RU2515377C1 - Orthogonal magnetotransistor converter - Google Patents
Orthogonal magnetotransistor converter Download PDFInfo
- Publication number
- RU2515377C1 RU2515377C1 RU2012153373/28A RU2012153373A RU2515377C1 RU 2515377 C1 RU2515377 C1 RU 2515377C1 RU 2012153373/28 A RU2012153373/28 A RU 2012153373/28A RU 2012153373 A RU2012153373 A RU 2012153373A RU 2515377 C1 RU2515377 C1 RU 2515377C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- field
- substrate
- magnetotransistor
- base
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Датчики величины и направления магнитного поля производят преобразование индукции магнитного поля в электрический сигнал и находят все более широкое применение в интегральной электронике и микросистемной технике благодаря возможности их объединения с остальными компонентами микросистем методами микроэлектроники.The invention relates to semiconductor electronics, semiconductor devices - bipolar structures with sensitivity to the effects of a magnetic field. Magnetic field magnitude and direction sensors convert magnetic field induction into an electrical signal and find wider application in integrated electronics and microsystem technology due to the possibility of combining them with other components of microsystems using microelectronics methods.
В патенте США [1] датчик магнитного поля в виде латерального биполярного двухколлекторного транзистора, чувствительного к магнитному полю, формируется в кармане на поверхности кремниевой подложки другого по сравнению с карманом типа проводимости. Электроды расположены на поверхности кармана в следующем порядке: в середине - эмиттер, слева и справа - коллекторы, далее, слева и справа - контакты к базе. На p-n переход между подложкой и карманом с помощью дополнительных контактов к подложке подается обратное смещение, что должно обеспечить изоляцию транзистора от других элементов интегральной схемы. Относительная чувствительность датчика по току составляет примерно 100% T-1. Основную роль в перераспределении носителей заряда играет модулируемая инжекция в результате изменения потенциалов на левой и правой границах эмиттерного p-n-перехода при действии силы Лоренца в магнитном поле. Этот прибор чувствителен преимущественно к магнитному полю, направленному вдоль поверхности кристалла. Недостатком датчика является то, что при переходе карман-подложка третьим коллектором через переход проникает ток инжектированных носителей заряда, то есть переход карман-подложка не обеспечивает изоляцию прибора.In US patent [1], a magnetic field sensor in the form of a lateral bipolar two-collector transistor sensitive to a magnetic field is formed in a pocket on the surface of a silicon substrate of a different type of conductivity than a pocket. The electrodes are located on the surface of the pocket in the following order: in the middle - the emitter, on the left and right - collectors, then on the left and right - contacts to the base. The reverse bias is applied to the pn junction between the substrate and the pocket with the help of additional contacts to the substrate, which should ensure the isolation of the transistor from other elements of the integrated circuit. The relative current sensitivity of the sensor is approximately 100% T -1 . The main role in the redistribution of charge carriers is played by modulated injection as a result of potential changes at the left and right boundaries of the emitter pn junction under the action of the Lorentz force in a magnetic field. This device is sensitive mainly to a magnetic field directed along the surface of the crystal. The disadvantage of the sensor is that when the pocket-substrate transitions by the third collector, the current of the injected charge carriers penetrates through the transition, that is, the pocket-substrate transition does not provide isolation of the device.
В патентах США [2, 3] несколько коллекторных электродов располагаются вокруг эмиттера. Такой транзистор с расщепленным коллектором позволяет почувствовать три компоненты вектора индукции магнитного поля, но не дает возможности разделить полезный сигнал по составляющим вектора магнитной индукции в силу их перекрестного вклада в выходной сигнал.In US patents [2, 3] several collector electrodes are located around the emitter. Such a split-collector transistor allows you to feel the three components of the magnetic field induction vector, but it does not make it possible to separate the useful signal by the components of the magnetic induction vector due to their cross-contribution to the output signal.
