RU2529442C2 - Method of production of dielectric layer of mis structures having effect of conductivity switching - Google Patents
Method of production of dielectric layer of mis structures having effect of conductivity switching Download PDFInfo
- Publication number
- RU2529442C2 RU2529442C2 RU2012129255/28A RU2012129255A RU2529442C2 RU 2529442 C2 RU2529442 C2 RU 2529442C2 RU 2012129255/28 A RU2012129255/28 A RU 2012129255/28A RU 2012129255 A RU2012129255 A RU 2012129255A RU 2529442 C2 RU2529442 C2 RU 2529442C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- effect
- switching
- dielectric layer
- vol
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способу изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости на основе нанокомпозитных пленок из оксинитрида кремния со встроенными наноразмерными кластерами кремния, и может быть использовано при изготовлении ячеек памяти в интегральных БИС и СБИС.The invention relates to the field of micro- and nanoelectronics, and in particular to a method of manufacturing a dielectric layer of MIS structures with the effect of switching conductivity based on nanocomposite films of silicon oxynitride with built-in nanoscale silicon clusters, and can be used in the manufacture of memory cells in integrated LSI and VLSI.
В настоящее время большой интерес проявляется к исследованию структур, обладающих S-образными вольт-амперными характеристиками (ВАХ) при одной полярности приложенного напряжения и N-образными при другой (биполярный эффект переключения проводимости). Таким образом, переключение проводящего состояния структуры происходит в зависимости от полярности приложенного напряжения, превышающего определенный порог. Биполярный эффект переключения проводящего состояния наблюдался в структурах типа проводник - диэлектрик - проводник с различными диэлектриками (широкозонными полупроводниками). В частности, в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, один из контактных электродов к которому был выполнен из серебра (см. Б.Т.Коломиец, Г.А.Андреева, Н.П.Калмыкова, Э.А.Лебедев, И.А.Таксами, В.Х.Шпунт. Приборы и системы управления, 4, 27, 1980), во фториде эрбия (см. Рожков В.А., Шалимова М.Б. ФТП, 27 (03), 438, 1993), оксиде иттербия (см. Байбурин В.Б., Волков Ю.П., Рожков В.А. ПЖТФ, 24 (12), 21, 1998), оксиде титана (см. D.S.Jeong, H.Schroeder, R.Waser. ESL 10, 51. 2007), в полимерах, в том числе в многослойных, с промежуточной тонкой металлической пленкой (см. J.Campbell Scott, Luisa D.Bozano. Adv. Mater. 19, 1452, 2007), представляющей из себя наноразмерные металлические кластеры. В настоящее время проводятся широкие исследования по разработке приборов RRAM и CBRAM, использующих эффект переключения проводимости в оксиде гафния и оксиде тантала (см. M-J.Lee, Ch.B.Lee, D.Lee et al. Nature Materials, 10, 625, 2011), а также в некоторых других структурах.Currently, great interest is shown in the study of structures with S-shaped current-voltage characteristics (I-V) at one polarity of the applied voltage and N-shaped at the other (bipolar effect of switching conductivity). Thus, the switching of the conductive state of the structure occurs depending on the polarity of the applied voltage exceeding a certain threshold. The bipolar effect of the switching of the conducting state was observed in structures of the conductor – insulator – conductor type with various dielectrics (wide-gap semiconductors). In particular, in chalcogenide glassy semiconductors, one of the contact electrodes to which was made of silver (see B.T. Kolomiyets, G.A. Andreeva, N.P. Kalmykova, E.A. Lebedev, I.A. Taksami , V.Kh.Shpunt. Instruments and control systems, 4, 27, 1980), in erbium fluoride (see Rozhkov VA, Shalimova MB FTP, 27 (03), 438, 1993), ytterbium oxide (see Bayburin V.B., Volkov Yu.P., Rozhkov V.A. PZhTF, 24 (12), 21, 1998), titanium oxide (see DSJeong, H. Schroeder, R.Waser. ESL 10 , 51. 2007), in polymers, including multilayer ones, with an intermediate thin metal film (see J. Campbell Scott, Luisa D. Bozano. Adv. Mater. 19, 1452, 2 007), which is a nanoscale metal cluster. Extensive research is currently underway to develop RRAM and CBRAM instruments using the effect of switching conductivity in hafnium oxide and tantalum oxide (see MJ.Lee, Ch.B. Lee, D. Lee et al. Nature Materials, 10, 625, 2011 ), as well as in some other structures.
