RU2543530C1 - Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов проксимити типа - Google Patents

Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов проксимити типа Download PDF

Info

Publication number
RU2543530C1
RU2543530C1 RU2013134686/07A RU2013134686A RU2543530C1 RU 2543530 C1 RU2543530 C1 RU 2543530C1 RU 2013134686/07 A RU2013134686/07 A RU 2013134686/07A RU 2013134686 A RU2013134686 A RU 2013134686A RU 2543530 C1 RU2543530 C1 RU 2543530C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
input window
proximity
type vacuum
photoelectronic devices
proximity type
Prior art date
Application number
RU2013134686/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013134686A (ru
Inventor
Иван Алексеевич Свищёв
Михаил Рувимович Айнбунд
Олег Витальевич Алымов
Елена Евгеньевна Левина
Андрей Владимирович Пашук
Ольга Васильевна Чернова
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" filed Critical Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон"
Priority to RU2013134686/07A priority Critical patent/RU2543530C1/ru
Publication of RU2013134686A publication Critical patent/RU2013134686A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2543530C1 publication Critical patent/RU2543530C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Входное окно предназначено для использования в вакуумных фотоэлектронных приборах проксимити типа. Технический результат - упрощение технологии изготовления входного окна, в том числе для фотокатодов на основе гетероэпитаксиальных структур, а также обеспечение значительного коэффициента усиления фотоэлектронных приборов типа проксимити при увеличении их электрической прочности и повышении пробивного напряжения. Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов типа проксимити выполнено чашеобразной формы, составным, включающим боковую часть конусообразной формы, имеющую ступенчатый выступ со стороны меньшего диаметра, и плоское дно, имеющее ступенчатый выступ вдоль края, соединенные посредством примыкания соответствующих ступенчатых выступов друг к другу, причем соединение зафиксировано индиевым уплотнением. 2 ил.

