RU2481675C2 - Конструкция и технология изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем - Google Patents
Конструкция и технология изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем Download PDFInfo
- Publication number
- RU2481675C2 RU2481675C2 RU2011119179/28A RU2011119179A RU2481675C2 RU 2481675 C2 RU2481675 C2 RU 2481675C2 RU 2011119179/28 A RU2011119179/28 A RU 2011119179/28A RU 2011119179 A RU2011119179 A RU 2011119179A RU 2481675 C2 RU2481675 C2 RU 2481675C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- formation
- tin
- electrode
- movable electrode
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе: силовых переключателей, схем памяти, сенсорных датчиков, систем обработки информации и др. Способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящее из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним (неподвижным) электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, расположенного на поверхности вышеупомянутой подложки, осуществляется на поверхности кремниевых пластин. Создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем осуществляют в едином технологическом цикле при упрощенной технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем, в которой формирование подвижного электрода возможно в виде консоли или в виде балки и включает операции: формирования на поверхности кремниевой подложки пленки Si3N4 методом пиролиза SiN4; напыление слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии и плазмохимического травления слоя TiN; осаждение слоя ФСС (фосфатно-силикатного стекла) методом химического осаждения из газовой фазы и формирование на его основе жертвенного слоя методом жидкостного химического травления; напыление первого слоя TiN; осаждение диэлектрического слоя Si3N4; напыление второго слоя TiN; осаждение пьезоэлектрического слоя ЦТС; напыление третьего слоя TiN; плазмохимическое травление слоев: третьего слоя TiN, слоя ЦТС, второго слоя TiN, слоя Si3N4, первого слоя TiN с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя ФСС, жидкостное химическое травление жертвенного слоя ФСС с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами. Технический результат: использование в качестве подвижного электрода микромеханического реле многослойной структуры с пьезоэлектрическим слоем на основе сегнетоэлектриков приводит к повышению надежности и к увеличению долговечности работы микромеханического реле. Использование микроэлектронной технологии для производства микромеханического реле позволяет минимизировать размеры устройства до 20-80 мкм и упростить технологию его производства. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Description
Описание изобретения
Область техники
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе: силовых переключателей, схем памяти, сенсорных датчиков, систем обработки информации и др.
Уровень техники
Интегральное микромеханическое реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем может изготавливаться в виде балки, состоящей из неподвижного электрода и подвижного электрода - балки, закрепленной на опорах с двух сторон, выполненной в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, или в виде консоли, состоящей из неподвижного электрода и подвижного электрода - консоли, закрепленного на опоре с одной стороны, выполненной в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем. Реле в виде консоли обеспечивает работу устройства при более низких рабочих напряжения, чем реле в виде балки с теми же размерами подвижного электрода. Эффективность работы интегрального микромеханического реле определяется обратным пьезоэлектрическим эффектом, вызывающим перемещение подвижного электрода, что в свою очередь зависит от материала подвижного электрода, приложенного напряжения и расстояния между электродами. Также эффективность работы микромеханического реле определяется гибкостью и прочностью подвижного электрода, которое обеспечивает использование в структуре подвижного электрода диэлектрических слоев с высокими упругими свойствами.
Хорошо известны пьезоэлектрические свойства сегнетоэлектриков, а именно ЦТС-19 (на основе свинца, цирконата, титаната). Для обеспечения высокой подвижности электрода он должен быть изготовлен из материала с хорошо выраженным обратным пьезоэлектрическим эффектом, который может обеспечить пленки сегнетоэлектрика, а именно ЦТС-19 (на основе свинца, цирконата, титаната).
Одним из способов получения устройства с подвижным элементом является устройство, показанное в патенте РФ №2193804, в котором описаны конструкция, способ изготовления и характеристики полупроводникового термомеханического микроактюатора, который предназначен для использования в конструкциях широкого класса микроманипуляторов, в том числе и микрореле, состоящего из основания, выполненного в виде рамы, электрического нагревателя и исполнительного элемента из кремнийсодержащего материала, подвешенного в окне рамы с помощью как минимум одной подвижной пластины с возможностью перемещения в плоскости, перпендикулярной плоскости рамы, в результате теплового расширения подвижной пластины под действием электрического нагревателя. Недостатками этого устройства являются ненадежность и низкая скорость срабатывания.
