RU2540486C1 - Method of obtainment of resistance storage element - Google Patents
Method of obtainment of resistance storage element Download PDFInfo
- Publication number
- RU2540486C1 RU2540486C1 RU2013143780/28A RU2013143780A RU2540486C1 RU 2540486 C1 RU2540486 C1 RU 2540486C1 RU 2013143780/28 A RU2013143780/28 A RU 2013143780/28A RU 2013143780 A RU2013143780 A RU 2013143780A RU 2540486 C1 RU2540486 C1 RU 2540486C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resistance
- film
- electrodes
- spraying
- voltage
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к нанотехнологии и может применяться при изготовлении планарных двухэлектродных резистивных элементов запоминающих устройств.The invention relates to nanotechnology and can be used in the manufacture of planar two-electrode resistive elements of storage devices.
Запоминающие устройства с резистивными элементами обладают рядом преимуществ перед другими устройствами постоянной памяти, в том числе, высоким быстродействием, низким напряжением переключения и возможностью высокой степени интеграции [A. Mehonic, S. Cueff, M. Wojdak, S. Hudziak, C. Labbe, R. Rizk, A.J Kenyon. Electrically tailored resistance switching in silicon oxide (Электрически настраиваемое переключение сопротивления окиси кремния) // Nanotechnology. 2012. V.23. P.455201]. Действие резистивных элементов памяти основано на различных физических процессах, приводящих к переходу высокоомных материалов в низкоомное состояние под действием напряжения. Известные способы получения материалов для резистивной памяти требуют создания нескольких слоев проводящих материалов и слоя с резистивным переключением расположенного между ними.Storage devices with resistive elements have several advantages over other permanent memory devices, including high speed, low switching voltage and the possibility of a high degree of integration [A. Mehonic, S. Cueff, M. Wojdak, S. Hudziak, C. Labbe, R. Rizk, A.J Kenyon. Electrically tailored resistance switching in silicon oxide // Nanotechnology. 2012. V.23. P.455201]. The action of resistive memory elements is based on various physical processes leading to the transition of high-resistance materials to a low-resistance state under the action of voltage. Known methods for producing materials for resistive memory require the creation of several layers of conductive materials and a layer with resistive switching located between them.
Известен элемент резистивной памяти с использованием нанопроводов оксидов металлов в качестве слоя, обладающего резистивным переключением, расположенных в пористой матрице между двумя электродами. Элемент памяти состоит из двух проводящих слоев (электродов) и слоя оксида металла с резистивным переключением между ними. Способ получения элемента памяти согласно патенту US 8278642 B2, МПК H01L 47/00, опубликован 02.10.2012:A known element of resistive memory using nanowires of metal oxides as a layer having resistive switching located in a porous matrix between two electrodes. A memory element consists of two conductive layers (electrodes) and a metal oxide layer with resistive switching between them. A method of obtaining a memory element according to patent US 8278642 B2, IPC H01L 47/00, published 02.10.2012:
1 - формирование нанопроводов оксида металла внутри микропор массива пористого шаблона путем электроосаждения, чтобы сформировать массив ячеек;1 - formation of metal oxide nanowires inside micropores of a porous pattern array by electrodeposition to form an array of cells;
2 - формирование первого электрода на верхней части массива ячеек;2 - the formation of the first electrode on the upper part of the array of cells;
3 - формирование второго электрода на нижнюю часть массива ячеек.3 - the formation of the second electrode on the lower part of the array of cells.
