RU2504600C1 - Method of producing phosphor in form of amorphous film of silicon dioxide with selenium ions on silicon substrate - Google Patents
Method of producing phosphor in form of amorphous film of silicon dioxide with selenium ions on silicon substrate Download PDFInfo
- Publication number
- RU2504600C1 RU2504600C1 RU2012147163/02A RU2012147163A RU2504600C1 RU 2504600 C1 RU2504600 C1 RU 2504600C1 RU 2012147163/02 A RU2012147163/02 A RU 2012147163/02A RU 2012147163 A RU2012147163 A RU 2012147163A RU 2504600 C1 RU2504600 C1 RU 2504600C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- phosphor
- hours
- radiation
- temperature
- film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Description
Изобретение характеризует способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена, расположенной на кремниевой подложке, и сам полученный люминофор. Люминофор может быть использован при создании нового поколения приборов микро-, оптоэлектроники и фотоники, совместимых с устройствами и элементами на основе кремния, в частности, для использования в системах и устройствах передачи, преобразования и детектирования сигналов малой мощности.The invention characterizes a method for producing a phosphor in the form of an amorphous film of silicon dioxide with selenium ions located on a silicon substrate, and the resulting phosphor itself. The phosphor can be used to create a new generation of micro-, optoelectronics, and photonics devices compatible with silicon-based devices and elements, in particular, for use in systems and devices for transmitting, converting, and detecting low-power signals.
Прототипом предложенного способа является способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния на кремниевой подложке путем внедрения в указанную пленку ионов селена ионной имплантацией с энергией ионов 300±30 кэВ при флюенсе 4÷6·1016 ион/см2 с последующим отжигом при температуре 900÷4000°C в течение 1÷1,5 часов в атмосфере сухого азота [Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып.4, стр.467-470].The prototype of the proposed method is a method for producing a phosphor in the form of an amorphous silicon dioxide film on a silicon substrate by introducing selenium ions into the specified film by ion implantation with an ion energy of 300 ± 30 keV at a fluence of 4 ÷ 6 · 10 16 ion / cm 2 followed by annealing at a temperature of 900 ÷ 4000 ° C for 1 ÷ 1.5 hours in an atmosphere of dry nitrogen [Physics and Technology of Semiconductors, 2007, Volume 41, Issue 4, pp. 467-470].
В люминофоре, полученном способом-прототипом, имеются излучательные кислородно-дефицитные ODC-центры, которые нестабильны во времени, вызывают эффект старения полученного люминофора - приводят к изменению во времени интенсивности и цветового тона фотолюминесценции. Способ-прототип не обеспечивает возможности управления цветовым тоном фотолюминесценции при изготовлении люминофора вследствие преобладающего влияния на цветовой тон излучения имеющихся ODC-центров, количество которых не регулируется параметрами способа.In the phosphor obtained by the prototype method, there are radiative oxygen-deficient ODC centers that are unstable in time, cause the aging effect of the obtained phosphor - lead to a change in time of the intensity and color tone of photoluminescence. The prototype method does not provide the ability to control the color tone of photoluminescence in the manufacture of a phosphor due to the predominant influence on the color tone of the radiation of existing ODC centers, the number of which is not regulated by the method parameters.
