RU2488838C2 - Способ измерения коэффициента отражения свч нагрузки - Google Patents

Способ измерения коэффициента отражения свч нагрузки Download PDF

Info

Publication number
RU2488838C2
RU2488838C2 RU2011144691/28A RU2011144691A RU2488838C2 RU 2488838 C2 RU2488838 C2 RU 2488838C2 RU 2011144691/28 A RU2011144691/28 A RU 2011144691/28A RU 2011144691 A RU2011144691 A RU 2011144691A RU 2488838 C2 RU2488838 C2 RU 2488838C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
measured
measurement
microwave
reflection
bridge
Prior art date
Application number
RU2011144691/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011144691A (ru
Inventor
Юрий Евгеньевич Седельников
Анатолий Геннадьевич Романов
Виктор Иванович Лавров
Игорь Юрьевич Данилов
Александр Васильевич Гордеев
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" filed Critical Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева"
Priority to RU2011144691/28A priority Critical patent/RU2488838C2/ru
Publication of RU2011144691A publication Critical patent/RU2011144691A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2488838C2 publication Critical patent/RU2488838C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот (СВЧ), предназначено для измерения коэффициента отражения СВЧ нагрузок в миллиметровом, сантиметровом и дециметровом диапазоне радиоволн и может быть использовано для контроля в процессе производства коэффициента отражения отражающих материалов, например используемых для изготовления рефлекторов антенн. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение точности измерения коэффициентов отражения, например больших коэффициентов отражения от образцов материалов рефлекторов зеркальных антенн. Технический результат достигается благодаря тому, что способ измерения коэффициента отражения СВЧ нагрузки включает в себя измерение коэффициент передачи K1 изм между двумя свободными плечами СВЧ моста, после первого измерения меняют местами измеряемую и эталонную нагрузки, производят повторное измерение коэффициента передачи К2 изм между двумя свободными плечами СВЧ моста, далее находят коэффициент отражения от нагрузки Гизм как разность между коэффициентом отражения от эталонной нагрузки Гэт и разностью между двумя измеренными коэффициентами передачи между двумя свободными плечами СВЧ моста Гизмэт-[К1 изм2 изм]. 3 ил.