Известен элемент энергонезависимой памяти с использованием оксидов переходных металлов в качестве слоя, обладающего резистивным переключением, расположенного между двумя электродами. Элемент памяти состоит из двух электродов, буферного изоляционного слоя и слоя, обладающего резистивным переключением. Буферный изоляционный слой и слой, обладающий резистивным переключением, изготавливают из бинарных оксидов низкотемпературными (менее 350°C) методами вакуумного напыления. В качестве материала слоя, обладающего резистивным переключением, используют нестехиометричные бинарные оксиды переходных металлов или их легированные соединения. В качестве материала буферного слоя используют оксиды с высокой диэлектрической проницаемостью. В качестве материала электродов используют металлы или полупроводники с низким удельным сопротивлением.A known element of non-volatile memory using transition metal oxides as a layer having a resistive switching located between two electrodes. The memory element consists of two electrodes, a buffer insulating layer and a layer with resistive switching. The buffer insulation layer and the resistive switching layer are made of binary oxides using low-temperature (less than 350 ° C) vacuum deposition methods. Non-stoichiometric transition metal binary oxides or their doped compounds are used as the material of the layer with resistive switching. As the material of the buffer layer, oxides with a high dielectric constant are used. As the material of the electrodes, metals or semiconductors with low resistivity are used.
Способ получения энергонезависимого элемента памяти согласно патенту RU 2468471 C1, МПК H01L 21/8239. опубликован 21.11.2012.A method of obtaining a non-volatile memory element according to patent RU 2468471 C1, IPC H01L 21/8239. published on November 21, 2012.
1. На подложку методами вакуумного напыления наносится нижний электрод, состоящий из металла или полупроводника с низким удельным сопротивлением.1. A lower electrode consisting of a metal or a semiconductor with low resistivity is applied to the substrate by vacuum deposition methods.
2. На нижние электроды наносится буферный слой, состоящий из оксидов с высокой диэлектрической проницаемостью.2. A buffer layer consisting of oxides with high dielectric constant is applied to the lower electrodes.
3. Далее наносится слой, обладающий резистивным переключением, состоящий из нестехиометричных бинарных оксидов переходных металлов или их легированных соединений.3. Next, a layer having a resistive switching is applied, consisting of non-stoichiometric binary transition metal oxides or their alloyed compounds.
4. На слой, обладающий резистивным переключением, наносится верхний электрод.4. On the layer with resistive switching, the upper electrode is applied.
Известен элемент резистивной памяти с использованием органического слоя. Органическое устройство памяти переключается между высокоимпедансным состоянием и состоянием с низким импедансом и состоит из двух органических слоев, двух диэлектрических слоев, проводящего слоя и двух электродов.A known element of resistive memory using an organic layer. The organic memory device switches between a high impedance state and a low impedance state and consists of two organic layers, two dielectric layers, a conductive layer and two electrodes.
Способ изготовления органических ячеек бистабильной памяти, согласно патенту US 20050274943 A1, МПК G11C 11/36, H01L 27/10, G11C 13/02, опубликован 15.12.2005, включает стадии:A method of manufacturing organic bistable memory cells, according to the patent US 20050274943 A1, IPC G11C 11/36, H01L 27/10, G11C 13/02, published December 15, 2005, includes the steps of:
1 - формирование первого электрода;1 - formation of the first electrode;
2 - формирование первого органического слоя над первым электродом;2 - the formation of the first organic layer above the first electrode;
3 - формирования первого слоя диэлектрика над первым органическим слоем, проводящего слоя и второго слоя диэлектрика;3 - forming the first dielectric layer above the first organic layer, the conductive layer and the second dielectric layer;
4 - формирование второго органического слоя над вторым слоем диэлектрика;4 - formation of a second organic layer above the second dielectric layer;
5 - формирование второго электрода над вторым органическим слоем.5 - formation of a second electrode above the second organic layer.
Основным недостатком данных способов создания многослойных элементов резистивной памяти является сложный многоступенчатый технологический процесс, требующий большого затрата времени при производстве.The main disadvantage of these methods of creating multilayer elements of resistive memory is a complex multistage process that requires a lot of time in production.