В патенте РФ [4] предлагается полупроводниковый прибор, чувствительный к магнитному полю, в виде латерального биполярного магниточувствительного двухколлекторного транзистора, содержащего монокристаллическую подложку, глубокий карман, расположенные внутри кармана области контактов к базе, эмиттер, первый и второй рабочие коллекторы, расположенные вне кармана первый и второй контакты к подложке, диффузионные области контактов к базе расположены ближе к эмиттеру, чем рабочие коллекторы, размеры областей контактов к базе более или равны ширине и глубине кармана, а контакты к базе и контакты к подложке подключаются к одному источнику питания. Основной недостаток этого прибора состоит в том, что вместе с инжектированными электронами в подложку проникают электроны и дырки, которые создают взаимодействие элементов в интегральной схеме. Транзисторы имеют относительно большой начальный разбаланс токов коллекторов. Применение их в составе интегральных схем затруднено из-за разбаланса токов и влияния токов подложки на соседние элементы интегральной схемы.The RF patent [4] proposes a magnetic field sensitive semiconductor device in the form of a lateral bipolar magnetically sensitive two-collector transistor containing a single-crystal substrate, a deep pocket located inside the pocket of the contact area to the base, an emitter, the first and second working collectors located outside the pocket of the first and the second contacts to the substrate, the diffusion areas of the contacts to the base are located closer to the emitter than the working collectors, the sizes of the contact areas to the base are more or equal the width and depth of the pocket, and the contacts to the base and the contacts to the substrate are connected to the same power source. The main disadvantage of this device is that, together with the injected electrons, electrons and holes penetrate the substrate, which create the interaction of elements in the integrated circuit. Transistors have a relatively large initial imbalance of collector currents. Their use as part of integrated circuits is difficult due to the imbalance of currents and the influence of substrate currents on neighboring elements of the integrated circuit.
Наиболее близким аналогом, принятым за прототип, является патент на изобретение [5], в котором предлагается полупроводниковый магнитный преобразователь, содержащий кремниевую монокристаллическую подложку; базовую область на поверхности подложки, имеющую малую концентрацию примеси; сильнолегированные области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов с глубиной меньше глубины базовой области, расположенные внутри базовой области; области сильнолегированных контактов к базе; диффузионный карман, отделяющий базовую область от подложки, в котором имеются сильнолегированные контакты; в подложке формируются контакты, которые соединены электрически с контактами к эмиттеру с подачей одинакового потенциала. Между карманом и подложкой образуется p-n-переход, который хорошо защищает прибор от токов других элементов, входящих в интегральную схему. Прибор максимально чувствителен к магнитной индукции с вектором, направленным вдоль поверхности кристалла и вдоль длинной стороны полосковых электродов эмиттера и коллекторов. При полосковой геометрии эмиттера и коллекторов, равноудаленных от эмиттера, ортогональная чувствительность практически равна нулю.The closest analogue adopted for the prototype is the patent for the invention [5], which proposes a semiconductor magnetic transducer containing a silicon single crystal substrate; a base region on a substrate surface having a low impurity concentration; heavily doped areas of the emitter, the first and second measuring collectors with a depth less than the depth of the base region, located inside the base region; areas of heavily doped contacts to the base; a diffusion pocket separating the base region from the substrate, in which there are heavily doped contacts; contacts are formed in the substrate, which are electrically connected to the contacts to the emitter with the same potential supply. A p-n junction is formed between the pocket and the substrate, which protects the device well from the currents of other elements included in the integrated circuit. The device is most sensitive to magnetic induction with a vector directed along the surface of the crystal and along the long side of the strip electrodes of the emitter and collectors. With the strip geometry of the emitter and collectors equidistant from the emitter, the orthogonal sensitivity is almost zero.
Задачей изобретения является увеличение чувствительности ортогонального магнитотранзисторного преобразователя к магнитной индукции, направленной перпендикулярно поверхности кристалла.The objective of the invention is to increase the sensitivity of the orthogonal magnetotransistor transducer to magnetic induction directed perpendicular to the surface of the crystal.
