RU2534814C1 - Способ записи изображений - Google Patents

Способ записи изображений Download PDF

Info

Publication number
RU2534814C1
RU2534814C1 RU2013121096/28A RU2013121096A RU2534814C1 RU 2534814 C1 RU2534814 C1 RU 2534814C1 RU 2013121096/28 A RU2013121096/28 A RU 2013121096/28A RU 2013121096 A RU2013121096 A RU 2013121096A RU 2534814 C1 RU2534814 C1 RU 2534814C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
nanodiamond
laser
radiation
image
Prior art date
Application number
RU2013121096/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013121096A (ru
Inventor
Геннадий Михайлович Михеев
Константин Георгиевич Михеев
Татьяна Николаевна Могилева
Алексей Петрович Пузырь
Владимир Станиславович Бондарь
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения РАН filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения РАН
Priority to RU2013121096/28A priority Critical patent/RU2534814C1/ru
Publication of RU2013121096A publication Critical patent/RU2013121096A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2534814C1 publication Critical patent/RU2534814C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Laser Beam Printer (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа записи изображений. Способ включает в себя формирование на подложке светочувствительного слоя из наноалмазной пленки и облучение наноалмазной пленки сфокусированным излучением лазера по заданной программе с целью получения нужного изображения. Изображение на наноалмазной пленке возникает за счет почернения облученных участков пленки в результате превращения наноалмазных частиц в аморфный углерод в поле сфокусированного излучения лазера. Технический результат заключается в упрощении способа записи и уменьшении энергозатрат. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к области записи изображений и может быть использовано в оптическом приборостроении для создания фотошаблонов микросхем, формирования дифракционных оптических элементов, шкал и сеток различных оптических приборов и т.д.
Известен способ записи дифракционных структур за счет селективного испарения непрозрачной металлической пленки, нанесенной на стеклянную подложку, при интерференции двух когерентных мощных пучков лазера [Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Калюжный Д.Г. // Изв. вузов. Приборостроение. 2004. Т. 47. №8. С. 62-66]. Этот способ является модернизацией хорошо известного способа точечного испарения непрозрачной металлической пленки сфокусированным пучком лазера, пригодного для записи изображений различных элементов. Однако при этом можно получить только «негатив» изображения. Кроме того, для локального испарения металлической пленки требуются большие плотности лазерной мощности. Плотность мощности лазерного излучения можно увеличить с помощью короткофокусных объективов. Применение короткофокусных объективов порождает серьезную технологическую проблему, которая заключается в загрязнении объектива частицами испаряющейся металлической пленки.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ записи изображений, заключающийся в следующем [Кирьянов В.П., Никитин В.Г. К вопросу о механизме записи изображений в пленках хрома // Автометрия. 2004. Т. 40. №2. С. 59-68]. На стеклянную подложку в условиях вакуума наносят тонкий, практически прозрачный слой хрома. На слое хрома с помощью сфокусированного луча за счет термофизических процессов формируют скрытое изображение. Далее пленку помещают в селективный травитель, в результате чего необлученные лазером участки хромовой пленки селективно вытравливаются. Таким образом, происходит проявление скрытого изображения, сформированного на стадии экспозиции пленки. Этот способ записи изображений требует применения вакуумно-технологической установки для нанесения тонких пленок на подложку. Для получения скрытого изображения нужны плотности мощности лазерного излучения на уровне (1÷3)·106 Вт/см2, кроме того, для проявления скрытого изображения нужно использовать селективный травитель [Коронкевич В.П., Полещук А.Г., Чурин Е.Г., Орлов Ю.И. // Квантовая электроника. 1985. Т. 12. №4. С. 755-761].
Задачей изобретения является упрощение способа записи изображений.
Задача решается способом, в котором в качестве светочувствительной пленки используют наноалмазную пленку.
Пленку на подложке формируют из наноалмазов детонационного синтеза с модифицированной поверхностью.
Поверх наноалмазной пленки наносят тонкий слой прозрачного материала.
Техническим результатом является упрощение способа записи изображения и уменьшение энергопотребления за счет уменьшения мощности лазера, используемого для записи.
На фиг.1 изображена дифракционная решетка (последовательность параллельных зачерненных линий), полученная на тонкой пленке из наноалмазов детонационного синтеза, нанесенной на стеклянную подложку.
На фиг.2 показано изображение квадрата (140×85 мкм) на тонкой пленке из наноалмазов детонационного синтеза, нанесенной на стеклянную подложку.
На фиг.3 показаны спектры спонтанного комбинационного рассеяния света (СКР) участков наноалмазной пленки до (кривая 1) и после (кривая 2) облучения их излучением гелий-неонового лазера на длине волны 632.8 нм с плотностью мощности 2,5·105 Вт/см2.