Еще один способ получения пьезоэлектрического реле показан в патенте №RU2391736. Пьезокерамическое реле содержит основание, закрепленный на нем консольно-биморфный пластинчатый пьезоэлемент с контактами цепи управления на неподвижном конце пьезоэлемента и с контактом коммутационной цепи, установленным на свободном конце пьезоэлемента, взаимодействующим при подаче напряжения на контакты цепи управления пьезоэлемента с другим контактом коммутационной цепи. Причем упомянутое реле дополнительно содержит механизм регулировки зазора между упомянутыми электрическими контактами коммутационной цепи, выполненный в виде установленного в корпусе цилиндрического торцевого кулачка, имеющего возможность поворота вокруг оси и подпружиненного рычага, один конец которого закреплен в упомянутом корпусе механизма регулировки зазора, а второй конец рычага находится в кинематической связи с упомянутым торцевым кулачком и содержит электрический контакт коммутационной цепи, взаимодействующий с другим упомянутым электрическим контактом, установленным на подвижном конце пьезоэлемента. Рабочее напряжение данного устройства 18 В с частотой 0-240 Гц. Недостатками вышеупомянутого устройства являются его большие размеры (18×8×4 мм) и сложность сборки устройства.
Наиболее близким техническим решением к предложенному изобретению является патент US 5.093.600, кл. 310/332. В этом изобретении заявляется пьезоэлектрическое реле, содержащее основание (корпус), закрепленный на нем консольный пластинчатый биморфный пьезоэлемент с контактами цепи управления на неподвижном конце и с электрическим контактом коммутационной цепи, установленным на свободном конце пьезоэлемента, взаимодействующим при подаче напряжения на контакты цепи управления пьезоэлемента с другим электрическим контактом коммутационной цепи, установленным в основании реле. Недостатки этого реле состоят в том, что для надежной работы и обеспечения воспроизводимости параметров реле требуется с высокой точностью (единицы микрон) выдержать зазор между контактами коммутационной цепи, что существенно усложняет технологический процесс производства и получение воспроизводимых параметров реле.
Целью изобретения является создание способа изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом на основе пьезоэлектрических пленок, которое, при упрощенной технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем, обладало бы высокой стабильностью переключений при продолжительном ресурсе службы.
Поставленная цель достигается тем, что способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящее из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним (неподвижным) электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, расположенного на поверхности вышеупомянутой подложки, осуществляется на поверхности кремниевых пластин, отличается созданием интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем в едином технологическом цикле при упрощенной технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем, в которой формирование подвижного электрода возможно в виде консоли или в виде балки и включает операции: формирования на поверхности кремниевой подложки пленки Si3N4 методом пиролиза SiH4; напыление слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии и плазмохимического травления слоя TiN; осаждение слоя ФСС (фосфатно-силикатного стекла) методом химического осаждения из газовой фазы и формирование на его основе жертвенного слоя методом жидкостного химического травления; напыление первого слоя TiN; осаждение диэлектрического слоя Si3N4; напыление второго слоя TiN; осаждение пьезоэлектрического слоя ЦТС; напыление третьего слоя TiN; плазмохимическое травление слоев: третьего слоя TiN, слоя ЦТС, второго слоя TiN, слоя Si3N4, первого слоя TiN с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя ФСС, жидкостное химическое травление жертвенного слоя ФСС с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами. Указанным способом возможно создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде балки и в виде консоли. Причем формирование подвижного электрода в виде консоли производится методом дополнительного плазмохимического травления части балки до получения подвижного электрода, закрепленного на одной опоре. Микромеханическое реле с пьезоэлементом, изготовленное по вышеупомянутой технологии, обладает рядом преимуществ: микронные размеры, относительная простота в изготовлении с использованием стандартных операций, использующихся в производстве интегральных микросхем, низкая потребляемая мощность, высокое быстродействие, высокая надежность.
