RU2546578C2 - Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка - Google Patents

Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка Download PDF

Info

Publication number
RU2546578C2
RU2546578C2 RU2013137542/08A RU2013137542A RU2546578C2 RU 2546578 C2 RU2546578 C2 RU 2546578C2 RU 2013137542/08 A RU2013137542/08 A RU 2013137542/08A RU 2013137542 A RU2013137542 A RU 2013137542A RU 2546578 C2 RU2546578 C2 RU 2546578C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
microstrip
surface resistance
transmission line
segments
matched load
Prior art date
Application number
RU2013137542/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013137542A (ru
Inventor
Дмитрий Александрович Усанов
Виктор Николаевич Посадский
Александр Владимирович Скрипаль
Виталий Семёнович Тяжлов
Евгений Васильевич Жулидов
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского"
Priority to RU2013137542/08A priority Critical patent/RU2546578C2/ru
Publication of RU2013137542A publication Critical patent/RU2013137542A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2546578C2 publication Critical patent/RU2546578C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Waveguides (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано, в частности, для поглощения электромагнитной волны на выходе СВЧ-волноводного тракта. Технический результат - расширение рабочей полосы частот и уменьшение продольных размеров согласованной нагрузки. Для этого микрополосковая согласованная нагрузка, состоящая из последовательно соединенных отрезков микрополосковой линий передачи, содержит не менее семи чередующихся отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, крайними из которых являются отрезки с малым поверхностным сопротивлением, и не менее двух пар разомкнутых шлейфов, расположенных симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением. Поглощающие свойства согласованной нагрузки определяются совокупностью как поглощающих свойств отрезков микрополосковой линии и шлейфов с большим поверхностным сопротивлением, так и топологией структуры. Количество отрезков полосковых линий, их топология и электрические параметры выбираются таким образом, чтобы в выбранном частотном диапазоне величины коэффициентов стоячей волны и прохождения были меньше заданных значений. 19 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано как самостоятельно для поглощения электромагнитной волны на выходе СВЧ-волноводного тракта, так и в качестве элементов более сложных функциональных устройств: направленных ответвителей, сумматоров мощности, измерительных мостов, фильтров и т.д.
Известна микрополосковая нагрузка (см. патент RU на ПМ №126197, МПК H01P 1/26), включающая диэлектрическую подложку из оксида алюминия с отрезком микрополосковой линии и резистивным слоем, выполненным в виде двух прямоугольных резисторов, расположенных по разные стороны от отрезка микрополосковой линии и примыкающих одной стороной к этому отрезку, а противоположные стороны этих резисторов замыкаются между собой через П-образный проводник с установленной в его середине перемычкой на земляной слой, выполненный на противоположной плоскости подложки. В пятидесятиомном тракте, работающем на частотах 1000-1500 МГц, для обеспечения КСВН меньше 1,05 диэлектрическая плата выполнена на подложке толщиной 2 мм, а ширина горизонтальной части П-образного проводника выполнена в пределах 1,6…1,9 мм, ширина вертикальных частей - 0,6…0,8 мм, а ширина микрополосковой линии - 1,5…1,7 мм.
Однако данная нагрузка обладает значительными продольными габаритами и является узкополосной.
Известна микрополосковая нагрузка (см. заявку RU на ИЗ №92013230, МПК P01P 1/26). Между П-образными проводниками, подключенными к резистивным элементам, и следующими П-образными проводниками введены компенсирующие индуктивности в виде отрезков проводников, длина которых определена из условия компенсации емкостной составляющей импеданса части согласованной нагрузки от данного сечения до заземляющего проводника, а сопротивление резистивных слоев выбрано увеличивающимся по экспоненциальному закону в направлении от входного проводника к заземляющему проводнику.
Однако данная нагрузка обладает значительными продольными габаритами и достаточно сложна для реализации на высоких частотах.
Наиболее близкой по сущности к предлагаемой является микрополосковая нагрузка (см. патент RU №2049367, МПК H01P 1/26), которая содержит входную линию передачи, к которой через отдельные резисторы подключены разомкнутые шлейфы, электпомагнитно связанные между собой. Общее количество разомкнутых шлейфов не менее двух. Величина сопротивления каждого резистора больше величины волнового сопротивления входной линии передачи. Разомкнутые шлейфы выполнены с одинаковой или различной резонансной частотой.
Однако данная нагрузка обладает значительными продольными габаритами и малой допустимой рассеиваемой мощностью.
Задача настоящего изобретения заключается в создании широкополосной микрополосковой согласованной нагрузки СВЧ-излучения, отличающейся широкополностью, технологической простотой изготовления, малыми продольными габаритами.
Технический результат заключается в расширении рабочей полосы частот, уменьшении продольных размеров согласованной нагрузки.
Поставленная задача достигается тем, что микрополосковая согласованная нагрузка, состоящая из последовательно соединенных отрезков микрополосковой линий передачи, содержит не менее семи чередующихся отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, крайними из которых являются отрезки с малым поверхностным сопротивлением, и не менее двух пар разомкнутых шлейфов, расположенных симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением и подключен к отрезкам микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением таким образом, что отрезок шлейфа с большим поверхностным сопротивлением соединяется с отрезком микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением, при этом длина первого отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна находиться в диапазоне длин λ24-λ/24 (где λ - длина волны, соответствующая середине рабочего диапазона длин волн), длина второго отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна составлять не менее λ/6, длина третьего отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна составлять не менее λ/12 длины отрезков шлейфов с большим и малым поверхностным сопротивлением и длины отрезков микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением должны находиться в диапазоне длин λ/10-λ/6.
Поглощающие свойства согласованной нагрузки определяются совокупностью как поглощающих свойств отрезков микрополосковой линии и шлейфов с большим поверхностным сопротивлением, так и топологией структуры. Оптимальное согласование микрополосковой нагрузки с 50-омной линией передачи в широком диапазоне частот достигается топологией и электрофизическими характеристиками отрезков с большим и малым поверхностным сопротивлением. Количество отрезков полосковых линий, их топологию и электрические параметры выбирают таким образом, чтобы в выбранном частотном диапазоне величины коэффициентов стоячей волны и прохождения были меньше заданных значений.
Предлагаемое устройство поясняется чертежами.
Фиг.1. Общий вид микрополосковой согласованной нагрузки.
Фиг.2. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты в восьмимиллиметровом диапазоне длин волн.
Фиг.3. Расчетная зависимость коэффициента прохождения от частоты в восьмимиллиметровом диапазоне длин волн.
Фиг.4. Экспериментальная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты в восьмимиллиметровом диапазоне длин волн.
Фиг.5. Экспериментальная зависимость коэффициента прохождения от частоты в восьмимиллиметровом диапазоне длин волн.
Фиг.6. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением первой пары шлейфов.
Фиг.7. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением первой пары шлейфов.
