RU2491375C1 - Способ выращивания профилированных монокристаллов германия из расплава - Google Patents
Способ выращивания профилированных монокристаллов германия из расплава Download PDFInfo
- Publication number
- RU2491375C1 RU2491375C1 RU2012120679/05A RU2012120679A RU2491375C1 RU 2491375 C1 RU2491375 C1 RU 2491375C1 RU 2012120679/05 A RU2012120679/05 A RU 2012120679/05A RU 2012120679 A RU2012120679 A RU 2012120679A RU 2491375 C1 RU2491375 C1 RU 2491375C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- former
- crucible
- melt
- shape
- germanium
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов германия из расплава, применяемых для изготовления оптических деталей (линзы, защитные окна) инфракрасной техники. Профилированные монокристаллы германия выращивают на затравочный кристалл из расплава с использованием формообразователя, помещенного в тигель и имеющего отверстия в месте примыкания его нижней части к днищу тигля для удаления избытка расплава, при этом сначала в формообразователь и промежуток между стенкой тигля и формообразователем помещают исходную загрузку германия и расплавляют ее, причем высота расплава в этом промежутке находится на уровне 0,85÷0,95 высоты расплава в формообразователе, далее в расплав формообразователя помещают затравочный кристалл, вращающийся с угловой скоростью в диапазоне 5÷20 об/мин, и осуществляют разращивание кристалла в радиальном направлении до тех пор, пока его диаметр не приблизится к диаметру формообразователя, затем вращение кристалла прекращают, осуществляют регулируемое снижение температуры до полной кристаллизации всего объема расплава в формообразователе с образованием его избытка и перетеканием расплава через отверстия формообразователя в промежуток между тиглем и формообразователем, после чего путем дальнейшего снижения температуры кристаллизуют весь объем расплава в промежутке между тиглем и формообразователем. Технический результат изобретения состоит в повышении выхода годной продукции за счет получения монокристаллов германия (в том числе крупногабаритных) универсальной формы без дефектов структуры, свободных от механических напряжений, и упрощении технологического п
Description
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов германия из расплава.
Известен способ получения профилированных монокристаллов германия из расплава путем кристаллизации расплава без вращения кристалла и тигля (патент №1266103, Франция, 1961). Согласно способу, который применим для получения из расплава монокристаллов германия, кремния и интерметаллических соединений, кристаллизацию ведут сверху вниз от неподвижной затравки, причем в дне или стенках тигля имеются очень мелкие отверстия, через которые вытекает избыток расплава, образующийся из-за увеличения объема германия при затвердевании жидкой фазы. Согласно данному способу, тигель является непосредственно формообразователем, придающим заданную форму выращиваемым кристаллам. Отверстия в тигле сделаны для удаления излишнего количества расплава, образующегося из-за разницы плотностей жидкой и твердой фаз кристаллизующегося материала. При плотности жидкой фазы, большей, чем твердой фазы, кристаллизация идет с увеличением объема, для германия примерно на 5,3%.
Указанный способ выращивания монокристаллов имеет существенные недостатки:
- способ технически трудно реализуем в промышленном масштабе - для выращивания кристаллов каждого заданного размера необходим свой тигель достаточно сложной конфигурации;
- не определено ни количество отверстий, ни их размер, что может привести либо к вытеканию исходного расплава, либо к разрыву тигля в процессе кристаллизации;
- механическое воздействие на выращенный кристалл, при его извлечении из тигля может привести как к механическому разлому тигля (из-за отверстий в стенках и днище, заполняемых германием в процессе кристаллизации), так и к растрескиванию кристалла;
- выращивание кристалла при формировании его основной верхней поверхности при отсутствии вращения практически всегда приводит к появлению дефектов структуры (поликристаллизации), а также к неоднородному распределению примесей.
Указанные недостатки значительно снижают выход годной продукции, приводят к повышенному расходу сырья и материалов (при получении профилированных монокристаллов германия - графита и германия), делают применение метода практически невозможным в промышленных масштабах.