Наиболее близким к предлагаемому способу и принятым за прототип является способ получения материала с переключением сопротивления в полимерных пленках с включенными в нее наночастицами серебра, с возможностью использования такой структуры в качестве ячейки резистивной памяти [A. Kiesow. J.E. Morris, C. Radehaus, A. Heilmann, Switching behavior of plasma polymer films containing silver nanoparticles (Поведение переключения сопротивления полимерных пленок, полученные методом плазменной полимеризации и содержащих серебреные наночастицы,), JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME 94, NUMBER 10, 15 NOVEMBER 2003]. Способ заключается в одновременном напылении пленок серебра и плазменной полимеризации мономеров в виде многослойной структуры на кварцевую подложку с заранее приготовленными платиновыми электродами. В плазменном реакторе производилась плазменная полимеризация, использовались гексаметилдисилазан (HMDSN) и бензол. Серебреные пленки напылялись с различным фактором покрытия поверхности fa от 0,39 до 0,89. Несмотря на то, что структура является многослойной, частицы серебра находятся в одной плоскости в поперечном сечении. Было определено три различных типа структуры серебреных пленок в зависимости от их электрических свойств при различных факторов покрытия поверхности fa: металлическая (fa≥0,83), диэлектрическая (fa≤0,75) и на пороге перколяции (fa=0,78). Обнаружено, что при факторе покрытия fa=0.78, при подаче порогового напряжения (около 1 B) сопротивление пленки уменьшается на 6 порядков. При уменьшении напряжения до 0,4 В структура переходит обратно в высокоомное состояние. Недостатками этого способа являются: сложный процесс изготовления, включающий плазменную полимеризацию и требующий дорогостоящего оборудования; сложность контроля фактора покрытия поверхности для получения нужной структуры металлических пленок.Closest to the proposed method and adopted as a prototype is a method for producing a material with switching resistance in polymer films with silver nanoparticles included in it, with the possibility of using such a structure as a resistive memory cell [A. Kiesow. JE Morris, C. Radehaus, A. Heilmann, Switching behavior of plasma polymer films containing silver nanoparticles (JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME 94, NUMBER 10, 15 NOVEMBER 2003]. The method consists in simultaneously sputtering silver films and plasma polymerization of monomers in the form of a multilayer structure on a quartz substrate with pre-prepared platinum electrodes. Plasma polymerization was carried out in a plasma reactor using hexamethyldisilazane (HMDSN) and benzene. Silver films were sprayed with various surface coverage factors f a from 0.39 to 0.89. Despite the fact that the structure is multilayer, silver particles are in the same plane in cross section. Three different types of structure of silver films were determined depending on their electrical properties for various surface coating factors f a : metal (f a ≥ 0.83), dielectric (f a ≤ 0.75) and percolation threshold (f a = 0 , 78). It was found that with the coating factor f a = 0.78, when a threshold voltage is applied (about 1 V), the film resistance decreases by 6 orders of magnitude. When the voltage is reduced to 0.4 V, the structure goes back to the high-resistance state. The disadvantages of this method are: a complex manufacturing process, including plasma polymerization and requiring expensive equipment; the difficulty of controlling the surface coating factor to obtain the desired structure of metal films.
Задачей предлагаемого изобретения является создание поверхностных наноструктур, обладающих резистивным переключением без буферных слоев других материалов.The objective of the invention is the creation of surface nanostructures with resistive switching without buffer layers of other materials.
Поставленная задача решается достижением технического результата, заключающегося в реализации контроля готовности изделия во время его изготовления без измерения фактора покрытия поверхности, что позволяет упростить изготовление резистивного элемента памяти и увеличить производительность.The problem is solved by achieving a technical result, which consists in monitoring the product’s readiness during its manufacture without measuring the surface coating factor, which simplifies the manufacture of a resistive memory element and increases productivity.