Description

Входное окно предназначено для вакуумных фотоэлектронных приборов проксимити типа.
Известен класс фотоэлектронных приборов типа проксимити, предназначенных для регистрации оптических изображений, как правило, низкого уровня освещенности в различных спектральных диапазонах. Особенностью конструкции приборов типа проксимити (от англ. proximity - приближение) является малое расстояние между фотокатодом, преобразующим оптический сигнал в поток электронов, и экраном, формирующим изображение. Класс данных приборов включает электронно-оптические преобразователи для усиления яркости и фоточувствительные приборы для регистрации изображений в виде электрического сигнала. В первом случае экраном является люминесцентный слой на аноде, формирующий изображение в оптическом диапазоне, во втором случае экраном является электронно-чувствительная матрица ППЗ (прибор с переносом заряда), формирующая электрический сигнал.
Так, например, известен патент US №6281572 от 28.08.2001 (патентообладатель Chatles Stark Draper Lab., Inc., Cambridge (US)), в котором описан фотоэлектронный прибор типа проксимити. Прибор имеет входное окно с фотокатодом (на рисунке обозначено как «катод»), выполненное в виде сплошной пластины трапециевидной формы, приближенной дном к аноду с матрицей формирования изображения. Данное входное окно выбрано в качестве прототипа.
Недостаток данного технического решения заключается в невозможности получения большого коэффициента усиления за счет приложения значительной разности потенциалов между фотокатодом и основанием матрицы в связи с малым расстоянием между контактными выводами фотокатода и анода.
Другой недостаток заключается в технической сложности и дороговизне создания такого входного окна для фотокатодов на основе гетероэпитаксиальных структур (AlGaN), перспективных для регистрации изображений в УФ-диапазоне спектра.
Фотокатод представляет собой слой фоточувствительного материала, нанесенного на прозрачную подложку. Тонкие полупрозрачные пленки фоточувствительного материала освещаются со стороны подложки. Основным критерием выбора подложки является требование соответствия кристаллических решеток материалов подложки и выращиваемого слоя, а также их термических коэффициентов линейного расширения. Другим критерием является требование химической и термической стабильности подложки к среде эпитаксиального роста при температуре эпитаксии.
В связи с этим на сегодняшний день наиболее перспективным для производства фотокатодов на основе гетероэпитаксиальных структур является использование сапфировых подложек.
Сапфировые подложки-пластины, изготовленные из кристалла синтетического сапфира Al2O3. Сапфировые подложки удовлетворяют высоким требованиям, предъявляемым к подложкам данного типа, а именно:
- широкий спектр пропускания в ультрафиолетовом, видимом, инфракрасном и СВЧ-диапазонах;
- твердость, прочность и, соответственно, длительный срок службы;
- устойчивость к высоким температурам и агрессивным средам;
- высокая чистота кристаллической решетки;
- высокая удельная теплопроводность.
Однако из-за значительной твердости сапфира на сегодняшний день технически сложно выполнить входное окно произвольной формы из данного вида материала. Если же прикреплять фотокатод на сапфировой подложке ко входному окну, то благодаря этому, во-первых, увеличивается толщина слоя светопрозрачного материала и число светоотражающих поверхностей. При прохождении излучения сквозь толщу входного окна из-за неизбежных внутренних дефектов материала возникают эффекты преломления и рассеивания света, при этом снижается качество и интенсивность входного сигнала. Эти эффекты становятся существенными при регистрации изображений низкого уровня освещенности. Во-вторых, в процессе соединения сапфировой подложки с входным окном возникают дополнительные технологические сложности.
Задача, решаемая в данном изобретении, состоит в создании конструкции входного окна для вакуумных фотоэлектронных приборов типа проксимити. Технический результат заключается в упрощении технологии изготовления входного окна, в том числе для фотокатодов на основе гетероэпитаксиальных структур, а также в обеспечении значительного коэффициента усиления фотоэлектронных приборов типа проксимити при увеличении их электрической прочности и повышении пробивного напряжения.
Это достигается за счет того, что входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов типа проксимити выполнено чашеобразной формы, составным, включающим боковую часть конусообразной формы, имеющую ступенчатый выступ со стороны меньшего диаметра, и плоское дно, имеющее ступенчатый выступ вдоль края, соединенные посредством примыкания соответствующих ступенчатых выступов друг к другу, причем соединение зафиксировано индиевым уплотнением.
На фигуре 1 изображена в разрезе конструкция входного окна для вакуумных фотоэлектронных приборов проксимити типа.
Входное окно выполнено чашеобразной формы, составным, включающим боковую часть конусообразной формы 1, имеющую ступенчатый выступ 2, образованный со стороны меньшего диаметра, и плоское дно 3, имеющее ступенчатый выступ 4, расположенный вдоль края. Боковая часть 1 и дно 3 соединены посредством примыкания соответствующих ступенчатых выступов 2 и 4 друг к другу, как показано на фигуре 1. При таком соединении плоское дно 3 входного окна в вакуумном приборе будет прижато атмосферным давлением к ступенчатому выступу 2.
Для производства боковой части 1 и дна 3 могут использоваться материалы, разнородные по коэффициенту термического расширения. При вакуумировании прибора для его обезгаживания входное окно неизбежно нагревается, при этом составные части входного окна термически расширяются. Чтобы элементы входного окна не деформировались и не треснули, оставляют технологический зазор 5 между ступенчатыми выступами 2 и 4.
Соединение боковой части 1 и плоского дна 3 вакуумно-плотно зафиксировано индиевым уплотнением 6, расположенным между боковой частью 1 и торцом ступенчатого выступа 4. Индий (In) используется как соединительный материал, т.к. обладает высокой адгезией ко многим материалам, и с его помощью возможно вакуумно-плотно соединить совершенно разнородные материалы, например металл и стекло. Также индий является мягким металлом, и при нагревании конструкции индиевое уплотнение не деформирует элементы, которые соединяет. Электрод 7 образует электрический контакт между фотокатодом 8 и электродом, обеспечивающим соединение фотокатода с электрическими выводами прибора (не показаны). Электрод 7 выполнен напылением проводящего материала, например хрома, на торец дна 3, как показано на фигуре.
На фигуре 2 показан другой вариант выполнения составного входного окна. Боковая часть 1 имеет со стороны меньшего диаметра ступенчатый выступ 2а, выполненный в виде двух ступенек, как показано на фигуре. Между ступенчатыми выступами 2а и 4 оставляют технологический зазор 5а аналогично варианту, проиллюстрированному на фигуре 1. В данном варианте индиевое уплотнение 6а наносится сверху на место примыкания ступенчатых выступов 2а и 4 друг к другу, т.о. при вакуумировании прибора индиевое уплотнение 6а может частично заполнить технологический зазор 5, но не просочится сквозь него внутрь прибора.
Благодаря тому, что входное окно выполнено составным, боковая часть 1 и дно 3 могут быть выполнены из различных разнородных материалов. Боковая часть может быть, например, металлической. Благодаря этому устраняется необходимость напыления на нее проводящего электрода, соединяющего фотокатод с внешними электрическими выводами (не показано), т.к. в данном случае боковая часть сама становится проводником. Это существенно упрощает технологию изготовления входного окна. Плоское дно 3 может быть выполнено, например, из сапфира. Т.о. такая конструкция входного окна становится удобной для использования фотокатодов на основе гетероэпитаксиальных структур.
Благодаря тому, что входное окно выполнено чашеобразной формы, обеспечивается возможность приближения фотокатода 8 к аноду прибора (не показан). При этом возможно приложение значительной разности потенциалов между фотокатодом и анодом за счет разнесения внешних электрических выводов (контактных колец) фотокатода и анода на большое расстояние. Благодаря этому достигается значительный коэффициент усиления прибора.
Т.о., благодаря данному изобретению достигается значительный коэффициент усиления фотоэлектронных приборов типа проксимити за счет увеличения электрической прочности и повышения пробивного напряжения прибора, а также существенно упрощается технология изготовления входного окна, в том числе для фотокатодов на основе гетероэпитаксиальных структур.