Description

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот (СВЧ), предназначено для измерения коэффициента отражения СВЧ нагрузок в миллиметровом, сантиметровом и дециметровом диапазоне радиоволн и может быть использовано для контроля в процессе производства коэффициента отражения отражающих материалов, например используемых для изготовления рефлекторов антенн.
Известен способ измерения коэффициента отражения в открытом пространстве («Техника измерений на сантиметровых волнах». Пер. с англ. Под ред. Г.А.Ремеза, изд-во Сов. Радио, М.: 1949, стр.333), состоящий в излучении передающей антенной электромагнитной волны в направлении отражающей поверхности, приеме отраженной волны с использованием приемной антенны, измерении амплитуд волн, отраженных от образца отражающей поверхности и эталонной отражающей поверхности с известным коэффициентом отражения и нахождении измеряемого коэффициента отражения как отношения измеренных амплитуд отраженных волн, соответствующих измеряемому образцу и эталонной отражающей поверхности. Известно также изобретение «Способ измерения коэффициента отражения радиоволн от радиопоглощающего покрытия» (RU, пат. 2234101, G01R 27/06, Бюл. 22 от 10.08.04). Способ состоит в последовательном облучении сверхширокополосным сигналом радиопоглощающего покрытия и металлической пластины одинаковых размеров, приеме отраженных от них сигналов и вычислении коэффициента отражения радиопоглощающего покрытия по отношению мощностей отраженных сигналов от образца материала и металлической пластины.
Недостатком указанных способов является наличие погрешности измерения, связанной с прямым прохождением волны между передающей и приемной антенной. К недостаткам этих способов следует отнести то, что для создания синфазного волнового фронта с равномерным амплитудным распределением требуются большие расстояния, а следовательно, и большие производственные площади, что не позволяет применить эти способы для контроля в процессе производства.
В способе измерения коэффициента отражения с использованием рефлектометра, например, описанного в книге А.Н.Зайцев, П.А.Иващенко, А.В.Мыльников. «Измерения на сверхвысоких частотах», М.: Изд-во стандартов, 1989, стр.33, указанный недостаток устранен. Согласно данному способу ко входам рефлектометра присоединяют генератор СВЧ колебаний и измеряемую нагрузку, измеряют амплитуды волн на выходах рефлектометра, пропорциональных амплитудам падающей и отраженной волн, и рассчитывают коэффициент отражения как их отношение. Недостаток способа состоит в низкой точности при измерении коэффициентов отражения, по модулю близких к единице. Указанный недостаток определяется тем, что при описанном прямом методе измерений коэффициент отражения определяется отношением двух измеренных значений, измеряемых с инструментальной относительной погрешностью, составляющей величину не менее 1…2%. Абсолютная погрешность измерения коэффициента отражения равна удвоенному значению относительной погрешности измерения амплитуд падающей и отраженной волн.
Более высокую точность измерения больших коэффициентов отражения обеспечивают непрямые методы измерения, в которых используется свойство интерференции падающей волны и отраженной от нагрузки. Известен способ измерения в волноводном тракте с использованием измерительной линии (см., например, А.Н.Зайцев, П.А.Иващенко, А.В.Мыльников. «Измерения на сверхвысоких частотах». М.: Изд-во стандартов, 1989 г., стр.35). Согласно этому способу ко входам измерительной линии присоединяют генератор СВЧ-колебаний и измеряемую нагрузку и измеряют распределение напряженности поля вдоль измерительной линии при помощи зонда, определяют ее минимальное и максимальные значения и по ним находят коэффициент отражения. Недостатком способа является то, что для его реализации требуется осуществлять с высокой точностью плавное механическое перемещение зонда. Кроме того, наличие в волноводном канале зонда приводит к искажению интерференционной картины поля в измерительной линии и снижает точность измерения.
Указанный недостаток отсутствует в способе измерения согласно Патенту РФ №2362176 от 24.12.2007. Данный способ заключается в том, что излучатель, соединенный с генератором СВЧ-колебаний, помещают поочередно перед эталонной отражающей поверхностью с известным коэффициентом отражения и поверхностью измеряемого образца, изменяя расстояние между излучателем и отражающей поверхностью, находят максимальное и минимальное значения амплитуды отраженной волны на входе излучателя для эталонной отражающей поверхности и измеряемого образца и по ним находят искомый коэффициент отражения. Недостаток данного способа состоит в недостаточно высокой точности измерения больших коэффициентов отражения из-за возникновения переотраженных волн между отражающей поверхностью и излучателем.