Данный технический результат достигается тем, что в способе получения резистивного элемента памяти, заключающемся в создании проводящих электродов на непроводящей подложке и напылении в вакууме в зазор между электродами металлической пленки, согласно изобретению напыление производится с одновременным контролем сопротивления пленки, причем напыление останавливают при уменьшении сопротивления до 10÷500 кОм, а затем производят термический отжиг пленки при температуре 90÷200°C с одновременным контролем ее сопротивления при напряжении не более 1 B, причем отжиг прекращают при резком увеличении сопротивления более чем в 106 раз.This technical result is achieved by the fact that in the method of producing a resistive memory element, which consists in creating conductive electrodes on a non-conductive substrate and spraying in a vacuum into the gap between the electrodes of a metal film, according to the invention, the deposition is performed while monitoring the resistance of the film, and the deposition is stopped when the resistance decreases to 10 ÷ 500 kΩ, and then thermal annealing of the film is performed at a temperature of 90 ÷ 200 ° C with simultaneous control of its resistance at a voltage of not greater than 1 B, wherein annealing is stopped at a sharp increase in resistance over 10 6 times.
Основным отличием от прототипа является простота получения материала для резистивной ячейки памяти, а также возможность изменения параметров переключения сопротивления не только за счет изменения толщины пленки (количества материала), но также и за счет изменения температуры и/или времени термической обработки благодаря контролю сопротивления пленки.The main difference from the prototype is the simplicity of obtaining material for a resistive memory cell, as well as the ability to change resistance switching parameters not only by changing the film thickness (amount of material), but also by changing the temperature and / or heat treatment time due to the control of the film resistance.
Данный способ основан на принципе самоорганизации тонких металлических пленок при напылении и последующем термическом воздействии. При вакуумном напылении металлических пленок на диэлектрические подложки вначале, обычно, образуются гранулированные пленки, которые по мере накопления материала на поверхности превращаются в сплошные. Появление непрерывного металлического пути между электродами, отстоящими друг от друга на макроскопическое расстояние, происходит задолго до формирования сплошной пленки и называется перколяционным переходом. После перколяционного перехода электрические свойства пленки становятся подобными свойствам сплошного металла с характерным сопротивлением от нескольких десятков Ом до нескольких сотен кОм. При отжиге таких пленок из-за диффузии атомов происходит перераспределение металла по поверхности подложки с возникновением отдельных металлических наночастиц. Если остановить отжиг, когда расстояние между частицами еще очень мало по сравнению с их размерами, то металлическая пленка приобретает следующие электрические свойства: проводимость отожженной пленки значительно меньше изначальной пленки и может отличаться на 9÷12 порядков, в зависимости от расстояния между наночастицами, которое увеличивается со временем прогрева; воздействие электрического поля вызывает скапливание заряда в наночастицах в местах разрыва пленки, и, как следствие, возникают поля, способные деформировать частицы, что приводит к их слипанию. Это проявляется как резкое падение сопротивления. При снятии электрического поля структура либо возвращается в высокоомное состояние, либо остается в низкоомном, в зависимости от толщины пленки.This method is based on the principle of self-organization of thin metal films during sputtering and subsequent thermal exposure. During the vacuum deposition of metal films on dielectric substrates, at first, usually granular films are formed, which, as the material accumulates on the surface, turn into continuous films. The appearance of a continuous metal path between electrodes that are macroscopic spaced apart long before the formation of a continuous film and is called the percolation transition. After the percolation transition, the electrical properties of the film become similar to the properties of a continuous metal with a characteristic resistance of several tens of ohms to several hundreds of ohms. Upon annealing of such films due to atomic diffusion, the metal redistributes over the substrate surface with the appearance of individual metal nanoparticles. If annealing is stopped when the distance between the particles is still very small compared to their sizes, then the metal film acquires the following electrical properties: the conductivity of the annealed film is much smaller than the initial film and can differ by 9–12 orders of magnitude, depending on the distance between nanoparticles, which increases over time; the effect of an electric field causes the accumulation of charge in the nanoparticles in the places where the film ruptures, and, as a result, fields appear that can deform the particles, which leads to their adhesion. This manifests itself as a sharp drop in resistance. When the electric field is removed, the structure either returns to a high-resistance state or remains in a low-resistance state, depending on the film thickness.
Пример конкретной реализации способа.An example of a specific implementation of the method.
