RU2491971C1 - Method of controlled influence on biological objects with electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator (versions) - Google Patents

Method of controlled influence on biological objects with electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator (versions) Download PDF

Info

Publication number
RU2491971C1
RU2491971C1 RU2012122579/14A RU2012122579A RU2491971C1 RU 2491971 C1 RU2491971 C1 RU 2491971C1 RU 2012122579/14 A RU2012122579/14 A RU 2012122579/14A RU 2012122579 A RU2012122579 A RU 2012122579A RU 2491971 C1 RU2491971 C1 RU 2491971C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electromagnetic irradiation
electromagnetic radiation
radiation
type
semiconductor injection
Prior art date
Application number
RU2012122579/14A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Дмитриевич Степаненко
Кирилл Владимирович Степаненко
Андрей Николаевич Кузнецов
Original Assignee
Владимир Дмитриевич Степаненко
Кирилл Владимирович Степаненко
Андрей Николаевич Кузнецов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Владимир Дмитриевич Степаненко, Кирилл Владимирович Степаненко, Андрей Николаевич Кузнецов filed Critical Владимир Дмитриевич Степаненко
Priority to RU2012122579/14A priority Critical patent/RU2491971C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2491971C1 publication Critical patent/RU2491971C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Medicines That Contain Protein Lipid Enzymes And Other Medicines (AREA)

Abstract

FIELD: medicine.SUBSTANCE: group of inventions relates to medicine, namely to means of impact with electromagnetic radiation on biological object by electromagnetic irradiation and can be used in field of medicine, biology, veterinary for carrying out wave therapy. In accordance with the first version of the invention claimed is method, which includes radiation of biological objects by electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator. Radiation is performed by means of semiconductor injection generator based on ABheterostructure. To perform suppressing impact on oncologic cells radiation is carried out by polarised pulse electromagnetic irradiation with rotation of electromagnetic irradiation vector rightward, frequency of electromagnetic irradiation in the range from 30 to 220 GHz, wavelength of electromagnetic irradiation from 1.4 to 10 mm, power of electromagnetic irradiation from 10W/cmto 10W/cmfor 6-8 minutes. Electromagnetic irradiation is performed by active layer which is placed between located on one side two grown layers of n-type conductivity and on the other side one grown layer of p-type conductivity, on which contact sites from precious electrically conductive metal, preferably gold or platinum, are made. As dopant of n-type Se, Te or Si with concentration of carriers not less than n- 8?10cm, and as dopant of p-type Be, Zn or Cd with concentration of carriers not less than P- 9?10cmare used. In accordance with the second version of the invention, method includes radiation of biological objects by electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator. Radiation is performed by means of semiconductor injection generator based on ABheterostructure, and for stimulating impact on oncologic cells radiation is performed by polarised pulse electromagnetic irradiation with rotation of electromagnetic irradiation vector rightward. Electromagnetic irradiation is performed by active layer which is placed between located on one side two grown layers of n-type conductivity and on the other side one grown layer of p-type conductivity, on which contact sites from precious electrically conductive metal, preferably gold or platinum, are made. As dopant of n-type Se, Te or Si with concentration of carriers not less than n- 8?10cm, and as dopant of p-type Be, Zn or Cd with concentration of carriers not less than P- 9?10cm are used.EFFECT: group of inventions makes it possible to perform controlled impact on cells of biological object, in particular people, with providing both suppressing and stimulating influence.2 cl, 5 dwg

Description

Изобретения относится к медицине, а именно к средствам воздействия на биологический объект электромагнитным излучением и могут быть использованы в области медицины, биологии, ветеринарии для проведения волновой терапии.The invention relates to medicine, namely to means of influencing a biological object with electromagnetic radiation and can be used in the field of medicine, biology, veterinary medicine for conducting wave therapy.

Известен способ коррекции направленности и динамики биофизических процессов биологических объектов, включающий облучение биологических объектов электромагнитным излучением от источника электромагнитного излучения, а именно от ахроматического светового излучателя, путем подачи электромагнитного светового потока интракорпорально по световоду (SU №1761158, 15.09.1989).A known method for correcting the direction and dynamics of biophysical processes of biological objects, including irradiating biological objects with electromagnetic radiation from an electromagnetic radiation source, namely from an achromatic light emitter, by applying an electromagnetic light flux intracorporeally through the fiber (SU No. 1761158, 09/15/1989).

