RU2528277C1 - METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE - Google Patents
METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE Download PDFInfo
- Publication number
- RU2528277C1 RU2528277C1 RU2013116581/28A RU2013116581A RU2528277C1 RU 2528277 C1 RU2528277 C1 RU 2528277C1 RU 2013116581/28 A RU2013116581/28 A RU 2013116581/28A RU 2013116581 A RU2013116581 A RU 2013116581A RU 2528277 C1 RU2528277 C1 RU 2528277C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- etching
- semiconductor structure
- carried out
- plasma
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Description
Изобретение относится к солнечной энергетике, а более конкретно к способу получения каскадных солнечных элементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую энергию.The invention relates to solar energy, and more particularly to a method for producing cascading solar cells, and can be used in the electronics industry to convert light energy into electrical energy.
При изготовлении каскадных солнечных элементов существенную проблему представляет процесс изготовления солнечных элементов малого размера 2-3 мм2 из-за технологической сложности минимизации степени затенения светочувствительной поверхности и уменьшении омического сопротивления контактов. Для уменьшения степени затенения необходимо создавать омические контакты в виде полосок шириной 4-10 мкм, отстоящих друг от друга на 50-100 мкм, для увеличения электропроводности контактов необходимо проводить их утолщение. Данный процесс является технологически сложным из-за ряда проблем, связанных с созданием масок фоторезиста, обладающих высокой стойкостью с заданной боковой поверхностью стенки фоторезиста. Также существуют проблемы при утолщении омических контактов в соответствии с заданной геометрией контактных полосок.In the manufacture of cascade solar cells, a significant problem is the manufacturing process of small solar cells of 2-3 mm 2 due to the technological complexity of minimizing the degree of shadowing of the photosensitive surface and reducing the ohmic resistance of the contacts. To reduce the degree of shadowing, it is necessary to create ohmic contacts in the form of strips with a width of 4-10 microns, spaced 50-100 microns apart, to increase the electrical conductivity of the contacts, it is necessary to thicken them. This process is technologically complex due to a number of problems associated with the creation of photoresist masks with high resistance with a given lateral surface of the photoresist wall. There are also problems with thickening ohmic contacts in accordance with a given geometry of the contact strips.
Известен способ изготовления фотопреобразователей (см. патент RU 2244986 МПК H01L 31/18, опубликован 20.01.2005), состоящий из следующих технологических операций: на фронтальную сторону многослойной полупроводниковой пластины со структурой, включающей n-Ge подложку, n-GaAs буферный слой, n-GaAs базовый слой, p-GaAs эмиттерный слой, p+-GaAIAs широкозонный слой, p+-GaAs контактный слой, наносят слой двуокиси кремния. Наносят слой контактной металлизации на тыльную сторону пластины и проводят утолщение тыльного контакта электрохимическим осаждением. Частично стравливают слой двуокиси кремния в окнах над контактными областями. Напыляют последовательно слои контактной металлизации хрома, палладия и серебра и проводят утолщение контактов электрохимическим осаждением слоя серебра и защитного слоя никеля. Удаляют слой двуокиси кремния в окнах по периметру фотопреобразователя и стравливают слои арсенида галлия до германиевой подложки. Удаляют слой двуокиси кремния, стравливают p+-GaAs слой с областей вне контактов и наносят просветляющее покрытие. Затем проводят разделение пластины на солнечные элементы путем создания разделительной мезы.A known method of manufacturing photoconverters (see patent RU 2244986 IPC H01L 31/18, published January 20, 2005), consisting of the following technological operations: on the front side of a multilayer semiconductor wafer with a structure comprising an n-Ge substrate, n-GaAs buffer layer, n -GaAs base layer, p-GaAs emitter layer, p + -GaAIAs wide-gap layer, p + -GaAs contact layer, a silicon dioxide layer is applied. A contact metallization layer is applied to the back side of the plate and the back contact is thickened by electrochemical deposition. Partially etch a layer of silicon dioxide in the windows above the contact areas. The contact metallization layers of chromium, palladium and silver are sequentially sprayed and the contacts are thickened by electrochemical deposition of a silver layer and a protective layer of nickel. The layer of silicon dioxide in the windows around the perimeter of the photoconverter is removed and the layers of gallium arsenide are etched to the germanium substrate. The silicon dioxide layer is removed, the p + -GaAs layer is etched off the areas outside the contacts and an antireflection coating is applied. Then, the plate is divided into solar cells by creating a separation mesa.
Недостатками известного способа изготовления фотопреобразователей является получение неровной боковой поверхности разделительной мезы, что приводит к значительному току утечки p-n-перехода по боковой поверхности солнечных элементов.The disadvantages of the known method of manufacturing photoconverters is to obtain an uneven lateral surface of the separation mesa, which leads to a significant leakage current of the p-n junction along the lateral surface of solar cells.
Известен способ изготовления солнечных элементов (см. патент US 5330585, МПК H01L 31/068, опубликован 19.07.1994), заключающийся в создании фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры; нанесении пассивирующего слоя или окна из чувствительного к окружающей среде материала (AlGaAs) на фронтальной поверхности фоточувствительной многослойной структуры; нанесении контактного слоя на поверхности пассивирующего слоя из нечувствительного к окружающей среде материала, обладающего электрической проводимостью; удалении части контактного слоя для открытия части нижележащего пассивирующего слоя; создании просветляющего покрытия из нечувствительного к окружающей среде электрически непроводящего материала на открытой части пассивирующего слоя; создании омического контакта из материала, обладающего электрической проводимостью на поверхности оставшейся части контактного слоя. Создание омического контакта осуществляют через маску, созданную на поверхности просветляющего покрытия, так, чтобы между маской и оставшейся частью контактного слоя оставался зазор. Наносят слой контактного материала на поверхности маски и на части просветляющего покрытия в зазоре и на оставшейся части контактного слоя. Затем удаляют маску вместе с контактным материалом, лежащим на маске. Затем создают разделительную мезу для проведения разрезания структуры на отдельные солнечные элементы.A known method of manufacturing solar cells (see patent US 5330585, IPC H01L 31/068, published July 19, 1994), which consists in creating a photosensitive multilayer semiconductor structure; applying a passivating layer or window from an environmentally sensitive material (AlGaAs) on the front surface of a photosensitive multilayer structure; applying a contact layer on the surface of the passivating layer of an environmentally insensitive material having electrical conductivity; removing part of the contact layer to open part of the underlying passivating layer; creating an antireflective coating of an environmentally insensitive electrically non-conductive material on the open part of the passivating layer; creating an ohmic contact from a material having electrical conductivity on the surface of the remaining part of the contact layer. The creation of an ohmic contact is carried out through a mask created on the surface of the antireflection coating, so that a gap remains between the mask and the remaining part of the contact layer. A layer of contact material is applied on the surface of the mask and on the part of the antireflection coating in the gap and on the remaining part of the contact layer. The mask is then removed along with the contact material lying on the mask. Then create a separation mesa for cutting the structure into separate solar cells.
Недостатком известного способа получения солнечных элементов является недостаточная толщина омических контактов, что ведет к увеличению омического сопротивления и, следовательно, к ухудшению параметров солнечных элементов, что также усложняет дальнейшую эксплуатацию солнечных элементов, проведение пайки. Из-за открытой боковой поверхности солнечных элементов уменьшается срок эксплуатации, увеличивается ток утечки по периметру p-n-переходов.A disadvantage of the known method for producing solar cells is the insufficient thickness of the ohmic contacts, which leads to an increase in ohmic resistance and, consequently, to a deterioration in the parameters of solar cells, which also complicates the further operation of solar cells, soldering. Due to the open side surface of solar cells, the service life is reduced, the leakage current along the perimeter of p-n junctions increases.