Кроме того, спектр фотолюминесценции люминофора, полученного способом-прототипом, при возбуждении люминофора жестким ультрафиолетом (3,7÷15 эВ) определяется суперпозицией красного, зеленого, фиолетового и ультрафиолетового излучений. Красное, зеленое и фиолетовое излучения, энергии фотонов которых находятся в пределах 1,6÷3,2 эВ, а диапазон длин волн - 380÷760 нм, относятся к видимой области. Испускание люминофором-прототипом ультрафиолетового излучения с энергиями фотонов более 3,2 эВ недопустимо при создании нового поколения приборов микро-, оптоэлектроники и фотоники, совместимых с устройствами, изготавливаемыми на основе существующих кремниевых технологий. Причиной является то, что под воздействием ультрафиолетового излучения в кристаллической структуре указанных приборов реализуется экситонный механизм подпорогового образования дефектов типа френкелевских пар, ведущих к необратимой деградации функциональных свойств приборов.In addition, the photoluminescence spectrum of the phosphor obtained by the prototype method upon excitation of the phosphor by hard ultraviolet (3.7 ÷ 15 eV) is determined by the superposition of red, green, violet and ultraviolet radiation. Red, green and violet radiation, the photon energies of which are in the range 1.6–3.2 eV, and the wavelength range is 380–760 nm, belong to the visible region. Emission of ultraviolet radiation with photon energies of more than 3.2 eV by the prototype phosphor is unacceptable when creating a new generation of micro-, optoelectronics and photonics devices compatible with devices made on the basis of existing silicon technologies. The reason is that, under the influence of ultraviolet radiation, the exciton mechanism of subthreshold formation of defects such as Frenkel pairs, leading to irreversible degradation of the functional properties of the devices, is realized in the crystal structure of these devices.
Задачей предложенного изобретения является создание способа получения люминофора, характеризующегося повышенной стабильностью спектра фотолюминесценции люминофора в течение его эксплуатации и люминесцентным излучением, находящимся только в диапазоне от 380 до 760 нм, без присутствия ультрафиолетового излучения.The objective of the proposed invention is to provide a method for producing a phosphor, characterized by increased stability of the photoluminescence spectrum of the phosphor during its operation and luminescent radiation, which is only in the range from 380 to 760 nm, without the presence of ultraviolet radiation.
Для решения поставленной задачи предложенный способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке путем внедрения в указанную пленку ионов селена ионной имплантацией с энергией ионов 300±30 кэВ при флюенсе 4÷6·1016 ион/см2 с первым отжигом при температуре 900÷1000°C в течение 1÷1,5 часов в атмосфере сухого азота, отличается тем, что люминофор дополнительно отжигают при температуре 500÷650°C в течение 1,5÷2,5 часов в воздушной атмосфере.To solve this problem, the proposed method for producing a phosphor in the form of an amorphous silicon dioxide film with selenium ions on a silicon substrate by introducing selenium ions into the specified film by ion implantation with an ion energy of 300 ± 30 keV at a fluence of 4 ÷ 6 · 10 16 ion / cm 2 with the first annealing at a temperature of 900 ÷ 1000 ° C for 1 ÷ 1.5 hours in an atmosphere of dry nitrogen, characterized in that the phosphor is further annealed at a temperature of 500 ÷ 650 ° C for 1.5 ÷ 2.5 hours in an air atmosphere.
Причиной повышения стабильности интенсивности и цветового тона получаемого люминофора во времени является то, что при дополнительном отжиге в воздушной атмосфере при температуре 500÷650°C в течение 1,5÷2,5 часов возникшие на предыдущих этапах способа нестабильные (термодинамически неравновесные) радиационные дефекты типа ODC-центров, обычно излучающие в диапазоне длин волн 269÷477 нм (2,6÷4,6 эВ), превращаются в устойчивые нелюминесцирующие E-центры, которые не оказывают влияния на интенсивность и цветовой тон излучения в диапазоне 380÷760 нм.The reason for the increase in the stability of the intensity and color tone of the resulting phosphor over time is that during additional annealing in an air atmosphere at a temperature of 500 ÷ 650 ° C for 1.5 ÷ 2.5 hours, unstable (thermodynamically nonequilibrium) radiation defects that arose at the previous stages of the method types of ODC centers, which usually emit in the wavelength range 269–477 nm (2.6–4.6 eV), turn into stable non-luminescent E-centers that do not affect the intensity and color tone of radiation in the range 380–760 nm .