Сущность способа поясняется фигурами.The essence of the method is illustrated by figures.
На фиг.1 представлена возможная схема устройства элемента резистивной памяти, состоящего из сапфировой подложки 1, на которую напыляются в вакууме через маску серебреные электроды 2 шириной 20 мм и расстоянием между электродами 4 мм. Гранулированная пленка серебра 3 напыляется в зазор между электродами в вакууме. Во время напыления контролируются скорость напыления, толщина пленки и ее сопротивление. После напыления пленка подвергается термической обработке с одновременным контролем сопротивления, причем термическую обработку прекращают при резком скачке сопротивления.Figure 1 presents a possible diagram of a resistive memory element device consisting of a
На фиг.2 представлена зависимость изменения сопротивления во времени пленки толщиной 115 Å. напыленной со скоростью 0,6 Å/с при термическом отжиге при температуре 120°C.Figure 2 presents the dependence of the change in resistance over time of a film with a thickness of 115 Å. sprayed at a rate of 0.6 Å / s during thermal annealing at a temperature of 120 ° C.
На фиг.3 представлен график, иллюстрирующий характеристики изменения сопротивления пленки толщиной 115 Å, напыленной со скоростью 0,6 Å/с и прогретой в течение 60 минут при температуре 120°С, при увеличении и уменьшении напряжения.Figure 3 presents a graph illustrating the characteristics of changes in the resistance of a film with a thickness of 115 Å, sprayed at a speed of 0.6 Å / s and heated for 60 minutes at a temperature of 120 ° C, with increasing and decreasing voltage.
На фиг.4 представлен график, иллюстрирующий характеристики изменения сопротивления пленки толщиной 50 Å. напыленной со скоростью 1 Å/с и прогретой в течение 100 минут при температуре 90°C, при увеличении и уменьшении напряжения.Figure 4 presents a graph illustrating the characteristics of changes in resistance of a film with a thickness of 50 Å. sprayed at a speed of 1 Å / s and heated for 100 minutes at a temperature of 90 ° C, with increasing and decreasing voltage.
В качестве примеров рассмотрим формирование энергонезависимого резистивного элемента памяти и резистивного элемента памяти, требующего постоянного питания.As examples, consider the formation of a non-volatile resistive memory element and a resistive memory element requiring constant power.
Для формирования энергонезависимого резистивного элемента памяти подложку из сапфира с заранее приготовленными серебреными электродами, напыленными в вакууме через маску, помещают в вакуумную камеру с источником атомов серебра. В вакуумной камере путем откачки создают разрежение не хуже 5·10-7 торр. Источник атомов серебра ориентируют в сторону сапфировой подложки. В процессе напыления контролируются скорость напыления серебра, толщина пленки и электрические свойства (сопротивление) пленки. Скорость напыления выбирают равной 0,6 Å/с. Напыление останавливают при уменьшении сопротивления до 200 кОм, при этом количество напыленного материала соответствует сплошной пленке толщиной 115 Å. При данных параметрах напыления образуется гранулированная пленка, обладающая металлическим типом проводимости. После напыления сопротивление пленки продолжает изменяться и через 24 часа составляет 150 Ом. Затем пленка подвергается термическому отжигу при температуре 120°С с одновременным контролем ее сопротивления при напряжении 1 В. Отжиг останавливают при резком увеличении сопротивления более чем в 106 раз (Фиг.2). Экспериментальные результаты показывают, что время термической обработки можно уменьшить при больших температурах.To form a non-volatile resistive memory element, a sapphire substrate with pre-prepared silver electrodes sprayed in a vacuum through a mask is placed in a vacuum chamber with a source of silver atoms. In a vacuum chamber by pumping, a vacuum is created no worse than 5 · 10 -7 torr. The source of silver atoms is oriented towards the sapphire substrate. In the process of spraying, the silver deposition rate, film thickness and electrical properties (resistance) of the film are controlled. The deposition rate is chosen equal to 0.6 Å / s. Spraying is stopped when the resistance decreases to 200 kΩ, while the amount of sprayed material corresponds to a continuous film 115 Å thick. With these spraying parameters, a granular film is formed with a metallic type of conductivity. After spraying, the film resistance continues to change and after 24 hours is 150 ohms. Then the film is subjected to thermal annealing at a temperature of 120 ° C with simultaneous control of its resistance at a voltage of 1 V. Annealing is stopped with a sharp increase in resistance by more than 10 6 times (Figure 2). Experimental results show that the heat treatment time can be reduced at high temperatures.