Способ записи изображений заключается в следующем. На гладкой подложке формируют тонкую прозрачную или полупрозрачную пленку из наноалмазов. Подложка может быть выполнена из кварцевой, стеклянной пластины, из кремниевой или германиевой пластины. Формирование тонкой наноалмазной пленки на подложке можно осуществлять хорошо известным способом плазмо-химического осаждения или же довольно простым способом путем нанесения суспензии наноалмазов на подложку с последующим высушиванием жидкой фазы. В последнем случае предпочтительно использовать наноалмазы детонационного синтеза с модифицированной поверхностью, позволяющие получать стабильные во времени суспензии в воде или этаноле [Бондарь B.C., Пузырь А.П. // ФТТ. 2004. Т. 46. С. 698-701]. Способ получения наноалмазов детонационного синтеза с модифицированной поверхностью описан в патенте [Пузырь А.П., Бондарь B.C. // Патент РФ на изобретение №2252192, опубликован 20.05.2005, Бюл. №14]. Предварительно до процедуры записи изображений (с целью защиты получаемых изображений от внешнего воздействия) поверх наноалмазной пленки наносят тонкий слой прозрачного материала. Далее подложку с пленкой располагают на двухкоординатном столе. Двухкоординатный стол может быть автоматизирован и работать под управлением компьютера. Лазер устанавливают напротив двухкоординатного стола, и его излучение с помощью объектива фокусируют на поверхность наноалмазной пленки. Нужное изображение, заложенное в памяти компьютера, записывают на наноалмазной пленке путем автоматического сканирования двухкоординатного стола по заданной программе. Запись изображения также возможна путем автоматического сканирования лазерного пучка относительно неподвижной подложки с наноалмазной пленкой. Управление двухкоординатным столом возможно также вручную.
Запись изображения на поверхность пленки происходит в результате взаимодействия лазерного излучения с наноалмазными частицами, которые в процессе воздействия лазера превращаются в наноуглерод с оптической плотностью, значительно превышающей оптическую плотность наноалмаза, т.е. в точке лазерного воздействия наноалмазная пленка становится менее прозрачной. В результате превращения наноалмазных частиц в наноуглерод происходит существенное изменение спектра СКР облученных участков. Необходимо отметить, что снятие спектров СКР производится при мощностях лазерного излучения, значительно меньших мощности, вызывающей необратимое видоизменение наноалмазных частиц. Спектр СКР почерненного участка (кривая 2, фиг.3) имеет четко выраженные два пика с частотными сдвигами, равными 1323 и 1590 см-1. Эти пики соответствуют аморфному углероду и отсутствуют в спектре СКР исходной наноалмазной пленки (кривая 1, фиг.3).
Пример осуществления изобретения
Способ записи изображений по данному изобретению был продемонстрирован на примере записи параллельных и взаимно-перпендикулярных линий на наноалмазной пленке, сформированной на стеклянной подложке (см. фиг.1 и 2). Формирование пленки осуществлялось путем нанесения суспензии наноалмазов на подложку с последующим высушиванием жидкой фазы. Поверх наноалмазной пленки наносился тонкий слой прозрачной пленки из цапонлака. В качестве наноалмазов использовались наноалмазы детонационного синтеза с модифицированной поверхностью. Средний размер наноалмазных частиц составлял 50 нм. Лазерным источником служил гелий-неоновый лазер на длине волны излучения 632.8 нм. Излучение лазера фокусировалось на наноалмазную пленку, расположенную на двухкоординатном столике. Для фокусировки излучения использовались стандартные микрообъективы (10Х NA 0.25, 50Х NA 0.7, 100Х NA 0.9). Мощность излучения лазера на выходе объектива (100Х NA 0.9) находилась на уровне 8,5 мВт, при этом диаметр лазерного пятна на поверхности пленки составлял 2 мкм. В результате плотность мощности в точке воздействия излучения на пленку была не более 2,7·105 Вт/см2. Кратковременное воздействие лазерного излучения на пленку приводило к почернению пленки с образованием непрозрачного диска, имеющего диаметр от 2 до 7 мкм, в зависимости от времени облучения (доли секунд или секунды) и толщины наноалмазной пленки. При ручном непрерывном перемещении исследуемого образца с помощью двухкоординатного стола, например, вдоль оси y на наноалмазной пленке образовывалась непрозрачная линия, толщина которой варьировалась от 1 до 3 мкм в зависимости от скорости движения луча лазера (от 0.4 мм/с до 10 мм/с) по поверхности пленки. Далее можно было «начертить» следующую линию, которая была параллельна первой и располагалась на некотором расстоянии от первой. Таким образом, на наноалмазной пленке можно было получить изображение большого числа параллельных линий, представляющих собой дифракционную решетку (см. фиг.1). Для примера было также получено изображение прямоугольника со сторонами, равными 140 и 85 мкм (см. фиг.2).
Таким образом, при использовании гелий-неонового лазера на длине волны 632.8 нм и ручном сканировании была достигнута плотность записи до 400 линий на один миллиметр. Дальнейшее увеличение плотности записи изображения может быть достигнуто за счет автоматического сканирования с достаточно большой скоростью движения пленки относительно сфокусированного луча, а также применения лазера, например гелий-кадмиевого, с длиной волны 440 или 325 нм, позволяющего получить меньший диаметр сфокусированного пучка. При этом может быть достигнута плотность записи свыше 1000 линий на один миллиметр.