Кроме того, при осуществлении способа изменением времени дополнительного отжига можно варьировать возникающее в люминофоре соотношение между интенсивностями видимого (380÷760 нм) и ультрафиолетового (менее 380 нм) диапазонов люминесцентного излучения. Это обеспечивает создание люминофора с требуемым спектром свечения, а именно, при времени дополнительного отжига от 1,5 часов до 2,5 часов в спектре фотолюминесценции отсутствует ультрафиолетовое излучение с длинами волн менее 380 нм и энергиями более 3,2 эВ.In addition, when implementing the method by changing the time of additional annealing, it is possible to vary the ratio arising in the phosphor between the intensities of the visible (380–760 nm) and ultraviolet (less than 380 nm) ranges of luminescent radiation. This ensures the creation of a phosphor with the required luminescence spectrum, namely, with an additional annealing time of 1.5 hours to 2.5 hours, ultraviolet radiation with wavelengths less than 380 nm and energies of more than 3.2 eV is absent in the photoluminescence spectrum.
При времени дополнительного отжига менее 1,5 часов, например, 1 час, в спектре люминесценции присутствует ультрафиолетовое излучение (менее 380 нм и более 3,2 эВ).When the additional annealing time is less than 1.5 hours, for example, 1 hour, ultraviolet radiation (less than 380 nm and more than 3.2 eV) is present in the luminescence spectrum.
Использование времени дополнительного отжига более 2,5 часов и температуры отжига более 650°C нецелесообразно вследствие возрастания временных затрат и энергетических потерь. Кроме того, при этом происходит изменение состояния центров люминесценции, ответственных за красное и зеленое свечение, и наблюдается сдвиг полосы красной люминесценции в инфракрасную часть спектра (область невидимого излучения).The use of additional annealing time of more than 2.5 hours and annealing temperature of more than 650 ° C is impractical due to the increase in time costs and energy losses. In addition, a change in the state of the luminescence centers responsible for the red and green luminescence occurs, and a shift of the red luminescence band to the infrared part of the spectrum (the region of invisible radiation) is observed.
Таким образом, обеспечивается решение поставленной задачи - создание люминофора с устойчивым в процессе эксплуатации фотолюминесцентным излучением видимого диапазона 380÷760 нм, энергии фотонов которого находятся в пределах 1,6÷3,2 эВ.Thus, the solution of the problem is ensured - the creation of a phosphor with stable during operation photoluminescent radiation of the visible range 380–760 nm, the photon energies of which are in the range 1.6–3.2 eV.
На фигуре изображены спектры фотолюминесценции люминофоров, полученных известным и предложенным способами. По вертикальной оси отложена интенсивность излучения в относительных единицах (отн. ед.), по горизонтальной - длины волн излучения (нм). Спектры измерены при ультрафиолетовой фотостимуляции квантами с энергией 3,7÷15 эВ. Арабскими цифрами на фигуре обозначены: 1 - спектр излучения люминофора, полученного способом-прототипом (пунктир); 2 - спектр излучения люминофора, полученного способом, включающим дополнительный отжиг длительностью 1 час (штрих-пунктир); 3 - спектр излучения люминофора, полученного предложенным способом при временах дополнительного отжига, находящихся в пределах от 1,5 до 2,5 часов (сплошная линия). Римскими цифрами на фигуре обозначены: I, I' и I'' - пики красного излучения, II, II' и II'' - пики зеленого излучения, III и III' - пики ультрафиолетового диапазона.The figure shows the photoluminescence spectra of phosphors obtained by known and proposed methods. The vertical axis represents radiation intensity in relative units (rel. Units), and the horizontal axis represents radiation wavelengths (nm). The spectra were measured with ultraviolet photostimulation by quanta with an energy of 3.7 ÷ 15 eV. Arabic numerals on the figure indicate: 1 - emission spectrum of the phosphor obtained by the prototype method (dotted line); 2 - emission spectrum of a phosphor obtained by a method including additional annealing for 1 hour (dash-dotted line); 3 - emission spectrum of a phosphor obtained by the proposed method with additional annealing times ranging from 1.5 to 2.5 hours (solid line). Roman numerals on the figure indicate: I, I 'and I' '- peaks of red radiation, II, II' and II '' - peaks of green radiation, III and III '- peaks of the ultraviolet range.