Поставленная задача решается благодаря тому, что в ортогональном магнитотранзисторном преобразователе предусмотрены следующие отличия от прототипа: магнитное поле, перпендикулярное подложке, в месте расположения активной области магнитотранзистора преобразуется трансформером в магнитное поле, параллельное подложке, нагрузки коллекторов и цепь смещения базы и кармана выполнены на полевых транзисторах с затвором в виде p-n-перехода с заданным соотношением ширины канала более 2:1 в задающем ток базы и кармана полевом транзисторе и в полевых транзисторах нагрузки коллекторов, полевые транзисторы нагрузки коллекторов соединены по схеме токового зеркала.The problem is solved due to the fact that the following differences from the prototype are provided in the orthogonal magnetotransistor converter: a magnetic field perpendicular to the substrate, at the location of the active region of the magnetotransistor is transformed by a transformer into a magnetic field parallel to the substrate, the collector loads and the bias circuit of the base and pocket are made on field-effect transistors with a gate in the form of a pn junction with a given ratio of the channel width of more than 2: 1 in the field-effect transistor and to the field O load transistor collectors FETs load collectors connected in a current mirror.
Между совокупностью существенных признаков заявляемого объекта и достигаемым техническим результатом существует причинно-следственная связь. В ортогональном магнитотранзисторном преобразователе трансформер в виде металлического кольца на поверхности кристалла преобразует перпендикулярный плоскости кольца магнитный поток внешнего магнитного поля в ток, протекающий в кольцевом проводнике. Протекание тока по металлическому кольцу создает магнитное поле, которое на малом расстоянии от плоской поверхности проводника имеет по сравнению с внешним полем перпендикулярное направление и величину большую, чем величина внешнего поля. Металлизация кольца проходит над активной областью латерального магнитотранзистора и позволяет повысить чувствительность к магнитному полю, перпендикулярному поверхности кристалла. В ортогональном магнитотранзисторном преобразователе полевые транзисторы имеют нелинейную вольт-амперную характеристику и низкий уровень шумов. Нелинейность характеристики позволяет при достаточно большом токе коллекторов иметь высокое дифференциальное сопротивление нагрузки, что при изменении тока коллекторов магнитотранзистора в магнитном поле повышает чувствительность датчика по напряжению. Соединение полевых транзисторов нагрузки коллекторов по схеме токового зеркала повышает чувствительность датчика по напряжению. Малый уровень шума полевых транзисторов с затвором в виде p-n-перехода повышает пороговую чувствительность и обнаружительную способность датчика. Полевые транзисторы с затвором в виде p-n-перехода используются в цепи смещения базы и кармана и позволяют установить необходимое пропорциональное ширине каналов соотношение тока коллекторов и тока смещения базы и кармана для работы датчика в режиме с высокой чувствительностью.Between the set of essential features of the claimed object and the achieved technical result, there is a causal relationship. In an orthogonal magnetotransistor converter, a transformer in the form of a metal ring on the surface of the crystal converts the magnetic flux of an external magnetic field perpendicular to the plane of the ring into a current flowing in the ring conductor. The current flowing through the metal ring creates a magnetic field, which at a small distance from the flat surface of the conductor has a perpendicular direction and a magnitude greater than the magnitude of the external field compared with the external field. The metallization of the ring passes over the active region of the lateral magnetotransistor and makes it possible to increase sensitivity to a magnetic field perpendicular to the surface of the crystal. In an orthogonal magnetotransistor converter, field-effect transistors have a non-linear current-voltage characteristic and a low noise level. The non-linearity of the characteristic allows for a sufficiently high collector current to have a high differential load resistance, which, when the collector current of the magnetotransistor in a magnetic field changes, increases the voltage sensitivity of the sensor. The connection of collector field effect transistors according to the current mirror circuit increases the voltage sensitivity of the sensor. The low noise level of field effect transistors with a gate in the form of a p-n junction increases the threshold sensitivity and detection ability of the sensor. Field-effect transistors with a gate in the form of a p-n junction are used in the bias circuit of the base and pocket and allow you to set the necessary ratio of the collector current to the bias current of the base and pocket for the sensor to operate in high sensitivity mode.