Фиг.8. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением второй пары шлейфов.
Фиг.9. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением второй пары шлейфов.
Фиг.10. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при отсутствии в шлейфах отрезков с малым поверхностным сопротивлением.
Фиг.11. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при отсутствии в шлейфах отрезков с малым поверхностным сопротивлением.
Фиг.12. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при уменьшенной длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.
Фиг.13. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при уменьшенной длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.
Фиг.14. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.
Фиг.15. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.
Фиг.16. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при уменьшенной длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.
Фиг.17. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при уменьшенной длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.
Фиг.18. Топология микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.
Фиг.19. Расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения для топологии микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением.
Пример практической реализации устройства.
Согласованная волноводная нагрузка в восьмимиллиметровом диапазоне длин волн имеет следующие параметры:
Рабочий диапазон, ГГц 33-37
Коэффициент стоячей волны, не более 1,1
Коэффициент прохождения, дБ, не более -40
Для расчета коэффициентов стоячей волны и прохождения электромагнитной волны через микрополосковую структуру, состоящую из отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, представленную на фиг.1, производилось компьютерное моделирование в среде САПР HFSS Ansoft.
Для вычисления значений параметров микрополосковой структуры решалась следующая задача оптимизации:
- КстU<1.1;
- Кп (коэффициент прохождения) < -40 дБ;
- количество чередующихся отрезков в микрополосковой линии - 7;
- количество чередующихся шлейфов в шлефах - 8;
- количество шлейфов - 4;
- материалы слоев:
1. золото;
2. хром;
- поверхностное сопротивление высокоомного слоя - 50 Ом/квадрат;
- диапазон частот - от 33 ГГц до 37 ГГц.
Расчетные значения частотной зависимости коэффициентов отражения и прохождения представлены на фиг.2 и фиг.3, соответственно.
По данным компьютерного моделирования была изготовлена микрополосковая согласованная нагрузка. Металлические слои (хром и золото) напылялись на подложки из поликора с диэлектрической проницаемостью 9,6. Отрезки микрополосковой структуры с большим поверхностным сопротивлением были непосредственно соединены с отрезками с малым поверхностным сопротивлением и периодически чередовались, образуя структуру микрополоскового неупорядоченного фотонного кристалла. Разомкнутые шлейфы, расположенные симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением и подключен к отрезкам микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением таким образом, что отрезок шлейфа с большим поверхностным сопротивлением соединяется с отрезком микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением, образуют периодические микрополосковые структуры в направлении, перпендикулярном направлению распространения электромагнитной волны, что обеспечивает увеличение эффективности поглощения электромагнитных волн в широком диапазоне частот.
Измеренные частотные зависимости коэффициентов стоячей волны и прохождения электромагнитной волны представлены на фиг.4 и фиг.5, соответственно.
Изменением топологии микрополосковой согласованной нагрузки путем варьирования длин отрезков с большим поверхностным сопротивлением первой и второй пары шлейфов можно добиться наилучшего согласования в выбранной области частотного диапазона.
На фиг.6 и 7 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при увеличенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением первой пары шлейфов, равной λ/6, и уменьшенной длине второй пары шлейфов, равной λ/11, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.
На фиг.8 и 9 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при уменьшенной длине отрезков с большим поверхностным сопротивлением первой пары шлейфов, равной λ/11, и увеличенной длине второй пары шлейфов, равной λ/6, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.
Исследование топологии микрополосковой согласованной нагрузки при отсутствии и наличии в шлейфах отрезков с малым поверхностным сопротивлением позволяет сделать вывод о значительном снижении величины коэффициента стоячей волны при наличии в шлейфах отрезков с малым поверхностным сопротивлением.
Топология микрополосковой согласованной нагрузки при отсутствии в шлейфах отрезков с малым поверхностным сопротивлением и соответствующая этому случаю расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения представлены на фиг.10 и фиг.11 соответственно.
С целью выяснения влияния изменения топологии микрополосковой согласованной нагрузки путем варьирования длин отрезков микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением на частотную зависимость коэффициента стоячей волны в выбранной области частотного диапазона было проведено компьютерное моделирование в среде САПР HFSS Ansoft.
Топологии микрополосковых согласованных нагрузок при уменьшенной и увеличенной длине отрезков микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением и соответствующие им зависимости коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения приведены на фиг.12-19.
На фиг.12 и 13 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением, равной λ/25, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.
На фиг.14 и 15 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при длине первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением, равной λ/20, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.
Как следует из результатов, представленных на фиг.12-15, как увеличение, так и уменьшение длины первого отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением относительно оптимального значения, равного λ/22, приводит к увеличению коэффициента стоячей волны в выбранном частотном диапазоне.
На фиг.16 и 17 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением, равной λ/11, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.
На фиг.18 и 19 приведены топология микрополосковой согласованной нагрузки при длине второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением, равной 2·λ/5, и соответствующая расчетная зависимость коэффициента стоячей волны от частоты электромагнитного излучения.
Как следует из результатов, представленных на фиг.16-19, уменьшение длины второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением относительно оптимального значения, равного λ/6, приводит к увеличению коэффициента стоячей волны в выбранном частотном диапазоне, а увеличение длины второго отрезка микрополосковой линии с большим поверхностным сопротивлением приводит увеличению габаритов микрополосковой согласованной нагрузки.
Длина третьего отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением минимизирует величину СВЧ-мощности, отраженной от последнего отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением, и для всех рассматриваемых топологий составляла не менее λ/12.
Таким образом, использование микрополосковых структур, состоящих из чередующихся отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, крайними из которых являются отрезки с малым поверхностным сопротивлением, и не менее двух пар разомкнутых шлейфов, расположенных симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением, позволяет создавать широкополосные малогабаритные микрополосковые согласованные нагрузки. При этом оптимизация параметров микрополосковой структуры позволяет выбрать диапазон частот, в котором необходимо реализовать требуемые значения коэффициента стоячей волны и прохождения.

