RU2519084C2 - Кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария и способ его получения - Google Patents
Кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария и способ его получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2519084C2 RU2519084C2 RU2011151512/03A RU2011151512A RU2519084C2 RU 2519084 C2 RU2519084 C2 RU 2519084C2 RU 2011151512/03 A RU2011151512/03 A RU 2011151512/03A RU 2011151512 A RU2011151512 A RU 2011151512A RU 2519084 C2 RU2519084 C2 RU 2519084C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- baf
- barium fluoride
- field
- temperature
- hot pressing
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Группа изобретений относится к области сцинтилляционной техники, к эффективным быстродействующим сцинтилляционным детекторам, предназначенным для регистрации гамма-излучения, в приборах для быстрой диагностики в медицине, промышленности, космической технике, научных исследованиях и высоких технологиях. Кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария имеет структуру керамики в виде системы зерен со слоистой структурой, содержащей дислокации, с толщиной слоев менее 100 нм, в котором слои зерен по всему объему насыщены дефектами, образованными дислокациями линейного характера. Способ получения этого материала включает горячее прессование высокочистого исходного порошкообразного BaF с содержанием катионных примесей 1 ппм. Горячее прессование производят в условиях безградиентного поля температур с помощью нагревателя большей высоты по сравнению с высотой образца и с обеспечением равномерного поля механических напряжений по плоскости прессования, после чего проводят отжиг полученных керамических пластин в активной фторирующей газовой среде при температуре, не превышающей Тпл BaF2. Технический результат - получение керамического материала с высоким коэффициентом пропускания, не менее 0,8 в диапазоне спектра 0,22-9 мкм, увеличенной интенсивностью быстрого компонента и с временем высвечивания τ1=0,8 нс с максимумом на длине волны 220 нм. 2 н.п. ф-лы, 3 прим., 1 ил.
Description
Группа изобретений относится к области «сцинтилляционная техника», прежде всего к эффективным быстродействующим сцинтилляционным детекторам, предназначенным для регистрации гамма-излучения. Область применения изобретения: приборы для быстрой диагностики в медицине, промышленность, космическая техника, научные исследования и высокие технологии.
Требования, предъявляемые к сцинтилляторам, многочисленны. Наиболее важными свойствами таких материалов являются следующие: быстродействие, то есть малое время высвечивания (τ) регистрируемой полосы; высокая конверсионная эффективность (интегральный световой выход, L); высокая интенсивность полосы генерации, радиационная долговечность; малое послесвечение и хорошие механические свойства. Важен также спектральный диапазон излучения для сочетания с фотоприемником, предназначенным для регистрации излучения сцинтиллятора.
Высокое быстродействие и большая конверсионная эффективность сцинтилляторов крайне необходимы для создания высокочувствительных детекторов с высокой скоростью счета событий. В частности, улучшение временного разрешения сцинтилляторов, используемых в позитронной эмиссионной томографии (ПЭТ), приводит к увеличению точности определения позиции точки аннигиляции, и улучшает чувствительность детектора.
В качестве неорганических сцинтилляторов часто используют широкозонные кристаллы, поскольку они прозрачны к собственному излучению. Такой сцинтиллятор выполняют в виде прозрачного кристалла, в который вводят люминесцирующую примесь, то есть активатор (легирующая добавка). Альтернативой кристаллам служат прозрачные в области собственного излучения керамики. Например, в рентгеновских томографах используют преимущественно керамические сцинтилляторы. Прозрачные керамики оказываются в ряде случаев предпочтительнее кристаллов, благодаря их высокой степени оптической однородности, обусловленной гомогенным распределением активатора, поскольку в больших кристаллах достаточно сложно получить равномерное распределение активатора. Кроме того, получение керамик проводят при температурах ниже температуры плавления материала. Керамики обладают лучшими механическими (не имеют плоскостей спайности) и термическими свойствами и по этой причине их используют в мощных лазерах. Получение однородных образцов больших размеров также является характерным для керамической технологии, что экономически выгодно.
Постоянные спада большинства традиционных сцинтилляторов составляют τ=20-80 нс (время высвечивания наиболее распространенного активатора - трехвалентного церия Се3+), а для современных детектирующих устройств требуются времена высвечивания субнаносекундного диапазона. Например, из лучших современных сцинтилляторов, выпускаемых в промышленном масштабе, можно указать кристалл Lu2SiO5:Ce (L=27000 фотонов/МэВ), описанный в патенте US №6413311, С03В 15/00, 2001. Главный недостаток данного сцинтиллятора является длительное время высвечивания τ=40 нс.