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ коррекции направленности и динамики биофизических процессов биологических объектов, включающий облучение биологических объектов электромагнитным излучением полупроводникового инжекционного генератора (RU №2123869, 27.12.1998).Closest to the invention in technical essence and the achieved result is a method for correcting the direction and dynamics of biophysical processes of biological objects, including irradiating biological objects with electromagnetic radiation of a semiconductor injection generator (RU No. 2123869, 12.27.1998).

Однако данный способ оказывает в основном только биостимулирующее действие за счет повышения селективности воздействия на биологические объекты, что сужает область его использования в лечебных целях.However, this method has mainly only biostimulating effect by increasing the selectivity of effects on biological objects, which narrows the scope of its use for medicinal purposes.

Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является расширение области использования способа коррекции направленности и динамики биофизических процессов биологических объектов в лечебных целях.The problem to which the present invention is directed, is to expand the field of use of the method for correcting the orientation and dynamics of biophysical processes of biological objects for therapeutic purposes.

Технический результат заключается в обеспечении управляемого воздействия на клетки биологического объекта, в частности человека, с обеспечением как угнетающего, так и стимулирующего воздействия.The technical result consists in providing a controlled effect on the cells of a biological object, in particular a person, with the provision of both inhibitory and stimulating effects.

В соответствии с первым вариантом изобретения, предлагается способ, включающий облучение биологических объектов электромагнитным излучением полупроводникового инжекционного генератора, при этом облучение проводят полупроводниковым инжекционным генератором на основе гетероструктуры A3B5 и для угнетающего воздействия на онкологические клетки облучение проводят поляризованным импульсным электромагнитным излучением с вращением вектора электромагнитного излучения в правую сторону, частотой электромагнитного излучения в диапазоне от 30 до 220 ГГц, длиной волн электромагнитного излучения от 1,4 до 10 мм, мощностью электромагнитного излучения от 10-16 Вт/cm2 до 10-18 Вт/см2 в течение 6-8 минут, причем электромагнитное излучение проводят активным слоем, который располагают между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-типа проводимости и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости, на котором выполняют контактные площадки из драгоценного электропроводного, преимущественно золота или платины, металла, при этом в качестве легирующей примеси n-типа используют Se, Te или Si с концентрацией носителей не менее n0 - 8·1015 см3, а в качестве легирующей примеси p-типа используют -Be, Zn или Cd с концентрацией носителей не менее P0 - 9·1018 см3.In accordance with the first embodiment of the invention, a method is provided comprising irradiating biological objects with electromagnetic radiation of a semiconductor injection generator, wherein the radiation is carried out with a semiconductor injection generator based on the A 3 B 5 heterostructure, and for inhibitory effects on cancer cells, the radiation is carried out by polarized pulsed electromagnetic radiation with rotation of the vector electromagnetic radiation to the right, the frequency of electromagnetic radiation in the range from 30 to 220 GHz, the wavelength of electromagnetic radiation from 1.4 to 10 mm, the power of electromagnetic radiation from 10 -16 W / cm 2 to 10 -18 W / cm 2 for 6-8 minutes, and the electromagnetic radiation is carried out by the active layer which is located between two grown n-type conductivity layers located on one side and, on the other hand, one p-type grown layer, on which contact pads are made of precious electrically conductive, mainly gold or platinum, metal, with dopant n -type of used Se, Te or Si with a carrier concentration of not less than n 0 - 8 × 10 15 cm 3 and as dopant p-type use -Be, Zn or Cd with a carrier concentration of not less than P 0 - 9 × 10 18 cm 3 .