Известен способ формирования ячейки памяти, обладающей эффектом переключения проводимости со структурой металл - изолятор - металл (МИМ), в которой в качестве изолятора используются тонкие пленки различных окислов толщиной от 10 нм до нескольких микрон, расположенных между двумя металлическими электродами (см. Дирнлей Дж., Стоунхем А., Морган Д. «УФН, 1974, т.112, вып.1, стр.83-127).A known method of forming a memory cell having the effect of switching conductivity with a metal - insulator - metal (MIM) structure, in which thin films of various oxides with a thickness of 10 nm to several microns located between two metal electrodes are used as an insulator (see Dearne J. , Stoneham A., Morgan D. "Physics-Uspekhi, 1974, v. 112,
После изготовления подобной структуры она помещается в вакуум и выполняется формовка, состоящая в подаче на электроды постоянного напряжения амплитудой до 15 В. После этого прибор под действием прикладываемого напряжения проявляет N-образные вольт-амперные характеристики, что позволяет использовать такие приборы в качестве элементов памяти. Установлено, что возможность формовки зависит от состава и давления остаточной атмосферы в вакууме, а сама формовка приводит к образованию в структуре каналов, сходных с каналами пробоя между металлическими электродами. Существенным фактором для получения необходимых вольт- амперных характеристик является проникновение молекул остаточной атмосферы в формируемую структуру. Недостатком такого устройства является низкая воспроизводимость характеристик, что связано с плохой контролируемостью условий проведения операции формовки.After fabricating such a structure, it is placed in a vacuum and molding is performed, which consists in applying a constant voltage of up to 15 V to the electrodes. After that, the device exhibits N-shaped current-voltage characteristics under the influence of the applied voltage, which makes it possible to use such devices as memory elements. It was established that the possibility of forming depends on the composition and pressure of the residual atmosphere in vacuum, and the molding itself leads to the formation in the structure of channels similar to the breakdown channels between metal electrodes. An essential factor for obtaining the required current – voltage characteristics is the penetration of residual atmosphere molecules into the formed structure. The disadvantage of this device is the low reproducibility of characteristics, which is associated with poor controllability of the conditions for the molding operation.
Наиболее близким по совокупности признаков к заявленному (прототип) является способ изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости, в соответствии с которым диэлектрический слой изготавливают путем осаждения кремнийсодержащего композитного материала из смеси моносилана с кислородсодержащими и/или азотсодержащими газами в плазме низкочастотного тлеющего разряда частотой 3-20 кГц (см. патент РФ №2449416 на изобретение, H01L 21/762, 02.09.2010).The closest set of features to the claimed one (prototype) is a method of manufacturing a dielectric layer of MIS structures with a conductivity switching effect, according to which a dielectric layer is made by deposition of a silicon-containing composite material from a mixture of monosilane with oxygen-containing and / or nitrogen-containing gases in a low-frequency glow discharge plasma frequency of 3-20 kHz (see RF patent No. 2449416 for an invention, H01L 21/762, 09/02/2010).
Известный способ позволяет формировать диэлектрическую матрицу из диоксида кремния со встроенными кластерами аморфного гидрогенизированного кремния с размерами 1-4 нм, пригодного для изготовления двухэлектродных ячеек энергонезависимой перепрограммируемой памяти со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП).The known method allows the formation of a dielectric matrix of silicon dioxide with built-in clusters of amorphous hydrogenated silicon with a size of 1-4 nm, suitable for the manufacture of two-electrode cells of non-volatile reprogrammable memory with a metal-dielectric-semiconductor (MIS) structure.