Известен быстрый монокристаллический сцинтиллятор BaF2, имеющий одну из постоянных высвечивания τ=0,8 нс (Патент US №4510394, G01J 1/58, 1985). За этот сверхбыстрый компонент сцинтилляций ответственны остовно-валентные переходы, проявляющиеся во фториде бария в виде полосы свечения с максимумом при 220 нм (Р.А. Rodnyi, Core-valence transitions in scintillators, Radiation Measurements. Vol.38, N4-6, 2004, 343-352). Существенным недостатком известного сцинтиллятора монокристалла BaF2 является низкий световой выход сверхбыстрого свечения кристалла: 5% от такового для наиболее широко используемого сцинтиллятора NaJ:TI. Другим недостаткам монокристалла BaF2 является наличие интенсивного длительного (~ 600 нс) компонента свечения, за который ответственно излучение экситонов - широкая полоса с максимумом при 310 нм. Важным недостатком по сравнению с керамическими материалами можно считать наличие спайности, что обусловливает более низкую механическую прочность и низкую термостойкость.
Известен способ получения BaF2 керамики, прозрачной в ИК области спектра (Патент ЕР №0577427, C01F 7/00, 1994). Керамику изготавливают методом горячего прессования высокоочищенного (≥98,5%) порошка BaF2 с размером частиц ≤6 мкм. Способ позволяет получать керамику с плотностью ≤98% от таковой для кристалла BaF2 (4,83 г/см3). По структуре керамика представляет собой связанные в единое целое зерна с порами, имеющие средний размер 50-70 нм, с хаотически ориентированной структурой.
Основной целью рассматриваемого изобретения являлось устранение полосы поглощения BaF2 в области спектра от 8 до 11 мкм, сцинтилляционные характеристики BaF2 керамики не рассматривались. Следует отметить, что при такой сравнительно невысокой (≤98%) плотности невозможно получить высокую прозрачность керамики и удовлетворительные оптические свойства, в частности, люминесценцию, в коротковолновой области спектра. Этот патент избран в качестве прототипа, как наиболее близкий по сути заявляемому материалу и способу.
Задачей предлагаемой группы изобретений является получение кристаллического сцинтилляционного материала, представляющего собой керамику BaF2, с увеличенной интенсивностью быстрого компонента L1 с временем высвечивания τ1=0,8 нс с максимумом на длине волны 220 нм.
Группа изобретений имеет общий изобретательский замысел: материал и способ его изготовления.
Новый кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария, имеет структуру керамики, представляющую собой систему зерен со слоистой структурой, содержащей дислокации, с толщиной слоев менее 100 нм, и в котором слои зерен по всему объему насыщены дефектами, образованными дислокациями линейного характера.
Заявляемый керамический материал в отличие от прототипа представляет высокоплотный компакт, в котором плотность равна теоретически предельно возможной, т.е. 100%. Прозрачность керамики в ультрафиолетовой области находится на уровне оптических монокристаллов BaF2 марки ВУФ (80% на длине волны 220 нм).
Сцинтилляционные свойства такой керамики (полированный со всех сторон образец в виде параллелепипеда с размерами 5×10×15 мм): интегральная интенсивность быстрого компонента со временем высвечивания τ1=0,8 нс (максимум на длине волны 220 нм) L1=4500 и по сравнению с керамикой по патенту ЕР №0577427 существенно увеличивается - более чем на порядок. Таким образом, эффективность данного сцинтилляционного материала является по сравнению с прототипом существенно более высокой (в разы).
Способ получения кристаллического сцинтилляционного материала, включающий горячее прессование исходного порошкообразного BaF2, в котором, в отличие от прототипа, используют высокочистый исходный материал, в котором содержание катионных примесей находится на уровне 1 ппм, горячее прессование производят при температуре не ниже 2/3 от Тпл. BaF2 и не выше 1200°С в условиях безградиентного поля температур с обеспечением равномерного поля механических напряжений по плоскости прессования, затем осуществляют отжиг полученных керамических пластин в реактивной фторирующей газовой среде при температуре ниже Тпл фторида бария.
Содержание активных в спектре люминесценции катионных примесей находится на уровне 1 ппм, что соответствует массовой доле 1·10-4 %. Высокая степень чистоты (в частности, по меди, хрому, никелю, кобальту и марганцу) обуславливает наибольшую прозрачность в коротковолновой части излучательного спектра и наибольший световыход быстрого компонента. В данном случае важной является наибольшая прозрачность в ВУФ части спектра, т.е. там, где находится полоса быстрого компонента в области 220 нм.
