RU2492139C1 - Высокопрочная нанопленка или нанонить и способ их получения (варианты) - Google Patents

Высокопрочная нанопленка или нанонить и способ их получения (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2492139C1
RU2492139C1 RU2012121054/05A RU2012121054A RU2492139C1 RU 2492139 C1 RU2492139 C1 RU 2492139C1 RU 2012121054/05 A RU2012121054/05 A RU 2012121054/05A RU 2012121054 A RU2012121054 A RU 2012121054A RU 2492139 C1 RU2492139 C1 RU 2492139C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
boron
temperature
deposited
silicon
Prior art date
Application number
RU2012121054/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Евгеньевич Староверов
Original Assignee
Николай Евгеньевич Староверов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Николай Евгеньевич Староверов filed Critical Николай Евгеньевич Староверов
Priority to RU2012121054/05A priority Critical patent/RU2492139C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2492139C1 publication Critical patent/RU2492139C1/ru

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение может быть использовано в химической промышленности и нанотехнологии. Нанопленку или нанонить получают осаждением на основу - фторопластовое волокно или пленку, слоя бора или кремния нанотолщины, который затем подвергают обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°C. На образовавшийся слой карбида бора или карбида кремния осаждают, соответственно, слой кремния или бора. Образовавшуюся композицию выдерживают в вакууме или в атмосфере инертного газа при температуре 1400-1500°С, а затем при этой же температуре в угарном газе в присутствии угля или сажи. В качестве основы может быть использовано корундовое волокно или пленка. Полученная нанопленка или нанонить является высокопрочной. 5 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 пр.

Description

Изобретение относится к нанотехнологиям и предназначено для получения высокопрочной трубчатой или комбинированной нити, пленки или ленты (разница только в ширине) нанотолщины из тройной структуры бор-углерод-кремний B-C-Si (насколько мне известно, оно не имеет названия, поэтому далее будем называть его, а точнее - наноизделия из него - «старброн»).
Известен способ получения корундовой трубчатой нанонити, см заявку на изобретение 2011114097, состоящий в осаждении алюминия на любое волокно и последующее окисление алюминия. Однако в некоторых случаях могут потребоваться материалы с другими свойствами.
Задача изобретения - получение старбронных наноструктур.
Старбронная нанопленка или нанонить - это состоящая из тройного соединения бор-углерод-кремний структура в слое нанотолщины.
СПОСОБ - 1 получения данной нанопленки или нанонити состоит в том, что на любое волокно или пленку (далее «основа») осаждается слой бора нанотолщины, который затем подвергается обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре, не выше температуры плавления осажденного слоя (далее «процесс карбидизации», см. «Химическая энциклопедия», том «К», статья «Карбиды»), а затем на образовавшийся слой карбида бора осаждается слой кремния, и образовавшаяся композиция выдерживается в вакууме или в атмосфере инертного газа при температуре 1400-1500°С (см. там же), после чего композиция выдерживается в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°С (вторичная карбидизация).
Для получения как можно более чистого соединения желательно следить за количеством осаждаемого вещества (например, косвенно об этом можно судить по убыли источника вещества). Оптимальное соотношение: бора 10,81 весовых частей, углерода 12,011 весовых частей, кремния 28,085 весовых частей. Или, соответственно, бора 21,235%, углерода 23,595%, кремния 55,17%.
Вторичная карбидизация нужна потому, что карбид бора В12С3 содержит недостаточно углерода для образования «старброна». В этом смысле более оптимальным является способ 2.
СПОСОБ - 2 получения данной нанопленки или нанонити состоит в том, что на любое волокно или пленку (далее «основа») осаждается слой кремния нанотолщины, который затем подвергается обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре, не выше температуры плавления осажденного слоя (далее «процесс карбидизации», см. «Химическая энциклопедия», том «К», статья «Карбиды»), а затем на образовавшийся слой карбида кремния осаждается слой бора, и образовавшаяся композиция выдерживается в вакууме или в атмосфере инертного газа при температуре 1400-1500°С (процесс боридизации, см. там же).
В этом способе в образовавшемся карбиде кремния SiC сразу достигается нужное для получения старброна соотношение кремния и углерода. И при последующем борировании образуется старброн.
СПОСОБ - 3 получения данной нанопленки или нанонити состоит в том, что на любое волокно или пленку (далее «основа») осаждается слой кремния нанотолщины, на который затем осаждается слой бора, или наоборот, а затем композиция подвергается обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре, не выше температуры плавления осажденного слоя (далее «процесс карбидизации», см. «Химическая энциклопедия», том «К», статья «Карбиды»).
В этом случае сначала образуется борид кремния, который затем подвергается карбидизации.
Возможно получение сразу борида кремния.
СПОСОБ - 4 получения данной нанопленки или нанонити состоит в том, что на любое волокно или пленку (далее «основа») одновременно осаждается слой кремния и бора нанотолщины, а затем композиция подвергается обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре, не выше температуры плавления осажденного слоя.
При получении старбронной нанопленки основа может иметь микрорельеф, и тогда получившаяся пленка или лента (то есть разрезанная на полосы пленка) будет иметь повышенную эластичность.
Пример 1. На фторопластовое волокно или пленку (далее «основа») осаждается слой бора нанотолщины, который затем подвергается обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°С, а затем на образовавшийся слой карбида бора осаждается слой кремния, и образовавшаяся композиция выдерживается в вакууме или в атмосфере инертного газа при температуре 1400-1500°С (см. там же), после чего композиция выдерживается в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°С (вторичная карбидизация).
Пример 2. На фторопластовое волокно или пленку (далее «основа») осаждается слой кремния нанотолщины, который затем подвергается обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°С, а затем на образовавшийся слой карбида кремния осаждается слой бора, и образовавшаяся композиция выдерживается в вакууме или в атмосфере инертного газа при температуре 1400-1500°С.
Пример 3. На корундовое нановолокно или нанопленку (далее «основа») осаждается слой кремния нанотолщины, на который затем осаждается слой бора, или наоборот, а затем композиция подвергается обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°С.
Пример 4. На корундовое нановолокно или нанопленку (далее «основа») одновременно осаждается слой кремния и бора нанотолщины, а затем композиция подвергается обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°С.