Известен способ изготовления солнечных элементов (см. патент RU 2292610, МПК H01L 31/18, опубликован 27.01.2007), заключающийся в том, что на основе многослойной полупроводниковой пластины со структурой, содержащей n-Ge подложку, n-GaAs буферный слой, n-GaAs базовый слой, p-GaAs эмиттерный слой, p+-GaAlAs широкозонный слой, p+-GaAs контактный слой, осуществляют напыление слоя контактной металлизации на тыльную сторону пластины, проводят утолщение тыльного контакта электрохимическим осаждением серебра. На фронтальную поверхность пластины напыляют последовательно слои контактной металлизации хрома толщиной 200÷400 Å, палладия толщиной 200÷500 Å, серебра толщиной 500÷1500 Å, утолщают контакты электрохимическим осаждением серебра. Проводят локальное травление слоя арсенида галлия до германиевой подложки через маску фоторезиста с рисунком окон по периметрам фотопреобразователей, наносят просветляющее покрытие за пределами контактных областей. На последнем этапе создают разделительную мезу.A known method of manufacturing solar cells (see patent RU 2292610, IPC H01L 31/18, published January 27, 2007), which consists in the fact that on the basis of a multilayer semiconductor wafer with a structure containing n-Ge substrate, n-GaAs buffer layer, n -GaAs base layer, p-GaAs emitter layer, p + -GaAlAs wide-gap layer, p + -GaAs contact layer, spray the contact metallization layer on the back side of the plate, thicken the back contact by electrochemical deposition of silver. The contact surface metallization of chromium 200–400 Å thick, palladium 200–500 Å thick, silver 500–1500 Å thick, are successively sprayed onto the front surface of the wafer, and contacts are thickened by electrochemical deposition of silver. Local etching of the gallium arsenide layer to the germanium substrate is carried out through a photoresist mask with a window pattern around the perimeters of the photoconverters, an antireflection coating is applied outside the contact areas. At the last stage, create a separation mesa.
Недостатками известного способа изготовления солнечных элементов является использование серебра для утолщения омических контактов без защитного слоя или альтернативного варианта, что снижает срок эксплуатации солнечных элементов из-за низкой химической стойкости данного материала, отсутствие процесса создания ровной вертикальной стенки разделительной мезы и пассивации боковой поверхности приводит к значительному току утечки p-n-перехода по боковой поверхности, что приводит к ухудшению параметров солнечных элементов.The disadvantages of the known method of manufacturing solar cells is the use of silver to thicken ohmic contacts without a protective layer or an alternative, which reduces the life of solar cells due to the low chemical resistance of this material, the absence of the process of creating a smooth vertical wall of the separation mesa and passivation of the side surface leads to a significant leakage current of the pn junction along the lateral surface, which leads to a deterioration in the parameters of solar cells.
Известен способ изготовления каскадных солнечных элементов (см. заявка DE 102008034701, МПК H01L 31/0304, опубликована 08.04.2010) на основе многопереходной гетероструктуры, состоящей из комбинаций элементов III и V групп Периодической таблицы Менделеева, выращенных на подложке арсенида галлия, германия или других подходящих материалов. Способ создания включает формирование на полупроводниковой подложке широкозонного элемента, формирование на нем среднего элемента с меньшей шириной запрещенной зоны и нижнего элемента с шириной запрещенной зоны меньше среднего элемента, согласованного по атомарной решетке со средним элементом. Для нанесения контактов на данную структуру каскадного солнечного элемента осаждают последовательно слои металлов Ti/Au/Ag/Au. Для разделения на отдельные солнечные элементы создают разделительную мезу. Данный способ создания солнечных элементов предусматривает наличие нескольких подложек, одна - ростовая для последовательного осаждения на подложку слоев полупроводниковых материалов AIIIBV, формирующих солнечный элемент. Затем производят присоединение второй подложки (суррогатной) на верхний эпитаксиальный слой с удалением методом травления ростовой подложки.A known method of manufacturing cascade solar cells (see application DE 102008034701, IPC H01L 31/0304, published 04/08/2010) based on a multi-junction heterostructure consisting of combinations of elements of groups III and V of the periodic table grown on a substrate of gallium arsenide, germanium or other suitable materials. The creation method includes forming a wide-gap element on a semiconductor substrate, forming a middle element on it with a smaller band gap and a lower element with a band gap less than the middle element matched with the middle element in the atomic lattice. For contacting this structure of a cascade solar cell, layers of Ti / Au / Ag / Au metals are sequentially deposited. To separate into separate solar cells create a separation mesa. This method of creating solar cells involves the presence of several substrates, one growth for the sequential deposition on the substrate of layers of semiconductor materials AIIIBV, forming a solar cell. Then, a second substrate (surrogate) is attached to the upper epitaxial layer and the growth substrate is removed by etching.
Недостатками известного способа изготовления каскадных солнечных элементов является использование как минимум двух подложек (первой - ростовой и второй - суррогатной), необходимость выращивания дополнительных эпитаксиальных стоп-слоев, что приводит к значительному технологическому усложнению процесса производства и увеличению затрат. Также недостатком известного способа изготовления солнечных элементов является недостаточная толщина создаваемых омических контактов, что ведет к снижению электропроводимости контактов и к увеличению омических потерь. К тому же образование неровной боковой стенки разделительной мезы и наличие открытой боковой поверхности солнечного элемента увеличивает ток утечки p-n перехода, что в итоге приводит к ухудшению параметров солнечного элемента.The disadvantages of the known method of manufacturing cascade solar cells is the use of at least two substrates (the first - growth and the second - surrogate), the need to grow additional epitaxial stop layers, which leads to a significant technological complication of the production process and increase costs. Another disadvantage of the known method of manufacturing solar cells is the insufficient thickness of the created ohmic contacts, which leads to a decrease in the conductivity of the contacts and to an increase in ohmic losses. In addition, the formation of an uneven side wall of the separation mesa and the presence of an open side surface of the solar cell increases the leakage current of the pn junction, which ultimately leads to a deterioration in the parameters of the solar cell.
Известен способ изготовления каскадных солнечных элементов на основе полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge (см. патент RU 2357326, МПК H01L 31/18, опубликован 27.05.2009), совпадающий с заявляемым решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Способ изготовления солнечных элементов заключается в том, что на полупроводниковую структуру GaInP/GaInAs/Ge напыляют слой тыльной контактной металлизации, наращивают тыльный контакт электрохимическим осаждением серебра, создают фоторезистивную маску с рисунком лицевых контактов солнечного элемента, напыляют слои лицевой контактной металлизации, удаляют фоторезист, создают фоторезистивную маску с расширенным на 1-2 мкм рисунком лицевых контактов, наращивают лицевые контакты электрохимическим осаждением серебра с защитным слоем золота в импульсном режиме, проводят термообработку пластины. Далее осуществляют вытравливание разделительной мезы до германиевой подложки для электрической изоляции активных областей солнечного элемента по боковой поверхности. Вскрывают пассивирующий слой стравливанием контактного слоя по маске утолщенных контактов, создают просветляющее покрытие.There is a method of manufacturing cascading solar cells based on the GaInP / GaInAs / Ge semiconductor structure (see patent RU 2357326, IPC H01L 31/18, published May 27, 2009), which coincides with the claimed solution for the largest number of essential features and adopted as a prototype. A method of manufacturing solar cells consists in the fact that a back contact metallization layer is sprayed onto the GaInP / GaInAs / Ge semiconductor structure, the back contact is increased by electrochemical deposition of silver, a photoresist mask is created with a pattern of the front contacts of the solar cell, the layers of front contact metallization are sprayed, the photoresist is removed, and a photoresist mask with a pattern of face contacts expanded by 1-2 μm; face contacts are increased by electrochemical deposition of silver with a protective layer of gold in pulse mode, conduct heat treatment of the plate. Next, etching the separation mesa to a germanium substrate is carried out to electrically isolate the active areas of the solar cell along the side surface. The passivation layer is opened by etching the contact layer along the mask of thickened contacts, creating an antireflection coating.
Недостатками известного способа-прототипа является высокая степень затенения светочувствительной области солнечных элементов вследствие создания расширенной на 1-2 мкм маски фоторезиста для проведения электрохимического утолщения омических контактов. Также электрохимическое утолщение контактов приводит к увеличению разрастания омических контактов из-за высокой электропроводности полупроводниковой структуры и к увеличению степени затенения. Образование открытой неровной боковой стенки разделительной мезы приводит к увеличению тока утечки p-n-переходов, к уменьшению срока эксплуатации солнечных элементов. Непосредственное травление контактного слоя для открытия нижележащего пассивирующего слоя сопровождается подтравливанием контактного слоя под область омических контактов, что увеличивает омическое сопротивление контактов.The disadvantages of the known prototype method is the high degree of shadowing of the photosensitive region of solar cells due to the creation of a 1-2 mcm widened photoresist mask for conducting electrochemical thickening of ohmic contacts. Also, the electrochemical thickening of the contacts leads to an increase in the growth of ohmic contacts due to the high electrical conductivity of the semiconductor structure and to an increase in the degree of shadowing. The formation of an open, uneven side wall of the separation mesa leads to an increase in the leakage current of p-n junctions, to a decrease in the life of solar cells. Direct etching of the contact layer to open the underlying passivating layer is accompanied by etching of the contact layer under the ohmic contact region, which increases the ohmic resistance of the contacts.