В соответствии со вторым вариантом изобретения, способ включает облучение биологических объектов электромагнитным излучением полупроводникового инжекционного генератора, при этом облучение проводят полупроводниковым инжекционным генератором на основе гетероструктуры A3B5 и для стимулирующего воздействия на онкологические клетки облучение проводят поляризованным импульсным электромагнитным излучением с вращением вектора электромагнитного излучения в левую сторону, причем электромагнитное излучение проводят активным слоем, который располагают между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-типа проводимости и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости, на котором выполняют контактные площадки из драгоценного электропроводного, преимущественно золота или платины, металла, при этом в качестве легирующей примеси n-типа используют Se, Te или Si с концентрацией носителей не менее n0 - 8·1015 см3, а в качестве легирующей примеси p-типа используют - Be, Zn или Cd с концентрацией носителей не менее P0 - 9·103 см.In accordance with a second embodiment of the invention, the method includes irradiating biological objects with electromagnetic radiation of a semiconductor injection generator, the radiation being carried out by a semiconductor injection generator based on the A3B5 heterostructure, and to stimulate cancer cells, the radiation is irradiated with polarized pulsed electromagnetic radiation with rotation of the electromagnetic radiation vector to the left side moreover, the electromagnetic radiation is carried out by the active layer, which they are located between two grown n-type conductivity layers located on one side and, on the other hand, one p-type grown layer on which contact pads are made of precious electrically conductive, mainly gold or platinum, metal, while n- of the type used Se, Te or Si with a carrier concentration of at least n 0 - 8 · 10 15 cm 3 , and as a dopant of the p type used Be, Zn or Cd with a carrier concentration of at least P 0 - 9 · 10 3 cm .

Оказываемое, воздействие проявляется в возможном изменении хода и направленности процессов метаболизма, пролиферации и изменении структуры клеток, их выживаемости, причем использование в качестве легирующей примеси n-типа Se, Te, Si с концентрацией носителей не менее n0 - 8·1015 см3, и качестве легирующей примеси p-типа - Be, Zn, Cd с концентрацией носителей не менее P0 - 9·10 см3 в сочетании с выполнением активного слоя на основе InP, который находится между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-типа проводимости и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости позволяет получить эффект комплексного, безмедикаментозного, неинвазивного воздействия на биологический объект.The effect is manifested in a possible change in the course and direction of the processes of metabolism, proliferation and changes in the structure of cells, their survival, moreover, the use of n-type Se, Te, Si as a dopant with a carrier concentration of at least n 0 - 8 · 10 15 cm 3 , and the quality of the p-type dopant - Be, Zn, Cd with a carrier concentration of at least P 0 - 9 · 10 cm 3 in combination with the implementation of an active layer based on InP, which is located between two grown n-type layers located on one side conductivity and on the other hand With this grown p-type conductivity layer, one can obtain the effect of a complex, drug-free, non-invasive effect on a biological object.

Было установлено, что принцип дифференцированного, избирательного направленного действия по подавлению (угнетению) больных клеток, т.е. когда облучение проводят поляризованным импульсным электромагнитным излучением с вращением вектора электромагнитного излучения в правую сторону или по стимулированию роста клеток, т.е. когда облучение проводят поляризованным импульсным электромагнитным излучением с вращением вектора электромагнитного излучения в левую сторону, основан на совпадении (в случае стимулирования) или не совпадении (в случае подавления, угнетения) частотно поляризационных параметров биологического объекта и низкоинтенсивного электромагнитного излучения устройства.It was found that the principle of differentiated, selective directed action to suppress (suppress) sick cells, i.e. when irradiation is carried out by polarized pulsed electromagnetic radiation with the rotation of the electromagnetic radiation vector to the right or to stimulate cell growth, i.e. when irradiation is carried out by polarized pulsed electromagnetic radiation with the rotation of the electromagnetic radiation vector to the left side, it is based on the coincidence (in the case of stimulation) or not coincidence (in the case of suppression, inhibition) of the frequency-polarized parameters of the biological object and the low-intensity electromagnetic radiation of the device.

На чертеже (фиг.1) схематически представлен разрез полупроводникового инжекционного генератора на основе гетероструктуры A3B5 с помощью которого осуществляют оба способа коррекции направленности и динамики биофизических процессов биологических объектов.In the drawing (Fig. 1), a sectional view is shown of a section of a semiconductor injection generator based on the A3B5 heterostructure using which both methods of correcting the directivity and dynamics of biophysical processes of biological objects are carried out.

Полупроводниковый инжекционный генератор на основе гетероструктуры A3B5 содержит активный слой (1) на основе InP, при этом активный слой (1) находится между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-типа проводимости (2) и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости (3), на котором выполнены контактные площадки (4) из драгоценного электропроводного, преимущественно золота или платины, металла. В качестве легирующей примеси n-типа могут быть применены Se, Te, Si с концентрацией носителей не менее n0 - 8·1015 см3, а в качестве легирующей примеси p-типа могут быть применены - Be, Zn, Cd с концентрацией носителей не менее P0 - 9·1018 см3.The semiconductor injection generator based on the A3B5 heterostructure contains an active layer (1) based on InP, while the active layer (1) is between two grown n-type conductivity layers located on one side (2) and on the other hand, one grown p-type layer conductivity (3), on which the contact pads (4) are made of precious electrically conductive, mainly gold or platinum, metal. As n-type dopants, Se, Te, Si with a carrier concentration of at least n 0 - 8 · 10 15 cm 3 can be used, and Be, Zn, Cd with a carrier concentration can be used as p-type dopant not less than P 0 - 9 · 10 18 cm 3 .