После прогрева пленка приобретает свойство резистивного переключения (Фиг.3) и ее можно использовать как энергонезависимую ячейку памяти. При напряжениях ниже порогового сопротивление пленки составляет 1012÷1013 Ом. При подаче порогового напряжения 7 В сопротивление пленки резко уменьшается до значений 140 кОм. Дальнейшее увеличение напряжение приводит к незначительному падению сопротивления. При понижении напряжения вольт-амперная характеристика системы имеет омический характер с сопротивлением 24 кОм. После снятия напряжения пленка остается в низкоомном состоянии, ее можно перевести в высокоомное состоянии тепловым воздействием, например кратковременным прогревом в течение 5÷15 минут при 100°C или лазерным облучением.After warming up, the film acquires the property of resistive switching (Figure 3) and it can be used as a non-volatile memory cell. At voltages below the threshold, the film resistance is 10 12 ÷ 10 13 Ohms. When a threshold voltage of 7 V is applied, the film resistance sharply decreases to 140 kOhm. A further increase in voltage leads to a slight drop in resistance. With a decrease in voltage, the current-voltage characteristic of the system has an ohmic character with a resistance of 24 kOhm. After the voltage is removed, the film remains in a low-resistance state, it can be converted to a high-resistance state by thermal action, for example, short-term heating for 5-15 minutes at 100 ° C or by laser irradiation.
Для формирования резистивного элемента памяти, требующего постоянного питания, подложку из сапфира с заранее приготовленными серебреными электродами, напыленными в вакууме через маску, помещают в вакуумную камеру с источником атомов серебра. В вакуумной камере путем откачки создают разрежение не хуже 5·10-7 торр. Источник атомов серебра ориентируют в сторону сапфировой подложки. В процессе напыления контролируются скорость напыления серебра, толщина пленки и электрические свойства (сопротивление) пленки. Скорость напыления выбирают равной 1 Å/с. Напыление останавливают при уменьшении сопротивления до 500 кОм, при этом количество напыленного материала соответствует сплошной пленке толщиной 50 Å. При данных параметрах напыления образуется гранулированная пленка, обладающая металлическим типом проводимости. Через 24 часа после напыления сопротивление пленки составляет 20 Ом. Затем пленка подвергается термическому отжигу при температуре 90°C с одновременным контролем ее сопротивления при напряжении 1 В. Отжиг останавливают при резком увеличении сопротивления более чем в 106 раз (Фиг.2). Экспериментальные результаты показывают, что время термической обработки можно уменьшить при больших температурах.To form a resistive memory element that requires constant power, a sapphire substrate with pre-prepared silver electrodes sprayed in vacuum through a mask is placed in a vacuum chamber with a source of silver atoms. In a vacuum chamber by pumping, a vacuum is created no worse than 5 · 10 -7 torr. The source of silver atoms is oriented towards the sapphire substrate. In the process of spraying, the silver deposition rate, film thickness and electrical properties (resistance) of the film are controlled. The deposition rate is chosen equal to 1 Å / s. Spraying is stopped when the resistance decreases to 500 kOhm, while the amount of sprayed material corresponds to a continuous film with a thickness of 50 Å. With these spraying parameters, a granular film is formed with a metallic type of conductivity. 24 hours after spraying, the film resistance is 20 ohms. Then the film is subjected to thermal annealing at a temperature of 90 ° C with simultaneous control of its resistance at a voltage of 1 V. Annealing is stopped with a sharp increase in resistance by more than 10 6 times (Figure 2). Experimental results show that the heat treatment time can be reduced at high temperatures.