Положительной стороной данного способа является его полная совместимость с оборудованием и материалами, применяемыми в традиционной технологии интегральных микросхем.The positive side of this method is its full compatibility with equipment and materials used in the traditional technology of integrated circuits.
Однако недостатком рассмотренного способа изготовления диэлектрического слоя является использование в технологическом цикле токсичного, взрывоопасного и самовоспламеняющегося газа моносилана.However, the disadvantage of the considered method for manufacturing the dielectric layer is the use of toxic, explosive and self-igniting gas monosilane in the technological cycle.
Технической задачей, решаемой предлагаемым изобретением, является создание безопасного способа изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости на основе нанокомпозитных пленок из оксинитрида кремния со встроенными наноразмерными кластерами кремния, со всеми положительными сторонами способа, изложенного при описании прототипа, но без использования токсичного, взрывоопасного и легковоспламеняющегося газа моносилана.The technical problem solved by the invention is the creation of a safe method of manufacturing a dielectric layer of MIS structures with the effect of switching conductivity based on nanocomposite films of silicon oxynitride with built-in nanoscale silicon clusters, with all the positive aspects of the method described in the description of the prototype, but without using toxic explosive and flammable gas monosilane.
Указанная техническая задача решается тем, что в известном способе изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости, путем плазменного нанесения кремнийсодержащего материала, нанесение осуществляют методом магнетронного распыления кремниевой мишени в среде аргона с добавками кислорода и азота с получением нанокомпозитной пленки оксинитрида кремния с включенными наноразмерными кластерами кремния. Нанесение пленки проводят при скорости осаждения 5-7 нм/мин и концентрации кислорода и азота 6-8% об. и 3-5% об. соответственно.The specified technical problem is solved by the fact that in the known method of manufacturing a dielectric layer of MIS structures having the effect of switching conductivity by plasma deposition of a silicon-containing material, the deposition is carried out by magnetron sputtering of a silicon target in an argon medium with oxygen and nitrogen additives to obtain a nanocomposite silicon oxynitride film with nanoscale silicon clusters. The film is applied at a deposition rate of 5-7 nm / min and a concentration of oxygen and nitrogen of 6-8% vol. and 3-5% vol. respectively.
Новым в предлагаемом способе является то, что нанесение осуществляют методом плазменного распыления кремниевой мишени в среде аргона с добавками кислорода и азота с получением нанокомпозитной пленки оксинитрида кремния с включенными кластерами кремния.New in the proposed method is that the deposition is carried out by plasma spraying a silicon target in an argon medium with oxygen and nitrogen additives to obtain a nanocomposite film of silicon oxynitride with silicon clusters included.
Дополнительное отличие заключается в том, что нанесение ведут при скорости осаждения 5-7 нм/мин и концентрации кислорода и азота 6-8% об. и 3-5% об. соответственно.An additional difference is that the application is carried out at a deposition rate of 5-7 nm / min and a concentration of oxygen and nitrogen of 6-8% vol. and 3-5% vol. respectively.
Заявленное техническое решение неизвестно из уровня техники, что дает основание сделать вывод о его новизне.The claimed technical solution is unknown from the prior art, which gives reason to conclude about its novelty.
Выбор состава и пропорций газовой смеси (а также других технологических параметров) обусловлен оптимизацией свойств диэлектрического слоя.The choice of the composition and proportions of the gas mixture (as well as other technological parameters) is due to the optimization of the properties of the dielectric layer.
Кроме того, оно явным образом не вытекает из уровня техники, что говорит о соответствии его критерию изобретательского уровня.In addition, it does not explicitly follow from the prior art, which indicates that it meets the criteria of inventive step.