Задачей заявляемого технического решения является улучшение параметров солнечных элементов за счет уменьшения степени затенения светочувствительной поверхности солнечных элементов при сохранении большой толщины и высокой плотности узких полосок омических контактов шириной 5-10 мкм, создания ровной вертикальной стенки разделительной мезы, обеспечивающей оптимальные условия нанесения защитного слоя диэлектрика на боковую поверхность солнечных элементов, что позволяет снизить ток утечки p-n-переходов и в итоге увеличить КПД преобразования солнечной энергии.The objective of the proposed technical solution is to improve the parameters of solar cells by reducing the degree of shadowing of the photosensitive surface of solar cells while maintaining a large thickness and high density of narrow strips of ohmic contacts with a width of 5-10 microns, creating a smooth vertical wall of the separation mesa, providing optimal conditions for applying a protective layer of dielectric on the lateral surface of solar cells, which reduces the leakage current of pn junctions and ultimately increases the conversion efficiency solar energy.
Поставленная задача достигается тем, что способ изготовления каскадных солнечных элементов на основе многослойной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста для открытия части нижележащего пассивирующего слоя и формирования полосок контактного слоя и создание многослойного просветляющего покрытия на открытой части пассивирующего слоя. Далее напыляют основу омических контактов на поверхности полосок контактного слоя через маску фоторезиста и на тыльной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры. Вжигают напыленную основу омических контактов. Утолщают основу омических контактов импульсным электрохимическим осаждением слоя золота или серебра толщиной 5-10 мкм на полоски основы омических контактов через маску задубленного фоторезиста с вертикальными боковыми стенками и слоя золота или серебра на основу омического контакта на тыльной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры. Создают разделительную мезу плазмохимическим травлением фоточувствительной полупроводниковой структуры со стороны фронтальной поверхности на глубину 10-15 мкм через маску задубленного фоторезиста. Наносят защитный слой термостойкого и химически стойкого диэлектрика на боковую поверхность разделительной мезы.This object is achieved in that a method of manufacturing cascade solar cells based on a GaInP / GaInAs / Ge multilayer semiconductor structure involves sequentially depositing a passivating layer and a GaAs contact layer on the front surface of the photosensitive semiconductor structure, locally removing the contact layer by etching through a photoresist mask to reveal part of the underlying passivating layer and the formation of strips of the contact layer and the creation of a multilayer antireflection coating on an open cha passivating layer. Next, a base of ohmic contacts is sprayed on the surface of the strips of the contact layer through the photoresist mask and on the back surface of the photosensitive semiconductor structure. Burn the sprayed base of ohmic contacts. Thicken the ohmic contact base by pulsed electrochemical deposition of a 5-10 μm thick gold or silver layer onto ohmic contact base strips through a mask of a dubbed photoresist with vertical side walls and a gold or silver layer onto the ohmic contact base on the back surface of the photosensitive semiconductor structure. Separate mesa is created by plasma-chemical etching of a photosensitive semiconductor structure from the front surface to a depth of 10-15 μm through a mask of a douched photoresist. A protective layer of a heat-resistant and chemically resistant dielectric is applied to the side surface of the separation mesa.
Настоящий способ отличается тем, что локальное удаление контактного слоя осуществляют травлением через маску фоторезиста до операции нанесения основы омических контактов. Утолщение основы омических контактов проводят методом импульсного электрохимического осаждения слоев серебра или золота толщиной 5-10 мкм через маску задубленного фоторезиста с вертикальными боковыми стенками. Разделительное травление структуры со стороны фронтальной поверхности осуществляют на глубину 10-15 мкм методом плазмохимического травления через маску задубленного фоторезиста. Наносят защитный слой термостойкого и химически стойкого диэлектрика на боковую поверхность разделительной мезы.The present method is characterized in that the local removal of the contact layer is carried out by etching through a photoresist mask before the operation of applying the basis of ohmic contacts. Thickening of the base of ohmic contacts is carried out by the method of pulsed electrochemical deposition of silver or gold layers with a thickness of 5-10 microns through a mask of a dubbed photoresist with vertical side walls. Separating etching of the structure from the frontal surface is carried out to a depth of 10-15 μm by plasma-chemical etching through a mask of a dubbed photoresist. A protective layer of a heat-resistant and chemically resistant dielectric is applied to the side surface of the separation mesa.
Локальное удаление контактного слоя может быть осуществлено химическим травлением.Local removal of the contact layer can be carried out by chemical etching.
Пассивирующий слой может быть выполнен из AlInP, а контактный слой из GaAs. В этом случае локальное удаление контактного слоя может быть осуществлено в водном травителе, содержащем NH4OH и H2O2, при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:The passivation layer can be made of AlInP, and the contact layer of GaAs. In this case, local removal of the contact layer can be carried out in an aqueous etchant containing NH 4 OH and H 2 O 2 , in the following ratio of components, parts by weight:
Пассивирующий слой может быть выполнен из AlGaAs, а контактный слой из GaAs, локальное удаление контактного слоя может быть осуществлено в травителе, содержащем лимонную кислоту и H2O2, при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:The passivation layer can be made of AlGaAs, and the contact layer of GaAs, the local removal of the contact layer can be carried out in the etchant containing citric acid and H 2 O 2 , in the following ratio, wt.h .:
Локальное удаление контактного слоя может быть осуществлено методом плазмохимического травления (RIE) в индуктивно-связанной плазме (ICP) в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, (10-15):(3-6):(7-9) при давлении 1-2 Па, мощности RIE 50-100 мВт/см2 и ICP 1,5-2,0 Вт/см2, при скорости травления 0,2-0,25 мкм/мин.Local removal of the contact layer can be carried out by plasma chemical etching (RIE) in inductively coupled plasma (ICP) in an atmosphere of BCl 3 , SF 6 and Ar supplied in the ratio, cm 3 / min, (10-15) :( 3-6 ) :( 7-9) at a pressure of 1-2 Pa, power RIE 50-100 mW / cm 2 and ICP 1.5-2.0 W / cm 2 , at an etching rate of 0.2-0.25 μm / min .
Маска фоторезиста для проведения электрохимического утолщения основы омических контактов может быть выполнена методом аммиачного переворачивания позитивного фоторезиста толщиной 6-11 мкм, задубливание фоторезиста может быть осуществлено методом поэтапного инфракрасного нагрева до температуры 70°С, профиль боковой стенки фоторезиста в этом случае будет выполнен вертикальным.A photoresist mask for carrying out an electrochemical thickening of the base of ohmic contacts can be performed by ammonia inversion of a positive photoresist 6-11 μm thick, the photoresist can be smoothed out by stepwise infrared heating to a temperature of 70 ° C, in this case the profile of the side wall of the photoresist will be vertical.
Создание разделительной мезы со стороны фронтальной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры может быть осуществлено плазмохимическим травлением слоев GaAs/GaInAs в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин (9-12):(2-4):(6-8), а плазмохимическое травление слоя Ge может быть осуществлено в атмосфере BCl3.The creation of the separation mesa from the front surface of the photosensitive semiconductor structure can be carried out by plasma-chemical etching of GaAs / GaInAs layers in the atmosphere of BCl 3 , SF 6 and Ar, supplied in the ratio, cm 3 / min (9-12) :( 2-4) :( 6-8), and plasma-chemical etching of the Ge layer can be carried out in an atmosphere of BCl 3 .
Основа омического контакта выполнена в виде полосок, например, из слоев сплава золота и германия, никеля и золота шириной 4-10 мкм на расстоянии 50-100 мкм друг от друга для обеспечения минимальной степени затенения светочувствительной поверхности солнечного элемента и минимальных омических потерь.The basis of the ohmic contact is made in the form of strips, for example, from layers of an alloy of gold and germanium, nickel and gold with a width of 4-10 microns at a distance of 50-100 microns from each other to ensure a minimum degree of shading of the photosensitive surface of the solar cell and minimal ohmic losses.
