RU2550697C1 - Sensor based on surface acoustic waves to measure concentration of carbon dioxide - Google Patents
Sensor based on surface acoustic waves to measure concentration of carbon dioxide Download PDFInfo
- Publication number
- RU2550697C1 RU2550697C1 RU2013147543/28A RU2013147543A RU2550697C1 RU 2550697 C1 RU2550697 C1 RU 2550697C1 RU 2013147543/28 A RU2013147543/28 A RU 2013147543/28A RU 2013147543 A RU2013147543 A RU 2013147543A RU 2550697 C1 RU2550697 C1 RU 2550697C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- idt
- impedance
- sensor
- loaded
- zinc oxide
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится пьезоэлектрическим датчикам, предназначенным для дистанционного контроля различных физических и химических величин.The invention relates to piezoelectric sensors designed for remote monitoring of various physical and chemical quantities.
Известны датчики на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащие корпус, внутри которого расположен пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого расположены два встречно-штыревых преобразователя (ВШП) и акустопоглотитель, нанесенный на торцы звукопровода [1, 2] (Dias J.F. Hewlett-Packard J. - 1981 / - V.32, N 12. - P.21-37. [1], Костромин A.C., Розанов И.А., Черных Е.В., Кувахара Хироюки, Томилова Л.Г., Зефиров Н.С. Датчик на поверхностных акустических волнах для детектирования диоксида углерода. Патент РФ RU 2132584 C1, МПК 6 H01L 41/18 от 1999.06.27 [2]). В одном из датчиков звукопровод с ВШП на рабочей поверхности представляет собой линию задержки, которая включается в цепь обратной связи усилителя и представляет собой генератор электрических колебаний, частота которого зависит от температуры или от величины деформации звукопровода [1]. Сигнал от датчика с помощью передающей антенны, подсоединенной к генератору, передается на приемное устройство, которое и осуществляет дистанционный контроль. Устройство другого датчика [2] аналогично, только между ВШП расположена пленка, которая может избирательно поглощать различные вещества. В этом случае датчик может контролировать появления различных веществ. При этом корпус не может быть сделан герметичным, что снижает надежность датчика, так как различные агрессивные вещества могут разрушать металлическую пленку, из которой сделаны ВШП. Так как в состав датчика входит усилитель, то датчику необходим источник питания, который необходимо периодически менять и который может отказать (разрядиться) в непредусмотренное для этого время, что снижает надежность датчика. Кроме того, наличие в усилителе полупроводниковых элементов может привести к выходу его из строя при наличии ионизирующего излучения, что также понижает надежность датчика.Sensors based on surface acoustic waves (SAWs) are known, containing a housing inside which a piezoelectric sound duct is located, on the working surface of which there are two interdigital transducers (IDT) and an acoustic absorber deposited on the ends of the sound duct [1, 2] (Dias JF Hewlett-Packard J. - 1981 / - V.32,
Устранить указанные недостатки позволяет датчик, содержащий герметичный корпус, внутри которого расположен пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого расположены двунаправленный приемопередающий встречно-штыревой преобразователь (ВШП), нагруженный на антенну, которая расположена вне герметичного корпуса, опорный отражательный однонаправленный ВШП с внутренними отражателями и отражательный однонаправленный ВШП с внутренними отражателями, нагруженный на расположенный вне герметичного корпуса импеданс, величина которого чувствительна к измеряемой величине, и акустопоглотитель, нанесенный на торцы звукопровода. Величина импеданса может быть чувствительна к температуре, давлению, влажности, ионизирующему излучению, электромагнитному излучению, наличию различных веществ [3] (Багдасарян А.С., Багдасарян С.А., Карапетьян Г.Я., Днепровский В.Г. Датчик физической величины на поверхностных акустических волнах. Патент РФ 2387051 C1, МПК G01D 5/12 от 20.04.2010), принимаемое за прототип.These defects can be eliminated by a sensor containing a sealed enclosure, inside which a piezoelectric sound duct is located, on the working surface of which there is a bi-directional transceiver interdigital transducer (IDT) loaded on an antenna that is located outside the sealed enclosure, a reference reflective unidirectional IDT with internal reflectors and reflective unidirectional IDT with internal reflectors, loaded on the impedance located outside the sealed enclosure, on which it is sensitive to the measured value, and akustopoglotitel supported on the ends of the acoustic line. The impedance value may be sensitive to temperature, pressure, humidity, ionizing radiation, electromagnetic radiation, the presence of various substances [3] (Bagdasaryan AS, Bagdasaryan SA, Karapetyan G.Ya., Dneprovsky VG Physical sensor values on surface acoustic waves.Patent of the Russian Federation 2387051 C1, IPC G01D 5/12 of 04/20/2010), taken as a prototype.