Изобретение позволяет повысить чувствительность ортогонального магнитотранзисторного преобразователя к вектору магнитной индукции, направленному перпендикулярно поверхности кристалла.EFFECT: invention makes it possible to increase the sensitivity of an orthogonal magnetotransistor converter to a magnetic induction vector directed perpendicular to the crystal surface.
На фиг.1 представлен условный чертеж ортогонального магнитотранзисторного преобразователя, где: 1 - монокристаллическая подложка; 2 - задающие ток смещения базы и кармана полевые транзисторы с затвором в виде p-n-перехода; 3 - металлическое кольцо трансформера; 4 - коллекторная нагрузка на полевых транзисторах с затвором в виде p-n-перехода; 5 - магнитотранзистор; 6 - активная область магнитотранзистора; И - исток, З - затвор, С - сток полевых транзисторах с затвором в виде p-n перехода; Э - эмиттер, Б - база, К1, К2 - коллекторы, Кр - карман магнитотранзистора; Епит - напряжение питания, Выход - выходное напряжение, Земля - общий потенциал.Figure 1 presents a conditional drawing of an orthogonal magnetotransistor converter, where: 1 - single crystal substrate; 2 - field-effect transistors that specify the bias current of the base and pocket with a gate in the form of a p-n junction; 3 - metal ring transformer; 4 - collector load on field-effect transistors with a gate in the form of a p-n junction; 5 - magnetotransistor; 6 - active region of the magnetotransistor; And - source, Z - gate, C - drain of field-effect transistors with a gate in the form of a p-n junction; E - emitter, B - base, K1, K2 - collectors, Kr - magnetotransistor pocket; Epit - supply voltage, Output - output voltage, Earth - common potential.
На фиг.2 представлено поперечное сечение структуры ортогонального магнитотранзисторного преобразователя, где: 7 - главная поверхность и 8 - обратная сторона монокристаллической подложки; 9 - глубокий диффузионный карман второго типа проводимости, служащий p-n-переходной изоляцией от остальной схемы; 10 - диффузионный базовый слой первого типа проводимости, сформированный в кармане 9, глубиной менее глубины кармана 9; 11 - и 12 - омические контакты к базовому слою 10; 13 - эмиттер второго типа проводимости, расположенный в центре базового слоя 10 на главной поверхности кристалла 7; 14 - первый и 15 - второй измерительные коллекторы второго типа проводимости, расположенные в базовом слое 10; 16 - и 17 - омические контакты к карману 9; 18 - и 19 - омические контакты к подложке 1; 20 - изолирующий окисел; 21 -металлизация 1; 22 - пассивация; 23 - металлизация 2.Figure 2 presents a cross section of the structure of an orthogonal magnetotransistor transducer, where: 7 is the main surface and 8 is the reverse side of the single crystal substrate; 9 - deep diffusion pocket of the second type of conductivity, serving as a p-n-transition isolation from the rest of the circuit; 10 - diffusion base layer of the first type of conductivity, formed in the
На фиг.3 представлена схема преобразования внешнего ортогонального потока магнитной индукции в магнитную индукцию с направлением, перпендикулярным линиям тока инжектированных из эмиттера носителей заряда в активной области магнитотранзистора, где: Ф - поток магнитной индукции внешнего магнитного поля; I - ток в металлизации 2 кольцевого трансформера; B - магнитная индукция в активной области магнитотранзистора; Je1 - поток инжектированных электронов, протекающий в направлении коллектора 14; Je2 - поток инжектированных электронов, протекающий в направлении коллектора 15.Figure 3 presents a diagram of the conversion of an external orthogonal magnetic flux to magnetic induction with a direction perpendicular to the current lines of the charge carriers injected from the emitter in the active region of the magnetotransistor, where: Ф is the magnetic flux of the external magnetic field; I is the current in the metallization of 2 ring transformers; B - magnetic induction in the active region of the magnetotransistor; Je1 is the stream of injected electrons flowing in the direction of the
