RU2538931C2 - METHOD OF FORMING HIGH CURRENT-CARRYING CAPACITY YBa2Cu3O7-x FILMS ON GOLD BUFFER UNDERLAYER - Google Patents

METHOD OF FORMING HIGH CURRENT-CARRYING CAPACITY YBa2Cu3O7-x FILMS ON GOLD BUFFER UNDERLAYER Download PDF

Info

Publication number
RU2538931C2
RU2538931C2 RU2013120782/28A RU2013120782A RU2538931C2 RU 2538931 C2 RU2538931 C2 RU 2538931C2 RU 2013120782/28 A RU2013120782/28 A RU 2013120782/28A RU 2013120782 A RU2013120782 A RU 2013120782A RU 2538931 C2 RU2538931 C2 RU 2538931C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gold
substrate
yba
films
target
Prior art date
Application number
RU2013120782/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2013120782A (en
Inventor
Геннадий Михайлович Серопян
Сергей Александрович Сычев
Александр Геннадьевич Петров
Денис Викторович Федосов
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные решения"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные решения" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные решения"
Priority to RU2013120782/28A priority Critical patent/RU2538931C2/en
Publication of RU2013120782A publication Critical patent/RU2013120782A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2538931C2 publication Critical patent/RU2538931C2/en

Links

Images

Abstract

FIELD: chemistry.
SUBSTANCE: in the method of forming high current-carrying capacity YBa2Cu3O7-x films on a gold buffer underlayer, a gold contact pad is formed on a dielectric substrate before depositing YBa2Cu3O7-x films on the dielectric substrate. Targets made of gold and ceramic YBa2Cu3O7 are sputtered using a laser with radiation wavelength of 1.06 mcm, pulse duration of 10-20 ns, pulse repetition frequency of 10 Hz and laser radiation power density of (5-7)·108 W/cm2. The method comprises preheating the gold target and substrate to temperature T=450-500°C, establishing pressure of 0.1-0.5 Pa, sputtering the gold target onto the substrate through a screen, placed 0.3-0.5 mm from the substrate, heating the YBa2Cu3O7 target to T=600-700°C, heating the substrate to 800-840°C, establishing pressure of 50-100 Pa and sputtering the YBa2Cu3O7 target onto the formed contact pads to thickness of 50-200 nm to form films with critical temperature of the superconducting junction Ts=88-89 K, width of the superconducting junction ΔTs= 2-3 K and critical current density Jc>105 A/cm2.
EFFECT: obtaining superconducting films with high current-carrying capacity on a gold buffer underlayer, which provide high density of critical supercurrent density.
6 dwg

Description

Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления на золотом буферном подслое сверхпроводящих YBa2Cu3O7-x (YBCO) пленок. Необходимость создания надежных контактных площадок к сверхпроводящим пленкам обусловлена возможностью изготовления из них элементов сверхпроводниковой электроники.The invention relates to methods for forming, by laser spraying on a gold buffer sublayer, superconducting YBa 2 Cu 3 O 7-x (YBCO) films. The need to create reliable contact pads for superconducting films is due to the possibility of manufacturing elements of superconducting electronics from them.