В данном устройстве коэффициент отражения зависит от величины импеданса, величина которого зависит от измеряемой физической величины. Так как корпус герметичный, ВШП и подложка изолированы от окружающей среды, что повышает надежность датчика. Отсутствие в датчике полупроводниковых элементов делает этот датчик малочувствительным к ионизирующему излучению. Отсутствие источника питания позволяет располагать данный датчик в труднодоступных местах лишь однажды. Опрос датчика производится с помощью считывателя, посылающего опрашивающий электромагнитный импульс, который принимается антенной датчика и преобразуется в поверхностные акустические волны (ПАВ), которые, отражаясь от отражательных ВШП, принимаются приемопередающим ВШП и снова преобразуются в электромагнитный сигнал, который принимается приемником считывателя. При этом задержка и амплитуда отраженных импульсов оказывается разной из-за того, что коэффициент отражения ПАВ от отражательного ВШП, нагруженного на импеданс отличается от коэффициента отражения ПАВ от ненагруженного отражательного ВШП, и они расположены на разных расстояниях от приемо-передающего ВШП. Сравнение амплитуд отраженных импульсов позволяет определить по известной зависимости коэффициента отражения от величины импеданса измеряемую величину. Для определения концентрации моноокиси углерода необходимо использовать импеданс, чувствительный к ее концентрации. Однако существующие импедансы на основе тонких полупроводниковых пленок достаточно высокоомны и существенно ослабляет влияние изменение импеданса на коэффициент отражения ПАВ. Кроме того, сопротивление этих пленок крайне чувствительна к загрязнению. In this device, the reflection coefficient depends on the magnitude of the impedance, the magnitude of which depends on the measured physical quantity. Since the housing is sealed, the IDT and the substrate are isolated from the environment, which increases the reliability of the sensor. The absence of semiconductor elements in the sensor makes this sensor insensitive to ionizing radiation. The lack of a power source allows you to place this sensor in hard-to-reach places only once. The sensor is polled using a reader that sends a polling electromagnetic pulse, which is received by the sensor antenna and converted into surface acoustic waves (SAWs), which, reflected from the reflective IDTs, are received by the IDT transceiver and converted again into the electromagnetic signal received by the reader receiver. In this case, the delay and amplitude of the reflected pulses is different due to the fact that the reflectance of the surfactant from the reflective IDT loaded on the impedance differs from the reflectance of the surfactant from the unloaded reflective IDT, and they are located at different distances from the transceiver IDT. A comparison of the amplitudes of the reflected pulses makes it possible to determine the measured value from the known dependence of the reflection coefficient on the magnitude of the impedance. To determine the concentration of carbon monoxide, it is necessary to use an impedance sensitive to its concentration. However, the existing impedances based on thin semiconductor films are quite high-resistance and significantly weaken the influence of the change in impedance on the reflection coefficient of the surfactant. In addition, the resistance of these films is extremely sensitive to contamination.
Задача, на решение которой направлено изобретение, состоит в повышении точности измерения путем создания импеданса, чувствительного к концентрации моноокиси углерода, при котором даже его незначительное изменение вызывает заметное изменение коэффициента отражения ПАВ от ВШП.The problem to which the invention is directed, is to increase the measurement accuracy by creating an impedance sensitive to the concentration of carbon monoxide, in which even its slight change causes a noticeable change in the reflection coefficient of surfactants from IDT.
