RU2480894C1 - Selective amplifier - Google Patents

Selective amplifier Download PDF

Info

Publication number
RU2480894C1
RU2480894C1 RU2012102650/08A RU2012102650A RU2480894C1 RU 2480894 C1 RU2480894 C1 RU 2480894C1 RU 2012102650/08 A RU2012102650/08 A RU 2012102650/08A RU 2012102650 A RU2012102650 A RU 2012102650A RU 2480894 C1 RU2480894 C1 RU 2480894C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
frequency
bus
input
collector
transistor
Prior art date
Application number
RU2012102650/08A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Сергей Георгиевич Крутчинский
Николай Николаевич Прокопенко
Александр Игоревич Серебряков
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2012102650/08A priority Critical patent/RU2480894C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2480894C1 publication Critical patent/RU2480894C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: radio engineering, communication.
SUBSTANCE: selective amplifier comprises the first and second input transistors, a source of auxiliary voltage, the first and second sources of reference current, the first bus of a supply source, the third and fourth input transistors, the third source of reference current, the first frequency-setting resistor, the second bus of a supply source, an additional transistor, a load resistor, the first and second frequency-setting capacitors and the second frequency-setting resistor.
EFFECT: improved quality factor of an amplifier and its amplification ratio by voltage at quasi-resonance frequency f0.
2 cl, 4 dwg

Description

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах СВЧ-фильтрации радиосигналов систем сотовой связи, спутникового телевидения, радиолокации и т.п.The present invention relates to the field of radio engineering and communications and can be used in microwave filtering devices of radio signals from cellular communication systems, satellite television, radar, etc.

В задачах выделения высокочастотных и СВЧ сигналов сегодня широко используются интегральные операционные усилители со специальными элементами RC-коррекции, формирующими амплитудно-частотную характеристику резонансного типа [1, 2]. Однако классическое построение таких избирательных усилителей (ИУ) (RC-фильтров) сопровождается значительными энергетическими потерями, которые идут в основном на обеспечение статического режима достаточно большого числа вспомогательных, универсальных транзисторов, образующих операционный усилитель СВЧ-диапазона [1, 2]. В этой связи достаточно актуальной является задача построения СВЧ узкоспециализированных избирательных усилителей на SiGe транзисторах, обеспечивающих выделение спектра сигналов с достаточно высокой добротностью резонансной характеристики Q=2÷10 и f0=1÷5 ГГц.Integrated operational amplifiers with special RC correction elements that form the amplitude-frequency characteristic of the resonance type are widely used today in the problems of extracting high-frequency and microwave signals [1, 2]. However, the classical construction of such selective amplifiers (DIs) (RC filters) is accompanied by significant energy losses, which are mainly used to ensure the static mode of a sufficiently large number of auxiliary, universal transistors forming an operational amplifier of the microwave range [1, 2]. In this regard, the task of constructing microwave highly specialized selective amplifiers based on SiGe transistors, providing the selection of the signal spectrum with a sufficiently high Q factor of the resonance characteristic Q = 2 ÷ 10 and f 0 = 1 ÷ 5 GHz, is quite relevant.

Известны схемы избирательных усилителей (ИУ) на основе так называемых усилителей тока Гильберта [3-14], которые обеспечивают формирование амплитудно-частотной характеристики коэффициента усиления по напряжению (АЧХ) в заданном диапазоне частот ∆f=fв-fн. Причем их верхняя граничная частота fв иногда формируется инерционностью транзисторов схемы (емкостью на подложку), а нижняя fн определяется входным корректирующим конденсатором.Known schemes of selective amplifiers (DUTs) based on the so-called Hilbert current amplifiers [3-14], which provide the formation of the amplitude-frequency characteristics of the voltage gain (AFC) in a given frequency range ∆f = f in -f n . Moreover, their upper cutoff frequency f in is sometimes formed by the inertia of the transistors of the circuit (capacitance per substrate), and the lower f n is determined by the input correction capacitor.