Утолщение основы омических контактов необходимо для увеличения электрической проводимости, снижения омических потерь и возможности проведения процесса пайки при дальнейшей эксплуатации солнечных элементов. Утолщение омических контактов осуществлено методом импульсного электрохимического осаждения. Преимуществом использования импульсного метода осаждения перед методом осаждения на постоянном токе является увеличение плотности и улучшение адгезии осаждаемого материала, что позволяет улучшать свойства электропроводимости омических контактов, уменьшать время проведения процесса осаждения, увеличивать производительность. Электрохимическое утолщение основы омических контактов выполнено из серебра или золота. Серебро обладает высокой электропроводностью, но из-за низкой химической стойкости необходимо проводить герметичное корпусирование солнечных элементов с серебряными контактами. Золото обладает высокой проводимостью и высокой износостойкостью и химической стойкостью, что увеличивает срок эксплуатации солнечных элементов и расширяет область их использования. Увеличение толщины омических контактов до 5-10 мкм улучшает электропроводность омических контактов. Увеличение толщины больше 10 мкм снижает адгезионные свойства омических контактов. При толщине контактов меньше 5 мкм увеличиваются омические потери. Для уменьшения величины разрастания омического контакта, снижения потерь на затенение светочувствительной поверхности солнечных элементов необходимо создание маски фоторезиста толщиной 6-11 мкм, обладающей высокой химической стойкостью. Толщина маски превышает толщину получаемого омического контакта на 1-2 мкм для предотвращения разрастания омического контакта на светочувствительную область. Маска фоторезиста может быть создана методом аммиачного переворачивания позитивного фоторезиста. Данный способ приводит к изменению химического состава фоторезиста, в результате маска фоторезиста обладает высокой химической и термической стойкостью, что обеспечивает оптимальные условия для проведения процесса электрохимического осаждения с сохранением заданной геометрией омического контакта. Задубливание фоторезиста увеличивает стойкость маски фоторезиста. Задубливание фоторезиста толщины 6-11 мкм с сохранением вертикальной боковой стенки маски фоторезиста получено путем ступенчатого нагрева для избежания оплывания края маски фоторезиста. Задубливание осуществлено методом ступенчатого инфракрасного нагрева с постепенным подъемом температуры задубливания от 20°С до 70°С в течение 3 часов. Получен вертикальный профиль боковой стенки маски фоторезиста для проведения процесса импульсного электрохимического осаждения серебра или золота при температуре процесса до 70°С.Thickening the base of ohmic contacts is necessary to increase electrical conductivity, reduce ohmic losses and the possibility of carrying out the soldering process during the further operation of solar cells. Thickening of ohmic contacts is carried out by the method of pulsed electrochemical deposition. The advantage of using the pulsed deposition method over the direct current deposition method is to increase the density and improve the adhesion of the deposited material, which allows improving the electrical conductivity of ohmic contacts, reducing the time of the deposition process, and increasing productivity. The electrochemical thickening of the base of ohmic contacts is made of silver or gold. Silver has high electrical conductivity, but due to the low chemical resistance it is necessary to carry out hermetic packaging of solar cells with silver contacts. Gold has high conductivity and high wear resistance and chemical resistance, which increases the life of solar cells and expands the scope of their use. An increase in the thickness of ohmic contacts to 5–10 μm improves the electrical conductivity of ohmic contacts. An increase in thickness of more than 10 μm reduces the adhesive properties of ohmic contacts. When the contact thickness is less than 5 μm, ohmic losses increase. To reduce the magnitude of the growth of the ohmic contact, to reduce losses due to the shading of the photosensitive surface of solar cells, it is necessary to create a photoresist mask with a thickness of 6-11 μm, which has high chemical resistance. The thickness of the mask exceeds the thickness of the resulting ohmic contact by 1-2 microns to prevent the growth of the ohmic contact in the photosensitive region. A photoresist mask can be created by ammonia inverting a positive photoresist. This method leads to a change in the chemical composition of the photoresist; as a result, the photoresist mask has high chemical and thermal resistance, which provides optimal conditions for the process of electrochemical deposition while maintaining the specified ohmic contact geometry. Killing a photoresist increases the resistance of the photoresist mask. The killing of a photoresist with a thickness of 6-11 μm while maintaining the vertical side wall of the photoresist mask is obtained by stepwise heating to avoid swelling of the edges of the photoresist mask. Zadubivanie carried out by the method of stepwise infrared heating with a gradual increase in the temperature of the zadublivaniya from 20 ° C to 70 ° C for 3 hours. A vertical profile of the side wall of the photoresist mask is obtained for carrying out the process of pulsed electrochemical deposition of silver or gold at a process temperature of up to 70 ° C.
Пассивирующий слой AlInP, например Al0.53In0.47P, является наиболее эффективным материалом для широкозонного окна верхнего GaInP субэлемента, т.к. он обладает наибольшей шириной запрещенной зоны (Eg=2,29 эВ) среди материалов, согласованных с Ga0.51In0.49P и Ga0.99In0.01As субэлементами, обеспечивает минимальные оптические потери, являясь прозрачным для фотонов с энергией, меньшей 2,29 эВ. Травитель на основе перекиси водорода H2O2 и аммиака NH4OH обладает высокой селективностью травления материала контактного слоя и материала пассивирующего слоя, что позволяет получать поверхность травления высокого качества. Обеспечивается минимальное протравливание за пределы области травления, что позволяет получить оптимальную геометрию полосок контактного слоя и уменьшает степень затенения светочувствительной поверхности солнечных элементов. Состав травителя выбран оптимальным для обеспечения воспроизводимости травления, необходимой скорости процесса и минимального протравливания за пределы области травления.The passivation AlInP layer, for example, Al 0.53 In 0.47 P, is the most effective material for the wide-gap window of the upper GaInP subelement, because it has the largest band gap (E g = 2.29 eV) among materials matched with Ga 0.51 In 0.49 P and Ga 0.99 In 0.01 As subcells, provides minimal optical loss, being transparent to photons with energies below 2.29 eV . The etchant based on hydrogen peroxide H 2 O 2 and ammonia NH 4 OH has a high selectivity of the etching of the material of the contact layer and the material of the passivating layer, which allows to obtain an etching surface of high quality. Minimum etching is provided outside the etching region, which allows to obtain the optimal geometry of the strips of the contact layer and reduces the degree of shadowing of the photosensitive surface of solar cells. The etchant composition is selected to be optimal to ensure etching reproducibility, the necessary process speed, and minimal etching outside the etching region.
Пассивирующий слой AlGaAs, например Al0.85Ga0.15As, является альтернативным широкозонным окном (ширина запрещенной зоны Eg=2,14 эВ), оптические потери в структуре с AlGaAs «окном» будут выше, чем в случае Al0.53In0.47Р. Используют Al0.85Ga0.15As для широкозонного окна при создании структуры p-n полярности, т.к. существуют технологические трудности создания сильно легированных p-AlInP эпитаксиальных слоев, поэтому на гетерогранице p-AlInP/p+-GaInP возникает потенциальный барьер, препятствующий транспорту носителей заряда. При использовании сочетания p+-AlGaAs/p+-GaInP таких сложностей не возникает.The passivating AlGaAs layer, for example, Al 0.85 Ga 0.15 As, is an alternative wide-gap window (band gap E g = 2.14 eV), the optical loss in the structure with AlGaAs “window” will be higher than in the case of Al 0.53 In 0.47 P. Use Al 0.85 Ga 0.15 As for a wide-gap window when creating a pn polarity structure, since There are technological difficulties in creating heavily doped p-AlInP epitaxial layers; therefore, a potential barrier arises at the heterointerface of p-AlInP / p + -GaInP, which impedes the transport of charge carriers. When using the combination p + -AlGaAs / p + -GaInP, such difficulties do not arise.
При выполнении пассивирующего слоя из AlGaAs использование травителя на основе перекиси и лимонной кислоты обусловлено высокой селективностью травления материалов контактного слоя и пассивирующего слоя, высоким качеством поверхности травления и обеспечением минимального затрава. При увеличении концентрации компонентов травителя снижается воспроизводимость процесса, ухудшается качество поверхности травления, что приводит к увеличению коэффициента отражения светочувствительной поверхности.When performing a passivating layer of AlGaAs, the use of an etchant based on peroxide and citric acid is due to the high selectivity of the etching of the materials of the contact layer and the passivating layer, the high quality of the etching surface and ensuring a minimum seed. With an increase in the concentration of the etchant components, the reproducibility of the process decreases, the quality of the etching surface deteriorates, which leads to an increase in the reflection coefficient of the photosensitive surface.
Травление пассивирующего слоя методом плазмохимического травления (RIE) в индуктивно-связаной плазме (ICP) в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, (10-15):(3-6):(7:9) при давлении 1-2 Па, мощности RIE 50-100 мВт/см2 и ICP 1,5-2,0 Вт/см2, при скорости травления 0,2-0,25 мкм/мин обусловлено высокой селективностью травления материала контактного слоя и материала пассивирующего покрытия, получением поверхности травления высокого качества, что улучшает свойства светочувствительной области.Induction of a passivating layer by plasma chemical etching (RIE) in inductively coupled plasma (ICP) in an atmosphere of BCl 3 , SF 6 and Ar supplied in the ratio, cm 3 / min, (10-15): (3-6) :( 3-6) :( 7-6 : 9) at a pressure of 1-2 Pa, power RIE 50-100 mW / cm 2 and ICP 1.5-2.0 W / cm 2 , at an etching rate of 0.2-0.25 μm / min due to the high selectivity of etching the material of the contact layer and the material of the passivating coating, obtaining an etched surface of high quality, which improves the properties of the photosensitive region.