Сущность предлагаемого изобретения поясняется следующим описанием.The essence of the invention is illustrated by the following description.
Кремниевая подложка устанавливается в рабочей камере установки магнетронного напыления. Источником кремния для формирования нанокомпозитной пленки диэлектрика с включениями наноразмерных кластеров кремния служит мишень из монокристаллического кремния. В установке магнетронного напыления формируется плазма из смеси газов аргона, кислорода и азота. При бомбардировке плазмой кремниевой мишени на подложке осаждается нанокомпозитная пленка, состоящая из оксинитрида кремния SiOxNy с включениями наноразмерных кластеров кремния.The silicon substrate is installed in the working chamber of the magnetron sputtering device. The silicon source for the formation of a nanocomposite dielectric film with inclusions of nanoscale silicon clusters is a target made of single-crystal silicon. In a magnetron sputtering system, a plasma is formed from a mixture of argon, oxygen and nitrogen gases. During plasma bombardment of a silicon target, a nanocomposite film consisting of silicon oxynitride SiO x N y with inclusions of nanoscale silicon clusters is deposited on the substrate.
Пример реализации способа изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости.An example implementation of a method for manufacturing a dielectric layer of MIS structures having the effect of switching conductivity.
На кремниевую подложку p-типа проводимости магнетронным напылением кремния наносят нанокомпозитную пленку толщиной 55-60 нм, состоящую из оксинитрида кремния SiOxNy с включениями наноразмерных кластеров кремния. Давление аргона с кислородом и азотом в рабочей камере поддерживают в пределах 1-5·10-4 Торр, содержание O2 в Ar2 составляет 6-8 объемных %, а N2 составляет 3-5 объемных %.On a p-type silicon substrate of conductivity by magnetron sputtering of silicon, a nanocomposite film 55-60 nm thick is deposited, consisting of silicon oxynitride SiO x N y with inclusions of nanoscale silicon clusters. The pressure of argon with oxygen and nitrogen in the working chamber is maintained within 1-5 · 10 -4 Torr, the content of O 2 in Ar 2 is 6-8 volume%, and N 2 is 3-5 volume%.
Химический состав пленки определяют методом Оже-спектроскопии. В зависимости от режимов нанесения содержание кремния в пленке составляет 36-42 ат.%, азота 4-6 ат.% и кислорода 52-57 ат.%.The chemical composition of the film is determined by Auger spectroscopy. Depending on the application conditions, the silicon content in the film is 36-42 at.%, Nitrogen 4-6 at.% And oxygen 52-57 at.%.
Для изготовления МДП структуры на осажденной пленке формируют металлические контактные площадки размером от 0,4×0,4 до 5×5 мм2 (фиг.1). При приложении напряжения между подложкой и верхним металлическим электродом наблюдается биполярный бистабильный эффект переключения проводимости, который иллюстируется вольт-амперными характеристиками структур (фиг.2, 3).For the manufacture of MIS structures on the deposited film form metal contact pads with a size of from 0.4 × 0.4 to 5 × 5 mm 2 (figure 1). When voltage is applied between the substrate and the upper metal electrode, a bipolar bistable effect of switching conductivity is observed, which is illustrated by the current-voltage characteristics of the structures (Figs. 2, 3).
Изготовленная исходная МДП структура находится в закрытом состоянии. При подаче отрицательного напряжения к металлическому электроду структуры (прямое включение) ток через структуру не идет. При подаче положительного напряжения к металлическому электроду МДП структуры (обратное включение) при напряжении 2-3 В протекающий через структуру ток резко возрастает до 200 мкА (Фиг.2). При последующем снижении напряжения ток плавно уменьшается примерно по параболическому закону. Это означает, что структура переключилась в открытое состояние.The fabricated initial TIR structure is in a closed state. When a negative voltage is applied to the metal electrode of the structure (direct connection), no current flows through the structure. When applying a positive voltage to the metal electrode of the MIS structure (reverse inclusion) at a voltage of 2-3 V, the current flowing through the structure increases sharply to 200 μA (Figure 2). With a subsequent decrease in voltage, the current gradually decreases approximately according to a parabolic law. This means that the structure has switched to the open state.