Наиболее близким к заявляемому является способ выращивания профилированных монокристаллов германия (патент РФ №2304642 «Способ выращивания монокристаллов германия» Каплунов И.А., Колесников А.И., Смирнов Ю.М., прототип). Согласно способу, монокристаллы выращивают на затравочный кристалл из расплава, который находится в формообразователе, а сам формообразователь помещен в тигель без расплава. Затравочный кристалл вращают до того момента, пока размер разращиваемого кристалла не достигнет размера формообразователя. Далее без вращения, путем снижения температуры проводят кристаллизацию в осевом направлении до полного затвердевания всего объема расплава. Для удаления избыточного расплава в формообразователе в месте примыкания нижней части к тиглю выполнены отверстия определенного радиуса на определенном расстоянии друг от друга.
Количество отверстий, их радиусы специально задаются:
- радиус (r) отверстий удовлетворяет условию r<К/h,
где К=0,2 см-2, h - высота расплава в формообразователе (см);
- количество отверстий составляет 12÷18.
Формообразователь может быть выполнен в виде обечайки круглой, квадратной или прямоугольной формы.
При практическом использовании способа (патент РФ №2304642 «Способ выращивания монокристаллов германия» Каплунов И.А., Колесников А.И., Смирнов Ю.М., прототип) выявляются два существенных недостатка, которые могут приводить к снижению качества выращиваемых монокристаллов, а также снижению выхода годной продукции.
К снижению качества приводит относительно высокий уровень термических напряжений, возникающих при выращивании монокристаллов больших диаметров (выше 150÷200 мм), что связано с возрастанием осевых и радиальных температурных градиентов в расплаве и кристалле при увеличении размеров монокристалла. В конечном итоге термические напряжения вызывают снижение оптического качества монокристаллов: появляется неоднородность показателя преломления в монокристаллах, что приводит к искажению оптического изображения, формируемого оптикой на основе данных монокристаллов. Также термические напряжения снижают механическую прочность слитков, в ряде случаев вызывая их растрескивание при обработке (при резке пластин, вырезании профилей).
Вторым существенным недостатком является сложное технологическое обеспечение процесса выращивания, требующее точного фиксирования формообразователя в тигле, т.к. резкие колебания расплава, механические биения кристалла в расплаве, касание кристаллом формообразователя могут привести к смещению формообразователя, и, самое главное, вызвать вытекание расплава из формообразователя в тигель. При этом монокристалл в формообразователе не сформируется должным образом - не сможет получить необходимую высоту и форму, так как расплав переместится в промежуток между формообразователем и тиглем.
Целью заявляемого способа является:
- повышение выхода годной продукции за счет получения монокристаллов, свободных от механических напряжений;
- существенное упрощение технологического процесса.
Технический результат изобретения достигается тем, что вносятся изменения как в способ, так и в устройство для проведения технологического процесса: исходная загрузка германия помещается как в формообразователь, так и в промежуток между стенками тигля и формообразователем, причем количество исходной загрузки рассчитывается так, чтобы высота расплава в пространстве между стенками тигля и формообразователем составляла 0,85÷0,95 высоты расплава в формообразователе, при этом угловая скорость вводимого в расплав затравочного кристалла находится в диапазоне 5÷20 об/мин; держатель затравочного кристалла устанавливается по вертикальной оси формобразователя с возможностью вращения, цилиндрический тигель, на днище которого коаксиально расположен формообразователь в виде обечайки (круглой или иной формы, соответствующей боковой форме выращиваемого слитка), имеющий отверстия в месте примыкания его нижней части к днищу тигля, изготавливается так, что диаметр тигля составляет 1,2÷1,3 диаметра (максимального сечения) формообразователя.
Достоинства способа заключаются в следующем.
1. Снижаются радиальные температурные градиенты в расплаве и снижаются термоупругие напряжения в монокристалле, вызываемые неоднородным распределением температуры. Измерения температуры при выполнении способа показали, что величина радиального температурного градиента в расплаве в предлагаемом способе составляет при выращивании монокристаллов германия диаметром 200÷250 мм - 2÷3 К/см (против 5÷8 К/см по прототипу).