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является избирательный усилитель, представленный в патенте US №3.760.194, fig.2. Он содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых связаны с источником вспомогательного напряжения 3, а эмиттеры через соответствующие первый 4 и второй 5 источники опорного тока связаны с первой 6 шиной источника питания, третий 7 и четвертый 8 входные транзисторы, эмиттеры которых объединены и через третий 9 источник опорного тока связаны с первой 6 шиной источника питания, причем коллектор второго 2 входного транзистора соединен с коллектором третьего 7 входного транзистора и через первый частотозадающий резистор 10 связан со второй 11 шиной источника питания, а коллектор первого 1 входного транзистора соединен с коллектором четвертого 8 входного транзистора и связан со второй 11 шиной источника питания.The closest prototype of the claimed device is a selective amplifier, presented in US patent No. 3.760.194, fig.2. It contains the first 1 and second 2 input transistors, the bases of which are connected to the auxiliary voltage source 3, and the emitters are connected through the corresponding first 4 and second 5 sources of the reference current to the first 6 bus of the power source, the third 7 and fourth 8 input transistors, the emitters of which are combined and through the third 9, the reference current source is connected to the first 6 bus of the power source, and the collector of the second 2 input transistor is connected to the collector of the third 7 input transistor and connected through the first frequency-setting resistor 10 to a second power supply bus 11, and the collector of the first input transistor 1 is connected to the collector of the fourth input transistor 8 and 11 connected to the second power supply bus.

Существенный недостаток известного устройства состоит в том, что он не обеспечивает высокую добротность

Figure 00000001
амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) и коэффициент усиления по напряжению К0>1 на частоте квазирезонанса (f0=1÷5 ГГц).A significant disadvantage of the known device is that it does not provide high quality factor
Figure 00000001
amplitude-frequency characteristics (AFC) and voltage gain K 0 > 1 at the frequency of quasi-resonance (f 0 = 1 ÷ 5 GHz).

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении добротности АЧХ усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса f0. Это позволяет в ряде случаев уменьшить общее энергопотребление и реализовать высококачественное избирательное устройство СВЧ диапазона с f0=1÷5 ГГц.The main objective of the invention is to increase the quality factor of the frequency response of the amplifier and its voltage gain at the frequency of quasi-resonance f 0 . This allows in some cases to reduce the total power consumption and to implement a high-quality microwave device with f 0 = 1 ÷ 5 GHz.

Поставленная задача решается тем, что в избирательном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых связаны с источником вспомогательного напряжения 3, а эмиттеры через соответствующие первый 4 и второй 5 источники опорного тока связаны с первой 6 шиной источника питания, третий 7 и четвертый 8 входные транзисторы, эмиттеры которых объединены и через третий 9 источник опорного тока связаны с первой 6 шиной источника питания, причем коллектор второго 2 входного транзистора соединен с коллектором третьего 7 входного транзистора и через первый частотозадающий резистор 10 связан со второй 11 шиной источника питания, а коллектор первого 1 входного транзистора соединен с коллектором четвертого 8 входного транзистора и связан со второй 11 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введен дополнительный транзистор 12, эмиттерно-базовый переход которого включен параллельно эмиттерно-базовому переходу второго 2 транзистора, а коллектор связан с потенциальным выходом устройства 13 и через резистор нагрузки 14 подключен ко второй 11 шине источника питания, причем токовый вход устройства 15 соединен с коллектором второго 2 входного транзистора и через последовательно соединенные первый 16 и второй 17 частотозадающие конденсаторы связан по переменному току с общей шиной источника питания, а общий узел последовательно соединенных первого 16 и второго 17 частотозадающих конденсаторов связан с эмиттером второго 2 входного транзистора через второй 18 частотозадающий резистор.The problem is solved in that in the selective amplifier of figure 1, containing the first 1 and second 2 input transistors, the bases of which are connected to the auxiliary voltage source 3, and the emitters are connected to the first 6 bus of the power source through the corresponding first 4 and second 5 sources of the reference current , the third 7 and fourth 8 input transistors, the emitters of which are combined and through the third 9 source of reference current are connected to the first 6 bus of the power source, and the collector of the second 2 input transistor is connected to the collector of the third 7 input the bottom of the transistor and through the first frequency-setting resistor 10 is connected to the second 11 bus of the power source, and the collector of the first 1 input transistor is connected to the collector of the fourth 8 input transistor and connected to the second 11 bus of the power source, new elements and communications are provided - an additional transistor 12 is introduced into the circuit the emitter-base junction of which is connected in parallel with the emitter-base junction of the second 2 transistor, and the collector is connected to the potential output of the device 13 and is connected to the second through the load resistor 14 11 to the power supply bus, and the current input of the device 15 is connected to the collector of the second 2 input transistor and through series-connected the first 16 and second 17 frequency-setting capacitors is connected alternately to the common bus of the power source, and the common node is connected in series to the first 16 and second 17 frequency-setting capacitors connected to the emitter of the second 2 input transistor through the second 18 frequency-setting resistor.