Наиболее близким по технической сущности является способ измерения коэффициента отражения с использованием двойного Т-моста, который принят за прототип изобретения (Ж.Будурис, П.Шеневье. «Цепи сверхвысоких частот», М.: изд-во Сов. Радио, 1979, стр.256). Способ измерения коэффициента отражения СВЧ нагрузки заключается в том, что измеряемую и эталонную нагрузки присоединяют к двум развязанным плечам двойного СВЧ моста, к двум свободным плечам которого присоединяют генератор СВЧ колебаний и устройство для измерения амплитуды и фазы СВЧ колебания, измеряют коэффициент передачи между двумя свободными плечами СВЧ моста и находят коэффициент отражения из условия
К = ( Г э т Г и з м ) 2 ,                                  ( 1 )
Figure 00000001
где Гэт -коэффициент отражения от эталонной нагрузки;
Гизм - коэффициент отражения от измеряемой нагрузки.
Недостатком способа является недостаточно высокая точность измерения коэффициентов отражения, близких по модулю к единице, вследствие неидеальной симметрии двойного СВЧ моста. Вследствие неидеальной симметрии СВЧ моста измеренный коэффициент передачи для эталонной и измеряемой нагрузок с коэффициентами отражения, близкими по модулю к единице, равен
К δ = ( 1 + δ ) Г э т 2 ( 1 δ ) Г и з м 2 ,                          ( 2 )
Figure 00000002
где δ - относительная погрешность коэффициента передачи моста,
а измеренный коэффициент отражения равен
Г и з м Г э т 2 К δ + 2 δ                                  ( 3 )
Figure 00000003
Таким образом, найденное согласно данному способу значение коэффициента отражения отличается от действительного значения на удвоенную величину относительной несимметрии коэффициента передачи для плеч двойного СВЧ моста. Для выпускаемых промышленностью СВЧ мостов (см., например, каталог фирмы AIRCOM MICROWAWE (www. Waveguide components.com)) несимметрия составляет величину порядка 0.01…0.02. Это означает, что значение коэффициента отражения может быть измерено с погрешностью порядка ±0.02…0.04. Указанная точность измерения больших коэффициентов отражения, например материалов рефлекторов антенн, контролируемое значение которых находится в пределах 0.95…0.99, является недостаточной.
Целью изобретения является повышение точности измерения коэффициентов отражения, например больших коэффициентов отражения от образцов материалов рефлекторов зеркальных антенн.
Цель достигается за счет того, что в способе измерения коэффициента отражения СВЧ нагрузки измеряемую и эталонную нагрузки присоединяют к двум развязанным плечам двойного СВЧ моста, к двум свободным плечам которого присоединяют генератор СВЧ-колебаний и устройство измерения амплитуды и фазы СВЧ-колебаний, и измеряют коэффициент передачи между двумя свободными плечами СВЧ моста, после чего меняют местами измеряемую и эталонную нагрузки, проводят повторное измерение коэффициента передачи между двумя свободными плечами СВЧ моста и находят коэффициент отражения от нагрузки как разность между коэффициентом отражения от эталонной нагрузки и разностью между двумя измеренными коэффициентами передачи между двумя свободными плечами СВЧ моста
Г и з м = Г э т [ К 1  изм 2 изм ]                                  ( 4 )
Figure 00000004
Суть изобретения поясняется чертежами.
На фиг.1 представлена электрическая схема устройства, реализующего заявляемый способ измерения коэффициента отражения.
Способ измерения состоит в следующем (фиг.1). Эталонная нагрузка 2 с коэффициентом отражения Гэт, близким к единице, подключается плечу "2" СВЧ моста 5, а измеряемая нагрузка 3 с коэффициентом отражения Гизм - к плечу “3”. Плечо "1" соединяется с выходом СВЧ генератора 1, а к плечу "4" подключается устройство для измерения комплексного коэффициента передачи 4 и производится измерение амплитуды и фазы, т.е комплексного значения коэффициента передачи между плечами "1" и "4". С учетом несимметрии плеч "2" и "3" СВЧ моста измеренный комплексный коэффициент передачи равен
К ˙ 1 и з м = 1 2 ( ( 1 + δ 1 ) Г э т - ( 1 - δ 2 ) Г и з м ) ,                          ( 5 )
Figure 00000005
где δ1 - относительная погрешность коэффициента передачи из плеча 1 в плечо 3;
δ2 - относительная погрешность коэффициента передачи из плеча 3 в плечо 4.
Приведенное соотношение непосредственно вытекает из свойств двойного СВЧ моста (см., например, Ж.Будурис, П.Шеневье. «Цепи сверхвысоких частот», М.: изд-во Сов. Радио, 1979, стр.256-259). Затем эталонную и измеряемую нагрузки меняют местами и вновь проводят измерение амплитуды и фазы коэффициента передачи между плечами "1" и "4". Второе измеренное значение комплексного коэффициента передачи равно
К ˙ 2 и з м = 1 2 ( ( 1 + δ 2 ) Г и з м - ( 1 - δ 1 ) Г э т )                           ( 6 )
Figure 00000006
Далее вычитаем из первого измеренного значения второе измеренное значение. Разность измеренных величин К ˙ 1 и з м
Figure 00000007
и К ˙ 2 и з м
Figure 00000008
равна
К ˙ 1 и з м К ˙ 2 и з м = Г э т Г и з м                                  ( 7 )
Figure 00000009
Из указанного соотношения находится измеряемый коэффициент отражения
Г и з м = Г э т ( К ˙ 1 и з м К ˙ 2 и з м )                                 ( 8 )
Figure 00000010
Измеренное значение коэффициента отражения не зависит от наличия асимметрии СВЧ моста. Таким образом, достигается технический результат, заключающийся в повышении точности измерения коэффициентов отражения, например больших коэффициентов отражения от образцов материалов рефлекторов зеркальных антенн за счет устранения погрешности измерения, связанной с наличием несимметрии двойного СВЧ моста.