Claims (6)

1. Способ получения нанопленки или нанонити, отличающийся тем, что на фторопластовое волокно или пленку осаждают слой бора нанотолщины, который затем подвергают обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°C, затем на образовавшийся слой карбида бора осаждают слой кремния и образовавшуюся композицию выдерживают в вакууме или в атмосфере инертного газа при температуре 1400-1500°C, а затем при этой же температуре в угарном газе в присутствии угля или сажи.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что соотношение компонентов: бора - 21,235%, углерода - 23,595%, кремния - 55,17%.
3. Способ получения нанопленки или нанонити, отличающийся тем, что на фторопластовое волокно или пленку осаждают слой кремния нанотолщины, который затем подвергают обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°C, затем на образовавшийся слой карбида кремния осаждают слой бора и образовавшуюся композицию выдерживают в вакууме или в атмосфере инертного газа при указанной температуре.
4. Способ получения нанопленки или нанонити, отличающийся тем, что на корундовое нановолокно или нанопленку осаждают слой кремния нанотолщины, на который затем осаждают слой бора или наоборот, а затем композицию подвергают обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°C.
5. Способ получения нанопленки или нанонити, отличающийся тем, что на корундовое нановолокно или нанопленку одновременно осаждают слой кремния и бора нанотолщины, а затем композицию подвергают обработке в угарном газе в присутствии угля или сажи при температуре 1400-1500°C.
6. Высокопрочная нанопленка или нанонить, отличающаяся тем, что она получена любым из способов по пп.1, 3, 4 или 5.
RU2012121054/05A 2012-05-22 2012-05-22 Высокопрочная нанопленка или нанонить и способ их получения (варианты) RU2492139C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012121054/05A RU2492139C1 (ru) 2012-05-22 2012-05-22 Высокопрочная нанопленка или нанонить и способ их получения (варианты)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012121054/05A RU2492139C1 (ru) 2012-05-22 2012-05-22 Высокопрочная нанопленка или нанонить и способ их получения (варианты)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2492139C1 true RU2492139C1 (ru) 2013-09-10

Family

ID=49164852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012121054/05A RU2492139C1 (ru) 2012-05-22 2012-05-22 Высокопрочная нанопленка или нанонить и способ их получения (варианты)