Технический результат, который дает осуществление изобретения, заключается в обеспечении максимальной чувствительность датчика к концентрации моноокиси углерода за счет использования в качестве импеданса, зависящего от концентрации моноокиси углерода, наностержней оксида цинка, сопротивление которых близко к сопротивлению излучения отражательного ВШП.The technical result that the invention provides provides for maximum sensitivity of the sensor to the concentration of carbon monoxide due to the use of zinc oxide nanorods, the resistance of which is close to the radiation resistance of reflective IDT, as an impedance depending on the concentration of carbon monoxide.
Это достигается тем, что в датчике, содержащем герметичный корпус, внутри которого расположен пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого расположены приемопередающий встречно-штыревой преобразователь (ВШП), нагруженный на антенну, которая расположена вне герметичного корпуса, опорный отражательный ВШП и отражательный ВШП, нагруженный на расположенный вне герметичного корпуса импеданс, величина которого чувствительна к измеряемой величине, и акустопоглотитель, нанесенный на торцы звукопровода, импеданс выполнен в виде решетки параллельно-соединенных наностержней окиси цинка.This is achieved by the fact that in the sensor, which contains a sealed enclosure, inside which there is a piezoelectric sound duct, on the working surface of which there is a transceiver interdigital transducer (IDT) loaded on an antenna that is located outside the sealed enclosure, a reference reflective IDT and a reflective IDT loaded the impedance located outside the sealed enclosure, the value of which is sensitive to the measured value, and the acoustic absorber applied to the ends of the sound duct, the impedance is made in the form of a lattice of parallel-connected zinc oxide nanorods.
На фиг.1 показана топологическая структура устройства на ПАВ в соответствии с изобретением.Figure 1 shows the topological structure of a device for surfactants in accordance with the invention.
Датчик содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, на рабочей поверхности которого расположены приемо-передающий ВШП 2, отражательный однонаправленный ВШП 3, который нагружен на импеданс 4 из связанных наностержней окиси цинка, другой отражательный однонаправленный ВШП 5. На торцах звукопровода расположены акустопоглотители 6, а ВШП 2 нагружен на приемопередающую антенну 7. Звукопровод вместе с ВШП помещен в герметичный корпус 8.The sensor contains a piezoelectric sound duct 1, on the working surface of which there is a transceiver IDT 2, a reflective unidirectional IDT 3, which is loaded on an impedance 4 of connected zinc oxide nanorods, another reflective unidirectional IDT 5. Acoustic absorbers 6 are located at the ends of the sound duct, and IDT 2 is loaded to the transceiver antenna 7. The sound pipe along with the IDT is placed in a sealed enclosure 8.
На фиг.2 показано схематическое изображение чувствительного элемента ПАВ сенсора СО (импеданса). Верхний электрод 9 наносится непосредственно на решетку наностержней оксида цинка 10, которые выращиваются на буферном подслое оксида цинка 11 для улучшения вертикальной ориентации ZnO наностержней 10. Этот пленочный подслой оксида цинка 11 напыляется на сапфировую подложку 12. Нижний золотой электрод 13 напылялся на подслой оксида цинка 11, который выступает справа из-под наностержней 10.Figure 2 shows a schematic representation of a sensitive element of the SAW sensor CO (impedance). The upper electrode 9 is applied directly to the lattice of