В таблице приведены режимы отжига в воздушной атмосфере образцов люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния на кремниевой подложке с введенными в пленку ионами селена (1, 2, 3). Номера образцов соответствуют номерам спектров излучения, приведенных на фигуре.The table shows the modes of annealing in the air atmosphere of the phosphor samples in the form of an amorphous silicon dioxide film on a silicon substrate with selenium ions introduced into the film (1, 2, 3). The numbers of the samples correspond to the numbers of the radiation spectra shown in the figure.
Имплантация ионов селена в аморфную пленку диоксида кремния с толщиной 500 нм, термически выращенную на кремниевой подложке, осуществлялась с помощью ионного источника, работающего в непрерывном режиме с энергией ионов 300±30 кэВ при флюенсе 4÷6·1016 ион/см2. Такие параметры имплантации обеспечивают долю внедренных ионов около 4% на глубине 250 нм (половина толщины пленки диоксида кремния). Перед облучением образцы аморфной пленки диоксида кремния на кремниевой подложке промывались в спиртовой ванне.The implantation of selenium ions into an amorphous film of silicon dioxide with a thickness of 500 nm, thermally grown on a silicon substrate, was carried out using an ion source operating in a continuous mode with an ion energy of 300 ± 30 keV at a fluence of 4 ÷ 6 · 10 16 ion / cm 2 . Such implantation parameters provide a fraction of embedded ions of about 4% at a depth of 250 nm (half the thickness of the silicon dioxide film). Before irradiation, samples of an amorphous film of silicon dioxide on a silicon substrate were washed in an alcohol bath.
Образцы отжигались в электропечи. Первый отжиг проводился при температуре 900÷1000°C в течение 1÷1,5 часов в атмосфере сухого азота, дополнительный отжиг - при температуре 500÷650°C в течение 1,5÷2,5 часов в воздушной атмосфере. Кроме того, образцы отжигались в воздушной атмосфере при температуре 500÷650°C в течение времени, которое было меньше, чем 1,5 часа и больше, чем 2,5 часа.Samples were annealed in an electric furnace. The first annealing was carried out at a temperature of 900 ÷ 1000 ° C for 1 ÷ 1.5 hours in a dry nitrogen atmosphere, additional annealing was carried out at a temperature of 500 ÷ 650 ° C for 1.5 ÷ 2.5 hours in an air atmosphere. In addition, the samples were annealed in air at a temperature of 500 ÷ 650 ° C for a time that was less than 1.5 hours and more than 2.5 hours.
Полученные образцы люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке представляют собой плоскопараллельные пластины площадью 1 см2, толщиной 0,5 мм, с поверхностью оптического качества.The obtained phosphor samples in the form of an amorphous film of silicon dioxide with selenium ions on a silicon substrate are plane-parallel plates with an area of 1 cm 2 , a thickness of 0.5 mm, and a surface of optical quality.
Фотолюминесценция полученного люминофора возбуждалась ультрафиолетовым излучением с энергией фотонов в интервале 3,7÷15 эВ (синхротронное излучение) через монохроматор. Фотолюминесцентные спектры регистрировались с помощью фотоумножителя R6358P Hamamatsu.Photoluminescence of the obtained phosphor was excited by ultraviolet radiation with photon energies in the range of 3.7-15 eV (synchrotron radiation) through a monochromator. Photoluminescent spectra were recorded using a Hamamatsu R6358P photomultiplier.
Ниже описаны примеры изготовления образцов люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния на кремниевой подложке с включением в указанную пленку ионов селена, внедренных ионной имплантацией. Номера примеров соответствуют номерам образцов в таблице и номерам спектров, приведенных на фигуре.The following are examples of the manufacture of phosphor samples in the form of an amorphous film of silicon dioxide on a silicon substrate with the inclusion of selenium ions introduced by ion implantation into the specified film. The numbers of the examples correspond to the numbers of the samples in the table and the numbers of the spectra shown in the figure.
