемости электронами в собственно канальном слое и соответственно уменьшения коэффициента усиления,
двух δn-слоев, легированных донорной примесью, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs каждый
толщиной как менее 1 нм, так и более 3 нм нежелательно, в первом случае - из-за падения подвижности электронов, во втором - из-за уменьшения поверхностной плотности электронов в квантовой яме собственно канального слоя,
двух δn-слоев, легированных донорной примесью с поверхностной плотностью как менее 2×1012 см-2, так и более 10×1012 см-2 нежелательно, в первом случае - из-за резкого уменьшения проводимости канала, во втором - из-за появления паразитных каналов проводимости в спейсерных слоях и барьерных слоях, прилегающих к спейсерным слоям.
Выполнение двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев:
в подложечной толщиной -
i-слоя как менее 100 нм, так и более 200 нм нежелательно, в первом случае - из-за уменьшения высоты потенциального барьера и возможности движения электронов по паразитному каналу проводимости, во втором не имеет смысла из-за увеличения стоимости изделия при отсутствии полезного эффекта,
p-слоя как менее 4 нм, так и более 15 нм нежелательно, в первом случае не обеспечивает потенциальный барьер достаточной высоты (более 0,5 эВ), во втором - из-за и возникновения паразитного канала проводимости,
i-слоя как менее 2 нм, так и более 10 нм нежелательно, в первом случае не обеспечивает потенциальный барьер достаточной высоты, во втором - из-за возникновения паразитного канала проводимости;
в затворной толщиной -
i-слоя как менее 2 нм, так и более 10 нм нежелательно, в первом случае не обеспечивает потенциальный барьер достаточной высоты, во втором - из-за возникновения паразитного канала проводимости,
p-слоя как менее 4 нм, так и более 10 нм нежелательно, в первом случае не обеспечивает потенциальный барьер достаточной высоты, во втором - из-за возникновения паразитного канала проводимости,
i-слоя как менее 4 нм, так и более 15 нм нежелательно, в первом случае - из-за уменьшения концентрации электронов в канале, во втором -из-за ухудшения управления концентрацией электронов в канале.
Уровнем легирования акцепторной примесью как менее 4×1018 см-3, так и более 20×1018 см-3 нежелательно, в первом случае не обеспечивает потенциальный барьеры достаточной высоты и резкости, во втором - из-за повышения плотности дефектов.
Выполнение барьерного слоя i-GaAs толщиной менее 5 нм недопустимо из-за уменьшения пробивного напряжения, более 30 нм нежелательно из-за ухудшения управления электронами.
Выполнение слоя омического контакта n+-GaAs электродов истока и стока толщиной как менее 10 нм, так и более 60 нм нежелательно, в первом случае - из-за роста омического сопротивления, во втором - из-за технологических сложностей при изготовлении канала полевого транзистора.
Выполнение электрода затвора длиной более 0,5 мкм нежелательно из-за увеличения времени пролета электронов под электродом затвора и соответственно уменьшения коэффициента усиления.
Значение химических элементов x, y соответственно в каждом из упомянутых слоев полупроводниковой гетероструктуры как менее 0,25 и 0,15, так и более 0,4 и 0,2 соответственно нежелательно из-за существенного падения подвижности электронов для данного типа полупроводниковых гетероструктур.
Изобретение поясняется чертежами.
На фиг. 1а дан фрагмент заявленного мощного полевого транзистора СВЧ, где:
- полупроводниковая подложка - 1,
- полупроводниковая гетероструктура типа AlGaAs-InGaAs-GaAs - 2,
- электроды истока, затвора, стока 3, 4, 5 соответственно, расположенные на наружной поверхности полупроводниковой гетероструктуры.
При этом упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев:
- буферного слоя GaAs - 6,
- группы проводящих слоев - 7, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs, двух δn-слоев, легированных донорной примесью, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя,
- двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная - 8, другая - с противоположной стороны - затворная - 9,
- барьерного слоя i-GaAs - 10,
- слоя омического контакта n+-GaAs - 11 электродов истока и стока.
На фиг. 1б даны зонные диаграммы в равновесном состоянии (φG=0), при обратном смещении на электроде затвора (φG<0) и при прямом смещении на электроде затвора (φG>0) в области поперечного сечения электрода затвора, где:
EC0 - положение дна зоны проводимости в равновесном состоянии полевого транзистора при потенциале электрода затвора φG=0,
EC - положение дна зоны проводимости в неравновесных состояниях полевого транзистора при положительном и отрицательном потенциале электрода затвора,
EF0 - положение уровня Ферми при равновесном состоянии полевого транзистора и потенциале электрода затвора φG=0.
На фиг. 2 даны вольт-амперные характеристики заявленного мощного полевого транзистора СВЧ (кривая 1) и прототипа (кривая 2).
Примеры конкретного выполнения заявленного мощного полевого транзистора СВЧ.
Пример 1
Мощный полевой транзистор СВЧ выполнен на монокристаллической полуизолирующей подложке арсенида галлия 1 толщиной 100 мк.