Схема усилителя-прототипа показана на чертеже фиг.1. На чертеже фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 и п.2 формулы изобретения.The amplifier circuit of the prototype is shown in the drawing of figure 1. The drawing of figure 2 presents a diagram of the inventive device in accordance with claim 1 and claim 2 of the claims.

На чертеже фиг.3 приведена схема заявляемого ИУ фиг.2 в среде Cadence на моделях SiGe транзисторов.The drawing of figure 3 shows a diagram of the inventive DUT of figure 2 in a Cadence environment on models of SiGe transistors.

На чертеже фиг.4 показана зависимость коэффициента усиления по напряжению и фазового сдвига от частоты ИУ фиг.3 в крупном масштабе, а на чертеже фиг.5 - частотная зависимость коэффициента усиления ИУ фиг.3 в более мелком масштабе.The drawing of FIG. 4 shows the dependence of the voltage gain and phase shift on the frequency of the DUT of FIG. 3 on a large scale, and the drawing of FIG. 5 shows the frequency dependence of the gain of the DUT of FIG. 3 on a smaller scale.

Избирательный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых связаны с источником вспомогательного напряжения 3, а эмиттеры через соответствующие первый 4 и второй 5 источники опорного тока связаны с первой 6 шиной источника питания, третий 7 и четвертый 8 входные транзисторы, эмиттеры которых объединены и через третий 9 источник опорного тока связаны с первой 6 шиной источника питания, причем коллектор второго 2 входного транзистора соединен с коллектором третьего 7 входного транзистора и через первый частотозадающий резистор 10 связан со второй 11 шиной источника питания, а коллектор первого 1 входного транзистора соединен с коллектором четвертого 8 входного транзистора и связан со второй 11 шиной источника питания. В схему введен дополнительный транзистор 12, эмиттерно-базовый переход которого включен параллельно эмиттерно-базовому переходу второго 2 транзистора, а коллектор связан с потенциальным выходом устройства 13 и через резистор нагрузки 14 подключен ко второй 11 шине источника питания, причем токовый вход устройства 15 соединен с коллектором второго 2 входного транзистора и через последовательно соединенные первый 16 и второй 17 частотозадающие конденсаторы связан по переменному току с общей шиной источника питания, а общий узел последовательно соединенных первого 16 и второго 17 частотозадающих конденсаторов связан с эмиттером второго 2 входного транзистора через второй 18 частотозадающий резистор.The selective amplifier of figure 2 contains the first 1 and second 2 input transistors, the bases of which are connected to the auxiliary voltage source 3, and the emitters are connected to the first 6 bus of the power source, the third 7 and fourth 8 input transistors through the corresponding first 4 and second 5 reference current sources the emitters of which are combined and through the third 9 source of reference current are connected to the first 6 bus of the power source, and the collector of the second 2 input transistor is connected to the collector of the third 7 input transistor and through the first frequency giving the resistor 10 is connected to the second power supply bus 11, and the collector of the first input transistor 1 is connected to the collector of the fourth input transistor 8 and 11 connected to the second power supply bus. An additional transistor 12 is introduced into the circuit, the emitter-base junction of which is connected parallel to the emitter-base junction of the second 2 transistors, and the collector is connected to the potential output of the device 13 and is connected to the second 11 bus of the power source through the load resistor 14, and the current input of the device 15 is connected to the collector of the second 2 input transistor and through the series-connected first 16 and second 17 frequency-setting capacitors is connected via alternating current to the common bus of the power source, and the common node is sequentially 16 connected in the first and second frequency control capacitors 17 is connected to the emitter of the second transistor 2 through the second input frequency control resistor 18.