На фиг.4 показана электрическая схема ортогонального магнитотранзисторного преобразователя, где: Б - вывод контактов к базе, K - вывод контактов к карману, K1, K2 - выводы измерительных коллекторов, Э - вывод контакта к эмиттеру, П - вывод контакта к подложке, UБК - напряжение смещения базы и кармана, UK1, UK2 - напряжение на коллекторах, Епит - напряжение источника питания, ПТБК - полевой транзистор для задания тока смещения базы и кармана, ПТK1 и ПТK2 - полевые транзисторы нагрузки коллекторов; на эмиттер Э и подложку П задается потенциал Земля.Figure 4 shows the electrical circuit of an orthogonal magnetotransistor converter, where: B - pin output to the base, K - pin output to the pocket, K1, K2 - pin output of the collectors, E - pin output to the emitter, P - pin output to the substrate, U БК - base and pocket bias voltage, U K1 , U K2 - collector voltage, Epit - power supply voltage, ПТ БК - field-effect transistor for setting base and pocket bias current, ПТ K1 and ПТ K2 - collector field-effect transistors; on the emitter E and substrate P, the Earth potential is set.
На фиг.5 дана зависимость абсолютной магнитной чувствительности по напряжению SA V от величины магнитной индукции 0,05-50 мТл при напряжении питания 5 В в магнитном поле соленоида для конкретного прибора магнитотранзисторного датчика с трансформером и на полевых транзисторах с затвором в виде p-n-перехода.Figure 5 shows the dependence of the absolute magnetic sensitivity of the voltage S A V on the magnitude of the magnetic induction of 0.05-50 mT at a supply voltage of 5 V in the magnetic field of the solenoid for a particular device of a magnetotransistor sensor with a transformer and on field-effect transistors with a gate in the form of pn- transition.
Функционирование ортогонального магнитотранзисторного преобразователя определяется преобразованием магнитного потока трансформером.The operation of the orthogonal magnetotransistor converter is determined by the transformation of the magnetic flux by a transformer.
Латеральный магнитотранзистор нечувствителен к магнитному потоку Ф (фиг.3) и обладает анизотропной чувствительностью к магнитной индукции B, направленной перпендикулярно линиям тока инжектированных из эмиттера в сторону коллекторов потоков носителей заряда - электронов Je1 и Je2. Гальваномагнитный эффект отклонения под действием силы Лоренца определяет перераспределение линий тока между коллекторами. Изменение эффективной длины линий тока в магнитном поле с индукцией В, указанных пунктиром, изменяет сопротивление в соответствии с эффектом Гаусса и изменяет коэффициент переноса носителей заряда через базу с учетом рекомбинации на эффективной длине базы. В результате действия магнитного поля в соответствии с указанными эффектами ток коллектора 14 увеличивается, а ток коллектора 15 уменьшается. В итоге разность падений напряжения на равных сопротивлениях нагрузки в цепи измерительных коллекторов является функцией величины магнитного поля, действующего перпендикулярно поверхности кристалла.The lateral magnetotransistor is insensitive to magnetic flux Ф (Fig. 3) and has an anisotropic sensitivity to magnetic induction B directed perpendicularly to the current lines injected from the emitter towards the collector flows of charge carriers электронов electrons Je1 and Je2. The galvanomagnetic effect of deflection under the action of the Lorentz force determines the redistribution of streamlines between collectors. A change in the effective length of the streamlines in a magnetic field with induction B indicated by the dotted line changes the resistance in accordance with the Gaussian effect and changes the transfer coefficient of charge carriers through the base, taking into account recombination at the effective length of the base. As a result of the magnetic field in accordance with these effects, the
В большом магнитном поле более 50 мТл на фиг.5 величина сигнала ограничивается величиной напряжения питания и, соответственно, размахом напряжения коллекторов, равного половине напряжения питания.In a large magnetic field of more than 50 mT in FIG. 5, the signal value is limited by the magnitude of the supply voltage and, accordingly, by the magnitude of the collector voltage equal to half the supply voltage.