Полупроводниковая гетероструктура типа AlGaAs-InGaAs-GaAs 2 выполнена в виде последовательности следующих основных слоев:
по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs 6 толщиной 250 нм,
группы проводящих слоев 7, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 15 нм и, по меньшей мере, двух δn-слоев, легированных донорной примесью с поверхностной плотностью доноров 6×1012 см-2, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs толщиной каждый 2 нм, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя,
двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная 8, другая - с противоположной стороны - затворная 9, при этом барьерные слои в каждой i-p-i системе имеют толщину 150, 9,5, 6 нм, в подложечной, 6, 7, 9,5 нм в затворной соответственно, уровень легирования акцепторной примесью 12×1018 см-3 соответственно,
барьерного слоя i-GaAs 10 толщиной 17,5 нм,
слоя омического контакта n+-GaAs 11 толщиной 35 нм электродов истока 3 и стока 5,
электрод затвора 4 выполнен длиной 0,25 мкм.
Примеры 2-5
Изготовлены образцы мощного полевого транзистора СВЧ аналогично примеру 1, но при других конструкционных параметрах согласно формуле изобретения (примеры 2-3) и за ее пределами (примеры 4-5).
Пример 6 соответствует образцу прототипа.
На изготовленных образцах мощных полевых транзисторов СВЧ была измерена выходная мощность, коэффициент усиления на рабочей частоте 10 ГГц (Стенд для измерения электрических параметров в режиме непрерывного и импульсного сигнала СВЧ КГ-4-33-81).
Данные сведены в таблицу.
Из представленных фиг. 1б, фиг. 2 и таблицы видно что, а именно:
из фиг. 1б - зонные диаграммы, образованные зарядами легирующих примесей, находящихся в системах i-p-i двух групп барьерных слоев подложечной 8 и затворной 9, содержат дополнительные локализующие потенциальные барьеры, способствующие увеличению концентрации электронов в канале полевого транзистора и увеличению подвижности электронов и, соответственно, повышению выходной мощности и коэффициента усиления;
из фиг. 2 - при одинаковом напряжении перекрытия UP заявленный мощный полевой транзистор СВЧ превосходит прототип по величине максимального тока электрода стока (JDmax), который достигается при прямом смещении на электроде затвора и, соответственно, и по величине рабочего тока (JD(0)).
Из таблицы - образцы мощных полевых транзисторов СВЧ, изготовленные согласно заявленной формуле изобретения, имеют выходную мощность порядка 1,45 Вт, коэффициент усиления порядка 11,0 дБ в отличие от образцов за пределами, указанными в формуле изобретения, выходная мощность которых составляет 0,8 Вт, коэффициент усиления -7 дБ (примеры 4-5), как и образца прототипа, выходная мощность которого - 0,5 Вт, коэффициент усиления - 6,0 дБ (пример 6).
Таким образом, заявленный мощный полевой транзистор СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре типа AlGaAs-InGaAs-GaAs по сравнению с прототипом обеспечит повышение:
выходной мощности примерно на 190 процентов,
коэффициента усиления примерно на 80 процентов.
Источники информации
1. Патент РФ №2316076, МПК H01L 29/772, приоритет 14.11.2006 г., опубл. 27.01.2008 г.
2. Патент РФ №2093924, МПК H01L 29/772, приоритет 10.03.1993 г., опубл. 20.10.1997 г. - прототип.
Claims (3)
1. Мощный полевой транзистор СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре, содержащий полупроводниковую подложку и последовательность, по меньшей мере, одного слоя широкозонного и одного слоя узкозонного материала с заданными характеристиками полупроводниковой гетероструктуры типа AlGaAs-InGaAs-GaAs, электроды истока, затвора, стока, расположенные на наружной поверхности полупроводниковой гетероструктуры, отличающийся тем, что упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев, по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм, группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной 12-18 нм и, по меньшей мере, двух δn-слоев, легированных донорной примесью с поверхностной плотностью доноров (2-10)×1012 см-2, и двух спейсерных i-слоев AlxGa1-xAs толщиной каждый 1-3 нм, попарно расположенных по обе стороны собственно канального слоя, двух групп барьерных слоев AlxGa1-xAs, каждая в виде i-p-i системы барьерных слоев, одна из которых расположена с одной стороны группы проводящих слоев - подложечная, другая - с противоположной стороны - затворная, при этом барьерные слои в каждой i-p-i системе имеют толщину (100-200, 4-15, 2-10) нм в подложечной, (2-10, 4-10, 4-15) нм в затворной соответственно, уровень легирования акцепторной примесью (4-20)×1018 см-3 соответственно, барьерного слоя i-GaAs толщиной 5-30 нм, слоя омического контакта n+-GaAs толщиной (10-60) нм электродов истока и стока, при этом электрод затвора выполнен длиной не более 0,5 мкм.
2. Мощный полевой транзистор СВЧ по п. 1, отличающийся тем, что значения химических элементов x, y соответственно в каждом из упомянутых слоев полупроводниковой гетероструктуры определяются неравенствами 0,25<x<0,4, 0,15<y<0,2.