Датчик работает следующим образом. При подаче на приемопередающую антенну 7 опрашивающего электромагнитного импульса он с помощью ВШП 2 преобразуется в импульсы ПАВ, которые отражаются от ВШП 3 и ВШП 5. Отраженные импульсы ПАВ от ВШП 3, 5 преобразуются обратно с помощью ВШП 2 в электромагнитные импульсы, которые излучаются антенной 7. Так как однонаправленный ВШП 5 не нагружен, то падающие на него ПАВ почти полностью от него отразятся, поскольку однонаправленный ВШП в режиме холостого хода (при отсутствии нагрузки) должен все падающие на него ПАВ отразить обратно. В режиме полного согласования ВШП 3 с нагрузкой в виде связанных наностержней окиси цинка ПАВ отраженные от активных электродов и ПАВ, отраженные от внутренних отражателей, находятся в противофазе. В этом случае ВШП 3 не будет отражать ПАВ. Но достичь режима полного согласования очень сложно, к тому же это можно сделать только на одной частоте. Поэтому опрашивающий импульс будет отражаться от такого ВШП значительно меньше, чем от ненагруженного ВШП 5, причем коэффициент отражения будет зависеть от степени согласования ВШП 3 с нагрузкой (импедансом) 4, т.е. от величины этой нагрузки Z. Эта величина, в свою очередь, будет зависеть от измеряемой концентрации моноокиси углерода. Следовательно, коэффициент отражения от датчика будет зависеть от измеряемой концентрации. Так как отраженный от ненагруженного отражающего ВШП 5 считывающий импульс будет иметь постоянную амплитуду, то сравнивая эту амплитуду с амплитудой считывающего импульса, отраженного от ВШП 3, можно судить об измеряемой физической величине. Соотношение этих амплитуд не будет зависеть от взаимного расположения антенн считывателя датчика, а будет зависеть только от соотношения коэффициентов отражения от ВШП 3 и 5, которое зависит от величины импеданса, нагруженного на ВШП 3, а, следовательно, от измеряемой физической величины.The sensor operates as follows. When an interrogating electromagnetic pulse is applied to the transceiving antenna 7, it is converted by means of IDT 2 into SAW pulses that are reflected from IDT 3 and IDT 5. Reflected SAW pulses from IDT 3, 5 are converted back by IDT 2 to electromagnetic pulses that are emitted by antenna 7 Since a unidirectional IDT 5 is not loaded, the surfactants incident on it will almost completely be reflected from it, since a unidirectional IDT in idle mode (in the absence of load) should reflect all surfactants incident on it back. In the mode of full coordination of IDT 3 with a load in the form of bound nanorods of zinc oxide, surfactants reflected from active electrodes and surfactants reflected from internal reflectors are in antiphase. In this case, IDT 3 will not reflect SAW. But it’s very difficult to achieve full coordination, and this can be done only on one frequency. Therefore, the interrogating pulse will be reflected from such IDT much less than from unloaded IDT 5, and the reflection coefficient will depend on the degree of matching IDT 3 with load (impedance) 4, i.e. on the magnitude of this load Z. This magnitude, in turn, will depend on the measured concentration of carbon monoxide. Therefore, the reflection coefficient from the sensor will depend on the measured concentration. Since the reading pulse reflected from the unloaded reflecting IDT 5 will have a constant amplitude, comparing this amplitude with the amplitude of the reading pulse reflected from IDT 3, one can judge the measured physical quantity. The ratio of these amplitudes will not depend on the relative position of the sensor reader antennas, but will depend only on the ratio of the reflection coefficients from IDT 3 and 5, which depends on the magnitude of the impedance loaded on IDT 3, and, consequently, on the measured physical quantity.