Claims (1)

  1. Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов типа проксимити выполнено чашеобразной формы, составным, включающим боковую часть конусообразной формы, имеющую ступенчатый выступ со стороны меньшего диаметра, и плоское дно, имеющее ступенчатый выступ вдоль края, соединенные посредством примыкания соответствующих ступенчатых выступов друг к другу, причем соединение зафиксировано индиевым уплотнением.
RU2013134686/07A 2013-07-23 2013-07-23 Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов проксимити типа RU2543530C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013134686/07A RU2543530C1 (ru) 2013-07-23 2013-07-23 Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов проксимити типа

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013134686/07A RU2543530C1 (ru) 2013-07-23 2013-07-23 Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов проксимити типа

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013134686A RU2013134686A (ru) 2015-02-20
RU2543530C1 true RU2543530C1 (ru) 2015-03-10

Family

ID=53281801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013134686/07A RU2543530C1 (ru) 2013-07-23 2013-07-23 Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов проксимити типа

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2543530C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US621572A (en) * 1899-03-21 Explosive-engine
FR2677808A1 (fr) * 1991-06-14 1992-12-18 Thomson Composants Militaires Dispositif de fixation d'un senseur ccd sur un tube intensificateur d'image.
RU2308116C1 (ru) * 2005-12-14 2007-10-10 Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН" Электронно-оптический преобразователь и способ получения видеоизображения
RU2472250C1 (ru) * 2011-08-05 2013-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "МЭЛЗ ФЭУ" Фотоэлектронное устройство

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US621572A (en) * 1899-03-21 Explosive-engine
FR2677808A1 (fr) * 1991-06-14 1992-12-18 Thomson Composants Militaires Dispositif de fixation d'un senseur ccd sur un tube intensificateur d'image.
RU2308116C1 (ru) * 2005-12-14 2007-10-10 Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН" Электронно-оптический преобразователь и способ получения видеоизображения
RU2472250C1 (ru) * 2011-08-05 2013-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "МЭЛЗ ФЭУ" Фотоэлектронное устройство

Also Published As

Publication number Publication date
RU2013134686A (ru) 2015-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5719174B2 (ja) 小型映像増倍管およびそのような増倍管が取り付けられる暗視システム
US20100025796A1 (en) Microchannel plate photocathode
US20180286932A1 (en) OLED Array Substrate, Manufacturing Method thereof, OLED Display Panel
US9824844B2 (en) Transmission mode photocathode
RU2543530C1 (ru) Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов проксимити типа
RU2524753C1 (ru) Фотокатодный узел вакуумного фотоэлектронного прибора с полупрозрачным фотокатодом и способ его изготовления
RU137633U1 (ru) Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов проксимити типа
CN102403048A (zh) 一种AlZnO紫外光电阴极材料及紫外真空像增强器
EP3400469B1 (en) Image intensifier for night vision device
US3054917A (en) Heat imaging device
KR102498112B1 (ko) 마이크로 led 전사 헤드
US9911584B2 (en) Batch production of microchannel plate photo-multipliers
RU171428U1 (ru) Узел крепления микроканальной пластины внутри вакуумного корпуса вакуумного фотоэлектронного прибора
KR102493084B1 (ko) 투과형 광전 음극 및 전자관
US10388495B2 (en) Photocathode assembly of vacuum photoelectronic device with a semi-transparent photocathode based on nitride gallium compounds
US20200326433A1 (en) Methods of fabricating vacuum housings with hermetic solder seals using capillary solder wicks
RU135448U1 (ru) Фотокатодный узел вакуумного фотоэлектронного прибора с полупрозрачным фотокатодом
US5780967A (en) Electron tube with a semiconductor anode outputting a distortion free electrical signal
Roaux et al. Third-generation image intensifier
JP2009217996A (ja) 光電陰極、電子管及びイメージインテンシファイア
JP2009283371A (ja) Fedセンサおよびその製造方法
JP4570597B2 (ja) 真空気密容器の製造方法
US20070247056A1 (en) Electron emission display
RU2538273C1 (ru) Гибридный фоточувствительный прибор для регистрации изображений низкого уровня освещенности
JP2009277474A (ja) Fedセンサおよびその製造方法