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2492139C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2137732C1 (ru) * 1993-09-27 1999-09-20 Сосьете Насьональ Д'Этюд э де Констрюксьон де Мотер Д'Авиасьон "СНЕКМА" Способ получения композитного материала из упрочняющих волокон и матрицы, волокна которого имеют слоистое покрытие, и материал, полученный этим способом
RU2176628C2 (ru) * 1996-12-02 2001-12-10 Сент-Гобэн Индастриал Керамикс, Инк. Композит (варианты) и способ его приготовления, способ обработки волоконной заготовки (варианты)
US6478994B1 (en) * 2000-03-30 2002-11-12 Trustees Of The University Of Pennsylvania Method for making boron carbide containing ceramics
RU2194682C2 (ru) * 2001-01-09 2002-12-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт Термохимии" Способ изготовления тонкостенных изделий из силицированного углеродного композиционного материала

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2137732C1 (ru) * 1993-09-27 1999-09-20 Сосьете Насьональ Д'Этюд э де Констрюксьон де Мотер Д'Авиасьон "СНЕКМА" Способ получения композитного материала из упрочняющих волокон и матрицы, волокна которого имеют слоистое покрытие, и материал, полученный этим способом
RU2176628C2 (ru) * 1996-12-02 2001-12-10 Сент-Гобэн Индастриал Керамикс, Инк. Композит (варианты) и способ его приготовления, способ обработки волоконной заготовки (варианты)
US6478994B1 (en) * 2000-03-30 2002-11-12 Trustees Of The University Of Pennsylvania Method for making boron carbide containing ceramics
RU2194682C2 (ru) * 2001-01-09 2002-12-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт Термохимии" Способ изготовления тонкостенных изделий из силицированного углеродного композиционного материала

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Premkumar et al. Optical and field-emission properties of ZnO nanostructures deposited using high-pressure pulsed laser deposition
Muzha et al. Room-temperature near-infrared silicon carbide nanocrystalline emitters based on optically aligned spin defects
Zhao et al. Raman spectra and photoluminescence properties of In-doped ZnO nanostructures
Song et al. Fabrication of a highly sensitive surface-enhanced Raman scattering substrate for monitoring the catalytic degradation of organic pollutants
JP2013519515A5 (ru)
MA34960B1 (fr) Preparation de film contenant une base sans sidenafil et son procede
Cui et al. Optical and field emission properties of layer-structure GaN nanowires
RU2531503C1 (ru) Способ изготовления изделий из композиционного материала
WO2014076576A2 (en) Carbon nanotubes conformally coated with diamond nanocrystals or silicon carbide, methods of making the same and methods of their use
RU2492139C1 (ru) Высокопрочная нанопленка или нанонить и способ их получения (варианты)
Mofor et al. Catalyst‐free vapor‐phase transport growth of vertically aligned ZnO nanorods on 6H‐SiC and (11‐20) Al2O3
Wei et al. Synthesis and Growth Mechanism of SiC/SiO 2 Nanochains Heterostructure by Catalyst‐Free Chemical Vapor Deposition
Zhang et al. Synthesis of nanostructured SiC using the pulsed laser deposition technique
RU2014144147A (ru) Способ обработки нитей из карбида кремния
Byeun et al. The growth of one‐dimensional single‐crystalline AlN nanostructures by HVPE and their field emission properties
Xu et al. Preparation of novel saw-toothed and riblike α-Si3N4 whiskers
JP6388515B2 (ja) 熱分解炭素被覆黒鉛部材の製造方法
Dai et al. Fabrication and micro-photoluminescence property of CdSe/CdS core/shell nanowires
Guan et al. Synthesis and characterization of single-crystalline graphitic C 3 N 4 nanocones
Mo et al. Synthetic and effect of annealing on the luminescent properties of ZnO nanowire
Hu et al. Synthesis of location‐dependent phosphorus‐doped ZnO nanostructures on the porous alumina membranes
Rizal et al. Synthesis and characterization of TiO2 nanostructure thin films grown by thermal CVD
Zhao et al. Raman scattering characterization of a carbon coating after low-energy argon ion bombardment
JP4025873B2 (ja) 窒化ホウ素ナノワイヤーとその製造方法
Wei et al. Synthesis, characterization and growth mechanism of β-Ga 2 O 3 nano-and micrometer particles by catalyzed chemical vapor deposition