Решетка ZnO наностержней 10 на сапфировой подложке 12 (см. фиг.2) напылялась нами методом импульсного лазерного напыления при высоком давлении аргона [4] (М. Lorenz, М.; Kaidashev, Е.М.; Rahm, A.; Nobis, Th.; Lenzner, J.; Wagner, J.G.; Spemann, D.; Hochmuth, H.; Grundmann, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 143113). Напыления проводили в вакуумируемой кварцевой ячейке с внешним резистивным нагревателем. Лазерное излучение KrF лазера (λ=248 нм, E=300 мДж) фокусировалось на поверхность вращающейся керамической мишени ZnO. Плотность мощности на поверхности мишени составляла 2 Дж/см2. Расстояние мишень-подложка составляло 5-35 мм. Частота следования лазерных импульсов составляла 3-10 Гц. Синтез микро- и нанокристаллов осуществляли за 12000-24000 лазерных импульсов. Температура подложки варьировалась в диапазоне 850-950°C. Поток аргона составлял 50 sccm при давлении 75-300 мбар. Монокристаллические подложки c- и a-сапфира размером 10×10×0,5 мм с буферным слоем оксида цинка 11 располагались параллельно лазерному факелу. Буферный пленочный подслой оксида цинка 11 напылялся для улучшения вертикальной ориентации ZnO наностержней и для подсоединения нижнего золотого электрода 13. Пленка ZnO напылялась за 10000 лазерных импульсов при давлении кислорода 2×10-2 мБар, расстоянии мишень-подложка ~70 мм температуре 670°C. В качестве катализатора нами использована пленка золота толщиной 1-2 нм.The ZnO lattice of
Для создания верхнего электрода 9 к решетке наностержней оксида цинка осуществляли напыление золота под углом в 45° в высоком вакууме через маску с круглым отверстием. Благодаря плотному расположению наностержни экранируют друг друга, что препятствуют запылению основания структуры. Таким образом, золотой контакт создается в верхней части наностержней и объединяет их между собой.To create the upper electrode 9 to the lattice of zinc oxide nanorods, gold was sputtered at an angle of 45 ° in high vacuum through a mask with a round hole. Due to the dense arrangement, the nanorods shield each other, which prevents dusting of the base of the structure. Thus, a gold contact is created at the top of the nanorods and combines them together.
Пример выполнения. Датчик выполнен на звукопроводе 1 из YX-среза ниобата лития размерами 8×1,4×0,5 мм. ВШП 3 и 5 выполнены с внутренними отражателями с периодом в две длины ПАВ на центральной частоте f0=870 МГц и длиной в 33 длины ПАВ на центральной частоте, что обеспечивает однонаправленный режим в 15 дБ. ВШП 2 выполнен двунаправленным с шириной электродов, равной четверти длины ПАВ на центральной частоте, и имеет длину, равную 20 длинам ПАВ. ВШП 5 расположен на расстоянии 2,15 мм от ВШП 2, а ВШП 3 - на расстоянии 4 мм, что обеспечивает задержку между отраженными импульсами в 1 мкс, а переотраженным от ВШП 5 и отраженным от ВШП 3 импульсами - 0,074 мкс при длине считывающего импульса 0,037 мкс, т.е. эти импульсы не перекрываются. Апертуры ВШП 2, 3, 5 выбраны равными 80 длин ПАВ на центральной частоте, что позволяет пренебречь потерями на дифракцию при заданных расстояниях. Сопротивление излучения отражательных ВШП близко к 50 Ом. Вносимые потери при подаче сигнала на ВШП 2 и съеме его с ВШП 3 составили 10 дБ. Звукопровод вместе с ВШП помещен в герметичный корпус. Антенна 7 в виде полуволнового вибратора и импеданс 4 расположены вне корпуса.Execution example. The sensor is made on sound duct 1 from a YX-section of lithium niobate with dimensions of 8 × 1.4 × 0.5 mm. IDTs 3 and 5 are made with internal reflectors with a period of two SAW lengths at the center frequency f 0 = 870 MHz and a length of 33 SAW lengths at the center frequency, which provides a unidirectional mode of 15 dB. IDT 2 is made bidirectional with the width of the electrodes equal to a quarter of the length of the surfactant at the center frequency, and has a length equal to 20 lengths of the surfactant. IDT 5 is located at a distance of 2.15 mm from IDT 2, and IDT 3 is at a distance of 4 mm, which provides a delay between reflected pulses of 1 μs, and reflected from IDT 5 and reflected from IDT 3 pulses - 0.074 μs with a reading pulse length 0.037 μs, i.e. these pulses do not overlap. The IDT apertures 2, 3, 5 were chosen equal to 80 SAW lengths at the central frequency, which allows neglecting diffraction losses at given distances. The radiation resistance of reflective IDTs is close to 50 Ohms. The insertion loss when applying a signal to IDT 2 and removing it from IDT 3 was 10 dB. The sound pipe along with the IDT is placed in a sealed enclosure. Antenna 7 in the form of a half-wave vibrator and impedance 4 are located outside the housing.