В настоящее время существуют различные способы формирования контактных площадок к тонким YBCO пленкам для электрической связи тонкопленочных элементов сверхпроводниковой электроники с электронной навеской. Традиционно металлические контактные площадки к YBCO пленкам наносятся поверх пленок [1, 2]. Такая технология изготовления контактных площадок имеет существенный недостаток, состоящий в том, что при нанесении контактных площадок YBCO пленка подвергается температурному воздействию в условиях вакуума, приводящему к кислородному обеднению материала пленки и разрушению сверхпроводимости приповерхностной области, связанному с образованием слоев ВаО и ВаСО3, являющихся диэлектриками. Для поддержания оптимального значения кислородного индекса применяется, например, плазменное травление поверхности YBCO непосредственно перед нанесением металла с целью удаления деградированного слоя. После нанесения контактных площадок образцы подвергаются дополнительному термоотжигу в атмосфере кислорода. Несмотря на хорошие результаты, достигнутые с применением ионно-плазменной очистки поверхности, такая очистка сопровождается разрушением сверхпроводимости в приповерхностном слое толщиной несколько нанометров из-за разрыва Cu-O связей и диффузии кислорода. Более эффективный метод очистки - катодное распыление поверхности - также не приводит к полному удалению деградированного слоя. Для изготовления контактных площадок к YBCO материалам подходят металлы, у которых энергия связи меньше, чем у Cu-O. К таким металлам относятся: Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt, Au, Hg. Другие металлы активно взаимодействуют с материалом YBCO, образуя плохопроводящие или непроводящие слои. Все применяемые контактные материалы можно подразделить на следующие группы: благородные металлы и их сплавы (серебро, золото, металлы платиновой группы и сплавы на их основе), неблагородные металлы и сплавы на их основе, металлокерамические композиции [3]. Для малонагруженных контактов применяют золото, родий, палладий, платину и их сплавы; для средненагруженных - палладий, платину, серебро, вольфрам, никель и их сплавы; для высоконагруженных - серебро, вольфрам, никель, медь, их сплавы и металлокерамические композиции, а также ртуть и графит. При малых контактных нагрузках и коммутировании малых токов условия работы контактов очень сложны, и им удовлетворяют только сплавы на основе платины, палладия и золота. Золото обладает высокими электро- и теплопроводностью, устойчивостью против коррозии, не окисляется и не образует окисных пленок, имеет низкое и стабильное переходное сопротивление в различных атмосферных условиях при нормальной, повышенной и пониженной температурах.Currently, there are various methods of forming contact pads for thin YBCO films for the electrical connection of thin-film elements of superconducting electronics with an electronic sample. Traditionally, metal contact pads for YBCO films are applied over the films [1, 2]. This technology for the manufacture of contact pads has a significant drawback, namely, that when applying the YBCO contact pads, the film is exposed to temperature under vacuum conditions, which leads to oxygen depletion of the film material and destruction of the superconductivity of the surface region associated with the formation of BaO and BaCO 3 layers, which are dielectrics . To maintain an optimal oxygen index value, for example, plasma etching of the YBCO surface is used immediately before applying the metal in order to remove the degraded layer. After applying the contact pads, the samples are subjected to additional thermal annealing in an oxygen atmosphere. Despite the good results achieved using ion-plasma surface cleaning, such cleaning is accompanied by the destruction of superconductivity in the surface layer a few nanometers thick due to breaking of Cu-O bonds and diffusion of oxygen. A more effective cleaning method — cathodic surface spraying — also does not completely remove the degraded layer. For the manufacture of contact pads for YBCO materials, metals are suitable for which the binding energy is lower than that of Cu-O. Such metals include: Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt, Au, Hg. Other metals actively interact with the YBCO material, forming poorly conductive or non-conductive layers. All contact materials used can be divided into the following groups: noble metals and their alloys (silver, gold, platinum group metals and alloys based on them), base metals and alloys based on them, cermet compositions [3]. For lightly loaded contacts, gold, rhodium, palladium, platinum and their alloys are used; for moderately loaded ones - palladium, platinum, silver, tungsten, nickel and their alloys; for highly loaded ones - silver, tungsten, nickel, copper, their alloys and cermet compositions, as well as mercury and graphite. At low contact loads and switching low currents, the working conditions of the contacts are very complex, and they are satisfied only with alloys based on platinum, palladium and gold. Gold has high electrical and thermal conductivity, corrosion resistance, does not oxidize and does not form oxide films, has a low and stable transition resistance in various atmospheric conditions at normal, elevated and low temperatures.

Известен способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки на поверхности металлической подложки [4], в котором на поверхности серебра, золота или платины формируется буферная пленка, содержащая висмут, свинец, медь и комбинацию щелочноземельного кальция со стронцием и 0-10% бария, впоследствии термически превращаемого в сверхпроводящую тонкую пленку. Способ достаточно сложен технологически, так как предусматривает большое количество операций и не обеспечивает получения сверхпроводников с высоким значением плотности критического тока.A known method of forming a superconducting thin film on the surface of a metal substrate [4], in which a buffer film is formed on the surface of silver, gold or platinum containing bismuth, lead, copper and a combination of alkaline earth calcium with strontium and 0-10% barium, which is subsequently thermally converted to superconducting thin film. The method is quite complicated technologically, as it involves a large number of operations and does not provide superconductors with a high critical current density.