Проведение разделительного травления методом плазмохимического травления позволят получать ровную вертикальную поверхность мезы травления высокого качества, обеспечивает отсутствие протравливания по слоям многослойной структуры, что создает оптимальные условия для нанесения защитного слоя диэлектрика на боковую поверхность солнечных элементов и снижает ток утечки. Травление слоев структуры GaAs/GaInP осуществляют в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, (9-12):(2-4):(6-8), ICP мощности 300 Вт и 10 Вт мощности смещения, давлении в камере 0,1 Па.Separation etching by plasma-chemical etching will make it possible to obtain a smooth vertical surface of high quality etching mesa, ensures that there is no etching along the layers of the multilayer structure, which creates optimal conditions for applying a protective dielectric layer to the side surface of solar cells and reduces the leakage current. The etching of the GaAs / GaInP structure layers is carried out in an atmosphere of BCl 3 , SF 6 and Ar supplied in the ratio, cm 3 / min, (9-12) :( 2-4) :( 6-8), ICP power of 300 W and 10 Watt bias power, chamber pressure 0.1 Pa.
Данные параметры процесса обеспечивают минимальную разницу в скоростях травления GaAs и GaInP, скорость травления порядка 0,5 мкм/мин, высокое качество поверхности травления, воспроизводимость процесса. Травление Ge проводят в плазме BCl3 при давлении в камере 0,3-0,5 Па, 250 Вт ICP мощности и мощности смещения 100 Вт, поток BCl3 - 40 см3/мин. Скорость травления составляет 0,2 мкм/мин. Данные параметры процесса выбраны для воспроизводимости процесса и создания разделительной мезы высокого качества.These process parameters provide the minimum difference in the etching rates of GaAs and GaInP, the etching rate is about 0.5 μm / min, the high quality of the etching surface, and the reproducibility of the process. Ge etching is carried out in BCl 3 plasma at a chamber pressure of 0.3-0.5 Pa, 250 W ICP power and bias power of 100 W, BCl 3 flow is 40 cm 3 / min. The etching rate is 0.2 μm / min. These process parameters are selected to reproduce the process and create a high-quality separation mesa.
Разделительную мезу выполняют глубиной 10-15 мкм, так как при глубине мезы больше 15 мкм увеличивается хрупкость пластины, увеличивается время проведения процесса, что ведет к ухудшению поверхности травления. При глубине мезы меньше 10 мкм не протравливаются все слои структуры, что не позволяет пассивировать все p-n-переходы.The separation mesa is carried out with a depth of 10-15 microns, since with a mesa depth of more than 15 microns, the fragility of the plate increases, the process time increases, which leads to a deterioration of the etching surface. When the mesa depth is less than 10 μm, all layers of the structure are not etched, which does not allow passivation of all p-n junctions.
Защитный слой боковой поверхности разделительной мезы из термостойкого и химически стойкого диэлектрика может быть выполнен осаждением пленки, например TiO2 или Al2O3, или SiO2, или Si3N4, или полиамида, обладающей высокими защитными и диэлектрическими свойствами.The protective layer of the side surface of the separating mesa from a heat-resistant and chemically stable dielectric can be made by depositing a film, for example TiO 2 or Al 2 O 3 , or SiO 2 , or Si 3 N 4 , or a polyamide having high protective and dielectric properties.
Заявляемое техническое решение поясняется чертежами, где:The claimed technical solution is illustrated by drawings, where:
на фиг.1 приведен схематический разрез фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge;figure 1 shows a schematic section of a photosensitive semiconductor structure GaInP / Ga (In) As / Ge;
на фиг.2 показана фотография части скола фоточувствительной полупроводниковой структуры с маской задубленого фоторезиста марки AZ4562;figure 2 shows a photograph of part of the chip photosensitive semiconductor structure with a mask of a dubbed photoresist brand AZ4562;
на фиг.3 показана фотография части скола фоточувствительной полупроводниковой структуры с фронтальным омическим контактом;figure 3 shows a photograph of part of the chip photosensitive semiconductor structure with a front ohmic contact;
на фиг.4 показано схематическое изображение одного из вариантов фотошаблона для изготовления полосок омических контактов;figure 4 shows a schematic illustration of one of the variants of the photomask for the manufacture of strips of ohmic contacts;
На фиг 1-4 показаны: 1 - фоточувствительная полупроводниковая структура GaInP/Ga(In)As/Ge, 2 - пассивирующий слой, 3 - контактный слой GaAs, 4 - просветляющее покрытие, 5 - омический контакт, 6 - основа омического контакта, 7 - слой контактного материала, созданный методом импульсного электрохимического осаждения, 8 - маска фоторезиста для электрохимического осаждения.Figure 1-4 shows: 1 - photosensitive GaInP / Ga (In) As / Ge semiconductor structure, 2 - passivation layer, 3 - GaAs contact layer, 4 - antireflection coating, 5 - ohmic contact, 6 - basis of ohmic contact, 7 - a layer of contact material created by pulsed electrochemical deposition, 8 is a photoresist mask for electrochemical deposition.
Заявляемый способ изготовления каскадных солнечных элементов включает следующие стадии: на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge 1 (см. фиг.1) последовательно наносят пассивирующий слой 2, имеющий состав AlInP или AlGaAs, и контактный слой GaAs 3, обладающий электрической проводимостью. Затем проводят локальное травление контактного слоя GaAs 3 для открытия части нижележащего пассивирующего слоя 2 через маску фоторезиста, так чтобы сформировались полоски контактного слоя 3. При выполнении пассивирующего слоя 2 из материала AlInP травление контактного слоя 3 осуществляют методом плазмохимического травления (RIE) в индуктивно-связаной плазме (ICP) в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, (10-15):(3-6):(7-9) при давлении 1-2 Па, мощности RIE 50-100 мВт/см2 и ICP 1,5-2,0 Вт/см2, при скорости травления 0,2-0,25 мкм/мин или методом химического травления в водном травителе, содержащем NH4OH и H2O2, при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:The inventive method of manufacturing cascade solar cells includes the following stages: on the front surface of the photosensitive semiconductor structure GaInP / Ga (In) As / Ge 1 (see figure 1) sequentially apply a
Пассивирующий слой 2 может быть выполнен из AlGaAs. В этом случае травление контактного слоя 3 осуществляют методом плазмохимического травления (RIE) в индуктивно-связаной плазме (ICP) в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, (10-15):(3-6):(7-9) при давлении 1-2 Па, мощности RIE 50-100 мВт/см2 и ICP 1,5-2,0 Вт/см2, при скорости травления 0,2-0,25 мкм/мин или методом химического травления в водном травителе, содержащем лимонную кислоту и Н2О2 при следующем содержании компонентов, мас.ч.:
Далее проводят напыление многослойного просветляющего покрытия 4 на вышеуказанную открытую часть пассивирующего слоя 2 и на маску фоторезиста, осуществляют удаление маски фоторезиста вместе с расположенной на ней пленкой просветляющего покрытия 4. Создают омические контакты 5 из материалов, обладающих электрической проводимостью, имеющих вид полосок шириной 4-10 мкм, отстоящих друг от друга на 50-100 мкм, на фронтальной поверхности (см. фиг.4) и на тыльной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры 1 в две стадии. Первоначально создают маску фоторезиста, так чтобы полоски контактного слоя 3, расположенные на фронтальной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры 1, оставались открытыми, проводят напыление основы 6 омического контакта 5, например, из слоев сплава золота и германия, никеля и золота толщиной 0,2-0,4 мкм, на фронтальную и тыльную поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры 1, затем удаляют с фронтальной поверхности маску фоторезиста вместе с контактным слоем 3, расположенным на ней. Вжигают основу 6 омического контакта 5 при температуре 360-370°С в течение 10-60 с. На второй стадии на фронтальной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры 1 создают маску 8 (см. фиг.2) позитивного фоторезиста толщиной 6-11 мкм, обладающей высокой химической и термической стойкостью, для проведения процесса утолщения полосок основы 6 омических контактов 5 методом аммиачного переворачивания позитивного фоторезиста марки AZ4562. Процесс термической обработки в среде аммиака проводят в течение 1200-1400 с при температуре 80-90°С. Проводят задубливание маски 8 фоторезиста путем поэтапного инфракрасного нагрева от температуры 20°С до 70°С в течение 3 часов. Осуществляют импульсное электрохимическое осаждение слоя 7 серебра или золота (см. фиг.1, фиг.3) толщиной 5-10 мкм. Плотность тока при этом обычно составляет 0,02-0,2 мА/мм2, скважность 3-5, частота 30-40 Гц. Далее проводят разделительное травление с фронтальной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры 1 методом плазмохимического травления, получая ровную вертикальную поверхность мезы травления высокого качества, без затравливания по слоям структуры. Травление слоев GaAs/GaInP фоточувствительной полупроводниковой структуры 1 проводят в плазме в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, (9-12):(2-4):(6-8), ICP мощности 300 Вт и 10 Вт мощности смещения, давлении в камере 0,1 Па. Травление Ge проводят в плазме BCl3 при давлении в камере 0,3-0,5 Па, 250 Вт ICP мощности и мощности смещения 100 Вт, поток BCl3 - 40 см3/мин. Разделительную мезу выполняют глубиной 10-15 мкм. Осуществляют нанесение защитного слоя на боковую поверхность разделительной мезы в виде пленки термостойкого и химически стойкого диэлектрика.Next, a