Кроме этого, на чертеже фиг.2 в соответствии с п.2 формулы изобретения коллекторы первого 1 и четвертого 8 входных транзисторов связаны со второй 11 шиной источника питания через цепь согласования потенциалов 19.In addition, in the drawing of FIG. 2, in accordance with claim 2, the collectors of the first 1 and fourth 8 input transistors are connected to the second 11 bus of the power source through the potential matching circuit 19.

Рассмотрим работу ИУ фиг.2.Consider the operation of the DUT figure 2.

Источник входного тока Bx.i1 изменяет токи частотозадающего четырехполюсника, образованного резисторами 10, 18 и конденсаторами 16 и 17. Причем ток резистора 18 обеспечивает частотную зависимость полосно-пропускающего типа. Таким образом, эмиттерный ток транзистора 12 по сравнению с входным током ИУ имеет аналогичные АЧХ и ФЧХ и, следовательно, выходное напряжение ИУ, образованное падением напряжения его коллекторного тока на резисторе 14, обеспечивает резонансный вид частотных характеристик. Взаимодействие резистора 18 указанного выше четырехполюсника с эмиттером транзистора 2 и базой транзистора 8 обеспечивает реализацию контура регенеративной обратной связи. Глубина этой связи определяется соотношением тока резистора 18 и суммарного тока коллектора транзисторов 2 и 7. Передача части указанного тока через относительно высокоомную базовую цепь транзистора 8, его эмиттерную цепь и эмиттерную цепь транзистора 7 в силу дополнительного эмиттерного перехода первого 1 транзистора позволяет увеличить глубину этой обратной связи. Учитывая, что конденсаторы 16 и 17 образуют для указанного контура делитель тока в области нижних (f<f0) и верхних (f>f0) частот и ее реактивный характер, глубина этой обратной связи оказывается вещественной только на частоте квазирезонанса (f0) ИУ. Таким образом, действие вводимой в схему обратной связи направлено на увеличение ее добротности Q и коэффициента передачи K0 при f=f0. Именно поэтому взаимодействие базовой цепи транзистора 8, эмиттерных цепей транзисторов 7 и 8 и коллектора транзистора 7 со входом частотозадающего четырехполюсника (резисторы 10, 18 и конденсаторы 16, 17) обеспечивает реализацию высокой добротности и коэффициента усиления схемы.The input current source Bx.i 1 changes the currents of the frequency-setting quadrupole formed by resistors 10, 18 and capacitors 16 and 17. Moreover, the current of the resistor 18 provides a frequency dependence of the band-pass type. Thus, the emitter current of the transistor 12 in comparison with the input current of the DUT has the same frequency response and phase response and, therefore, the output voltage of the DUT formed by the voltage drop of its collector current on the resistor 14, provides a resonant form of frequency characteristics. The interaction of the resistor 18 of the above four-port with the emitter of the transistor 2 and the base of the transistor 8 provides the implementation of the regenerative feedback loop. The depth of this connection is determined by the ratio of the current of the resistor 18 and the total current of the collector of transistors 2 and 7. Transferring part of the specified current through the relatively high-resistance base circuit of transistor 8, its emitter circuit and emitter circuit of transistor 7 due to the additional emitter transition of the first 1 transistor allows you to increase the depth of this reverse communication. Given that the capacitors 16 and 17 form a current divider for the indicated circuit in the region of lower (f <f 0 ) and upper (f> f 0 ) frequencies and its reactive nature, the depth of this feedback turns out to be real only at the quasi-resonance frequency (f 0 ) Yiwu. Thus, the action introduced into the feedback circuit is aimed at increasing its Q factor Q and transmission coefficient K 0 at f = f 0 . That is why the interaction of the base circuit of the transistor 8, the emitter circuits of the transistors 7 and 8 and the collector of the transistor 7 with the input of the frequency-setting quadrupole (resistors 10, 18 and capacitors 16, 17) ensures the implementation of high quality factor and gain of the circuit.