Известен способ формирования сверхпроводящих тонких пленок [5] на металлической подложке путем магнетронного распыления оксидного соединения, в котором подложку и мишень располагают в вакуумной камере параллельно друг другу с возможным перемещением одной относительно другой. Способ позволяет получить сверхпроводящее пленочное покрытие, но с малым значением критического тока.A known method of forming superconducting thin films [5] on a metal substrate by magnetron sputtering of an oxide compound, in which the substrate and the target are placed in a vacuum chamber parallel to each other with the possibility of moving one relative to the other. The method allows to obtain a superconducting film coating, but with a small critical current value.

Наиболее близким к заявляемому является способ формирования сверхпроводящих тонких пленок YBCO на золотой или платиновой контактной площадке [6], в котором для обеспечения лучшего контакта при включении сверхпроводникового устройства в электрическую схему и сохранения сверхпроводящих свойств сверхпроводящие электроды напыляются поверх подслоя из золота или платины. Основными недостатками данного способа являются следующие: 1) золотые или платиновые контактные площадки наносятся на диэлектрическую подложку термическим напылением при температуре 1700-1800°C, что не обеспечивает необходимой адгезии золотой или платиновой пленки с диэлектрической подложкой; 2) сверхпроводящие транспортные свойства YBCO пленок на границе металл-сверхпроводник подавлены и плотность критического тока не превышает 103 А/см2, что приводит к относительно быстрой деградации сверхпроводящих свойств при хранении и эксплуатации сверхпроводящих датчиков из-за формирования несверхпроводящих межзеренных прослоек в материале YBCO пленки.Closest to the claimed is a method of forming superconducting thin films of YBCO on a gold or platinum contact pad [6], in which to ensure better contact when the superconducting device is included in the electrical circuit and maintain the superconducting properties, the superconducting electrodes are sprayed over a sublayer of gold or platinum. The main disadvantages of this method are the following: 1) gold or platinum pads are applied to the dielectric substrate by thermal spraying at a temperature of 1700-1800 ° C, which does not provide the necessary adhesion of a gold or platinum film with a dielectric substrate; 2) the superconducting transport properties of YBCO films at the metal-superconductor interface are suppressed and the critical current density does not exceed 10 3 A / cm 2 , which leads to relatively rapid degradation of superconducting properties during storage and operation of superconducting sensors due to the formation of non-superconducting intergranular interlayers in the YBCO material films.

Задачей настоящего изобретения является разработка способа формирования методом лазерной абляции на золотом буферном подслое сверхпроводящих тонких YBCO пленок с высокими токонесущими свойствами, обеспечивающими значения плотности сверхпроводящего критического тока не ниже 105 А/см2, характерное для качественных межзеренных прослоек в материале YBCO пленки. Повышение качества межзеренных прослоек в свою очередь повышает устойчивость системы сверхпроводник-золото к деградации. Кроме того, данный способ позволяет формировать золотую контактную площадку толщиной до 500 нм, что достаточно для надежной сварки внешних электродов.The objective of the present invention is to develop a method for forming by method of laser ablation on a gold buffer sublayer superconducting thin YBCO films with high current-carrying properties, providing a density of superconducting critical current of not less than 10 5 A / cm 2 characteristic of high-quality intergranular interlayers in the material of YBCO film. Improving the quality of intergranular layers in turn increases the stability of the superconductor-gold system to degradation. In addition, this method allows the formation of a gold contact pad with a thickness of up to 500 nm, which is sufficient for reliable welding of external electrodes.