В предлагаемой технологии создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем происходит в едином технологическом цикле изготовления интегрального элемента, с формированием на поверхности подложки диэлектрического слоя; токопроводящего слоя, образующего неподвижный электрод; и жертвенного слоя, с последующим нанесением на упомянутые слои последовательно с целью формирования подвижного электрода: нижнего токопроводящего слоя; диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами; среднего токопроводящего слоя, слоя сегнетоэлектрика; верхнего токопроводящего слоя; с удалением на финальном этапе жертвенного слоя с боковым подтравом, для образования подвижного электрода, закрепленного с одной стороны (консоль), или с двух сторон (балка). При таком технологическом маршруте уменьшается разброс расстояний между подвижным и неподвижным электродами. Использование пьезоэлектрических слоев и диэлектрических слоев с высоким коэффициентом упругости обеспечивает стабильную работу микромеханического реле, позволяет избежать электростатического «залипания» подвижного электрода с неподвижным.
Литература
1. Вардан В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение. М.: Техносфера, 2004.
2. Technical paper "Microengineering Space Systems" for The First Canadian Workshop on "MEMS Technology for Aerospace Applications". 2001 - P.49.
3. Majumder S., McGruer N.E., Adms G.G., Zavracky P.M., Morrison R.H., Krim J. Study of contacts in an electrostatically actuated microswitch // Sen-sors and Actuators - 2001 - №A93. - P.19-26.
4. Распопов В.Я. Микромеханические приборы. Учебное пособие - Тул. гос. университет. - Тула. 2002.
5. M.A.Michalicek. Introduction to micromechanical systems. URL: http://mems.colorado.edu.
Раскрытие изобретения
Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является получение технического результата, заключающегося в получении интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, упрощении технического процесса его производства и получении воспроизводимых параметров пьезоэлектрического реле. Интегральное микромеханическое реле представляет собой устройство, состоящее из неподвижного и подвижного электрода, который, в свою очередь, состоит из токопроводящих слоев, слоев сегнетоэлектрика, диэлектрических слоев с высокими упругими свойствами, что позволяет использовать для переключения микрореле обратный пьезоэлектрический эффект и избежать «залипания» подвижного электрода после срабатывания реле.
Поставленная задача решается в конструкции микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, включающего подложку, покрытую диэлектрическим слоем, и нижний токопроводящий слой, играющий роль неподвижного электрода, и подвижный электрод, состоящий последовательно из: нижнего токопроводящего слоя; диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами; среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя; верхнего токопроводящего слоя; расположенный на поверхности вышеупомянутой подложки и контактной площадки. Между неподвижным электродом и нижним токопроводящем слоем подвижного электрода имеется зазор, обеспечивающий прерывание тока при отключении реле.
Таким образом, отличительным признаком изобретения является то, что формирование микромеханического реле производится в едином технологическом цикле по микроэлектронной технологии. В процессе формирования на поверхности подложки располагается диэлектрический слой и неподвижный электрод и, на вышеупомянутом диэлектрическом слое, в свою очередь, располагается подвижный электрод, состоящий последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя. Между неподвижным электродом и подвижным электродом имеется воздушный зазор, образующийся после ЖХТ травления жертвенного слоя, обеспечивающий прерывание тока при отключенном реле. Указанная совокупность отличительных признаков позволяет достичь технического результата, заключающегося в получении интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, изготовленного по микроэлектронной технологии, а именно, в создании в едином технологическом цикле неподвижного и подвижного электродов методом последовательного осаждения токопроводящих, диэлектрических и пьезоэлектрических слоев на кремниевую подложку с применением методов ЖХТ травления, в том числе ЖХТ травления жертвенного слоя для образования воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами.
Краткое описание чертежей.
Изобретение иллюстрируется следующими чертежами:
Фиг.1 Формирование диэлектрического слоя на подложке.
Фиг.2 Формирование неподвижного электрода на диэлектрическом слое.
Фиг.3 Нанесение жертвенного слоя.
Фиг.4а Формирование многослойного подвижного электрода в виде балки.
Фиг.4б Формирование многослойного подвижного электрода в виде консоли.
Фиг.5а Жидкостное травление жертвенного слоя и формирование реле в виде балки.
Фиг.5б Жидкостное травление жертвенного слоя и формирование реле в виде консоли.