Покажем аналитически, что более высокие значения K0 и Q в рабочем диапазоне частот реализуются в схеме фиг.2.Let us show analytically that higher values of K 0 and Q in the operating frequency range are implemented in the scheme of figure 2.

Действительно, в результате анализа можно найти, что комплексный коэффициент передачи по напряжению ИУ фиг.2 определяется по формуле:Indeed, as a result of the analysis, we can find that the complex voltage transfer coefficient of the DUT of FIG. 2 is determined by the formula

Figure 00000002
Figure 00000002

где f- частота входного сигнала,where f is the frequency of the input signal,

Figure 00000003
Figure 00000003

K0 - коэффициент усиления ИУ на частоте f0,K 0 - gain of the DUT at a frequency f 0 ,

Figure 00000004
Figure 00000004

Q - добротность амплитудно-частотной характеристики ИУ,Q is the quality factor of the amplitude-frequency characteristic of the DUT,

Figure 00000005
Figure 00000005

Figure 00000006
Figure 00000006

αi - коэффициент передачи по току эмиттера i-го транзистора,α i - current transfer coefficient of the emitter of the i-th transistor,

I9, I5 - токи источников тока 5 и 9.I 9 , I 5 - currents of current sources 5 and 9.

Таким образом, численные значения токов I5 и I9 обеспечивают необходимые (требуемые) значения добротности Q и коэффициента усиления K0 ИУ при постоянном (неизменном) значении его частоты квазирезонанса f0 (2).Thus, the numerical values of the currents I 5 and I 9 provide the necessary (required) values of the Q factor Q and gain K 0 of the DUT with a constant (unchanged) value of its quasi-resonance frequency f 0 (2).

Важнейшим свойством предлагаемой схемы является возможность параметрической оптимизации ее элементной чувствительности при относительно большой добротности. Как видно из (4), при C16=C17 и реализации условияThe most important property of the proposed scheme is the possibility of parametric optimization of its elemental sensitivity at a relatively high Q factor. As can be seen from (4), when C 16 = C 17 and the condition

Figure 00000007
Figure 00000007

в схеме фиг.2 обеспечивается возможность структурной оптимизации как добротности Q, так и ее чувствительности. Действительно, в рассматривающем случае добротность:in the diagram of figure 2 provides the possibility of structural optimization of both the Q factor of Q, and its sensitivity. Indeed, in the case under consideration, the Q factor:

Figure 00000008
Figure 00000008

а ее коэффициенты чувствительности:and its sensitivity factors:

Figure 00000009
Figure 00000009

При этом частота квазирезонанса (2) и ее параметрическая чувствительность сохраняются неизменными.In this case, the frequency of quasi-resonance (2) and its parametric sensitivity remain unchanged.

При практической реализации схемы фиг.2 сформулированные выше условия легко реализуются на базе различных модификаций входных преобразователей «напряжение-ток», обеспечивающих преобразование входного напряжения uвх во входной ток iвх.1 ИУ. В схеме фиг.3 этот преобразователь реализован на транзисторах Q10, Q9.In the practical implementation of the circuit of Fig. 2, the conditions formulated above are easily realized on the basis of various modifications of the input voltage-current converters, which provide the conversion of the input voltage u in to the input current i in 1 of the DUT. In the circuit of FIG. 3, this converter is implemented on transistors Q 10 , Q 9 .