Claims (3)

1. Способ записи изображений, включающий формирование на подложке светочувствительной пленки, экспозиция ее сфокусированным излучением лазера, отличающийся тем, что в качестве светочувствительной пленки используют наноалмазную пленку.
2. Способ записи изображений по п.1, отличающейся тем, что пленку на подложке формируют из наноалмазов детонационного синтеза с модифицированной поверхностью.
3. Способ записи изображений по п.1, отличающийся тем, что поверх наноалмазной пленки наносят тонкий слой прозрачного материала.
RU2013121096/28A 2013-05-07 2013-05-07 Способ записи изображений RU2534814C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013121096/28A RU2534814C1 (ru) 2013-05-07 2013-05-07 Способ записи изображений

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013121096/28A RU2534814C1 (ru) 2013-05-07 2013-05-07 Способ записи изображений

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013121096A RU2013121096A (ru) 2014-11-20
RU2534814C1 true RU2534814C1 (ru) 2014-12-10

Family

ID=53285664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013121096/28A RU2534814C1 (ru) 2013-05-07 2013-05-07 Способ записи изображений

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2534814C1 (ru)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005234019A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Kri Inc 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法
JP3886644B2 (ja) * 1998-04-27 2007-02-28 株式会社シンク・ラボラトリー グラビア印刷版の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3886644B2 (ja) * 1998-04-27 2007-02-28 株式会社シンク・ラボラトリー グラビア印刷版の製造方法
JP2005234019A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Kri Inc 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Кирьянов В.П., Никитин В.Г. "К вопросу о механизме записи изображений в пленках хрома", АВТОМЕТРИЯ, т. 40, N2, 2004, стр.59-68. *

Also Published As

Publication number Publication date
RU2013121096A (ru) 2014-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7542186B2 (en) 3-D holographic recording method and 3-D holographic recording system
US5910256A (en) Method for manufacturing a diffraction type optical element
Poleshchuk et al. Laser technologies in micro-optics. Part 2. Fabrication of elements with a three-dimensional profile
JP2007057622A (ja) 光学素子及びその製造方法、光学素子用形状転写型の製造方法及び光学素子用転写型
CN102866580A (zh) 一种纳米光刻方法及装置
CN1259171C (zh) 飞秒倍频激光直写系统及微加工方法
US20220299685A1 (en) Fabrication of blazed diffractive optics by through-mask oxidation
JP3743782B2 (ja) 微細パターン形成用材料及びそれを用いた微細パターン形成方法
RU2534814C1 (ru) Способ записи изображений
JP2005084617A (ja) 多光子吸収露光方法および装置
JP5026967B2 (ja) 3次元フォトニック結晶の製造方法
JP2006339359A (ja) 微細構造体の製造方法、電子機器
Kondo et al. Three-dimensional recording by femtosecond pulses in polymer materials
RU2568143C1 (ru) Способ записи изображений
Kubicová et al. Structures patterning by non-contact NSOM lithography
Kolbjonoks et al. Chalcogenide thin films as a material for holographic applications
Afanasiev et al. Nanopatterning of the dielectric surface by a pair of femtosecond laser pulses of different colors through a monolayer of microspheres
Poleshchuk et al. Laser Technologies in Micro-Optics. Part 2. Fabrication of Elements with Three-Dimensional Microrelief
JPS6128940A (ja) 微細パタ−ン形成法及びその装置
RU2438153C1 (ru) Устройство экспонирования при формировании наноразмерных структур и способ формирования наноразмерных структур
CN115356896A (zh) 一种基于激光直写一步制备双环形结构的系统及方法
Ganchevskaya et al. Modified method of direct laser writing radially symmetric structures
JPH0456284B2 (ru)
Mekaru et al. Resist-less patterning on SiO 2 by combination of X-ray exposure and vapor HF etching
Kuts et al. Thermochemical laser writing of chromium grayscale masks and their application for fabrication of multilevel diffractive optical elements

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160508