Указанный технический результат достигается тем, что золотая контактная площадка формируется на диэлектрической подложке (например, SiTiO3, LaAlO3 и др.) методом лазерного напыления с использованием специальной нихромовой маски, плотность прилегания которой к диэлектрической подложке регулируется дополнительной тонкой нихромовой пластиной толщиной d=0,3-0,5 мм, как показано на фиг.1. Зазор между маской и подложкой позволяет формировать золотую пленку переменной толщины, как показано на фиг.2. В области тени наблюдается резкий спад толщины золотой пленки от 500 до 50 нм, как показано на фиг.3, а далее на расстояниях несколько сот микрометров происходит плавное падение толщины золотой пленки от 50 нм до нуля. Ширина этого тонкого участка варьируется степенью прилегания маски. Далее на подложке с золотой пленкой методом лазерного напыления выращивается сверхпроводящая YBCO пленка для формирования системы YBCO/Au/подложка с применением другой нихромовой маски, закрывающей на золотой пленке места будущих контактных площадок, как показано на фиг.4. На тонких участках золотой пленки толщиной 0-50 нм формируется сверхпроводящая пленка толщиной 50-200 нм, имеющая достаточно высокие сверхпроводящие параметры: критическая температура сверхпроводящего перехода Tc≈88-89 K, ширина сверхпроводящего перехода ΔT≈2-3 K, плотность критического тока Jc≈105 А/см2. Удельное электрическое сопротивление контакта не превышает удельное сопротивление золотой пленки и составляет значение порядка 10-10 Ом·см2. На фиг.5 представлены микрофотографии зарождения на тонкой золотой пленке островков YBCO пленки (а), их слияние (б) и дальнейший рост сплошной YBCO пленки (в). По мнению авторов высокие значения сверхпроводящих параметров, в особенности плотности критического тока, указывают на эпитаксиальный рост YBCO пленки на золотой пленке, что, в свою очередь, является следствием эффекта дальнодействия (способность монокристаллических подложек влиять на ориентацию тонких пленок через буферные слои различных веществ). Причиной дальнодействия при данных значениях толщины буферной золотой пленки могут служить упругие напряжения между подложкой и буферным слоем [7], образуя упругонапряженные области с определенным распределением упругой энергии, в том числе с изменением плотности упругой энергии в зависимости от угла ориентации. Для примера, на фиг.6. представлена фотография YBCO пленки с золотыми контактными площадками.The indicated technical result is achieved by the fact that a gold contact pad is formed on a dielectric substrate (for example, SiTiO 3 , LaAlO 3 , etc.) by laser spraying using a special nichrome mask, the adherence of which to the dielectric substrate is controlled by an additional thin nichrome plate with thickness d = 0 3-0.5 mm, as shown in figure 1. The gap between the mask and the substrate allows you to form a gold film of variable thickness, as shown in figure 2. In the shadow region, a sharp decrease in the thickness of the gold film from 500 to 50 nm is observed, as shown in Fig. 3, and then at a distance of several hundred micrometers a smooth decrease in the thickness of the gold film from 50 nm to zero occurs. The width of this thin section varies with the degree of fit of the mask. Next, a superconducting YBCO film is grown on a substrate with a gold film by laser spraying to form a YBCO / Au / substrate system using another nichrome mask that covers the areas of future contact pads on the gold film, as shown in Fig. 4. A superconducting film with a thickness of 50-200 nm is formed in thin sections of a gold film with a thickness of 0-50 nm and has sufficiently high superconducting parameters: critical temperature of the superconducting transition T c ≈88-89 K, width of the superconducting transition ΔT≈2-3 K, critical current density J c ≈10 5 A / cm 2 . The specific electrical resistance of the contact does not exceed the specific resistance of the gold film and is of the order of 10 -10 Ohm · cm 2 . Figure 5 presents microphotographs of nucleation on a thin gold film of the islands of the YBCO film (a), their fusion (b) and further growth of the continuous YBCO film (c). According to the authors, high values of superconducting parameters, especially the critical current density, indicate the epitaxial growth of the YBCO film on a gold film, which, in turn, is a consequence of the long-range effect (the ability of single-crystal substrates to affect the orientation of thin films through buffer layers of various substances). The reason for the long-range at given values of the thickness of the buffer gold film can be elastic stresses between the substrate and the buffer layer [7], forming elastically stressed regions with a certain distribution of elastic energy, including a change in the density of elastic energy depending on the orientation angle. For example, in Fig.6. The photo of YBCO film with gold pads is presented.