Claims (1)

  1. Микрополосковая согласованная нагрузка, состоящая из последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи, отличающаяся тем, что содержит не менее семи чередующихся отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, крайними из которых являются отрезки с малым поверхностным сопротивлением, и не менее двух пар разомкнутых шлейфов, расположенных симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением и подключен к отрезкам микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением таким образом, что отрезок шлейфа с большим поверхностным сопротивлением соединяется с отрезком микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением, при этом длина первого отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна находиться в диапазоне длин λ/24-λ/22 (где λ - длина волны, соответствующая середине рабочего диапазона длин волн), длина второго отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна составлять не менее λ/6, длина третьего отрезка микрополосковой линии передачи с большим поверхностным сопротивлением должна составлять не менее λ/12, длины отрезков шлейфов с большим и малым поверхностным сопротивлением и длины отрезков микрополосковой линии передачи с малым поверхностным сопротивлением должны находиться в диапазоне длин λ/10-λ/6.
RU2013137542/08A 2013-08-09 2013-08-09 Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка RU2546578C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013137542/08A RU2546578C2 (ru) 2013-08-09 2013-08-09 Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013137542/08A RU2546578C2 (ru) 2013-08-09 2013-08-09 Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013137542A RU2013137542A (ru) 2015-02-20
RU2546578C2 true RU2546578C2 (ru) 2015-04-10