Чувствительный элемент ПАВ сенсора СО (импеданс) состоит из параллельно соединенных наностержней оксида цинка 11. Увеличивая площадь верхнего электрода 9 удается снизить общее сопротивление связанной решетки наностержней оксида цинка. Величина нимпеданса Z, зависит от концентрации СО. При адсорбции СО сопротивление чувствительного элемента 4 (импеданса) изменяется в пределах 50 до 400 Ом.The sensitive element of the surfactant of the CO sensor (impedance) consists of parallel connected zinc oxide nanorods 11. By increasing the area of the upper electrode 9, it is possible to reduce the total resistance of the associated lattice of zinc oxide nanorods. The magnitude of the impedance Z, depends on the concentration of CO. When CO adsorption, the resistance of the sensitive element 4 (impedance) varies in the range of 50 to 400 Ohms.
Источники информацииInformation sources
1. Dias J.F. Hewlett-Packard J. - 1981 / - V.32, N 12. - P.21-37.1. Dias J.F. Hewlett-Packard J. - 1981 / - V.32,
2. Костромин А.С., Розанов И.А., Черных Е.В., Кувахара Хироюки, Томилова Л.Г., Зефиров Н.С. Датчик на поверхностных акустических волнах для детектирования диоксида углерода. Патент РФ RU 2132584 C1, МПК 6 H01L 41/18 от 1999.06.27.2. Kostromin A.S., Rozanov I.A., Chernykh E.V., Kuwahara Hiroyuki, Tomilova L.G., Zefirov N.S. Surface acoustic wave detector for detecting carbon dioxide. RF patent RU 2132584 C1, IPC 6 H01L 41/18 from 1999.06.27.
3. Багдасарян А.С., Багдасарян С.А., Карапетьян Г.Я., Днепровский В.Г. Датчик физической величины на поверхностных акустических волнах. Патент РФ 2387051 C1, МПК G01D 5/12 от 20.04.2010.3. Bagdasaryan A.S., Bagdasaryan S.A., Karapetyan G.Ya., Dneprovsky V.G. The sensor of a physical quantity on surface acoustic waves. RF patent 2387051 C1, IPC G01D 5/12 of 04/20/2010.
4. М. Lorenz, М.; Kaidashev, Е.М.; Rahm, A.; Nobis, Th.; Lenzner, J.; Wagner, J.G.; Spemann, D.; Hochmuth, H.; Grundmann, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 143113.4. M. Lorenz, M .; Kaidashev, E.M .; Rahm, A .; Nobis, Th .; Lenzner, J .; Wagner, J.G .; Spemann, D .; Hochmuth, H .; Grundmann, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 143113.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013147543/28A RU2550697C1 (en) | 2013-10-24 | 2013-10-24 | Sensor based on surface acoustic waves to measure concentration of carbon dioxide |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013147543/28A RU2550697C1 (en) | 2013-10-24 | 2013-10-24 | Sensor based on surface acoustic waves to measure concentration of carbon dioxide |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013147543A RU2013147543A (en) | 2015-04-27 |
RU2550697C1 true RU2550697C1 (en) | 2015-05-10 |
Family
ID=53283145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013147543/28A RU2550697C1 (en) | 2013-10-24 | 2013-10-24 | Sensor based on surface acoustic waves to measure concentration of carbon dioxide |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2550697C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2629892C1 (en) * | 2016-09-29 | 2017-09-04 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" | Method for measuring physical values using sensors on surface acoustic waves |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005033719A1 (en) * | 2003-09-27 | 2005-04-14 | Technische Universität Hamburg-Harburg | Telemetrically interrogatable passive potential sensor |
RU2006140507A (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-27 | ООО "Научно-производственное предпри тие "Технологии дистанционного контрол и св зи" (НПП "ТДКиС")(RU) | MOVEMENT SENSOR ON SURFACE ACOUSTIC WAVES WITH TEMPERATURE COMPENSATION |
RU2368099C1 (en) * | 2008-01-09 | 2009-09-20 | ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" | Hydrophone on surface acoustic waves |
RU2387051C1 (en) * | 2008-12-01 | 2010-04-20 | Федеральное Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Южный Федеральный Университет" | Detector of physical value on surface acoustic waves |