Пример 1. Были изготовлены каскадные солнечные элементы в несколько стадий. Была выращена фоточувствительная полупроводниковая структура GaInP/Ga(In)As/Ge. На поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры нанесли пассивирующий слой из AlInP. Затем нанесли контактный слой GaAs. Провели локальное травление контактного слоя GaAs для открытия части нижележащего пассивирующего слоя через маску фоторезиста методом плазмохимического травления (RIE) в индуктивно-связаной плазме (ICP) в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 10:3:7 при давлении 1 Па, мощности RIE 50 мВт/см2 и ICP 1,5 Вт/см2, при скорости травления 0,2 мкм/мин, тем самым сформировали полоски контактного слоя. Напылили многослойное просветляющее покрытие SiO2/Si3N4/TiOx на открытую часть пассивирующего слоя и на маску фоторезиста, удалили маску фоторезиста вместе с расположенной на ней пленкой просветляющего покрытия. Создали маску фоторезиста для напыления фронтального омического контакта, напылили основу омического контакта толщиной 0,2 мкм, имеющую вид полосок шириной 4 мкм, отстоящих друг от друга на 50 мкм, удалили маску фоторезиста вместе с контактным слоем, расположенным на ней. Провели вжигание основы омического контакта при температуре 360°С в течение 10 с. Создали маску позитивного фоторезиста толщиной 6 мкм, обладающую высокой химической и термической стойкостью, для проведения процесса утолщения основы омических контактов методом аммиачного переворачивания позитивного фоторезиста марки AZ4562. Процесс термической обработки в среде аммиака проводили в течение 1200 с при температуре 80°С. Провели задубливание маски фоторезиста путем поэтапного инфракрасного нагрева от температуры 20°С до 70°С в течение 3 часов. Осуществили импульсное электрохимическое осаждение слоя серебра толщиной 5 мкм. Плотность тока составляла 0,02 мА/мм2, скважность 3, частота 30 Гц. Провели разделительное травление с фронтальной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры методом плазмохимического травления. Травление слоев структуры GaAs/GaInP проводили в плазме в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 9:2:6, ICP мощности 300 Вт и 10 Вт мощности смещения, давлении в камере 0,1 Па. Травление Ge проводили в плазме BCl3 при давлении в камере 0,3 Па. Разделительная меза была выполнена глубиной 10 мкм. Нанесли защитный слой на боковую поверхность разделительной мезы осаждением пленки нитрида кремния.Example 1. Cascade solar cells were manufactured in several stages. The photosensitive GaInP / Ga (In) As / Ge semiconductor structure was grown. A passivation layer of AlInP was deposited on the surface of the photosensitive semiconductor structure. Then a contact layer of GaAs was applied. A local etching of the GaAs contact layer was carried out to reveal part of the underlying passivating layer through a photoresist mask by plasma-chemical etching (RIE) in inductively coupled plasma (ICP) in an atmosphere of BCl 3 , SF 6 and Ar supplied in the ratio, cm 3 / min, 10: 3: 7 at a pressure of 1 Pa, RIE power of 50 mW / cm 2 and ICP 1.5 W / cm 2 , at an etching rate of 0.2 μm / min, thereby forming strips of the contact layer. A multilayer antireflection coating SiO 2 / Si 3 N 4 / TiO x was sprayed onto the exposed part of the passivating layer and on the photoresist mask, the photoresist mask was removed together with the antireflection film located on it. A photoresist mask was created for deposition of the front ohmic contact, a 0.2 μm thick ohmic contact base was sprayed, having the form of
Пример 2. Были изготовлены каскадные солнечные элементы способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями.Example 2. Cascade solar cells were manufactured by the method described in example 1, with the following differences.
Пассивирующий слой был выполнен из материала AlInP, травление контактного слоя осуществляли методом плазмохимического травления (RIE) в индуктивно-связаной плазме (ICP) в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 15:6:8 при давлении 2 Па, мощности RIE 100 мВт/см2 и ICP 2,0 Вт/см2, при скорости травления 0,25 мкм/мин. Основу омического контакта напыляли толщиной 0,4 мкм в виде полосок шириной 10 мкм, отстоявших друг от друга на 100 мкм. Было проведено вжигание основы омического контакта при температуре 370°С в течение 60 с. Маску позитивного фоторезиста, обладающую высокой химической и термической стойкостью, создали толщиной 11 мкм. Процесс термической обработки в среде аммиака был проведен в течение 1400 с при температуре 90°С. Импульсным электрохимическим осаждением наносили слой золота толщиной 10 мкм. Плотность тока составляла 0,2 мА/мм2, скважность 4, частота 40 Гц. Травление слоев структуры GaAs/GaInP проводили в плазме в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 10:3:7. Травление Ge проводилось в плазме BCl3 при давлении в камере 0,5 Па. Разделительная меза была выполнена глубиной 15 мкм.The passivation layer was made of AlInP material, the contact layer was etched by plasma-chemical etching (RIE) in inductively coupled plasma (ICP) in an atmosphere of BCl 3 , SF 6 and Ar supplied in the ratio, cm 3 / min, 15: 6: 8 at a pressure of 2 Pa, power RIE 100 mW / cm 2 and ICP 2.0 W / cm 2 , at an etching rate of 0.25 μm / min. The basis of the ohmic contact was sprayed with a thickness of 0.4 μm in the form of strips 10 μm wide, spaced 100 μm apart. An ohmic contact base was incinerated at a temperature of 370 ° C for 60 s. A positive photoresist mask with high chemical and thermal resistance was created with a thickness of 11 μm. The process of heat treatment in ammonia was carried out for 1400 s at a temperature of 90 ° C. Pulsed electrochemical deposition deposited a layer of gold with a thickness of 10 μm. The current density was 0.2 mA / mm 2 ,
Пример 3. Были изготовлены каскадные солнечные элементы способом, описанном в примере 1, со следующими отличиями.Example 3. Cascade solar cells were manufactured by the method described in example 1, with the following differences.
Пассивирующий слой выполнен из материала AlInP, травление контактного слоя осуществлялось методом плазмохимического травления (RIE) в индуктивно-связаной плазме (ICP) в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 12:5:9 при давлении 1,5 Па, мощности RIE 70 мВт/см2 и ICP 1,7 Вт/см2, при скорости травления 0,23 мкм/мин. Основу омического контакта напыляли толщиной 0,3 мкм в виде полосок шириной 6 мкм, отстоявших друг от друга на 70 мкм. Вжигание основы омического контакта проводилось при температуре 370°С в течение 60 с. Маска позитивного фоторезиста, обладающая высокой химической и термической стойкостью, была создана толщиной 8 мкм. Процесс термической обработки в среде аммиака проводили в течение 1300 с при температуре 85°С. Импульсным электрохимическим осаждением наносили слой золота толщиной 10 мкм. Плотность тока составляла 0,1 мА/мм2, скважность 5, частота 35 Гц. Травление слоев структуры GaAs/GaInP проводили в плазме в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 12:4:8. Травление Ge проведено в плазме BCl3 при давлении в камере 0,4 Па. Разделительная меза была выполнена глубиной 12 мкм.The passivation layer is made of AlInP material, the contact layer was etched by plasma-chemical etching (RIE) in inductively coupled plasma (ICP) in an atmosphere of BCl 3 , SF 6 and Ar supplied in the ratio, cm 3 / min, 12: 5: 9 at a pressure of 1.5 Pa, a power of RIE of 70 mW / cm 2 and an ICP of 1.7 W / cm 2 , at an etching rate of 0.23 μm / min. The basis of the ohmic contact was sprayed with a thickness of 0.3 μm in the form of strips with a width of 6 μm, spaced 70 μm apart. The burning of the ohmic contact base was carried out at a temperature of 370 ° C for 60 s. A positive photoresist mask with high chemical and thermal resistance was created with a thickness of 8 μm. The process of heat treatment in ammonia was carried out for 1300 s at a temperature of 85 ° C. Pulsed electrochemical deposition deposited a layer of gold with a thickness of 10 μm. The current density was 0.1 mA / mm 2 ,
Пример 4. Были изготовлены каскадные солнечные элементы способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями.Example 4. Cascade solar cells were manufactured by the method described in example 1, with the following differences.