Family

ID=53281996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013137542/08A RU2546578C2 (ru) 2013-08-09 2013-08-09 Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2546578C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2601612C1 (ru) * 2015-06-01 2016-11-10 Российская Федерация в лице которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) Волноводная согласованная нагрузка

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1224866A1 (ru) * 1983-11-29 1986-04-15 Казанский Ордена Трудового Красного Знамени И Ордена Дружбы Народов Авиационный Институт Им.А.Н.Туполева Микрополоскова согласованна нагрузка
RU2049367C1 (ru) * 1993-03-31 1995-11-27 Казанский Авиационный Институт Им.А.Н.Туполева Микрополосковая согласованная нагрузка
RU47576U1 (ru) * 2004-12-27 2005-08-27 Российская Федерация в лице Федерального агентства по атомной энергии Микрополосковая нагрузка
EP1653552A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-03 Siemens Mobile Communications S.p.A. A microstrip resonator tunable filter and related tuning method
RU2420837C1 (ru) * 2009-11-05 2011-06-10 Открытое акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" Микрополосковая нагрузка
RU126197U1 (ru) * 2011-12-08 2013-03-20 Открытое Акционерное Общество "Государственный Ракетный Центр Имени Академика В.П. Макеева" Согласованная микрополосковая нагрузка

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1224866A1 (ru) * 1983-11-29 1986-04-15 Казанский Ордена Трудового Красного Знамени И Ордена Дружбы Народов Авиационный Институт Им.А.Н.Туполева Микрополоскова согласованна нагрузка
RU2049367C1 (ru) * 1993-03-31 1995-11-27 Казанский Авиационный Институт Им.А.Н.Туполева Микрополосковая согласованная нагрузка
EP1653552A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-03 Siemens Mobile Communications S.p.A. A microstrip resonator tunable filter and related tuning method
RU47576U1 (ru) * 2004-12-27 2005-08-27 Российская Федерация в лице Федерального агентства по атомной энергии Микрополосковая нагрузка
RU2420837C1 (ru) * 2009-11-05 2011-06-10 Открытое акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" Микрополосковая нагрузка
RU126197U1 (ru) * 2011-12-08 2013-03-20 Открытое Акционерное Общество "Государственный Ракетный Центр Имени Академика В.П. Макеева" Согласованная микрополосковая нагрузка

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2601612C1 (ru) * 2015-06-01 2016-11-10 Российская Федерация в лице которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) Волноводная согласованная нагрузка

Also Published As

Publication number Publication date
RU2013137542A (ru) 2015-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100892024B1 (ko) 밴드패스 필터
WO2011152054A1 (ja) 配線基板及び電子装置
Zhang et al. Efficient propagation of spoof surface plasmon polaritons supported by substrate integrated waveguide with bandpass features
Abdullah et al. A compact size microstrip five poles hairpin band-pass filter using three-layers structure for Ku-band satellites application
Kavitha et al. Design and performance analysis of hairpin bandpass filter for satellite applications
Ayop et al. Analysis of mushroom-like electromagnetic band gap structure using suspended transmission line technique
Maulidini et al. Band-pass filter microstrip at 3 GHz frequency using square open-loop resonator for S-Band radar applications
RU2546578C2 (ru) Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка
Karshenas et al. Size reduction and harmonic suppression of parallel coupled-line bandpass filters using defected ground structure
Abdelaziz et al. Realization of composite right/left-handed transmission line using coupled lines
Dadgarpour et al. PSO/FDTD optimization technique for designing UWB in-phase power divider for linear array antenna application
Kurra et al. Bandwidth reconfigurable bandstop filter using planar EBG structure
Hashemi et al. Dual-mode leaky-wave excitation in symmetric composite right/left-handed structure with center vias
Weitsch et al. Composite right-/left-handed interdigital leaky-wave antenna on a substrate integrated waveguide
Zhang et al. Compact composite right/left-handed transmission line unit cell for the design of true-time-delay lines
CN110994172B (zh) 一种基于宽阻带低频多层频率选择表面的天线罩
Dey et al. A compact uniplanar electromagnetic bandgap structure with wide bandgap
He et al. Common-mode filtering in multilayer printed circuit boards
CN114051313A (zh) 一种降低印刷电路板中平行微带线电磁干扰的结构
Mohajer-Iravani et al. Radiating emissions from the planar electromagnetic bandgap (EBG) structures
RU2320057C1 (ru) Микрополосковый трансформатор сопротивлений
JP6151071B2 (ja) フィルタおよび共振器
Ryu et al. Pure left-handed transmission line
CN105990634B (zh) 一种负阶谐振器及耦合谐振滤波器
Kasahara et al. “Open-stub electromagnetic bandgap” structures loaded with capacitive transmission line segments for bandgap frequency control

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200810