2. Устранен риск протекания расплава в незаполненную расплавом часть тигля, что существенно уменьшает технологический брак при проведении процесса выращивания.
Сравнение свойств совокупности признаков прототипа и заявляемого способа показывает, что
- в прототипе расплав находится только в формообразователе, а в заявляемом способе - как в формообразователе, так и в промежутке между формообразователем и тиглем, причем высота расплава в промежутке между стенками тигля и формообразователем составляет 0,85÷0,95 высоты расплава в формообразователе;
- в прототипе не выявлена зависимость между максимальными сечениями тигля и формообразователя, а в заявляемом способе она 1,2÷1,3:1.
Следовательно, заявляемому способу выращивания профилированных монокристаллов германия соответствует критерий "Существенные отличия".
Изобретение поясняется графическими материалами Фиг.1.
Фиг.1. Основные стадии процесса выращивания монокристаллов германия согласно заявляемому способу.
Фиг.1а. Начальная стадия процесса, где 1 - формообразователь, 2 - тигель, 3 - расплав, hф - высота расплава в формообразователе, 4 - отверстия в нижней его части формообразователя, Н - высота расплава в промежутке между тиглем и формообразователем.
Фиг.1б. Первая стадия выращивания монокристалла германия, где 1 - формообразователь, 2 - тигель, 3 - расплав, 4 - отверстия в нижней его части формообразователя, 5 - затравочный кристалл, вращающийся с заданной угловой скоростью ω, 6 - разращиваемый кристалл.
Фиг.1в. Вторая стадия процесса выращивания, где 1 - формообразователь, 2 - тигель, 3 - расплав, 4 - отверстия в нижней его части формообразователя, 5 - затравочный кристалл, 6 - разращиваемый монокристалл германия.
Фиг.1г. Третья стадия процесса выращивания, где 1 - формообразователь, 2 - тигель, 3 - расплав, 5 - затравочный кристалл, 6 - выращенный кристалл, 7 - кристаллизующийся в промежутке между стенками тигля и формообразователем расплав германия.
Фиг.1д. Заключительная стадия процесса, где 1 - формообразователь, 2 - тигель, 5 - затравочный кристалл, 6 - выращенный в формообразователе кристалл, 7 - закристаллизованный в промежутке между стенками тигля и формообразователем расплав германия.
Способ осуществляется следующим образом.
На начальной стадии, иллюстрируемой Фиг.1а, в формообразователь 1 и в промежуток между стенками тигля 2 и формообразователем 1 помещают исходную загрузку германия и расплавляют ее. Расплав 3 в формообразователе 1 и расплав в промежутке между стенками тигля 2 и формообразователем 1 не смешиваются; из-за сил поверхностного натяжения уровни расплава по высоте в формообразователе hф и в промежутке между стенками тигля и формообразователем Н остаются разные (в соответствии с предварительно рассчитанным количеством исходной загрузки), несмотря на то, что в формообразователе 1 (в месте примыкания его к тиглю 2) имеются отверстия 4.
На первой стадии, иллюстрируемой Фиг.1б, в расплав помещают вращающийся затравочный кристалл 5, вращающийся с заданной угловой скоростью ω, и на него разращивают кристалл 6. Вращение кристалла 6 осуществляют до тех пор, пока его диаметр не приблизится к диаметру формообразователя 1. Затем вращение кристалла 6 останавливают, происходит полная кристаллизация верхней поверхности расплава.
На второй стадии, иллюстрируемой Фиг.1в, кристаллизация расплава 3 внутри формообразователя 1 в замкнутом объеме осуществляется без вращения затравочного кристалла 5. Избыточное количество расплава германия, образующегося при кристаллизации, перетекает через капиллярные отверстия 4 в объем расплава между тиглем 2 и формообразователем 1. Процесс перетекания избыточного количества расплава имеет место, до тех пор, пока не закристаллизуется весь объем расплава в формообразователе 1 с получением разращиваемого монокристалла германия 6.