После прогрева пленка приобретает свойство резистивного переключения (Фиг.4) и ее можно использовать как ячейку памяти, требующую постоянного питания. При напряжении ниже порогового пленка имеет высокое сопротивление 1,5·1012 Ом. При подаче порогового напряжения 7 В сопротивление пленки резко уменьшается до значений 160 кОм. Дальнейшее увеличение напряжения незначительно уменьшает сопротивление пленки. При понижении напряжения вольт-амперная характеристика пленки имеет омический характер с сопротивлением 16 кОм. При напряжении 0,1 B пленка возвращается в исходное высокоомное состояние.After heating, the film acquires the property of resistive switching (Figure 4) and it can be used as a memory cell that requires constant power. At a voltage below the threshold film has a high resistance of 1.5 · 10 12 Ohms. When a threshold voltage of 7 V is applied, the film resistance sharply decreases to values of 160 kOhm. A further increase in voltage slightly reduces the resistance of the film. With a decrease in voltage, the current – voltage characteristic of the film has an ohmic character with a resistance of 16 kΩ. At a voltage of 0.1 V, the film returns to its original high-resistance state.
Реализация способа для данных резистивных элементов памяти осуществляется при применении следующего оборудования:The implementation of the method for these resistive memory elements is carried out using the following equipment:
1 - вакуумная напылительная камера Kurt J. Lesker company - PVD 75, с возможностью контроля скорости напыления, толщины пленки, температуры нагрева подложки и электрических свойств пленки непосредственно во время напыления и нагрева;1 - vacuum spraying chamber Kurt J. Lesker company - PVD 75, with the ability to control the spraying speed, film thickness, substrate heating temperature and electrical properties of the film directly during spraying and heating;
2 - пикоамперметр и источник постоянного тока Keithley - 6487 Picoammeter Voltage Source с разрешением измеряемого тока 10 фА в области напряжений от 0,002 B до 505 B.2 - Keithley 6487 Picoammeter Voltage Source picoammeter and DC source with a resolution of the measured current of 10 fA in the voltage range from 0.002 V to 505 V.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013143780/28A RU2540486C1 (en) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Method of obtainment of resistance storage element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013143780/28A RU2540486C1 (en) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Method of obtainment of resistance storage element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2540486C1 true RU2540486C1 (en) | 2015-02-10 |
Family
ID=53286877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013143780/28A RU2540486C1 (en) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Method of obtainment of resistance storage element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2540486C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2611580C1 (en) * | 2015-11-02 | 2017-02-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) | Method of production of active layer for general-purpose memory on basis of resistive effect |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004241396A (en) * | 2002-02-07 | 2004-08-26 | Sharp Corp | Method for manufacturing resistance varying element, method for manufacturing nonvolatile resistance varying memory device, and nonvolatile resistance varying memory device |
| US6867064B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Method to alter chalcogenide glass for improved switching characteristics |
| US7846807B2 (en) * | 2008-06-19 | 2010-12-07 | Hermes-Epitek Corp. | Method for forming memristor material and electrode structure with memristance |
| US8173989B2 (en) * | 2007-05-30 | 2012-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resistive random access memory device and methods of manufacturing and operating the same |
| RU2468471C1 (en) * | 2011-04-07 | 2012-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет" | Method of obtainment of nonvolatile storage element |
| RU2471264C2 (en) * | 2010-12-14 | 2012-12-27 | Борис Аркадьевич Панфилов | Method to control resistance of solid-state instruments and resistive matrix of memory based on pole-dependent electric mass transfer in silicon |
| RU2472254C1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-01-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (МФТИ) | Memristor based on mixed oxide of metals |
-
2013