Для осуществления способа использовалась экспериментальная установка с напылительной вакуумной камерой и мощный импульсный лазер Nd:YAG с длиной волны излучения 1,06 мкм, длительностью импульса 10-20 нс и частотой повторения импульсов 10 Гц. Плотность мощности лазерного излучения на поверхности золотой мишени составляет (5-7)·108 Вт/см2. Лазерный луч падает на золотую мишень, пройдя через фокусирующую линзу и кварцевое окно вакуумной камеры. Распыляемый материал золотой мишени осаждается на диэлектрическую подложку через нихромовую маску с требуемой геометрией рисунка. Нихромовая маска фиксируется на расстоянии 0,3-0,5 мм от подложки. Подложка с маской устанавливается на расстоянии 4-6 мм от золотой мишени рабочей поверхностью к мишени. В вакуумной камере устанавливается давление 0,1-0,5 Па, что обеспечивает необходимый размер и форму плазменного факела. Производится нагрев мишени и подложки до температуры 450-500°C. После процесса напыления производится напуск воздуха в вакуумную камеру до нормального атмосферного давления и остывание образца до комнатной температуры. Для напыления сверхпроводящей пленки участки золотой пленки, предназначенные для сварки золотых контактных проволок, закрываются нихромовой маской. При напылении YBCO пленок устанавливаются температура подложки 800-840°C, температура мишени 600-700°C, давления в вакуумной камере 50-100 Па, расстояния мишень-подложка 25-30 мм, плотность мощности лазерного излучения на поверхности YBCO мишени (3-5)·108 Вт/см2. После процесса напыления производится напуск воздуха в вакуумную камеру до нормального атмосферного давления и остывание образца до комнатной температуры при специальном режиме отжига.To implement the method, we used an experimental setup with a vacuum spray chamber and a powerful pulsed Nd: YAG laser with a radiation wavelength of 1.06 μm, a pulse duration of 10–20 ns, and a pulse repetition rate of 10 Hz. The power density of the laser radiation on the surface of the gold target is (5-7) · 10 8 W / cm 2 . A laser beam hits a gold target, passing through a focusing lens and a quartz window of a vacuum chamber. The sprayed material of the gold target is deposited on the dielectric substrate through a nichrome mask with the desired geometry of the pattern. The nichrome mask is fixed at a distance of 0.3-0.5 mm from the substrate. The substrate with the mask is installed at a distance of 4-6 mm from the gold target with the working surface to the target. A pressure of 0.1-0.5 Pa is set in the vacuum chamber, which ensures the necessary size and shape of the plasma torch. The target and substrate are heated to a temperature of 450-500 ° C. After the deposition process, air is let into the vacuum chamber to normal atmospheric pressure and the sample is cooled to room temperature. For the deposition of a superconducting film, sections of the gold film intended for welding gold contact wires are covered with a nichrome mask. When sputtering YBCO films, the substrate temperature is set at 800-840 ° C, the target temperature is 600-700 ° C, the pressure in the vacuum chamber is 50-100 Pa, the target-substrate distance is 25-30 mm, and the laser radiation power density on the surface of the YBCO target (3- 5) · 10 8 W / cm 2 . After the deposition process, air is let into the vacuum chamber to normal atmospheric pressure and the sample is cooled to room temperature with a special annealing mode.

ЛитератураLiterature

1. С.Peroz, С.Villard, D. Buzon and P. Tixador. Current limitation properties of YBCO/Au thin films // Supercond. Sci. Technol. 16 (2003), p.54-59.1. C. Peroz, C. Willard, D. Buzon and P. Tixador. Current limitation properties of YBCO / Au thin films // Supercond. Sci. Technol. 16 (2003), p. 54-59.

2. D. Liu, M. Zhou, X. Wang, H. Suo, T. Zuo, M. Schindl and R. Flukiger. Epitaxial growth of biaxially oriented YBCO films on silver // Supercond. Sci. Technol. 14 (2001), p.806-809.2. D. Liu, M. Zhou, X. Wang, H. Suo, T. Zuo, M. Schindl and R. Flukiger. Epitaxial growth of biaxially oriented YBCO films on silver // Supercond. Sci. Technol. 14 (2001), p.806-809.

3. Пятин Ю.М. Материалы в приборостроении и автоматике. M.: Машиностроение, 1982, 528 с.3. Pyatin Yu.M. Materials in instrumentation and automation. M .: Engineering, 1982, 528 p.

4. Заявка ЕПВ 0490784, кл. H01L 39/24, С 04 В 35/00, 1990.4. Application EPO 0490784, cl. H01L 39/24, C 04 V 35/00, 1990.

5. Заявка ЕПВ 0462906, кл. H01L 39/24, 1990.5. Application EPO 0462906, cl. H01L 39/24, 1990.