После приложения импульсного напряжения через контактные площадки (4) электрический ток вызывает инжекцию неосновных носителей через p-n-переход в активную область, образованную активным слоем (1). В активной области начинается процесс рекомбинации носителей заряда с испусканием квантов спонтанного излучения.After applying a pulsed voltage through the contact pads (4), the electric current causes the injection of minority carriers through the pn junction into the active region formed by the active layer (1). In the active region, the process of recombination of charge carriers with the emission of quanta of spontaneous emission begins.

Поскольку данный генератор выполнен на основе гетероструктуры A3B5 он позволяет получить генерирование электромагнитного излучения с возможностью управляемого изменения частоты электромагнитного излучения.Since this generator is made on the basis of the A 3 B 5 heterostructure, it allows one to obtain electromagnetic radiation generation with the possibility of a controlled change in the frequency of electromagnetic radiation.

При реализации обоих способов коррекции направленности и динамики биофизических процессов биологических объектов проводят облучение биологических объектов, в частности клеток человека, электромагнитным излучением полупроводникового инжекционного генератора, а именно облучение проводят полупроводниковым инжекционным генератором на основе гетероструктуры A3B5.When both methods of correcting the direction and dynamics of biophysical processes of biological objects are implemented, they irradiate biological objects, in particular human cells, with electromagnetic radiation from a semiconductor injection generator, namely, irradiation is carried out with a semiconductor injection generator based on the A3B5 heterostructure.

Для угнетающего воздействия на жизнедеятельность, например, неопластических, клеток облучение проводят поляризованным импульсным электромагнитным излучением с вращением вектора электромагнитного излучения в правую сторону.For a depressing effect on the vital activity of, for example, neoplastic cells, the radiation is carried out by polarized pulsed electromagnetic radiation with the rotation of the electromagnetic radiation vector to the right.

Для стимулирующего воздействия на жизнедеятельность клеток облучение проводят поляризованным импульсным электромагнитным излучением с вращением вектора электромагнитного излучения в левую сторону.To stimulate the vital activity of cells, irradiation is carried out by polarized pulsed electromagnetic radiation with the rotation of the electromagnetic radiation vector to the left.

В обоих вариантах использования полупроводникового инжекционного генератора облучение проводят при частоте электромагнитного излучения в диапазоне от 30 до 220 ГГц, длиной волн электромагнитного излучения от 1,4 до 10 мм, мощностью электромагнитного излучения от 10-16 Вт/см2 до 10-18 Вт/см2 в течение 6-8 минут.In both versions of the use of a semiconductor injection generator, irradiation is carried out at a frequency of electromagnetic radiation in the range from 30 to 220 GHz, a wavelength of electromagnetic radiation from 1.4 to 10 mm, and an electromagnetic radiation power from 10 -16 W / cm 2 to 10 -18 W / cm 2 for 6-8 minutes.

В Нижегородской государственной медицинской академии министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации были проведены исследования влияния облучения онкологических клеток поляризованным импульсным электромагнитным излучением с вращением вектора электромагнитного излучения в правую сторону и с вращением вектора электромагнитного излучения в левую сторону.At the Nizhny Novgorod State Medical Academy of the Ministry of Health and Social Development of the Russian Federation, studies have been carried out on the effect of cancer exposure to polarized pulsed electromagnetic radiation with rotation of the electromagnetic radiation vector to the right and with the rotation of the electromagnetic radiation vector to the left.

При проведении исследований использовали культуры клеток нормальной и неопластической линий. Это нормальная культура клеток печени человека (Chang liver) и неопластическая - аденокацинома печени человека (SK-HEP-1), нормальная культура клеток эпителия молочной железы человека (HBL-100) и неопластическая - аденокарцинома молочной железы человека (ВТ-20).During the studies, cell cultures of normal and neoplastic lines were used. This is a normal culture of human liver cells (Chang liver) and a neoplastic culture of human liver adenocacinoma (SK-HEP-1), a normal culture of human breast epithelial cells (HBL-100) and neoplastic culture of human breast adenocarcinoma (BT-20).