Обозначение слоев: 1 - подложка (Si); 2 - диэлектрический слой (Si3N4); 3 - нижний электрод токоведущий слой (TiN); 4 - первый токоведущий слой подвижного электрода (TiN); 5 - диэлектрический слой с высокими упругими свойствами (Si3N4); 6 - второй токоведущий слой подвижного электрода (TiN); 7- пьезоэлектрический слой (ЦТС); 8 - третий токоведущий слой подвижного электрода (TiN); 9 - жертвенный слой (ФСС).
Пример осуществления изобретения
Разработана технология изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем на поверхности кремниевых пластин диаметром 100 мм, включая следующие операции для получения микрореле в виде балки: формирование на поверхности кремниевой подложки (1) пленки Si3N4 (2) толщиной 0,25 мкм методом пиролиза SiH4; напыление слоя TiN толщиной 0,15 мкм и формирование структуры «нижний электрод» (3) при проведении проекционной фотолитографии и плазмохимического травления слоя TiN; осаждение слоя ФСС (фосфатно-силикатного стекла) толщиной 0,5 мкм методом химического осаждения из газовой фазы и формирование на его основе жертвенного слоя (9) методом жидкостного химического травления; напыление первого слоя TiN (4) толщиной 0,25 мкм; осаждение диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами Si3N4 (5) толщиной 0,7 мкм; напыление второго слоя TiN (6) толщиной 0,25 мкм; осаждение пьезоэлектрического слоя ЦТС (7) толщиной 0,7 мкм; напыление третьего слоя TiN (8) толщиной 0,25 мкм; плазмохимическое травление слоев: третьего слоя TiN, слоя ЦТС, второго слоя TiN, слоя Si3N4, первого слоя TiN с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя ФСС, жидкостное химическое травление жертвенного слоя ФСС с образованием воздушного зазора (11) между неподвижным и подвижным электродами; для получения микрореле в виде консоли производится плазмохимическое травление части балки до получения подвижного электрода, закрепленного на одной опоре.
Полученные по описанной технологии интегральные микромеханические реле имеют микронные размеры 20-80 мкм, рабочее напряжение U=10 В при частоте 0-1000 Гц, обеспечивают высокую стабильностью переключений при продолжительном ресурсе службы.
Claims (3)
1. Способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящее из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним (неподвижным) электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, расположенного на поверхности вышеупомянутой подложки, осуществляется на поверхности кремниевых пластин, отличающийся тем, что создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем в едином технологическом цикле при упрощенной технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем, в которой формирование подвижного электрода возможно в виде консоли или в виде балки и включает операции: формирования на поверхности кремниевой подложки пленки Si3N4 методом пиролиза SiN4; напыление слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии и плазмохимического травления слоя TiN; осаждение слоя ФСС (фосфатно-силикатного стекла) методом химического осаждения из газовой фазы и формирование на его основе жертвенного слоя методом жидкостного химического травления; напыление первого слоя TiN; осаждение диэлектрического слоя Si3N4; напыление второго слоя TiN; осаждение пьезоэлектрического слоя ЦТС; напыление третьего слоя TiN; плазмохимическое травление слоев: третьего слоя TiN, слоя ЦТС, второго слоя TiN, слоя Si3N4, первого слоя TiN с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя ФСС, жидкостное химическое травление жертвенного слоя ФСС с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами.
2. Способ по п.1, в котором формирование подвижного электрода производится в виде балки.