На третьей стадии процесса, иллюстрируемой Фиг.1г, после формирования монокристалла германия 6 в формообразователе 1, путем снижения температуры кристаллизуют (кристаллизующийся германий 7) весь объем расплава 3 в промежутке между тиглем 2 и формообразователем 1.
На заключительной стадии процесса, иллюстрируемой Фиг.1д, полностью закристаллизованный германий 7 находится в промежутке между тиглем 2 и формообразователем 1; внутри формообразователя находится выращенный монокристалл 6.
После остывания кристалл германия 7, 6 извлекают из тигля 2 и из формообразователя 1.
Примеры осуществления способа.
Пример 1.
Для выращивания монокристалла германия в форме диска диаметром 180 мм и высотой 40 мм в основной графитовый тигель (имеющий внутренний диаметр 220 мм) установили графитовый формообразователь в виде обечайки круглой формы с внутренним диаметром 180 мм (толщина стенки формообразователя составляла 5 мм). Исходя из высоты кристалла (уровня расплава) 40 мм, рассчитали максимально возможный радиус отверстий, который в данном случае составлял 0,5 мм. В нижней части формообразователя, примыкающей к дну тигля, на одинаковом угловом расстоянии друг от друга выполнили 12 отверстий радиусом 0,5 мм. В формообразователь загрузили 5,62 кг зонно-очищенного поликристаллического германия (марки ГПЗ). В промежуток между тиглем и формообразователем поместили 1,85 кг германия. Установку вакуумировали, нагревателем расплавляли загрузку, после чего проводили процесс выращивания. Высота расплава в формообразователе составляла 40 мм, в промежутке между тиглем и формообразователем - 36 мм. На первом этапе - вращающийся со скоростью 18 об/мин затравочный кристалл опускали в расплав, создавали нагревателем необходимое переохлаждение и разращивали кристалл в радиальном направлении до диаметра 175 мм. Затем вращение кристалла останавливали. Второй этап заключался в регулируемом снижении температуры в течение 3,5 часов до полной кристаллизации всего объема расплава в формообразователе. Избыток образующегося при кристаллизации расплава перетек через отверстия формообразователя в промежуток между тиглем и формообразователем, и высота расплава составила 43 мм. Путем дальнейшего снижения температуры в течение 1,5 часа полностью закристаллизовали расплав в ростовой системе.
После остывания кристалл германия извлекли из тигля и из формообразователя. Выращенный монокристалл имел диаметр 180 мм и высоту 40 мм; не имел выраженных механических напряжений. Монокристалл имел удовлетворительно однородное по сечению распределение примеси - 12%. После оптической обработки монокристалл показал высокие оптические свойства: неоднородность показателя преломления составляла менее 2·10-4; величина рассеяния излучения - менее 3%.
Пример 2.
Для выращивания монокристалла германия в форме квадрата со стороной 140 мм и высотой 50 мм в основной графитовый тигель (имеющий внутренний диаметр 240 мм) установили графитовый формообразователь в виде обечайки квадратной формы со стороной (внутренней) 120 мм (толщина стенки формообразователя составляла 7 мм). В нижней части формообразователя, примыкающей к дну тигля, на одинаковом угловом расстоянии друг от друга выполнили 16 отверстий радиусом 0,3 мм. Отверстия выполнили так, чтобы 4 отверстия располагались на четырех углах квадратного формообразователя. В формообразователь загрузили 5,22 кг зонно-очищенного поликристаллического германия (марки ГПЗ), а в промежуток между тиглем и формообразователем 6,15 кг. Установку вакуумировали, нагревателем расплавляли загрузку, после чего проводили процесс выращивания. Высота расплава в формообразователе составляла 50 мм, в промежутке между тиглем и формообразователем - 45 мм. На первом этапе вращающуюся со скоростью 16 об/мин затравку опускали в расплав, создавали нагревателем необходимое переохлаждение и разращивали в радиальном направлении до диаметра 115 мм. Затем вращение кристалла останавливали. Второй этап заключался в регулируемом снижении температуры в течение 4-х часов до полной кристаллизации всего объема расплава в формообразователе. Избыток образующегося при кристаллизации расплава перетекает через отверстия формообразователя в промежуток между тиглем и формообразователем; при этом высота расплава составила 51 мм. Путем дальнейшего снижения температуры в течение 2,5 часов полностью закристаллизовали расплав в ростовой системе.