Статистическая обработка результатов исследования проводилась с помощью статистических программных пакетов "Stastica 6.0". Результаты представлялись в виде M, SD, Me, SEM, где M - среднее арифметическое, SD - стандартное отклонение, SEM - стандартная ошибка. Степень достоверности (p) между контрольной и опытными группами определяли параметрическими методами статистики, при этом проводили однофакторный дисперсионный анализ, вычисляли критерий Стьюдента для нормального распределения в выборке, для непараметрических данных - точный критерий Фишера. За критерий достоверности была принята величина p<0.05.Statistical processing of the research results was carried out using the statistical software packages "Stastica 6.0". The results were presented in the form of M, SD, Me, SEM, where M is the arithmetic mean, SD is the standard deviation, SEM is the standard error. The degree of reliability (p) between the control and experimental groups was determined by parametric statistical methods; in this case, one-way analysis of variance was performed, the Student criterion was calculated for the normal distribution in the sample, and for the nonparametric data, the exact Fisher criterion. For the reliability criterion, p <0.05 was taken.

В ходе проведенного исследования были получены следующие результаты.In the course of the study, the following results were obtained.

Угнетение пролиферативной активности и снижение способности к выживаемости клеток при воздействии низкоинтенсивным ЭМИ наблюдали в клеточных культурах нормальной линии Chang liver и неопластической линий SK-HEP, ВТ-20, а активацию пролиферацию и повышение способности к выживаемости в культуре клеток HBL-100. Воздействие фоновым излучением способствовало угнетению пролиферативной активности и способности к выживаемости на 50% и более (превышая ED) в клеточных культурах как нормальной, так и неопластической линий.Inhibition of proliferative activity and a decrease in the survival ability of cells when exposed to low-intensity EMR were observed in cell cultures of the normal Chang liver line and the neoplastic lines SK-HEP, BT-20, and activation of proliferation and increased survival ability in the HBL-100 cell culture. Exposure to background radiation inhibited proliferative activity and survival ability by 50% or more (exceeding ED) in cell cultures of both normal and neoplastic lines.

В ходе исследования было обнаружено, что воздействие фоновым информационно-волновым излучением с инверсией угла поляризации приводит к выраженному угнетению жизнеспособности клеточных культур как нормальной, так и неопластической линий. В то же время воздействие низконтенсивным ЭМИ с инверсией угла поляризации положительно влияет на жизнеспособность клеточных культур неопластической линии, что выражается в активации пролиферации и способности к выживаемости клеток по сравнению с обычным воздействием. Следует отметить, что такой способ воздействия отрицательно влияет на жизнеспособность клеточных культур нормальной линии, способствуя угнетению пролиферативной активности и способности к выживаемости клеток (фиг.2-5).In the course of the study, it was found that exposure to background information-wave radiation with an inversion of the polarization angle leads to a pronounced inhibition of the viability of cell cultures of both normal and neoplastic lines. At the same time, exposure to low-intensity EMR with an inversion of the angle of polarization positively affects the viability of cell cultures of the neoplastic line, which is expressed in the activation of proliferation and the ability to survive cells compared to conventional exposure. It should be noted that this method of exposure adversely affects the viability of cell cultures of the normal line, contributing to the inhibition of proliferative activity and the ability to cell survival (Fig.2-5).

На рисунках: Контроль 0 - воздействие ЭМИ на культуру клеток не осуществляли; контроль 1 - расположение клеточных культур (разных) одна над другой без воздействия ЭМИ; контроль 2 - расположение клеточных культур (одинаковых) одна над другой без воздействия ЭМИ; опыт 3 - воздействие ЭМИ (режим 4) и фоновым информационно-волновым излучением (режим 3) аппарата с разработанным нами генератором на культуру клеток; опыт 4 - воздействие ЭМИ (режим 4) и фоновым информационно-волновым излучением (режим 3) на культуру клеток с инверсией угла поляризации электромагнитного излучения.In the figures: Control 0 — the effect of EMR on the cell culture was not carried out; control 1 - the location of cell cultures (different) one above the other without exposure to EMR; control 2 - the location of cell cultures (identical) one above the other without exposure to EMR; experiment 3 - the impact of electromagnetic radiation (mode 4) and background information-wave radiation (mode 3) of an apparatus with a generator developed by us on cell culture; experiment 4 - the impact of electromagnetic radiation (mode 4) and background information-wave radiation (mode 3) on cell culture with an inverse of the angle of polarization of electromagnetic radiation.