3. Способ по п.2, в котором формирование подвижного электрода производится в виде консоли методом дополнительного плазмохимического травления части балки до получения подвижного электрода, закрепленного на одной опоре.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011119179/28A RU2481675C2 (ru) | 2011-05-12 | 2011-05-12 | Конструкция и технология изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011119179/28A RU2481675C2 (ru) | 2011-05-12 | 2011-05-12 | Конструкция и технология изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011119179A RU2011119179A (ru) | 2012-11-20 |
| RU2481675C2 true RU2481675C2 (ru) | 2013-05-10 |
Family
ID=47322891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011119179/28A RU2481675C2 (ru) | 2011-05-12 | 2011-05-12 | Конструкция и технология изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2481675C2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2572051C1 (ru) * | 2014-12-31 | 2015-12-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления интегрального микромеханического реле |
| RU2584267C1 (ru) * | 2015-03-23 | 2016-05-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Способ изготовления электромеханического элемента памяти с подвижными электродами |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020109436A1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-08-15 | Cheng-Jien Peng | Piezoelectrically actuated tunable electronic device |
| RU2193804C1 (ru) * | 2001-10-22 | 2002-11-27 | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет | Полупроводниковый термомеханический микроактюатор |
| US20100064493A1 (en) * | 2002-10-21 | 2010-03-18 | Hrl Laboratories, Llc | Piezoelectric actuator for tunable electronic components |
| RU2391736C1 (ru) * | 2009-04-09 | 2010-06-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") | Пьезоэлектрическое реле и способ регулирования параметров реле |
-
2011
- 2011-05-12 RU RU2011119179/28A patent/RU2481675C2/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020109436A1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-08-15 | Cheng-Jien Peng | Piezoelectrically actuated tunable electronic device |
| RU2193804C1 (ru) * | 2001-10-22 | 2002-11-27 | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет | Полупроводниковый термомеханический микроактюатор |
| US20100064493A1 (en) * | 2002-10-21 | 2010-03-18 | Hrl Laboratories, Llc | Piezoelectric actuator for tunable electronic components |
| RU2391736C1 (ru) * | 2009-04-09 | 2010-06-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") | Пьезоэлектрическое реле и способ регулирования параметров реле |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2572051C1 (ru) * | 2014-12-31 | 2015-12-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления интегрального микромеханического реле |
| RU2584267C1 (ru) * | 2015-03-23 | 2016-05-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Способ изготовления электромеханического элемента памяти с подвижными электродами |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2011119179A (ru) | 2012-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4613165B2 (ja) | 微小電気機械システムのスイッチ | |
| EP1535297B1 (en) | Diaphragm activated micro-electromechanical switch | |
| US9018717B2 (en) | Pull up electrode and waffle type microstructure | |
| Czaplewski et al. | RF MEMS Switches With $\hbox {RuO} _ {2} $–$\hbox {Au} $ Contacts Cycled to 10 Billion Cycles | |
| US20050206243A1 (en) | Microelectromechanical system able to switch between two stable positions | |
| TWI466374B (zh) | 電子元件、可變電容、微開關、微開關的驅動方法、以及ｍｅｍｓ型電子元件 | |
| US8054147B2 (en) | High voltage switch and method of making | |
| Badia et al. | RF MEMS Shunt Capacitive Switches Using AlN Compared to $\hbox {Si} _ {3}\hbox {N} _ {4} $ Dielectric | |
| JP5478060B2 (ja) | スタンドオフ電圧制御が改善されたｍｅｍｓスイッチ | |
| KR101745722B1 (ko) | 마이크로 전기기계 시스템 스위치 | |
| US7755459B2 (en) | Micro-switching device and method of manufacturing the same | |
| KR20030062074A (ko) | 마이크로전자기계 액튜에이터 | |
| JP4731388B2 (ja) | 変位デバイス及びそれを用いた可変容量コンデンサ，スイッチ並びに加速度センサ | |
| US8207460B2 (en) | Electrostatically actuated non-latching and latching RF-MEMS switch | |
| Yoon et al. | A highly reliable MEMS relay with two-step spring system and heat sink insulator for high-power switching applications | |
| JP2009009884A (ja) | Ｍｅｍｓスイッチ及びその製造方法 | |
| RU2481675C2 (ru) | Конструкция и технология изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем | |
| US20230013976A1 (en) | Movable piezo element and method for producing a movable piezo element | |
| CN102822931B (zh) | 集成式机电致动器 | |
| US20110062003A1 (en) | Contact material, device including contact material, and method of making | |
| Kim et al. | 4 W power MEMS relay with extremely low contact resistance: Theoretical analysis, design and demonstration | |
| JP2007259691A (ja) | Ｍｅｍｓの静電駆動法、静電アクチュエーター、及びマイクロスイッチ | |
| Copt et al. | Design and manufacturing of an electrostatic MEMS relay for high power applications | |
| CN104241034B (zh) | 微机电系统（mems）结构及设计结构 | |
| KR100773005B1 (ko) | 격벽 작동형 마이크로 전기 기계 스위치 |