Данные теоретические выводы подтверждают графики фиг.4, фиг.5. Таким образом, заявляемое схемотехническое решение характеризуется более высокими значениями коэффициента усиления K0 на частоте квазирезонанса f0 и повышенными величинами добротности Q, характеризующей его избирательные свойства.These theoretical conclusions confirm the graphs of figure 4, figure 5. Thus, the claimed circuit solution is characterized by higher values of the gain K 0 at the frequency of quasi-resonance f 0 and increased values of the quality factor Q, characterizing its selective properties.

Библиографический списокBibliographic list

1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz / N.Prokopenko, A.Budyakov, K.Schmalz, C.Scheytt, P.Ostrovskyy // Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 /- Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp.50-53.1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz / N.Prokopenko, A. Budyakov, K.Schmalz, C.Scheytt, P. Ostrovskyy // Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 / - Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp. 50-53.

2. СВЧ СФ-блоки систем связи на базе полностью дифференциальных операционных усилителей / Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., К.Schmalz, С.Scheytt // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л.Стемпковского. - М.: ИППМ РАН, 2010. - С.583-586.2. Microwave SF blocks of communication systems based on fully differential operational amplifiers / Prokopenko NN, Budyakov AS, K.Schmalz, S.Scheytt // Problems of developing promising micro- and nanoelectronic systems - 2010. Proceedings / under the general. ed. Academician of the Russian Academy of Sciences A.L. Stempkovsky. - M .: IPPM RAS, 2010. - P.583-586.

3. Патент US 4.277.7563. Patent US 4.277.756

4. Патент US 5.973.5624. Patent US 5.973.562

5. Патент US 4.528.5175. Patent US 4,528.517

6. Патент US 4.147.9436. Patent US 4.147.943

7. Патент Англии 20134447. Patent of England 2013444

8. Патент Франции 251142178. French Patent 25114217

9. Патент ФРГ 25033849. The patent of Germany 2503384

10. Патент US 4.048.57710. Patent US 4.048.577

11. Патент RU 1.769.34511. Patent RU 1.769.345

12. Патент US 4.340.86612. Patent US 4.340.866

13. Патент ЕР 0.058.44813. Patent EP 0.058.448

14. Патент US 4.887.04714. Patent US 4.887.047

Claims (2)