Пример 1. Имплантация ионов селена в аморфную пленку диоксида кремния на кремниевой подложке осуществлялась ионами с энергией 300 кэВ при флюенсе 5·1016 ион/см2. Первый отжиг проведен при температуре 900°C в течение 1 часа в атмосфере сухого азота. Дополнительный отжиг не проводился. Спектр фотолюминесценции полученного образца люминофора содержит полосы красного излучения (I на фигуре) с максимальной интенсивностью 1000 отн. ед., зеленого излучения (II на фигуре) с максимальной интенсивностью 3700 отн. ед., а также полосу ультрафиолетового излучения (III на фигуре) с максимальной интенсивностью 3700 отн. ед. Этот образец люминофора имеет спектр фотолюминесценции, приведенный на фигуре под номером 1, простирающийся от 1,5 до 4,0 эВ.Example 1. The implantation of selenium ions in an amorphous film of silicon dioxide on a silicon substrate was carried out by ions with an energy of 300 keV at a fluence of 5 · 10 16 ion / cm 2 . The first annealing was carried out at a temperature of 900 ° C for 1 hour in an atmosphere of dry nitrogen. Additional annealing was not carried out. The photoluminescence spectrum of the obtained phosphor sample contains red emission bands (I in the figure) with a maximum intensity of 1000 rel. units, green radiation (II in the figure) with a maximum intensity of 3700 rel. units, as well as a strip of ultraviolet radiation (III in the figure) with a maximum intensity of 3700 rel. units This phosphor sample has a photoluminescence spectrum shown in the figure at number 1, extending from 1.5 to 4.0 eV.
Пример 2. Имплантация ионов селена в аморфную пленку диоксида кремния на кремниевой подложке осуществлялась ионами с энергией 300 кэВ при флюенсе 5·1016 ион/см2. Первый отжиг проведен при температуре 1000°C в течение 1 часа в атмосфере сухого азота. Дополнительный отжиг выполнен при температуре 500°C в течение 1 часа в воздушной атмосфере. Спектр фотолюминесценции такого образца люминофора содержит полосы красного излучения (I' на фигуре) с максимальной интенсивностью 900 отн. ед., зеленого излучения (II'' на фигуре) с максимальной интенсивностью 3450 отн. ед., а также полосу ультрафиолетовое излучение (III' на фигуре) с максимальной интенсивностью 950 отн. ед. Ширина спектра этого образца люминофора находится в интервале от 1,6 до 3,8 эВ, спектр приведен на фигуре под номером 2.Example 2. The implantation of selenium ions in an amorphous film of silicon dioxide on a silicon substrate was carried out by ions with an energy of 300 keV at a fluence of 5 · 10 16 ion / cm 2 . The first annealing was carried out at a temperature of 1000 ° C for 1 hour in an atmosphere of dry nitrogen. Additional annealing was performed at a temperature of 500 ° C for 1 hour in an air atmosphere. The photoluminescence spectrum of such a phosphor sample contains red emission bands (I 'in the figure) with a maximum intensity of 900 rel. units, green radiation (II '' in the figure) with a maximum intensity of 3450 rel. units, as well as a strip of ultraviolet radiation (III 'in the figure) with a maximum intensity of 950 rel. units The spectrum width of this phosphor sample is in the range from 1.6 to 3.8 eV, the spectrum is shown in figure 2.