RU2421716C2 (en) * | 2009-08-18 | 2011-06-20 | Юрий Сергеевич Иванченко | Sensor operating on surface acoustic waves |
RU2427943C1 (en) * | 2010-02-15 | 2011-08-27 | Открытое акционерное общество "Авангард" | Passive sensor on surface acoustic waves |
RU2458319C1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-08-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Displacement sensor on surface acoustic waves |
-
2013
- 2013-10-24 RU RU2013147543/28A patent/RU2550697C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005033719A1 (en) * | 2003-09-27 | 2005-04-14 | Technische Universität Hamburg-Harburg | Telemetrically interrogatable passive potential sensor |
RU2006140507A (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-27 | ООО "Научно-производственное предпри тие "Технологии дистанционного контрол и св зи" (НПП "ТДКиС")(RU) | MOVEMENT SENSOR ON SURFACE ACOUSTIC WAVES WITH TEMPERATURE COMPENSATION |
RU2368099C1 (en) * | 2008-01-09 | 2009-09-20 | ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" | Hydrophone on surface acoustic waves |
RU2387051C1 (en) * | 2008-12-01 | 2010-04-20 | Федеральное Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Южный Федеральный Университет" | Detector of physical value on surface acoustic waves |
RU2421716C2 (en) * | 2009-08-18 | 2011-06-20 | Юрий Сергеевич Иванченко | Sensor operating on surface acoustic waves |
RU2427943C1 (en) * | 2010-02-15 | 2011-08-27 | Открытое акционерное общество "Авангард" | Passive sensor on surface acoustic waves |
RU2458319C1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-08-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Displacement sensor on surface acoustic waves |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2629892C1 (en) * | 2016-09-29 | 2017-09-04 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" | Method for measuring physical values using sensors on surface acoustic waves |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013147543A (en) | 2015-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7267009B2 (en) | Multiple-mode acoustic wave sensor | |
KR101776089B1 (en) | Surface acoustic wave sensor system and measurement method using multiple-transit-echo wave | |
RU2387051C1 (en) | Detector of physical value on surface acoustic waves | |
US7047792B1 (en) | Surface acoustic wave hydrogen sensor | |
US8596862B1 (en) | Wireless passive radiation sensor | |
US7383731B2 (en) | Deep-fry oil quality sensor | |
US20060254356A1 (en) | Wireless and passive acoustic wave liquid conductivity sensor | |
WO2014015577A1 (en) | Wireless temperature and humidity sensor and system, and measurement method | |
EP2418482A1 (en) | Surface acoustic wave humidity sensor | |
Zheng et al. | High-temperature langasite SAW oxygen sensor | |
US20160003654A1 (en) | Ultrasonic sensor for high temperature and manufacturing method thereof | |
RU2550697C1 (en) | Sensor based on surface acoustic waves to measure concentration of carbon dioxide | |
CN105738470B (en) | A kind of sonic surface wave gas sensors | |
RU2581570C1 (en) | Passive wireless surface acoustic wave sensor for measuring concentration of carbon monoxide | |
Becker et al. | Multistrip couplers for surface acoustic wave sensor application | |
RU2613590C1 (en) | Passive wireless surface acoustic wave ultraviolet radiation sensor | |
Li et al. | Ultrasonic thin‐walled tube wave devices for sensor applications | |
Becker et al. | A new sensor principle based on the reflection of surface acoustic waves | |
RU2692832C1 (en) | Passive wireless ultraviolet radiation sensor on surface acoustic waves | |
FR2676810A1 (en) | LIQUID LEVEL MEASURING DEVICE. | |
US6340347B1 (en) | Vibration displacement sensing device | |
Wagle et al. | Adhesive-free dual layer piezoelectric PVDF copolymer transducers in sender and receiver sequences | |
JP3038584B2 (en) | Ultrasonic object detection device | |
Nakaso et al. | Diffraction-free propagation of collimated SAW around a quartz ball | |
JP2015055521A (en) | Atmosphere sensor and production method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161025 |