Два варианта устройств, реализующих способ измерения коэффициента отражения, показаны на Фиг.2 и Фиг.3.
В первом варианте - устройство по заявляемому способу для измерения небольших плоских образцов отражающих материалов (с размерами образцов меньше λ) содержит: генератор СВЧ 1, измеритель коэффициента передачи 4, эталонный образец отражающего материала 2, измеряемый образец 3, двойной СВЧ мост 5.
Эталонный образец отражающего материала 2 выполняется в виде плоской пластины из хорошо проводящего металла, например меди электротехнических марок, с установочными отверстиями для присоединения к выходному фланцу волноводного СВЧ моста. Поверхность его, обращенная к СВЧ мосту, обработана, например, электрополированием до высокого класса чистоты поверхности и защищена хорошо проводящим покрытием, например, путем золочения. Выполненная таким образом эталонная нагрузка имеет коэффициент отражения не менее 0.995.
Измеряемый образец 3 выполняется с размерами и присоединительными отверстиями, соответствующими эталонному образцу.
Двойной СВЧ мост 5 выполнен из отрезков прямоугольного волновода с размерами поперечного сечения соответственно требуемому диапазону частот, снабжен соединительными фланцами со стандартными размерами. Двойные СВЧ мосты являются промышленно выпускаемыми волноводными компонентами, производимыми рядом фирм. Например, фирмой AIRCOM MICROWAWE для диапазона частот 10 ГГц выпускается мост L(102)75, для диапазона частот 36 ГГц - мост (102Ка)00. В качестве измерительного прибора 4 и генератора СВЧ 1 используется измеритель комплексных коэффициентов отражения и комплексных коэффициентов передачи (векторный анализатор цепей СВЧ) необходимого диапазона частот, например ZVA40, производимый фирмой Rohde&Schwarz (диапазон частот до 40 ГГц, точность измерения коэффициента передачи не хуже 1…2%).
Измерение коэффициента отражения образца осуществляется следующим образом:
1. Проводится предварительная калибровка измерителя комплексных коэффициентов передачи в соответствие с инструкцией по его использованию.
2. К измерителю подключается двойной СВЧ мост с установленными эталонным и измеряемым образцами и производится измерение коэффициента передачи К1 изм.
3. Эталонный и измеряемый образцы меняют местами и проводят повторное измерение коэффициента передачи К2 изм.
4. Вычисляется измеренный коэффициент отражения
Г и з м = Г э т ( К ˙ 1 и з м К ˙ 2 и з м )                                 ( 9 )
Figure 00000011
5. Уточняют коэффициент отражения измеряемого образца с целью учета того, что измерение проводилось в волноводе, для которого характеристическое сопротивление Zcw отличается от характеристического сопротивления в свободном пространстве Zc0
Z c w = α Z c 0                                            ( 1 0 )
Figure 00000012
по формуле
Г и з м   о б р = ( 1 ( 1 Г и з м ) / α ) ,                            ( 11 )
Figure 00000013
где α = Z c w Z c 0                                           ( 1 2 )
Figure 00000014
Во втором варианте заявляемый способ реализован для измерения коэффициента отражения плоских образцов отражающих материалов с размерами более длины волны. Устройство, реализующее способ, показано на Фиг.3.
Измерение коэффициента отражения образца реализуется следующим образом.
1. Проводится предварительная калибровка измерителя комплексных коэффициентов передачи 6 в соответствие с инструкцией по его использованию.
2. К измерителю 6 подключается двойной СВЧ мост 7 с установленными на нем рупорами 2, 3 и присоединенными в их апертурах эталонным 4 и измеряемым 5 образцами и проводится измерение коэффициента передачи К1 изм.
3. Эталонный и измеряемый образцы меняют местами и проводят повторное измерение коэффициента передачи К2 изм.
4. Проводят вычисление измеренного коэффициента отражения
Г и з м = Г э т ( К ˙ 1 и з м К ˙ 2 и з м )                                 ( 1 3 )
Figure 00000015
5. Уточняют коэффициент отражения измеряемого образца с целью учета того, что измерение проводилось с использованием рупоров, осуществляющих трансформацию коэффициента отражения образца.
Измеряемый коэффициент отражения нагрузки
Г и з м = Г э т К 1  изм 2 изм К р у п                               ( 1 4 )
Figure 00000016
где Круп - коэффициент трансформации коэффициента отражения участком рупора между его входным фланцем и выходной поверхностью. Коэффициент трансформации определяется для данного рупора заранее, например экспериментально.
Расчеты и эксперименты показывают, что предложенный способ измерения СВЧ-нагрузок позволяет измерять коэффициенты отражения нагрузок, значение которых близко единице, с погрешностью не более 0.01. Способ измерения коэффициента легко реализуется в устройствах, состоящих из серийно выпускаемых промышленностью элементов и приборов. Способ обеспечивает достижение технического результата изобретения - повышение точности измерения отражения, например больших коэффициентов отражения от образцов материалов рефлекторов зеркальных антенн, и может применяться для целей контроля материалов и изделий СВЧ в производственных условиях.