Пример 3. Имплантация ионов селена в аморфную пленку диоксида кремния на кремниевой подложке осуществлена с энергией ионов 300 кэВ при флюенсе 5·1016 ион/см2. Первый отжиг проведен при температуре 900°C в течение 1 часа в атмосфере сухого азота. Дополнительный отжиг выполнен при температуре 500°C в течение 1,5 часов в воздушной атмосфере. Спектр фотолюминесценции этого образца люминофора (номер 3 на фигуре) содержит полосы красного излучения (I'' на фигуре) с максимальной интенсивностью 800 отн. ед. и зеленого излучения (II'' на фигуре) с максимальной интенсивностью 3100 отн. ед. Ультрафиолетовое свечение отсутствует. Образец люминофора характеризуется люминесцентным излучением только в диапазоне от 1,6 до 3,2 эВ (380÷760 нм).Example 3. The implantation of selenium ions in an amorphous film of silicon dioxide on a silicon substrate was carried out with an ion energy of 300 keV at a fluence of 5 · 10 16 ion / cm 2 . The first annealing was carried out at a temperature of 900 ° C for 1 hour in an atmosphere of dry nitrogen. Additional annealing was performed at a temperature of 500 ° C for 1.5 hours in an air atmosphere. The photoluminescence spectrum of this phosphor sample (number 3 in the figure) contains red emission bands (I '' in the figure) with a maximum intensity of 800 rel. units and green radiation (II '' in the figure) with a maximum intensity of 3100 rel. units There is no ultraviolet light. A phosphor sample is characterized by luminescent radiation only in the range from 1.6 to 3.2 eV (380–760 nm).
Кроме этого, в рамках примера 3 проведено изготовление еще нескольких образцов люминофора при температурах дополнительного отжига 520 и 650°C, при времени дополнительного отжига 1,7 и 2,5 часа. В этих случаях получены образцы люминофора, спектр люминесценции которых совпадает со спектром 3, приведенным на фигуре. Таким образом, и эти образцы люминофора обладают люминесцентным излучением только в диапазоне от 1,6 до 3,2 эВ (380÷760 нм).In addition, in the framework of Example 3, several more phosphor samples were produced at additional annealing temperatures of 520 and 650 ° C, with an additional annealing time of 1.7 and 2.5 hours. In these cases, samples of the phosphor were obtained, the luminescence spectrum of which coincides with spectrum 3 shown in the figure. Thus, these phosphor samples also possess luminescent radiation only in the range from 1.6 to 3.2 eV (380–760 nm).
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012147163/02A RU2504600C1 (en) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | Method of producing phosphor in form of amorphous film of silicon dioxide with selenium ions on silicon substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012147163/02A RU2504600C1 (en) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | Method of producing phosphor in form of amorphous film of silicon dioxide with selenium ions on silicon substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2504600C1 true RU2504600C1 (en) | 2014-01-20 |
Family
ID=49947995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012147163/02A RU2504600C1 (en) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | Method of producing phosphor in form of amorphous film of silicon dioxide with selenium ions on silicon substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2504600C1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323328A (en) * | 1985-12-02 | 1988-01-30 | Texas Instr Japan Ltd | Silicon oxide film and formation thereof |
| JPH05345942A (en) * | 1992-04-09 | 1993-12-27 | Nippon Steel Corp | Ti-based alloy ecellent in oxidation resistance |
| US7220609B2 (en) * | 2001-01-31 | 2007-05-22 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Method of manufacturing a semiconductor structure comprising clusters and/or nanocrystal of silicon and a semiconductor structure of this kind |
| RU2010137365A (en) * | 2010-09-07 | 2012-03-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный уни | METHOD FOR PRODUCING NANOCOMPOSITE LUMINOPHOR IN THE FORM OF QUARTZ GLASS INCLUDING NANOCLUSTERS OF COPPER AND TITANIUM |