Особенности структуры новой керамики заключаются в плотной упаковке структурообразующих элементов, что обуславливает тот факт, что поры в зернах не обнаружены. На границах зерен в керамике BaF2 имеется упорядоченная система, представляющая плотно упакованные слои толщиной 50-100 нм по профилю, перпендикулярному слоям, и которая ограничена дислокационными стенками.
Похожая структура обнаружена авторами работы [М.Sh. Akchurin, R.V. Gainutdinov, E.A. Garibin, Yu.I. Golovin, A.A. Demidenko, K.V. Dukel′skii, S.V. Kuznetsov, I.A. Mironov, V.V. Osiko, A.N. Smirnov, N.Yu. Tabachkova, A.I. Tyurin, P.P. Fedorov, V.V. Shindyapin «Nanostructure of Optical Fluoride Ceramics». Inorganic Materials: Applied Research, 2011, Vol.2, No.2, pp.7-13]. Исследование сколов образцов методом силовой атомной спектроскопии показало, что эти слои, в свою очередь, имеют регулярную структуру, которая образована субслоями толщиной порядка 0,3 нм.
Описанную в данной работе керамику можно охарактеризовать как высокоплотный материал с высокой прозрачностью в ультрафиолетовой части спектра, который состоит из зерен, внутри которых имеются выходы дислокации, образующие дислокационные стенки между системой слоев, каждый из которых имеет толщину 50-100 нм и среднюю высоту 15 нм. Однако данная структура имеет участки, где нет вообще слоистой структуры; слоистая структура обнаружена на границах зерен, что является дефектом керамики, не достигается высокой плотности и чистоты, влекущие недостатки параметров стинцилляции. В данной работе также не приведена технология изготовления.
Основные свойства структуры новой сцинтилляционной керамики определяет полное насыщение зернами со слоистой структурой и высокой концентрацией дефектов, образованных линейными дислокациями по границам нанослоев, предельно высокая плотность и высокая степень чистоты. В такой тонко структурированной матрице интенсивность быстрого компонента с максимумом 220 нм и временем высвечивания τ1=0,8 нс существенно увеличивается не только по сравнению с прототипом - более чем на порядок, но и с хорошо известным монокристаллическим образцом сцинтиллятора BaF2 - более чем в 4 раза.
Эффективность генерации быстрого компонента в заявляемом сцинтилляционном керамическом материале (значение отношения интенсивностей быстрого и медленного компонента) по сравнению с прототипом является более высокой (в разы).
Материал изготовлен способом, режим которого подобран опытным путем. Условия безградиентного поля температур с обеспечением равномерного поля механических напряжений по плоскости прессования достигается с помощью использования нагревателя большой высоты по сравнению с высотой образца, что обеспечивает равномерное по высоте поле температур; равномерные механические напряжения создают, задавая определенные размеры образца, в котором соотношение высота образца/площадь сечения = 5 и более, причем максимальное отклонение от плоскопараллельности опорной поверхности пресс-формы относительно рабочей поверхности пуансона составляет не более 200÷300 мкм.
Эффект увеличения интенсивности быстрого компонента связан со следующим явлением. Механизм возникновения быстрого компонента имеет в основе остовно-валентный переход (ОВП). При формировании насыщенной дефектной структуры (дислокации, границы зерен, границы слоев и субслоев) вероятность ОВП увеличивается, поскольку увеличивается концентрация дефектов, каждый из которых является излучательным центром.
На чертеже представлены спектры люминесценции образцов керамики BaF2, где 1 - кривая, отражающая спектр прототипа (пунктирная линия), 2 - спектр керамики, полученной предлагаемым способом. Спектры представлены в виде зависимости интенсивности в относительных единицах от длины волны в нанометрах (нм).
Методами атомно-силовой микроскопии на сколе керамического образца выявлена слоистая субструктура зерен, образованная регулярной системой слоев высотой порядка 5-25 нм и шириной 30-100 нм.
Полученные образцы керамики BaF2 имеют следующие оптические параметры: коэффициент пропускания в области 0,22-0,5 мкм 0,8-0,85, т.е. на уровне оптического монокристалла BaF2 марки ВУФ; интенсивность быстрого компонента с максимумом 220 нм и временем высвечивания τ1=0,8 нс по сравнению с прототипом выше - более чем на порядок, а по сравнению с хорошо известным монокристаллическим сцинтиллятором BaF2 - более чем в 4 раза; интенсивность медленного компонента ниже, чем интенсивность быстрого компонента, что выгодно отличает заявляемый керамический материал от монокристалла BaF2 и керамики BaF2 по прототипу.