Пассивирующий слой был выполнен из материала AlInP, осуществлялось химическое травление контактного слоя в водном травителе, содержащем NH4OH, H2O2, при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:The passivation layer was made of AlInP material, and the contact layer was chemically etched in an aqueous etchant containing NH 4 OH, H 2 O 2 , in the following ratio of components, parts by weight:
Основу омического контакта напыляли толщиной 0,2 мкм, имевшую вид полосок шириной 10 мкм, отстоявших друг от друга на 80 мкм. Вжигание основы омического контакта проводили при температуре 370°С в течение 30 с. Маску позитивного фоторезиста, обладающую высокой химической и термической стойкостью, создали толщиной 10 мкм. Процесс термической обработки в среде аммиака проведен в течение 1350 с при температуре 87°С. Импульсным электрохимическим осаждением наносили слой серебра толщиной 9 мкм. Плотность тока составляла 0,06 мА/мм2, скважность 3, частота 33 Гц. Травление слоев структуры GaAs/GaInP проводили в плазме в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 10:3:7. Травление Ge провели в плазме BCl3 при давлении в камере 0,35 Па. Разделительная меза была выполнена глубиной 11 мкм.The basis of the ohmic contact was sprayed with a thickness of 0.2 μm, which had the form of strips 10 μm wide, spaced 80 μm apart. An ohmic contact base was ignited at a temperature of 370 ° С for 30 s. A positive photoresist mask with high chemical and thermal resistance was created with a thickness of 10 μm. The process of heat treatment in ammonia was carried out for 1350 s at a temperature of 87 ° C. A pulse layer of silver 9 μm thick was deposited by pulsed electrochemical deposition. The current density was 0.06 mA / mm 2 ,
Пример 5. Были изготовлены каскадные солнечные элементы способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями.Example 5. Cascade solar cells were manufactured by the method described in example 1, with the following differences.
Пассивирующий слой был выполнен из материала AlInP, травление контактного слоя осуществляли в водном травителе, содержащем NH4OH, H2O2, при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:The passivation layer was made of AlInP material, the contact layer was etched in an aqueous etchant containing NH 4 OH, H 2 O 2, in the following ratio of components, parts by weight:
Основу омического контакта напыляли толщиной 0,23 мкм, имеющей вид полосок шириной 7 мкм, отстоящих друг от друга на 90 мкм. Вжигание основы омического контакта проводили при температуре 360°С в течение 60 с. Маска позитивного фоторезиста, обладающая высокой химической и термической стойкостью, была создана толщиной 8 мкм. Процесс термической обработки в среде аммиака проведен в течение 1280 с при температуре 82°С. Импульсным электрохимическим осаждением наносили слой золота толщиной 7 мкм.The basis of the ohmic contact was sprayed with a thickness of 0.23 μm, having the form of
Плотность тока составляла 0,06 мА/мм2, скважность 4, частота 39 Гц. Травление слоев структуры GaAs/GaInP проводили в плазме в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 9:2:6. Травление Ge провели в плазме BCl3 при давлении в камере 0,39 Па. Разделительная меза была выполнена глубиной 14 мкм.The current density was 0.06 mA / mm 2 ,
Пример 6. Были изготовлены каскадные солнечные элементы способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями.Example 6. Cascade solar cells were manufactured by the method described in example 1, with the following differences.
Пассивирующий слой был выполнен из AlGaAs, травление контактного слоя осуществляли в водном травителе, содержащем лимонную кислоту и Н2О2, при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:The passivation layer was made of AlGaAs, the contact layer was etched in an aqueous etchant containing citric acid and H 2 O 2 , in the following ratio of components, parts by weight:
Основу омического контакта напыляли толщиной 0,27 мкм, имевшей вид полосок шириной 6 мкм, отстоящих друг от друга на 60 мкм. Вжигание основы омического контакта проводилось при температуре 363°С в течение 40 с. Маску позитивного фоторезиста, обладающую высокой химической и термической стойкостью, выполняли толщиной 8 мкм. Процесс термической обработки в среде аммиака проводили в течение 1200 с при температуре 90°С. Импульсным электрохимическим осаждением наносили слой золота толщиной 7 мкм. Плотность тока составляла 0,2 мА/мм2, скважность 5, частота 40 Гц. Травление слоев структуры GaAs/GaInP проводили в плазме в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 9:2:6. Травление Ge провели в плазме BCl3 при давлении в камере 0,5 Па. Разделительная меза была выполнена глубиной 15 мкм.The basis of the ohmic contact was sprayed with a thickness of 0.27 μm, which had the form of
Пример 7. Были изготовлены каскадные солнечные элементы способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями.Example 7. Cascade solar cells were manufactured by the method described in example 1, with the following differences.
Пассивирующий слой был выполнен из AlGaAs, химическое травление контактного слоя проводили в водном травителе, содержащем лимонную кислоту и Н2О2, при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:The passivation layer was made of AlGaAs, the chemical etching of the contact layer was carried out in an aqueous etchant containing citric acid and H 2 O 2 , in the following ratio of components, parts by weight:
Основу омического контакта напыляли толщиной 0,3 мкм, имеющей вид полосок шириной 10 мкм, отстоящих друг от друга на 100 мкм. Проводили вжигание основы омического контакта при температуре 366°С в течение 20 с. Маску позитивного фоторезиста, обладающую высокой химической и термической стойкостью, создали толщиной 11 мкм. Процесс термической обработки в среде аммиака проведен в течение 1400 с при температуре 90°С. Импульсным электрохимическим осаждением нанесли слой серебра толщиной 10 мкм. Плотность тока составляет 0,18 мА/мм2, скважность 4, частота 31 Гц. Травление слоев структуры GaAs/GaInP проводили в плазме атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 12:4:8. Травление Ge проводили в плазме BCl3 при давлении в камере 0,5 Па. Разделительная меза была выполнена глубиной 13 мкм.The basis of the ohmic contact was sprayed with a thickness of 0.3 μm, having the form of strips 10 μm wide, spaced 100 μm apart. An ohmic contact base was incinerated at a temperature of 366 ° C for 20 s. A positive photoresist mask with high chemical and thermal resistance was created with a thickness of 11 μm. The process of heat treatment in ammonia was carried out for 1400 s at a temperature of 90 ° C. A pulsed electrochemical deposition caused a layer of silver 10 μm thick. The current density is 0.18 mA / mm 2 ,
Пример 8. Были изготовлены каскадные солнечные элементы способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями.Example 8. Cascade solar cells were manufactured by the method described in example 1, with the following differences.