Перечисленные на фиг.1, фиг.2 конструктивные элементы ортогонального магнитотранзисторного преобразователя выполнены по технологии КМОП интегральных схем следующим образом. Подложка 1 кремниевая и имеет p-тип проводимости. Изготовление прибора начинается с формирования области кармана 9 n-типа проводимости с помощью фотолитографии, ионного легирования и термической разгонки. Далее с применением тех же технологических процессов формируются области p-типа проводимости базового слоя 10, подлегирования контактов к базе 11, 12, к подложке 18, 19. Изготовление структуры продолжается формированием областей n-типа проводимости контактов к карману 16, 17, эмиттера 13 и измерительных коллекторов 14, 15. Для обеспечения соединения магнитотранзисторного датчика с трансформером и на полевых транзисторах с затвором в виде p-n-перехода с внешней электрической схемой на поверхности кристалла выращивается диэлектрический слой диоксида кремния 20, в этом слое с применением фотолитографии формируются контактные окна ко всем областям и алюминиевая разводка 21. Для уменьшения влияния поверхностной рекомбинации на потоки инжектированных из эмиттера носителей заряда граница кремний-диоксид кремния имеет малую скорость поверхностной рекомбинации, что достигается применением хлорсодержащих газов при выращивании диоксида кремния. Для защиты датчика от внешних воздействий наносится слой фосфорно-силикатного стекла 22 и в нем с применением фотолитографии формируются окна к контактным площадкам. На слой фосфорно-силикатного стекла наносится слой второй металлизации 23 и с применением фотолитографии формируется трансформер.Listed in figure 1, figure 2, the structural elements of the orthogonal magnetotransistor converter are made according to the CMOS technology of integrated circuits as follows. The
Описанным выше ортогональным магнитотранзисторным преобразователем пользуются для создания датчиков магнитного поля различного назначения следующим образом. Как показано на фиг.5, на выводы прибора подается напряжение: от источника питания подается напряжение Епит и через полевые транзисторы задается ток смещения на базовые контакты и на контакты к карману, на эмиттер и на подложку подается потенциал Земли. С выводов коллекторов и нагрузки коллекторов на полевых транзисторах с затвором в виде p-n- перехода снимается напряжение UK2-UK1. Прибор имеет симметричную структуру и одинаковые нагрузки, поэтому токи рабочих коллекторов равны и на выходах между двумя коллекторами разница напряжений равна нулю.The orthogonal magnetotransistor converter described above is used to create magnetic field sensors for various purposes as follows. As shown in Fig. 5, voltage is applied to the terminals of the device: voltage Epit is supplied from the power source and bias current is set via field effect transistors to the base contacts and to the contacts to the pocket, the Earth potential is applied to the emitter and substrate. UK2-UK1 is removed from collector leads and collector loads on field effect transistors with a gate in the form of a p-n junction. The device has a symmetrical structure and the same loads, so the currents of the working collectors are equal and the voltage difference at the outputs between the two collectors is zero.
В магнитном поле с вектором магнитной индукции, направленным перпендикулярно поверхности кристалла, под действием силы Лоренца в ортогональном магнитотранзисторном преобразователе возникает асимметрия линий тока, соответственно, ток одного рабочего коллектора уменьшается, а ток другого коллектора увеличивается. На одинаковых нагрузках возникают различные падения напряжения, и между коллекторами возникает разность напряжений UK2-UK1, которая зависит от величины магнитного поля.In a magnetic field with a magnetic induction vector perpendicular to the surface of the crystal, under the influence of the Lorentz force in the orthogonal magnetotransistor converter, asymmetry of the current lines occurs, respectively, the current of one working collector decreases, and the current of the other collector increases. At the same loads, different voltage drops occur, and between the collectors there is a voltage difference UK2-UK1, which depends on the magnitude of the magnetic field.
Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь обладает новым качеством - чувствительностью к магнитной индукции, направленной перпендикулярно к поверхности кристалла. Вместе с повышением чувствительности повышается обнаружительная способность датчика и снижается разбаланс тока измерительных коллекторов.The orthogonal magnetotransistor transducer has a new quality - sensitivity to magnetic induction directed perpendicular to the surface of the crystal. Along with an increase in sensitivity, the detection ability of the sensor increases and the current imbalance of the measuring collectors decreases.
Источники информацииInformation sources
1. R.Popovic, H.P.Baltes/ Sensitive magnetotransistor magnetic field sensor // Патент США №4700211.1. R. Popovic, H. P. Baltes / Sensitive magnetotransistor magnetic field sensor // US Patent No. 4700211.
2. L.Ristic / Magnetic field sensor with split collector contact for high sensitivity// Патент США 5179429.2. L. Ristic / Magnetic field sensor with split collector contact for high sensitivity // US Patent 5179429.
3. L.Ristic / Collector arrangement for magnetotransistor// Патент США 5323050.3. L. Ristic / Collector arrangement for magnetotransistor // US Patent 5323050.
4. Козлов A.B., Ревелева М.А., Тихонов Р.Д. / Полупроводниковый прибор, чувствительный к магнитному полю // Патент РФ 2239916.4. Kozlov A.B., Reveleva M.A., Tikhonov R.D. / Semiconductor device sensitive to a magnetic field // RF Patent 2239916.
5. Козлов А.В., Тихонов Р.Д./ Полупроводниковый магнитный преобразователь // Патент РФ 2284612 - прототип.5. Kozlov AV, Tikhonov RD / Semiconductor magnetic transducer // RF patent 2284612 - prototype.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012153373/28A RU2515377C1 (en) | 2012-12-11 | 2012-12-11 | Orthogonal magnetotransistor converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012153373/28A RU2515377C1 (en) | 2012-12-11 | 2012-12-11 | Orthogonal magnetotransistor converter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2515377C1 true RU2515377C1 (en) | 2014-05-10 |
Family
ID=50629824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012153373/28A RU2515377C1 (en) | 2012-12-11 | 2012-12-11 | Orthogonal magnetotransistor converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2515377C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9515198B1 (en) | 2015-12-11 | 2016-12-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic-field and magnetic-field gradient sensors based on lateral SOI bipolar transistors |
| RU174127U1 (en) * | 2017-03-17 | 2017-10-03 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | SILICON PLANAR TRANSISTOR |
| RU2743625C1 (en) * | 2020-05-28 | 2021-02-20 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Реформ" | Magnetic field transducer with functionally integrated structure |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4700211A (en) * | 1982-07-26 | 1987-10-13 | Lgz Landis & Gyr Zug Ag | Sensitive magnetotransistor magnetic field sensor |
| US5179429A (en) * | 1992-03-30 | 1993-01-12 | Motorola, Inc. | Magnetic field sensor with split collector contacts for high sensitivity |
| US5323050A (en) * | 1993-06-01 | 1994-06-21 | Motorola, Inc. | Collector arrangement for magnetotransistor |
| RU2239916C1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-11-10 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Magnetic field sensing semiconductor device |
| RU2284612C2 (en) * | 2004-11-10 | 2006-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Semiconductor magnetic transducer |
| RU2387046C1 (en) * | 2008-09-18 | 2010-04-20 | Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) | Integral electromagnetic transducer built around bipolar magnetic transistor |
| RU2422943C1 (en) * | 2010-04-21 | 2011-06-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) | Planar magnetic-transistor converter |
-
2012