- 2013-09-27 RU RU2013143780/28A patent/RU2540486C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004241396A (en) * | 2002-02-07 | 2004-08-26 | Sharp Corp | Method for manufacturing resistance varying element, method for manufacturing nonvolatile resistance varying memory device, and nonvolatile resistance varying memory device |
| US6867064B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Method to alter chalcogenide glass for improved switching characteristics |
| US8173989B2 (en) * | 2007-05-30 | 2012-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resistive random access memory device and methods of manufacturing and operating the same |
| US7846807B2 (en) * | 2008-06-19 | 2010-12-07 | Hermes-Epitek Corp. | Method for forming memristor material and electrode structure with memristance |
| RU2471264C2 (en) * | 2010-12-14 | 2012-12-27 | Борис Аркадьевич Панфилов | Method to control resistance of solid-state instruments and resistive matrix of memory based on pole-dependent electric mass transfer in silicon |
| RU2468471C1 (en) * | 2011-04-07 | 2012-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет" | Method of obtainment of nonvolatile storage element |
| RU2472254C1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-01-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (МФТИ) | Memristor based on mixed oxide of metals |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2611580C1 (en) * | 2015-11-02 | 2017-02-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) | Method of production of active layer for general-purpose memory on basis of resistive effect |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Resistive switching and synaptic behaviors of TaN/Al 2 O 3/ZnO/ITO flexible devices with embedded Ag nanoparticles | |
| US8592791B2 (en) | Electronic devices containing switchably conductive silicon oxides as a switching element and methods for production and use thereof | |
| Nandi et al. | Effect of Electrode Roughness on Electroforming in HfO 2 and Defect-Induced Moderation of Electric-Field Enhancement | |
| EP2729934B1 (en) | Oxide memory resistor including semiconductor nanoparticles | |
| Wu et al. | A novel high-performance and energy-efficient RRAM device with multi-functional conducting nanofilaments | |
| KR101089066B1 (en) | Flexible resistive switching memory device using graphene oxide, and method thereof | |
| Porro et al. | Multiple resistive switching in core–shell ZnO nanowires exhibiting tunable surface states | |
| EP3602561B1 (en) | A switching resistor and method of making such a device | |
| Sarkar et al. | Multilevel resistance state of Cu/La 2 O 3/Pt forming-free switching devices | |
| Huang et al. | Forming-free resistive switching of tunable ZnO films grown by atomic layer deposition | |
| TW201432735A (en) | Amorphous metal thin-film non-linear resistor | |
| Huang et al. | Resistive switching of Sn-doped In 2 O 3/HfO 2 core–shell nanowire: geometry architecture engineering for nonvolatile memory | |
| Praveen et al. | Top electrode dependent resistive switching in M/ZnO/ITO memristors, M= Al, ITO, Cu, and Au | |
| Wang et al. | Effects of compliance currents on the formation and rupture of conducting filaments in unipolar resistive switching of CoO film | |
| Kumar et al. | Fabrication and Characterization of the ZnO-based Memristor | |
| CN109545960B (en) | Memristor with continuously variable conductance and preparation method and application thereof | |
| Zhao et al. | Reliability improvement of amorphous carbon based resistive switching memory by inserting nanoporous layer | |
| Min et al. | The Effects of Si Doping on the Endurance and Stability Improvement of AlN-Based Resistive Random Access Memory | |
| Liu et al. | Retention mechanism of Cu-doped SiO2-based resistive memory | |
| Bai et al. | Conduction mechanism and impedance analysis of HfOx-based RRAM at different resistive states | |
| Zhang et al. | Effects of stacking sequence and top electrode configuration on switching behaviors in ZnO-HfO2 hybrid resistive memories | |
| RU2540486C1 (en) | Method of obtainment of resistance storage element | |
| Liu et al. | Impact of metal nanocrystal size and distribution on resistive switching parameters of oxide-based resistive random access memories | |
| Sterin et al. | Understanding the coexistence of two bipolar resistive switching modes with opposite polarity in Cu x O (1≤ x≤ 2)-based two-terminal devices | |
| Jasmin et al. | Polymer coated ZnO nanowires for memristive devices |