Пассивирующий слой выполнен из AlGaAs, химическое травление контактного слоя проводили в водном травителе, содержащем лимонную кислоту и Н2О2, при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:The passivation layer is made of AlGaAs, the chemical etching of the contact layer was carried out in an aqueous etchant containing citric acid and H 2 O 2, in the following ratio of components, parts by weight:
Основу омического контакта напыляли толщиной 0,35 мкм, имеющей вид полосок шириной 8 мкм, отстоящих друг от друга на 100 мкм. Вжигание основы омического контакта проводили при температуре 360°С в течение 10 с. Маску позитивного фоторезиста, обладающую высокой химической и термической стойкостью, выполняли толщиной 9 мкм. Процесс термической обработки в среде аммиака проводили в течение 1300 с при температуре 83°С. Импульсным электрохимическим осаждением нанесли слой золота толщиной 8 мкм. Плотность тока составляла 0,2 мА/мм2, скважность 4, частота 30 Гц. Травление слоев структуры GaAs/GaInP проводили в плазме в атмосфере BCl3, SF6 и Ar, подаваемых в соотношении, см3/мин, 9:2:5. Травление Ge провели в плазме BCl3 при давлении в камере 0,3 Па. Разделительная меза выполнена глубиной 12 мкм.The basis of the ohmic contact was sprayed with a thickness of 0.35 μm, having the form of strips with a width of 8 μm, spaced 100 μm apart. An ohmic contact base was ignited at a temperature of 360 ° С for 10 s. A positive photoresist mask with high chemical and thermal resistance was made with a thickness of 9 μm. The process of heat treatment in ammonia was carried out for 1300 s at a temperature of 83 ° C. Pulsed electrochemical deposition caused a layer of gold with a thickness of 8 μm. The current density was 0.2 mA / mm 2 ,
Получены каскадные солнечные элементы с минимизированной степенью затенения (до 12-15%) светочувствительной области солнечных элементов, с утолщенными омическими контактами (до 6-10 мкм), обладающими высоким электропроводящими свойствами (удельная электропроводность 62 Ом-1·см-1 при 25°С), высокой износостойкостью, осуществлена защита боковой поверхности солнечных элементов оптимальным образом благодаря созданию ровной вертикальной стенки разделительной мезы и нанесению защитного слоя диэлектрика. В результате снижены омические потери (омическое сопротивления составляет 10-6 Ом/см2), увеличены надежность и срок эксплуатации солнечных элементов до 25-30 лет, улучшены фотоэлектрические параметры солнечных элементов.Cascade solar cells with a minimized degree of shading (up to 12-15%) of the photosensitive region of solar cells, with thickened ohmic contacts (up to 6-10 μm), and having high electrical conductivity (specific conductivity 62 Ohm -1 · cm -1 at 25 ° C), high wear resistance, the side surface of solar cells was protected in an optimal way by creating an even vertical wall of the separation mesa and the application of a protective dielectric layer. As a result, the ohmic losses are reduced (the ohmic resistance is 10 -6 Ohm / cm 2 ), the reliability and life of the solar cells are increased to 25-30 years, the photoelectric parameters of the solar cells are improved.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013116581/28A RU2528277C1 (en) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013116581/28A RU2528277C1 (en) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2528277C1 true RU2528277C1 (en) | 2014-09-10 |
Family
ID=51540307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013116581/28A RU2528277C1 (en) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2528277C1 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2575974C1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Method of making heterostructure solar cell |
| RU2576412C1 (en) * | 2014-12-01 | 2016-03-10 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Method of selective reactive-ion etching for semiconductor heterostructure |
| RU2577826C1 (en) * | 2014-12-01 | 2016-03-20 | Публичное акционерное общество "Сатурн" | Method of etching of contact platform of built photoconverter diode |
| RU2589464C1 (en) * | 2015-05-14 | 2016-07-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Method of making multijunction solar cell |
| RU2611569C1 (en) * | 2015-12-09 | 2017-02-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Metamorphic photovoltaic converter |
| CN111200039A (en) * | 2020-01-14 | 2020-05-26 | 北京北方华创真空技术有限公司 | Monocrystalline silicon cell and preparation method thereof |
| RU2734845C1 (en) * | 2019-12-27 | 2020-10-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Method for plasma-chemical etching of heterostructures based on inp |
| CN115863466A (en) * | 2023-03-02 | 2023-03-28 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | Gallium arsenide solar cell chip and preparation method thereof |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330585A (en) * | 1992-10-30 | 1994-07-19 | Spectrolab, Inc. | Gallium arsenide/aluminum gallium arsenide photocell including environmentally sealed ohmic contact grid interface and method of fabricating the cell |
| RU2219621C1 (en) * | 2002-07-12 | 2003-12-20 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Photoelectric transducer manufacturing method |
| RU2244986C1 (en) * | 2003-05-20 | 2005-01-20 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Photoelectric converter manufacturing process |
| RU2292610C1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-01-27 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Method for making a photo-transformer |
| RU2357326C1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-05-27 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Method of making photoconverter contacts |
| RU2391745C1 (en) * | 2009-01-23 | 2010-06-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Method of making cascade solar cells (versions) |
| CN101814543A (en) * | 2010-03-19 | 2010-08-25 | 厦门市三安光电科技有限公司 | Multi-junction solar cell with high peak current density tunnel junction |
-
2013
- 2013-04-12 RU RU2013116581/28A patent/RU2528277C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330585A (en) * | 1992-10-30 | 1994-07-19 | Spectrolab, Inc. | Gallium arsenide/aluminum gallium arsenide photocell including environmentally sealed ohmic contact grid interface and method of fabricating the cell |
| RU2219621C1 (en) * | 2002-07-12 | 2003-12-20 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Photoelectric transducer manufacturing method |
| RU2244986C1 (en) * | 2003-05-20 | 2005-01-20 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Photoelectric converter manufacturing process |
| RU2292610C1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-01-27 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Method for making a photo-transformer |
| RU2357326C1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-05-27 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Method of making photoconverter contacts |
| RU2391745C1 (en) * | 2009-01-23 | 2010-06-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Method of making cascade solar cells (versions) |
| CN101814543A (en) * | 2010-03-19 | 2010-08-25 | 厦门市三安光电科技有限公司 | Multi-junction solar cell with high peak current density tunnel junction |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2575974C1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Method of making heterostructure solar cell |
| RU2576412C1 (en) * | 2014-12-01 | 2016-03-10 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Method of selective reactive-ion etching for semiconductor heterostructure |
| RU2577826C1 (en) * | 2014-12-01 | 2016-03-20 | Публичное акционерное общество "Сатурн" | Method of etching of contact platform of built photoconverter diode |
| RU2589464C1 (en) * | 2015-05-14 | 2016-07-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Method of making multijunction solar cell |
| RU2611569C1 (en) * | 2015-12-09 | 2017-02-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Metamorphic photovoltaic converter |
| RU2734845C1 (en) * | 2019-12-27 | 2020-10-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Method for plasma-chemical etching of heterostructures based on inp |
| CN111200039A (en) * | 2020-01-14 | 2020-05-26 | 北京北方华创真空技术有限公司 | Monocrystalline silicon cell and preparation method thereof |
| CN111200039B (en) * | 2020-01-14 | 2021-06-08 | 北京北方华创真空技术有限公司 | Monocrystalline silicon cell and preparation method thereof |
| CN115863466A (en) * | 2023-03-02 | 2023-03-28 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | Gallium arsenide solar cell chip and preparation method thereof |
| CN115863466B (en) * | 2023-03-02 | 2023-05-23 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | Gallium arsenide solar cell chip and preparation method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2528277C1 (en) | METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE | |
| JP2666237B2 (en) | Group III nitride semiconductor light emitting device | |
| RU2547004C1 (en) | FABRICATION OF GaAs-BASED PHOTO INVERTER | |
| CN105702820B (en) | The reversed polarity AlGaInP base LED and its manufacturing method of surface covering ITO | |
| RU2391745C1 (en) | Method of making cascade solar cells (versions) | |
| JP2012243797A (en) | Solar cell manufacturing method | |
| RU2419918C1 (en) | Method for producing chips of solar photocells | |
| CN112038448B (en) | AlGaN single-pole carrier solar blind ultraviolet detector and preparation method thereof | |
| JPH1051030A (en) | Group iii nitride semiconductor light-emitting element | |
| JP2016509376A (en) | Photoactive device having a low bandgap active layer configured to improve efficiency and related methods | |
| CN205723599U (en) | Surface covers the reversed polarity AlGaInP base LED of ITO | |
| US10957808B2 (en) | Flexible double-junction solar cell | |
| RU2354009C1 (en) | Method for manufacture of photoelectric transducers based on multilayer structure | |
| RU2368038C1 (en) | Method for manufacturing of multilayer photoconverter chips | |
| RU2687851C1 (en) | Method of making ohmic contacts of photoelectric converter | |
| RU2292610C1 (en) | Method for making a photo-transformer | |
| KR101239852B1 (en) | GaN compound semiconductor light emitting element | |
| US20120199188A1 (en) | Metal contact formation and window etch stop for photovoltaic devices | |
| RU2575974C1 (en) | Method of making heterostructure solar cell | |
| KR20080105280A (en) | Method of preparing solar cell and solar cell prepared by the same | |
| RU2575972C1 (en) | METHOD FOR PRODUCTION OF GaSb-BASED PHOTOCONVERTER | |
| RU2436194C1 (en) | Method for producing chips of concentrator solar photocells | |
| JPH08274358A (en) | Iii-v compound semiconductor solar cell | |
| RU2493634C1 (en) | Method of making multistage photocell chips | |
| RU2391744C1 (en) | Method of making photoelectric converter chips |