-
2012
- 2012-11-06 RU RU2012147163/02A patent/RU2504600C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323328A (en) * | 1985-12-02 | 1988-01-30 | Texas Instr Japan Ltd | Silicon oxide film and formation thereof |
| JPH05345942A (en) * | 1992-04-09 | 1993-12-27 | Nippon Steel Corp | Ti-based alloy ecellent in oxidation resistance |
| US7220609B2 (en) * | 2001-01-31 | 2007-05-22 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Method of manufacturing a semiconductor structure comprising clusters and/or nanocrystal of silicon and a semiconductor structure of this kind |
| RU2010137365A (en) * | 2010-09-07 | 2012-03-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный уни | METHOD FOR PRODUCING NANOCOMPOSITE LUMINOPHOR IN THE FORM OF QUARTZ GLASS INCLUDING NANOCLUSTERS OF COPPER AND TITANIUM |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Fitting H.-J et. al. Multimodal luminescence spectra of ion-implanted silica. Физика и техника полупроводников. 2007, т. 41, вып.4, с.467-470. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | Host-sensitized luminescence in LaNbO 4: Ln 3+(Ln 3+= Eu 3+/Tb 3+/Dy 3+) with different emission colors | |
| US11299672B2 (en) | Near-infrared luminescent material and light-emitting device prepared therefrom | |
| Lei et al. | Pink light emitting long-lasting phosphorescence in Sm3+-doped CdSiO3 | |
| Sahu et al. | Structural characterization and optical properties of dysprosium doped strontium calcium magnesium di-silicate phosphor by solid state reaction method | |
| Kang et al. | Processing-dependence and the nature of the blue-shift of Bi 3+-related photoemission in ScVO 4 at elevated temperatures | |
| JP6821813B6 (en) | Nitride light emitting material and light emitting device containing it | |
| Hannah et al. | A study of blue emitting phosphors, ABPO4: Eu2+ (A= Li, Na, K; B= Ca, Sr, Ba) for UV LEDs | |
| US10131839B2 (en) | Light emitting device | |
| Park et al. | Photoluminescence properties of red emitting BaGdB 9 O 16: Eu phosphor | |
| Morassuti et al. | Combination of broad emission bands of Ti3+, 4+/Eu2+, 3+ co-doped OH− free low silica calcium aluminosilicate glasses as emitting phosphors for white lighting devices | |
| RU2504600C1 (en) | Method of producing phosphor in form of amorphous film of silicon dioxide with selenium ions on silicon substrate | |
| KR20010026297A (en) | New Silicates Phosphors for Lamp | |
| RU2534538C1 (en) | Complex silicate of rare earth elements in nanoamorphous state | |
| JPWO2010024301A1 (en) | Silicon-based blue-green phosphorescent material whose emission peak can be controlled by excitation wavelength and method for producing the same | |
| WO2004096949A1 (en) | Zinc oxide phosphor, process for producing the same and light emitting device | |
| da Cunha Andrade et al. | White-light-emitting KCl: Eu 2+/KCN crystal for solid-state lighting devices | |
| Guimarães et al. | Photoluminescence properties of glassy yttrium aluminum borate powders: Dopant-free phosphors for solid-state lighting | |
| Vincenti et al. | Spectroscopic investigation of F, F2 and F3+ color centers in gamma irradiated lithium fluoride crystals | |
| Yang et al. | Tunable luminescence from Sm3+, Ce3+ codoped Al2O3–La2O3–SiO2 glasses for white light emission | |
| Yang et al. | A novel Yb2+ doped SrS long persistent luminescence phosphors | |
| KR20160133548A (en) | Europium or samarium-doped terbium molybdates | |
| CN105925261B (en) | A kind of long-afterglow material, its application and the method for adjusting sunlight using it | |
| Antipin et al. | Recombination luminescence of poly (arylene phthalide) films induced by visible light | |
| Sahu et al. | Enhanced Luminescence on doping of Charge Compensator Ions (R+= Li+, Na+ and K+) in Ca2MgSi2O7: Eu3+ Phosphors | |
| RU2526344C1 (en) | CONVERTER OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO RADIATION OF VISIBLE RANGE IN FORM OF AMORPHOUS SILICON OXIDE SiOX FILM ON SILICON SUBSTRATE |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20141107 |