При подаче отрицательного напряжения к металлическому электроду МДП структуры, находящейся в открытом состоянии, (прямое включение) ток структуры возрастает примерно до 200 мкА (Фиг.3). При напряжении 3-4 В протекающий через структуру ток резко, на 3-4 порядка уменьшается. Структура переходит в закрытое состояние.When a negative voltage is applied to the metal electrode of the MIS structure in the open state (direct connection), the current of the structure increases to about 200 μA (Figure 3). At a voltage of 3-4 V, the current flowing through the structure decreases sharply, by 3-4 orders of magnitude. The structure goes into a closed state.
При последующем обратном включении закрытая МДП структура вновь переходит в открытое состояние, а при последующем обратном включении структура вновь переходит в закрытое состояние. Таким образом, можно переключать структуру в проводящее или непроводящее состояние приложением напряжения соответствующей полярности и величиной более чем порог переключения.Upon subsequent reverse switching on, the closed MIS structure again goes into the open state, and upon subsequent reverse switching on, the structure again goes into the closed state. Thus, it is possible to switch the structure into a conducting or non-conducting state by applying a voltage of the corresponding polarity and a magnitude greater than the switching threshold.
Состояние проводимости структуры сохраняется в течение длительного времени, минимум год. Факты спонтанного переключения проводимости не наблюдаются.The conduction state of the structure remains for a long time, at least a year. The facts of spontaneous switching of conductivity are not observed.
Характерные пороговые напряжения включения Uon и выключения Uoff составляют величину порядка 2-5 В. Максимальные токи, наблюдаемые в МДП-структурах в открытом состоянии, составляют величины от 1 до 50 мкА.The characteristic threshold voltages of switching on and off U off are of the order of 2-5 V. The maximum currents observed in MIS structures in the open state are between 1 and 50 μA.
Из приведенного примера следует, что предлагаемый способ позволяет формировать нанокомпозитные диэлектрические слои из оксинитрида кремния с включенными наноразмерными кластерами кремния, пригодные для изготовления двухэлектродных ячеек энергонезависимой памяти со структурой металл - диэлектрик - полупроводник и перепрограммируемых логических матриц. Особенностью предлагаемого способа в отличие от прототипа является то, что при его реализации не используются токсичные и взрывоопасные газы.From the above example, it follows that the proposed method allows the formation of nanocomposite dielectric layers of silicon oxynitride with nanoscale silicon clusters included, suitable for the manufacture of two-electrode cells of non-volatile memory with a metal-dielectric-semiconductor structure and reprogrammable logic matrices. A feature of the proposed method, in contrast to the prototype, is that its implementation does not use toxic and explosive gases.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012129255/28A RU2529442C2 (en) | 2012-07-10 | 2012-07-10 | Method of production of dielectric layer of mis structures having effect of conductivity switching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012129255/28A RU2529442C2 (en) | 2012-07-10 | 2012-07-10 | Method of production of dielectric layer of mis structures having effect of conductivity switching |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012129255A RU2012129255A (en) | 2014-01-20 |
| RU2529442C2 true RU2529442C2 (en) | 2014-09-27 |
Family
ID=49944879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012129255/28A RU2529442C2 (en) | 2012-07-10 | 2012-07-10 | Method of production of dielectric layer of mis structures having effect of conductivity switching |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2529442C2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2657096C2 (en) * | 2016-06-07 | 2018-06-08 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (ЯрГУ) | Method for forming dielectric films of anodized aluminum-silicon alloy having effect of switching conductivity |
| RU2787299C1 (en) * | 2022-04-06 | 2023-01-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Method for forming field-effect transistors |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2108629C1 (en) * | 1997-01-06 | 1998-04-10 | Институт микроэлектроники РАН | Storage element with metal-insulator-metal structure |