После остывания кристалл германия извлекли из тигля и из формообразователя. Выращенный монокристалл имел профиль квадрата со стороной 140 мм и высотой 50 мм; не имел выраженных механических напряжений. Монокристалл имел удовлетворительно однородное по сечению распределение примеси - 10%. После оптической обработки монокристалл показал высокие оптические свойства: неоднородность показателя преломления составляла менее 2·10-4; величина рассеяния излучения - менее 3,5%.
Применение способа позволило успешно получать монокристаллы германия (в том числе крупногабаритные) с различной формой сечения, применяемые для изготовления оптических деталей (линзы, защитные окна) инфракрасной техники. Монокристаллы, полученные по предлагаемому способу, применены при серийном производстве в промышленности.
Claims (2)
1. Способ выращивания профилированных монокристаллов германия на затравочный кристалл из расплава с использованием формообразователя, помещенного в тигель и имеющего отверстия в месте примыкания его нижней части к днищу тигля для удаления избытка расплава, отличающийся тем, что
сначала в формообразователь и промежуток между стенкой тигля и формообразователем помещают исходную загрузку германия и расплавляют ее, причем высота расплава в этом промежутке находится на уровне 0,85÷0,95 высоты расплава в формообразователе,
далее в расплав формообразователя помещают затравочный кристалл, вращающийся с угловой скоростью в диапазоне 5÷20 об/мин, и осуществляют разращивание кристалла в радиальном направлении до тех пор, пока его диаметр не приблизится к диаметру формообразователя,
затем вращение кристалла прекращают,
осуществляют регулируемое снижение температуры до полной кристаллизации всего объема расплава в формообразователе с образованием его избытка и перетеканием расплава через отверстия формообразователя в промежуток между тиглем и формообразователем,
после чего путем дальнейшего снижения температуры кристаллизуют весь объем расплава в промежутке между тиглем и формообразователем.
сначала в формообразователь и промежуток между стенкой тигля и формообразователем помещают исходную загрузку германия и расплавляют ее, причем высота расплава в этом промежутке находится на уровне 0,85÷0,95 высоты расплава в формообразователе,
далее в расплав формообразователя помещают затравочный кристалл, вращающийся с угловой скоростью в диапазоне 5÷20 об/мин, и осуществляют разращивание кристалла в радиальном направлении до тех пор, пока его диаметр не приблизится к диаметру формообразователя,
затем вращение кристалла прекращают,
осуществляют регулируемое снижение температуры до полной кристаллизации всего объема расплава в формообразователе с образованием его избытка и перетеканием расплава через отверстия формообразователя в промежуток между тиглем и формообразователем,
после чего путем дальнейшего снижения температуры кристаллизуют весь объем расплава в промежутке между тиглем и формообразователем.