Claims (1)

  1. Способ измерения коэффициента отражения СВЧ нагрузки, заключающийся в том, что измеряемую и эталонную нагрузки присоединяют к двум развязанным плечам двойного СВЧ моста, к двум свободным плечам которого присоединяют генератор СВЧ колебаний и устройство измерения амплитуды и фазы СВЧ колебания и измеряют коэффициент передачи K1 изм между двумя свободными плечами СВЧ моста, отличающийся тем, что после первого измерения меняют местами измеряемую и эталонную нагрузки, производят повторное измерение коэффициента передачи К2 изм между двумя свободными плечами СВЧ моста и находят коэффициент отражения от нагрузки Гизм как разность между коэффициентом отражения от эталонной нагрузки Гэт и разность между двумя измеренными коэффициентами передачи между двумя свободными плечами СВЧ моста:
    Гизмэт-[К1 изм2 изм].
RU2011144691/28A 2011-11-03 2011-11-03 Способ измерения коэффициента отражения свч нагрузки RU2488838C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011144691/28A RU2488838C2 (ru) 2011-11-03 2011-11-03 Способ измерения коэффициента отражения свч нагрузки

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011144691/28A RU2488838C2 (ru) 2011-11-03 2011-11-03 Способ измерения коэффициента отражения свч нагрузки

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011144691A RU2011144691A (ru) 2013-05-10
RU2488838C2 true RU2488838C2 (ru) 2013-07-27

Family

ID=48788651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011144691/28A RU2488838C2 (ru) 2011-11-03 2011-11-03 Способ измерения коэффициента отражения свч нагрузки

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2488838C2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2588020C1 (ru) * 2015-03-23 2016-06-27 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации Устройство для измерения коэффициента отражения радиоволн от радиопоглощающих покрытий
RU2731020C1 (ru) * 2019-06-21 2020-08-28 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" Способ измерения коэффициента отражения свч нагрузки
RU2757357C1 (ru) * 2020-05-12 2021-10-14 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации Способ измерения коэффициента отражения материала рефлектора