Claims (2)

1. Способ управляемого воздействия на культуры неопластической линии клеток электромагнитным излучением полупроводникового инжекционного генератора, заключающийся в облучении клеточных культур полупроводниковым инжекционным генератором на основе гетероструктуры А3В5, причем для угнетающего воздействия на клетки облучение проводят поляризованным импульсным электромагнитным излучением с вращением вектора электромагнитного излучения в правую сторону, частотой электромагнитного излучения в диапазоне от 30 до 220 ГГц, длиной волн электромагнитного излучения от 1,4 до 10 мм, мощностью электромагнитного излучения от 10-16 до 10-18 Вт/см2 в течение 6-8 мин, причем электромагнитное излучение проводят активным слоем, который располагают между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-типа проводимости и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости, на котором выполняют контактные площадки из драгоценного электропроводного, преимущественно золота или платины, металла, при этом в качестве легирующей примеси n-типа используют Se, Те или Si с концентрацией носителей не менее nо - 8·1015 см3, а в качестве легирующей примеси р-типа используют Be, Zn или Cd с концентрацией носителей не менее Р0 - 9·1018 см3.1. A method of controlled exposure to cultures of a neoplastic cell line with electromagnetic radiation of a semiconductor injection generator, which consists in irradiating cell cultures with a semiconductor injection generator based on the A 3 B 5 heterostructure, and to inhibit the effects on cells, the radiation is carried out by polarized pulsed electromagnetic radiation with rotation of the electromagnetic radiation vector in the right side, the frequency of electromagnetic radiation in the range from 30 to 220 GHz, wavelength ktromagnitnogo radiation of 1.4 to 10 mm, the electromagnetic radiation power from 10 -16 to 10 -18 W / cm 2 for 6-8 min, the electromagnetic radiation carried active layer which is disposed between on the one hand arranged in two layers grown n -type of conductivity and, on the other hand, by one grown p-type conductivity layer on which contact pads are made of precious conductive, mainly gold or platinum, metal, while Se, Te or Si with a concentration of carriers of at least n о - 8 · 10 15 cm 3 , and Be, Zn or Cd with a carrier concentration of at least Р 0 - 9 · 10 18 cm 3 are used as p-type dopants. 2. Способ управляемого воздействия на культуры неопластической линии клеток электромагнитным излучением полупроводникового инжекционного генератора, заключающийся в облучении клеточных культур полупроводниковым инжекционным генератором на основе гетероструктуры А3В5, причем для стимулирующего воздействия на клетки облучение проводят поляризованным импульсным электромагнитным излучением с вращением вектора электромагнитного излучения в левую сторону, причем электромагнитное излучение проводят активным слоем, который располагают между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-типа проводимости и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости, на котором выполняют контактные площадки из драгоценного электропроводного, преимущественно золота или платины, металла, при этом в качестве легирующей примеси n-типа используют Se, Те или Si с концентрацией носителей не менее no - 8·1015 см3, а в качестве легирующей примеси р-типа используют Be, Zn или Cd с концентрацией носителей не менее Р0 - 9·1018 см3. 2. A method of controlled exposure of a neoplastic cell line culture to electromagnetic radiation of a semiconductor injection generator, which consists in irradiating cell cultures with a semiconductor injection generator based on the A 3 B 5 heterostructure, and to stimulate the cells, the radiation is carried out by polarized pulsed electromagnetic radiation with rotation of the electromagnetic radiation vector in the left side, and electromagnetic radiation is carried out by the active layer, which is located they are between two grown n-type conductivity layers located on one side and, on the other hand, one p-type grown layer, on which contact pads are made of precious conductive, mainly gold or platinum, metal, while as an n-type dopant use Se, Te or Si with a carrier concentration of at least n o - 8 · 10 15 cm 3 , and Be, Zn or Cd with a carrier concentration of at least P 0 - 9 · 10 18 cm 3 are used as a p-type dopant.
RU2012122579/14A 2012-06-01 2012-06-01 Method of controlled influence on biological objects with electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator (versions) RU2491971C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012122579/14A RU2491971C1 (en) 2012-06-01 2012-06-01 Method of controlled influence on biological objects with electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator (versions)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012122579/14A RU2491971C1 (en) 2012-06-01 2012-06-01 Method of controlled influence on biological objects with electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator (versions)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2491971C1 true RU2491971C1 (en) 2013-09-10