1. Избирательный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входные транзисторы, базы которых связаны с источником вспомогательного напряжения (3), а эмиттеры через соответствующие первый (4) и второй (5) источники опорного тока связаны с первой (6) шиной источника питания, третий (7) и четвертый (8) входные транзисторы, эмиттеры которых объединены и через третий (9) источник опорного тока связаны с первой (6) шиной источника питания, причем коллектор второго (2) входного транзистора соединен с коллектором третьего (7) входного транзистора и через первый частотозадающий резистор (10) связан со второй (11) шиной источника питания, а коллектор первого (1) входного транзистора соединен с коллектором четвертого (8) входного транзистора и связан со второй (11) шиной источника питания, отличающийся тем, что в схему введен дополнительный транзистор (12), эмиттерно-базовый переход которого включен параллельно эмиттерно-базовому переходу второго (2) транзистора, а коллектор связан с потенциальным выходом устройства (13) и через резистор нагрузки (14) подключен ко второй (11) шине источника питания, причем токовый вход устройства (15) соединен с коллектором второго (2) входного транзистора и через последовательно соединенные первый (16) и второй (17) частотозадающие конденсаторы связан по переменному току с общей шиной источника питания, а общий узел последовательно соединенных первого (16) и второго (17) частотозадающих конденсаторов связан с эмиттером второго (2) входного транзистора через второй (18) частотозадающий резистор.1. A selective amplifier containing the first (1) and second (2) input transistors, the bases of which are connected to the auxiliary voltage source (3), and emitters are connected through the corresponding first (4) and second (5) reference current sources to the first (6 ) by the power supply bus, the third (7) and fourth (8) input transistors, the emitters of which are combined and through the third (9) reference current source are connected to the first (6) power supply bus, and the collector of the second (2) input transistor is connected to the collector third (7) input transistor and through the second frequency-setting resistor (10) is connected to the second (11) bus of the power source, and the collector of the first (1) input transistor is connected to the collector of the fourth (8) input transistor and connected to the second (11) bus of the power source, characterized in that in the circuit an additional transistor (12) was introduced, the emitter-base junction of which is connected parallel to the emitter-base junction of the second (2) transistor, and the collector is connected to the potential output of the device (13) and is connected to the second (11) bus of the power source through a load resistor (14) , and then the input of the device (15) is connected to the collector of the second (2) input transistor and through the first (16) and second (17) frequency-setting capacitors connected in series via alternating current is connected to the common bus of the power source, and the common node is connected in series to the first (16) and the second (17) frequency setting capacitor is connected to the emitter of the second (2) input transistor through the second (18) frequency setting resistor. 2. Избирательный усилитель по п.1, отличающийся тем, что коллекторы первого (1) и четвертого (8) входных транзисторов связаны со второй (11) шиной источника питания через цепь согласования потенциалов (19). 2. The selective amplifier according to claim 1, characterized in that the collectors of the first (1) and fourth (8) input transistors are connected to the second (11) bus of the power source through the potential matching circuit (19).
RU2012102650/08A 2012-01-25 2012-01-25 Selective amplifier RU2480894C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012102650/08A RU2480894C1 (en) 2012-01-25 2012-01-25 Selective amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012102650/08A RU2480894C1 (en) 2012-01-25 2012-01-25 Selective amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2480894C1 true RU2480894C1 (en) 2013-04-27

Family

ID=49153284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012102650/08A RU2480894C1 (en) 2012-01-25 2012-01-25 Selective amplifier

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2480894C1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4277756A (en) * 1978-01-31 1981-07-07 Siemens Aktiengesellschaft Amplifier circuit arrangement for aperiodic signals
EP0058448B1 (en) * 1981-02-12 1986-01-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Transconductance amplifier
RU2421879C1 (en) * 2010-05-11 2011-06-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Differential amplifier with high-frequency compensation
RU2432669C1 (en) * 2010-10-15 2011-10-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Broadband amplifier

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4277756A (en) * 1978-01-31 1981-07-07 Siemens Aktiengesellschaft Amplifier circuit arrangement for aperiodic signals
EP0058448B1 (en) * 1981-02-12 1986-01-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Transconductance amplifier
RU2421879C1 (en) * 2010-05-11 2011-06-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Differential amplifier with high-frequency compensation
RU2432669C1 (en) * 2010-10-15 2011-10-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Broadband amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2467470C1 (en) Selective amplifier
RU2479112C1 (en) Selective amplifier
RU2480894C1 (en) Selective amplifier
RU2467469C1 (en) Selective amplifier
RU2488955C1 (en) Non-inverting current amplifier-based selective amplifier
RU2469462C1 (en) Selective amplifier
RU2480896C1 (en) Selective amplifier
RU2469466C1 (en) Selective amplifier
RU2485674C1 (en) Selective amplifier
RU2474040C1 (en) Selective amplifier
RU2480895C1 (en) Selective amplifier
RU2475947C1 (en) Selective amplifier
RU2479109C1 (en) Selective amplifier
RU2475943C1 (en) Selective amplifier
RU2468506C1 (en) Selective amplifier
RU2475938C1 (en) Selective amplifier
RU2475948C1 (en) Selective amplifier
RU2475939C1 (en) Selective amplifier
RU2479107C1 (en) Selective amplifier with paraphase output
RU2475944C1 (en) Selective amplifier
RU2485673C1 (en) Selective amplifier
RU2479115C1 (en) Selective amplifier
RU2465718C1 (en) Selective amplifier
RU2468505C1 (en) Selective amplifier
RU2479116C1 (en) Selective amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140126