3. Мощный полевой транзистор СВЧ по п. 1, отличающийся тем, что в упомянутой группе проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, между каждым из спейсерных слоев i-AlxGa1-xAs и собственно канальным слоем InyGa1-yAs могут быть выполнены переходные слои.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014126324/28A RU2563545C1 (ru) | 2014-06-27 | 2014-06-27 | Мощный полевой транзистор свч |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014126324/28A RU2563545C1 (ru) | 2014-06-27 | 2014-06-27 | Мощный полевой транзистор свч |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2563545C1 true RU2563545C1 (ru) | 2015-09-20 |
Family
ID=54147860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014126324/28A RU2563545C1 (ru) | 2014-06-27 | 2014-06-27 | Мощный полевой транзистор свч |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2563545C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2781044C1 (ru) * | 2021-11-12 | 2022-10-04 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5124762A (en) * | 1990-12-31 | 1992-06-23 | Honeywell Inc. | Gaas heterostructure metal-insulator-semiconductor integrated circuit technology |
| RU2093924C1 (ru) * | 1993-03-10 | 1997-10-20 | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" | Полевой транзистор на гетероструктуре |
| JP2000012834A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | ダブルヘテロ構造高電子移動度トランジスタおよびその製造方法、並びに該トランジスタ用ウエハ |
| US6133593A (en) * | 1999-07-23 | 2000-10-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Channel design to reduce impact ionization in heterostructure field-effect transistors |
| RU2463685C1 (ru) * | 2011-06-07 | 2012-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Мощный полевой транзистор свч |
| RU135182U1 (ru) * | 2013-07-09 | 2013-11-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Псевдоморфный гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор |
-
2014
- 2014-06-27 RU RU2014126324/28A patent/RU2563545C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5124762A (en) * | 1990-12-31 | 1992-06-23 | Honeywell Inc. | Gaas heterostructure metal-insulator-semiconductor integrated circuit technology |
| RU2093924C1 (ru) * | 1993-03-10 | 1997-10-20 | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" | Полевой транзистор на гетероструктуре |
| JP2000012834A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | ダブルヘテロ構造高電子移動度トランジスタおよびその製造方法、並びに該トランジスタ用ウエハ |
| US6133593A (en) * | 1999-07-23 | 2000-10-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Channel design to reduce impact ionization in heterostructure field-effect transistors |
| RU2463685C1 (ru) * | 2011-06-07 | 2012-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Мощный полевой транзистор свч |
| RU135182U1 (ru) * | 2013-07-09 | 2013-11-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Псевдоморфный гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2781044C1 (ru) * | 2021-11-12 | 2022-10-04 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре |
| RU2799735C1 (ru) * | 2023-01-27 | 2023-07-11 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" | Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре |
| RU2813354C1 (ru) * | 2023-11-16 | 2024-02-12 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" | Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhang et al. | Evaluation of Low-Temperature Saturation Velocity in $\beta $-(Al x Ga 1–x) 2 O 3/Ga 2 O 3 Modulation-Doped Field-Effect Transistors | |
| KR102174546B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스를 설계하는 방법 | |
| US8933461B2 (en) | III-nitride enhancement mode transistors with tunable and high gate-source voltage rating | |
| US20050133816A1 (en) | III-nitride quantum-well field effect transistors | |
| US20130032860A1 (en) | HFET with low access resistance | |
| US12040390B2 (en) | Electronic component with a heterojunction provided with an improved buried barrier layer | |
| Xue et al. | Fabrication and characterization of InAlN/GaN-based double-channel high electron mobility transistors for electronic applications | |
| CN112436056B (zh) | 高电子迁移率晶体管 | |
| Ge et al. | An improved design for e-mode AlGaN/GaN HEMT with gate stack β-Ga2O3/p-GaN structure | |
| Suemitsu | InP and GaN high electron mobility transistors for millimeter-wave applications | |
| Varghese et al. | Impact of AlN interlayer's in epitaxial and passivation scheme on the DC and microwave performance of doping-less GaN HEMT | |
| US20230343832A1 (en) | Heterojunction-Based Vacuum Field Effect Transistors | |
| RU135182U1 (ru) | Псевдоморфный гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор | |
| Tanaka et al. | Mechanism of current-collapse-free operation in E-mode GaN gate injection transistors employed for efficient power conversion | |
| RU2563545C1 (ru) | Мощный полевой транзистор свч | |
| RU2599275C1 (ru) | Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре | |
| WO2020256073A1 (ja) | 炭化ケイ素単結晶、半導体素子 | |
| RU2563319C1 (ru) | Мощный полевой транзистор свч | |
| RU2781044C1 (ru) | Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре | |
| RU2799735C1 (ru) | Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре | |
| JP2015149360A (ja) | 化合物半導体ｆｅｔ | |
| RU2539754C1 (ru) | Модулированно-легированный полевой транзистор | |
| Zhu III | Review of III–V based high electron mobility transistors | |
| RU2813354C1 (ru) | Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре | |
| US12094964B2 (en) | Heterostructure of an electronic circuit having a semiconductor device |