Пример №1. Навеску 50 г мелкодисперсного порошка высокочистого BaF2 поместили в пресс-форму с диаметром полости 55 мм, провели холодное прессование при давлении 250 кгс/см2 и подвергли одноосной деформации в вакууме при температуре 1200°С, прикладывая давление 2 тс/см2 в течение 30 мин. После того, как была достигнута величина давления 2 тс/см2, провели выдержку в течение 20 минут для придания заготовке конечной плотности.
Полученный таким образом керамический материал, далее подвергли отжигу в атмосфере газообразного CF4 при температуре 1300°С в течение 20 часов.
В результате был получен керамический материал в заготовке с размерами диаметр 55 мм и толщина 4,36 мм, характеризующийся высоким коэффициентом пропускания, не менее 0,8 в диапазоне спектра от 0.22 до 9 мкм. Интенсивность быстрого компонента составила 480 отн. ед., интенсивность медленного компонента - 380 отн. ед. (прототип, соответственно 50 и 150 отн. ед.).
Пример №2. Навеску 50 г мелкодисперсного порошка высокочистого BaF2 поместили в пресс-форму с диаметром полости 55 мм, провели холодное прессование при давлении 250 кгс/см2 и подвергли одноосной деформации в вакууме при температуре 900°С, прикладывая давление 2 тс/см2 в течение 30 мин. Процесс проводили в условиях безградиентного температурного поля и равномерных механических напряжений по Примеру №1. После того как была достигнута величина давления 2 тс/см2, провели выдержку в течение 60 минут для придания заготовке конечной плотности.
Затем, аналогично примеру 1, осуществили отжиг полученного материала в среде газообразного CF4, но при более низкой температуре 1150°С.
Синтезированный поликристалл образован зернами, имеющими слоистую наноструктуру, обладает высокой прозрачностью и имеет теоретическое значение плотности. Интенсивность быстрого компонента составила 450 отн. ед., интенсивность медленного компонента - 300 отн. ед.
Пример №3. Навеску 50 г мелкодисперсного порошка высокочистого BaF2 поместили в тигель, изготовленный из графита, с диаметром полости 50 мм и провели предварительный отжиг в среде газообразного CF4 при температуре 1200°С в течение 2 часов. Спеченный порошок в виде цилиндрической заготовки переместили в пресс-форму с диаметром полости 55 мм и подвергли одноосной деформации в вакууме при температуре 1150°С, прикладывая давление 2 тс/см2 в течение 30 минут до момента окончания деформации. Процесс проводили в условиях безградиентного температурного поля и равномерных механических напряжений по Примеру №1. После того, как была достигнута величина давления 2 тс/см2, провели выдержку в течение 60 минут для придания материалу конечной плотности.
Полученный таким образом керамический материал вновь подвергли отжигу в атмосфере газа CF4 при температуре 1300°С в течение 20 часов.
Получен керамический материал, характеризующийся высоким коэффициентом пропускания, не менее 0,8 в диапазоне спектра от 0.22 до 9 мкм. Интенсивность быстрого компонента составила 580 отн. ед., интенсивность медленного компонента - 300 отн. ед.
Claims (2)
1. Кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария, имеющего структуру керамики, представляющую собой систему зерен со слоистой структурой, содержащей дислокации, с толщиной слоев менее 100 нм, в которой слои зерен по всему объему насыщены дефектами, образованными дислокациями линейного характера.