6. Патент РФ №2133525 «Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления».6. RF patent No. 2133525 "Superconducting quantum interference sensor and method of its manufacture."

7. В.М. Иевлев, Л.И. Трусов, В.А. Холмянский. Структурные превращения в тонких пленках. M.: Металлургия, 1982, 248 с.7. V.M. Ievlev, L.I. Trusov, V.A. Kholmyansky. Structural transformations in thin films. M .: Metallurgy, 1982, 248 p.

Claims (1)

Способ формирования YBa2Cu3O7-x пленок с высокой токонесущей способностью на золотом буферном подслое, в котором контактные площадки формируют перед нанесением пленок YBa2Cu3O7-x на диэлектрической подложке, отличающийся тем, что для распылении мишеней из золота и керамики YBa2Cu3O7 используется лазер с длиной волны излучения λ=1,06 мкм, длительностью импульса τ=10÷20 нс и частотой повторения импульсов ν=10 Гц, плотностью мощности лазерного излучения P=(5÷7)·108 Вт/см2, при этом предварительно нагревается мишень из золота и подложка до температуры T=450÷500°C, устанавливается давление p=0,1÷0,5 Па, после этого распыляется мишень из золота, расположенная на расстоянии 4÷6 мм до подложки, на подложку через маску, расположенную на расстоянии 0,3÷0,5 мм от подложки и формирующую пленку переменной толщины 0÷500 нм, затем нагревается мишень YBa2Cu3O7 до T=600÷700°C, расположенная на расстоянии 25÷30 мм от подложки, нагревается подложка до температуры T=800÷840°C, устанавливается давление p=50÷100 Па, после чего распыляется мишень YBa2Cu3O7 на сформированные контактные площадки до толщины L=50÷200 нм с образованием пленок с критической температурой сверхпроводящего перехода Tc≈88÷89 K, шириной сверхпроводящего перехода ΔTc 2÷3 K, плотностью критического тока Jc>105 А/см2. A method of forming YBa 2 Cu 3 O 7-x films with high current-carrying ability on a gold buffer sublayer in which contact pads are formed before applying YBa 2 Cu 3 O 7-x films on a dielectric substrate, characterized in that for sputtering gold targets and YBa 2 Cu 3 O 7 ceramics uses a laser with a radiation wavelength λ = 1.06 μm, a pulse duration of τ = 10 ÷ 20 ns and a pulse repetition rate of ν = 10 Hz, a laser radiation power density of P = (5 ÷ 7) · 10 8 W / cm 2 , while the gold target and the substrate are preheated to a temperature T = 450 ÷ 500 ° C, a pressure of p = 0.1 ÷ 0.5 Pa is set, after which a gold target, located at a distance of 4 ÷ 6 mm to the substrate, is sprayed onto the substrate through a mask located at a distance of 0.3 ÷ 0.5 mm from the substrate and the forming film of variable thickness 0 ÷ 500 nm, then the YBa 2 Cu 3 O 7 target is heated to T = 600 ÷ 700 ° C, located at a distance of 25 ÷ 30 mm from the substrate, the substrate is heated to a temperature of T = 800 ÷ 840 ° C, set pressure p = 50 ÷ 100 Pa, after which the sprayed target YBa 2 Cu 3 O 7 formed on the contact pads to a thickness L = 50 ÷ 200 nm to form a film with riticheskoy superconducting transition temperature T c ≈88 ÷ 89 K, the superconducting transition width ΔT c 2 ÷ 3 K, the critical current density J c> 10 5 A / cm 2.
RU2013120782/28A 2013-05-06 2013-05-06 METHOD OF FORMING HIGH CURRENT-CARRYING CAPACITY YBa2Cu3O7-x FILMS ON GOLD BUFFER UNDERLAYER RU2538931C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013120782/28A RU2538931C2 (en) 2013-05-06 2013-05-06 METHOD OF FORMING HIGH CURRENT-CARRYING CAPACITY YBa2Cu3O7-x FILMS ON GOLD BUFFER UNDERLAYER

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013120782/28A RU2538931C2 (en) 2013-05-06 2013-05-06 METHOD OF FORMING HIGH CURRENT-CARRYING CAPACITY YBa2Cu3O7-x FILMS ON GOLD BUFFER UNDERLAYER