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2018853C1 (ru) * 1991-04-11 1994-08-30 Научно-исследовательский институт "Домен" Способ измерения обратных потерь в ферритовых приборах свч и устройство для его осуществления
US5594351A (en) * 1995-05-23 1997-01-14 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Apparatus for use in determining surface conductivity at microwave frequencies
US6486685B1 (en) * 1997-11-21 2002-11-26 Sela Semiconductor Engineering Ltd. Remote resistivity measurement
RU2253874C2 (ru) * 2002-06-17 2005-06-10 ФГУП Курский завод "Маяк" Способ панорамного измерения модуля коэффициента отражения свч двухполюсника
RU2326392C1 (ru) * 2007-01-09 2008-06-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Устройство для определения параметров низкоимпедансных материалов на свч с помощью коаксиального резонатора

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2018853C1 (ru) * 1991-04-11 1994-08-30 Научно-исследовательский институт "Домен" Способ измерения обратных потерь в ферритовых приборах свч и устройство для его осуществления
US5594351A (en) * 1995-05-23 1997-01-14 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Apparatus for use in determining surface conductivity at microwave frequencies
US6486685B1 (en) * 1997-11-21 2002-11-26 Sela Semiconductor Engineering Ltd. Remote resistivity measurement
RU2253874C2 (ru) * 2002-06-17 2005-06-10 ФГУП Курский завод "Маяк" Способ панорамного измерения модуля коэффициента отражения свч двухполюсника
RU2326392C1 (ru) * 2007-01-09 2008-06-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Устройство для определения параметров низкоимпедансных материалов на свч с помощью коаксиального резонатора

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2588020C1 (ru) * 2015-03-23 2016-06-27 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации Устройство для измерения коэффициента отражения радиоволн от радиопоглощающих покрытий
RU2731020C1 (ru) * 2019-06-21 2020-08-28 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" Способ измерения коэффициента отражения свч нагрузки
RU2757357C1 (ru) * 2020-05-12 2021-10-14 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации Способ измерения коэффициента отражения материала рефлектора

Also Published As

Publication number Publication date
RU2011144691A (ru) 2013-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI591351B (zh) Vector Network Analyzer and Method for Measuring Control Parameters of Electronic Object under Test
US7868627B2 (en) Method and a device for measuring dielectric characteristics of material bodies
CN104967490A (zh) 一种自由空间传输反射校准方法
Barowski et al. Millimeter wave material characterization using FMCW-transceivers
Kang et al. Planar offset short applicable to the calibration of a free-space material measurement system in W-band
RU2488838C2 (ru) Способ измерения коэффициента отражения свч нагрузки
Serhir Transient UWB antenna near-field and far-field assessment from time domain planar near-field characterization: Simulation and measurement investigations
Kang Free-space unknown thru measurement using planar offset short for material characterization
CN104914439A (zh) 一种超声波测距的双相位测量方法
Bassli et al. 3-D imaging of materials at 0.1 THz for inner-defect detection using a frequency-modulated continuous-wave radar
Gagnon Highly sensitive measurements with a lens-focused reflectometer
RU2731020C1 (ru) Способ измерения коэффициента отражения свч нагрузки
RU2579644C2 (ru) Способ бесконтактного измерения отклонений от номинального значения внутренних размеров металлических изделий и устройство для его осуществления
CN109580661B (zh) 一种自由空间材料复反射系数测试方法
RU2757357C1 (ru) Способ измерения коэффициента отражения материала рефлектора
Baskakova et al. Investigation of waveguide sensors for ultra-short-distance measurements
Hegazy et al. Remote material characterization with complex baseband FMCW radar sensors
Kaniecki et al. Scattering-parameter extraction and calibration techniques for RF free-space material characterization
Kang One-Port Calibration Methods Applicable to Free-Space Material Measurement
Sivakumar et al. A Free-Space Measurement System for Microwave Materials at Kuband
Kang Free-Space Material Measurement for a Small Dielectric Plate at W-band
Hoffmann et al. Microwave interferometric method for metal sheet thickness measurement
CN113092876B (zh) 基于功率合成效率理论的毫米波相位变化检测方法及系统
Hoffmann et al. Simple sensors for ultra-short distance measurements
Kadiroglu et al. A highly accurate microwave method for permittivity determination using corrected scattering parameter measurements

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20201104