2. Способ получения кристаллического сцинтилляционного материала по п.1, включающий горячее прессование исходного порошкообразного фторида бария, отличающийся тем, что используют высокочистый исходный материал, в котором содержание катионных примесей находится на уровне 1 ппм, горячее прессование производят в условиях безградиентного поля температур, что достигают с помощью использования нагревателя большей высоты по сравнению с высотой образца, с обеспечением равномерного поля механических напряжений, что достигают, не превышая максимальное отклонение плоскопараллельности опорной поверхности пресс-формы относительно рабочей поверхности пуансона 200÷300 мкм при температуре 2/3 от Тпл. BaF2 и не выше 1200°С и проводят отжиг полученных керамических пластин в активной фторирующей газовой среде при температуре, не превышающей Тпл фторида бария.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011151512/03A RU2519084C2 (ru) | 2011-12-08 | 2011-12-08 | Кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария и способ его получения |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011151512/03A RU2519084C2 (ru) | 2011-12-08 | 2011-12-08 | Кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария и способ его получения |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011151512A RU2011151512A (ru) | 2013-06-20 |
RU2519084C2 true RU2519084C2 (ru) | 2014-06-10 |
Family
ID=48785236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011151512/03A RU2519084C2 (ru) | 2011-12-08 | 2011-12-08 | Кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария и способ его получения |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2519084C2 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0577427A1 (en) * | 1992-07-01 | 1994-01-05 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Infrared transmitting barium fluoride sintered body and method of producing the same |
UA15292U (en) * | 2006-01-11 | 2006-06-15 | Serhii Vasyliovych Plys | Feeding system of diesel engine |
EP1867696A1 (en) * | 2005-02-14 | 2007-12-19 | Japan Science and Technology Agency | High counting rate scintillator |
RU2436122C1 (ru) * | 2010-08-12 | 2011-12-10 | Закрытое акционерное общество "ИНКРОМ" (ЗАО "ИНКРОМ") | Способ получения сцинтилляционной керамики и сцинтиллятор |
-
2011
- 2011-12-08 RU RU2011151512/03A patent/RU2519084C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0577427A1 (en) * | 1992-07-01 | 1994-01-05 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Infrared transmitting barium fluoride sintered body and method of producing the same |
EP1867696A1 (en) * | 2005-02-14 | 2007-12-19 | Japan Science and Technology Agency | High counting rate scintillator |
UA15292U (en) * | 2006-01-11 | 2006-06-15 | Serhii Vasyliovych Plys | Feeding system of diesel engine |
RU2436122C1 (ru) * | 2010-08-12 | 2011-12-10 | Закрытое акционерное общество "ИНКРОМ" (ЗАО "ИНКРОМ") | Способ получения сцинтилляционной керамики и сцинтиллятор |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
AKCHURIN M.SH., GAINUTDINOV E.A. et al "Nanostructure of optical fluoride ceramics", Inorganic Materials: Applied Research, 2011, vol.2, N 2, pp 7-13 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2011151512A (ru) | 2013-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6644010B2 (ja) | 向上した耐放射線性を有する多重ドープルテチウム系オキシオルトシリケートシンチレータ | |
Yanagida et al. | Optical and scintillation properties of transparent ceramic Yb: Lu2O3 with different Yb concentrations | |
Zych et al. | Spectroscopic properties of Lu2O3/Eu3+ nanocrystalline powders and sintered ceramics | |
KR101538194B1 (ko) | 중성자 검출용 신틸레이터 및 중성자 검출 장치 | |
Yang et al. | A promising high-density scintillator of GdTaO 4 single crystal | |
Yanagida et al. | Scintillation properties of LiF–SrF2 and LiF–CaF2 eutectic | |
JP2014505742A (ja) | ドープされた希土類ケイ酸塩を含む蛍光材料 | |
Nakamura et al. | Scintillation and dosimeter properties of CaF2 transparent ceramics doped with Nd3+ produced by SPS | |
Lan et al. | Preparation and scintillation properties of Eu2+: CaF2 scintillation ceramics | |
Sun et al. | A highly robust Ce 3+-doped and Gd 3+-mixed KLaF 4 nano-glass composite scintillator | |
Kawaguchi et al. | Scintillation properties of non-doped and Pr-doped BaO–B2O3–SiO2 glasses and glass-ceramics | |
Lindsey et al. | Effects of increasing size and changing europium activator concentration in KCaI3 scintillator crystals | |
Kawaguchi et al. | Scintillation light yields of Tb-doped SiO2 glasses | |
Rahimi et al. | Luminescence and scintillation properties of Eu2+ doped CaF2 glass ceramics for radiation spectroscopy | |
Chen et al. | Processing of transparent polycrystalline AlON: Ce3+ scintillators | |
WO2015037395A1 (ja) | シンチレータ材料、放射線検出器及び放射線検査装置 | |
Xiong et al. | Influence of sintering conditions on the microstructure and optical properties of Eu: CaF2 transparent ceramic | |
Xie et al. | Microstructure and luminescent properties of Ce: Lu2SiO5 ceramic scintillator by spark plasma sintering | |
Wisniewski et al. | Development of novel polycrystalline ceramic scintillators | |
Li et al. | Intense radioluminescence from transparent CsGd2F7: Ce3+ nano-glass scintillator | |
Roy et al. | Optical properties of anisotropic polycrystalline Ce3+ activated LSO | |
US8080175B2 (en) | Scintillator having a MgAI2O4 host lattice | |
Yanagida et al. | Growth, optical properties, and scintillation light yield of CaF2: Ce crystals with different Ce concentration | |
Chen et al. | Fabrication of Ce:(Gd2Y)(Ga3Al2) O12 scintillator ceramic by oxygen-atmosphere sintering and hot isostatic pressing | |
RU2519084C2 (ru) | Кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария и способ его получения |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151209 |