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013120782A RU2013120782A (en) 2014-11-20
RU2538931C2 true RU2538931C2 (en) 2015-01-10

Family

ID=53288432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013120782/28A RU2538931C2 (en) 2013-05-06 2013-05-06 METHOD OF FORMING HIGH CURRENT-CARRYING CAPACITY YBa2Cu3O7-x FILMS ON GOLD BUFFER UNDERLAYER

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2538931C2 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0462906A2 (en) * 1990-06-21 1991-12-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process and apparatus for preparing superconducting thin films
EP0490784A2 (en) * 1990-12-07 1992-06-17 Eastman Kodak Company A process of forming a high temperature superconductor on a metal substrate surface
EP0493258A2 (en) * 1990-12-28 1992-07-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Superconducting quantum interference device formed of oxide superconductor thin film
US5367178A (en) * 1991-01-22 1994-11-22 Biomagnetic Technologies, Inc. High-TC microbridge superconductor device utilizing stepped edge-to-edge SNS junction
RU2133525C1 (en) * 1997-10-21 1999-07-20 Омский государственный университет Superconducting quantum interference transmitter and process of its manufacture
US6830776B1 (en) * 2002-02-08 2004-12-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of manufacturing a high temperature superconductor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0462906A2 (en) * 1990-06-21 1991-12-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process and apparatus for preparing superconducting thin films
EP0490784A2 (en) * 1990-12-07 1992-06-17 Eastman Kodak Company A process of forming a high temperature superconductor on a metal substrate surface
EP0493258A2 (en) * 1990-12-28 1992-07-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Superconducting quantum interference device formed of oxide superconductor thin film
US5367178A (en) * 1991-01-22 1994-11-22 Biomagnetic Technologies, Inc. High-TC microbridge superconductor device utilizing stepped edge-to-edge SNS junction
RU2133525C1 (en) * 1997-10-21 1999-07-20 Омский государственный университет Superconducting quantum interference transmitter and process of its manufacture
US6830776B1 (en) * 2002-02-08 2004-12-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of manufacturing a high temperature superconductor

Also Published As

Publication number Publication date
RU2013120782A (en) 2014-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101273431A (en) A method to deposit a coating by sputtering
Ermolov et al. Superconducting MgB 2 films obtained by magnetron sputtering
RU2538932C2 (en) METHOD OF FORMING CONTACT PADS ON YBA2CU3O7-x FILMS
Stritzker et al. Comparison of YBCO-films prepared by laser ablation and sputtering
JP3563832B2 (en) Method for metallizing ferrite using surface reduction
RU2538931C2 (en) METHOD OF FORMING HIGH CURRENT-CARRYING CAPACITY YBa2Cu3O7-x FILMS ON GOLD BUFFER UNDERLAYER
US5291035A (en) Microelectronic superconducting crossover and coil
Haupt et al. Contact resistance measurements recorded at conductive polymer/high-temperature superconductor interfaces
EP0503941A1 (en) Sputtering method for forming superconducting films using water vapor addition
US5187147A (en) Method for producing freestanding high Tc superconducting thin films
RU71476U1 (en) MULTILAYER THIN FILM METALLIZATION
JP5051507B2 (en) Laminated superconducting junction and manufacturing method thereof
Fyk et al. Analysis of the technology to manufacture a high-temperature microstrip superconductive device for theelectromagnetic protection of receivers
Truman et al. Continued improvement of large area, in situ sputter deposition of superconducting YBCO thin films
JP3061634B2 (en) Oxide superconducting tape conductor
RU2189090C2 (en) Method for generating multilayer structures on both sides of substrate
Jia et al. Characterization of the Ag/YBa2Cu3O7− x contact in thin films
WO2008015450A1 (en) Method of forming a passivation layer on a surface of a high-energy radiation detector substrate and a high-energy radiation substrate
JPH04141913A (en) Composite wire of oxide superconductor
EP0384521A1 (en) Method of manufacturing a Josephson junction
Shukla et al. Stability of Laser Annealed Contacts on Barium Titanate
KR100240861B1 (en) Process for depositing high temperature superconducting oxide thin films
JPH05251758A (en) Manufacture of oxide superconductive current limiting conductor
JPH08227743A (en) Metal electrode for oxide superconductor
Jia et al. Low resistance contacts to Y-Ba-Cu-O thin films

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150507