Family

ID=49164796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012122579/14A RU2491971C1 (en) 2012-06-01 2012-06-01 Method of controlled influence on biological objects with electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator (versions)

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2491971C1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2123869C1 (en) * 1995-05-04 1998-12-27 Кольцов Юрий Васильевич Phototherapy method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2123869C1 (en) * 1995-05-04 1998-12-27 Кольцов Юрий Васильевич Phototherapy method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Реабилитация в онкологии: физиотерапия. - М.: ГЭОТАР-Медиа, 2006, с.10-11. Дурнов Л.А., Грабовщинер А.Я., Гусев Л.И., Балакирев С.А., Усеинов А.А., Пашков Б.А. Квантовая терапия в онкологии. Экспериментальные и клинические исследования. - М.: ЗАО МИЛТА-ПКП ГИТ, 2002, с.20-23, http://www.kvantmed.ru/metodichki/onkologiya.pdf. Teppone M, Avakyan R. Extremely high-frequency therapy in oncology. J Altern Complement Med. 2010 Nov; 16(11):1211-6. doi: 10.1089/acm.2009.0208. Epub 2010 Oct 25, abst. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Hamblin et al. Photobiomodulation and cancer: what is the truth?
Guleyupoglu et al. Reduced discomfort during high-definition transcutaneous stimulation using 6% benzocaine
Mao et al. A combined modality of carboplatin and photodynamic therapy suppresses epithelial-mesenchymal transition and matrix metalloproteinase-2 (MMP-2)/MMP-9 expression in HEp-2 human laryngeal cancer cells via ROS-mediated inhibition of MEK/ERK signalling pathway
US20120101557A1 (en) Treatment apparatus and use thereof for treating psoriasis
Hamminga et al. Treatment of mycosis fungoides: total-skin electron-beam irradiation vs topical mechlorethamine therapy
DE502006003889D1 (en) DEVICE FOR THE ELECTRICAL STIMULATION OF BIOLOGICAL MATERIAL
Prado et al. Effects of 830 and 670 nm laser on viability of random skin flap in rats
Lemos et al. Iontophoresis improved growth reduction of invasive squamous cell carcinoma in topical photodynamic therapy
de Lima et al. Use alone or in combination of red and infrared laser in skin wounds
RU2491971C1 (en) Method of controlled influence on biological objects with electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator (versions)
Liebesny Athermic short wave therapy
JP2014521361A5 (en)
RU2491970C1 (en) Method of correcting direction and dynamics of biophysical processes in biological objects
Ishaq et al. Effect of atmospheric-pressure plasmas on drug resistant melanoma: the challenges of translating in vitro outcomes into animal models
RU133741U1 (en) SEMICONDUCTOR INJECTION GENERATOR BASED ON HETEROSTRUCTURE A3B5 FOR CARRYING OUT WAVE THERAPY
Mansourian et al. The effect of 900 MHz electromagnetic fields on biological pathways induced by electrochemotherapy.
TWI292329B (en)
Dotta et al. Magnetic field configurations corresponding to electric field patterns that evoke long-term potentiation shift power spectra of light emissions from microtubules from non-neural cells
Shawki et al. Comparative study on the efficiency of using pulsed and direct current electrochemotherapy in treating ehrlich tumor
RU134365U1 (en) SEMICONDUCTOR INJECTION GENERATOR BASED ON HETEROSTRUCTURE A3B5
KR20170028601A (en) Method for Treating Cancer Using Alternative Electric Field in Combination with Radiation Therapy
KR20210046376A (en) Low-frequency pads with phototherapy function and manufacturing methods thereof
Kubodera et al. Measurement of radiation-induced current through a SiC Schottky barrier diode in a clinical carbon beam cancer therapy field
JP3200432U (en) Potential variation type quantum therapy device
RU2723394C2 (en) Method for initiation of tumor cell death using aluminum trisulfophthalocyanine and hf and uhf wave energy radiation