- 2012-12-11 RU RU2012153373/28A patent/RU2515377C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4700211A (en) * | 1982-07-26 | 1987-10-13 | Lgz Landis & Gyr Zug Ag | Sensitive magnetotransistor magnetic field sensor |
| US5179429A (en) * | 1992-03-30 | 1993-01-12 | Motorola, Inc. | Magnetic field sensor with split collector contacts for high sensitivity |
| US5323050A (en) * | 1993-06-01 | 1994-06-21 | Motorola, Inc. | Collector arrangement for magnetotransistor |
| RU2239916C1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-11-10 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Magnetic field sensing semiconductor device |
| RU2284612C2 (en) * | 2004-11-10 | 2006-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Semiconductor magnetic transducer |
| RU2387046C1 (en) * | 2008-09-18 | 2010-04-20 | Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) | Integral electromagnetic transducer built around bipolar magnetic transistor |
| RU2422943C1 (en) * | 2010-04-21 | 2011-06-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) | Planar magnetic-transistor converter |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9515198B1 (en) | 2015-12-11 | 2016-12-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic-field and magnetic-field gradient sensors based on lateral SOI bipolar transistors |
| US9614148B1 (en) | 2015-12-11 | 2017-04-04 | International Business Machines Corporation | Magnetic-field and magnetic-field gradient sensors based on lateral SOI bipolar transistors |
| RU174127U1 (en) * | 2017-03-17 | 2017-10-03 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | SILICON PLANAR TRANSISTOR |
| RU2743625C1 (en) * | 2020-05-28 | 2021-02-20 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Реформ" | Magnetic field transducer with functionally integrated structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9865792B2 (en) | System and method for manufacturing a temperature difference sensor | |
| US6903429B2 (en) | Magnetic sensor integrated with CMOS | |
| US20140175528A1 (en) | Semiconductor magnetic field sensors | |
| US3448353A (en) | Mos field effect transistor hall effect devices | |
| US10943976B2 (en) | Metal-oxide semiconductor (MOS) device structure based on a poly-filled trench isolation region | |
| RU2515377C1 (en) | Orthogonal magnetotransistor converter | |
| CN110783450A (en) | Magnetic field sensor based on gallium nitride/aluminum gallium nitrogen heterojunction | |
| JP4287905B2 (en) | Semiconductor magnetic sensor and magnetic measuring device using the same | |
| RU2422943C1 (en) | Planar magnetic-transistor converter | |
| RU2439748C1 (en) | Planar bipolar magnetic transistor | |
| RU2284612C2 (en) | Semiconductor magnetic transducer | |
| Xinyu et al. | General characteristics and current output mode of MOS magnetic field sensor | |
| RU2550756C1 (en) | Three-collector bipolar magnetotransistor with orthogonal flows of charge carriers | |
| Mohaghegh et al. | Double-injection phenomena under magnetic field in SOS films: A new generation of magnetosensitive microdevices | |
| WO1997009742A1 (en) | Switched magnetic field sensitive field effect transistor device | |
| RU2498457C1 (en) | Three-collector bipolar magnetic transistor | |
| RU2127007C1 (en) | Magnetic-field sensing bipolar transistor | |
| RU2559161C1 (en) | Metal semiconductor device | |
| RU2239916C1 (en) | Magnetic field sensing semiconductor device | |
| Phetchakul et al. | The deflection length and emitter width on sensitivity of magnetotransistor | |
| RU2591736C1 (en) | Magnetic transistor with collector current compensation | |
| JPS62154668A (en) | Semiconductor device | |
| CN108574040A (en) | Semiconductor device | |
| Devlikanova et al. | The Study of SOI Split-drain Field-effect Hall sensor In Partial Depletion Mode | |
| RU2629712C1 (en) | Double-header metal-semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20181212 |