| RU2449416C1 (en) * | 2010-09-02 | 2012-04-27 | Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН | Method for formation of dielectric layer with conductivity switching effect |
| US8183121B2 (en) * | 2009-03-31 | 2012-05-22 | Sandisk 3D Llc | Carbon-based films, and methods of forming the same, having dielectric filler material and exhibiting reduced thermal resistance |
-
2012
- 2012-07-10 RU RU2012129255/28A patent/RU2529442C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2108629C1 (en) * | 1997-01-06 | 1998-04-10 | Институт микроэлектроники РАН | Storage element with metal-insulator-metal structure |
| US8183121B2 (en) * | 2009-03-31 | 2012-05-22 | Sandisk 3D Llc | Carbon-based films, and methods of forming the same, having dielectric filler material and exhibiting reduced thermal resistance |
| RU2449416C1 (en) * | 2010-09-02 | 2012-04-27 | Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН | Method for formation of dielectric layer with conductivity switching effect |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Алешин А.Н., Александрова Е.Л. ФТТ, 2008, том 50, вып. 10, стр.1895-1900. J. Campbell Scott et al. Nonvolatile Memory Elements Based on Organic Materials. ADV. MATER, 19, 2007, p. 1452. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2657096C2 (en) * | 2016-06-07 | 2018-06-08 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (ЯрГУ) | Method for forming dielectric films of anodized aluminum-silicon alloy having effect of switching conductivity |
| RU2787299C1 (en) * | 2022-04-06 | 2023-01-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Method for forming field-effect transistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012129255A (en) | 2014-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8872246B1 (en) | Memristor using a transition metal nitride insulator | |
| US8441060B2 (en) | Nonvolatile memory element and nonvolatile memory device incorporating nonvolatile memory element | |
| US10193065B2 (en) | High K scheme to improve retention performance of resistive random access memory (RRAM) | |
| CN101106171B (en) | Non-volatile memory device including variable resistance material | |
| CN104272463B (en) | Thin film transistor (TFT) and display device | |
| US8878153B2 (en) | Variable resistance element having gradient of diffusion coefficient of ion conducting layer | |
| US11004506B2 (en) | Switching resistor and method of making such a device | |
| Shi et al. | Pt/WO 3/FTO memristive devices with recoverable pseudo-electroforming for time-delay switches in neuromorphic computing | |
| AU2016361453A1 (en) | A memristor device and a method of fabrication thereof | |
| TWI501356B (en) | Memristors having mixed oxide phases | |
| US20120085985A1 (en) | Electrically actuated device | |
| Panja et al. | Impact of device size and thickness of Al 2 O 3 film on the Cu pillar and resistive switching characteristics for 3D cross-point memory application | |
| US8653912B2 (en) | Switching element | |
| Wu et al. | Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application | |
| Mohanty et al. | Interface engineering for 3-bit per cell multilevel resistive switching in AlN based memristor | |
| Briggs et al. | Influence of copper on the switching properties of hafnium oxide-based resistive memory | |
| US9831426B2 (en) | CBRAM device and manufacturing method thereof | |
| RU2529442C2 (en) | Method of production of dielectric layer of mis structures having effect of conductivity switching | |
| Raeber et al. | Sensory gating in bilayer amorphous carbon memristors | |
| RU2449416C1 (en) | Method for formation of dielectric layer with conductivity switching effect | |
| RU2563553C2 (en) | Structure of dielectric layer for mis structures having conductivity switching effect | |
| US12010929B2 (en) | Memory device and manufacturing method therefor | |
| JP2009088179A (en) | Thin-film transistor and method of manufacturing the same | |
| RU2657096C2 (en) | Method for forming dielectric films of anodized aluminum-silicon alloy having effect of switching conductivity | |
| US11925129B2 (en) | Multi-layer selector device and method of fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140818 |