2. Устройство для выращивания профилированных монокристаллов германия из расплава, представляющее собой цилиндрический тигель, на днище которого коаксиально расположен формообразователь с расплавом исходной загрузки, имеющий отверстия в месте примыкания нижней части формообразователя к днищу тигля, держатель затравочного кристалла, установленный по вертикальной оси формообразователя с возможностью вращения, отличающийся тем, что в тигле промежуток между стенкой тигля и формообразователем заполнен расплавом, а диаметр тигля составляет 1,2÷1,3 максимального сечения формообразователя.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012120679/05A RU2491375C1 (ru) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | Способ выращивания профилированных монокристаллов германия из расплава |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012120679/05A RU2491375C1 (ru) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | Способ выращивания профилированных монокристаллов германия из расплава |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2491375C1 true RU2491375C1 (ru) | 2013-08-27 |
Family
ID=49163837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012120679/05A RU2491375C1 (ru) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | Способ выращивания профилированных монокристаллов германия из расплава |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2491375C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2600380C1 (ru) * | 2015-12-01 | 2016-10-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Способ получения профильных изделий на основе монокристаллов германия |
| RU2631810C1 (ru) * | 2016-11-30 | 2017-09-26 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Способ радиального разращивания профилированных монокристаллов германия |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1266103A (fr) * | 1960-08-19 | 1961-07-07 | Bosch Gmbh Robert | Procédé de fabrication de monocristaux et dispositif pour l'application dudit procédé ainsi que monocristal conforme à ceux ainsi obtenus |
| SU488612A1 (ru) * | 1972-09-08 | 1975-10-25 | Предприятие П/Я А-3135 | Способ выт гивани монокристаллов из расплава |
| RU2304642C2 (ru) * | 2005-04-27 | 2007-08-20 | ООО МНПП "Кристалл" | Способ выращивания монокристаллов германия |
-
2012
- 2012-05-21 RU RU2012120679/05A patent/RU2491375C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1266103A (fr) * | 1960-08-19 | 1961-07-07 | Bosch Gmbh Robert | Procédé de fabrication de monocristaux et dispositif pour l'application dudit procédé ainsi que monocristal conforme à ceux ainsi obtenus |
| SU488612A1 (ru) * | 1972-09-08 | 1975-10-25 | Предприятие П/Я А-3135 | Способ выт гивани монокристаллов из расплава |
| RU2304642C2 (ru) * | 2005-04-27 | 2007-08-20 | ООО МНПП "Кристалл" | Способ выращивания монокристаллов германия |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2600380C1 (ru) * | 2015-12-01 | 2016-10-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Способ получения профильных изделий на основе монокристаллов германия |
| RU2631810C1 (ru) * | 2016-11-30 | 2017-09-26 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Способ радиального разращивания профилированных монокристаллов германия |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102358951B (zh) | 一种生产φ6英寸区熔气掺硅单晶的热系统及工艺 | |
| US20160017514A1 (en) | Cooling rate control apparatus and ingot growing apparuts including same | |
| US7427325B2 (en) | Method for producing high quality silicon single crystal ingot and silicon single crystal wafer made thereby | |
| US11326272B2 (en) | Mono-crystalline silicon growth apparatus | |
| RU2491375C1 (ru) | Способ выращивания профилированных монокристаллов германия из расплава | |
| RU2304642C2 (ru) | Способ выращивания монокристаллов германия | |
| CN101037794A (zh) | 用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片 | |
| JP2003286024A (ja) | 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材 | |
| KR101596550B1 (ko) | 잉곳성장장치 및 잉곳성장방법 | |
| RU2600380C1 (ru) | Способ получения профильных изделий на основе монокристаллов германия | |
| CN113684535A (zh) | 一种大尺寸蓝宝石板材导模法生长装置及生长方法 | |
| WO2009104533A1 (ja) | シリコン単結晶成長装置および石英ルツボ | |
| KR101025652B1 (ko) | 잔류 융액을 재활용한 태양전지용 결정 제조방법 | |
| CN105887187B (zh) | 一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法 | |
| RU2531823C1 (ru) | Устройство для выращивания монокристаллических труб и способ их получения | |
| JP2007284323A (ja) | 半導体単結晶の製造装置及び製造方法 | |
| RU2791646C1 (ru) | Способ кристаллизации крупногабаритных легированных германиевых слитков в виде дисков и пластин и устройство для его реализации | |
| CN1766179B (zh) | 一种高质量单晶的生长方法 | |
| RU2600381C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов веществ, имеющих плотность, превышающую плотность их расплава | |
| TWI698557B (zh) | 矽單晶長晶方法及矽單晶長晶設備 | |
| RU2560402C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов из расплава | |
| CN114293256B (zh) | 一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺 | |
| RU2534103C1 (ru) | Устройство для выращивания монокристаллов из расплава методом чохральского | |
| KR20190088653A (ko) | 실리콘 단결정 성장 방법 및 장치 | |
| JP5846437B2 (ja) | シリコンインゴットの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180522 |