RU2469436C1 - Integrated pressure transducer with three solid centres - Google Patents
Integrated pressure transducer with three solid centres Download PDFInfo
- Publication number
- RU2469436C1 RU2469436C1 RU2011124188/28A RU2011124188A RU2469436C1 RU 2469436 C1 RU2469436 C1 RU 2469436C1 RU 2011124188/28 A RU2011124188/28 A RU 2011124188/28A RU 2011124188 A RU2011124188 A RU 2011124188A RU 2469436 C1 RU2469436 C1 RU 2469436C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- membrane
- pressure transducer
- flat bottom
- strain
- strain gauge
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области электронных устройств, созданных на основе интегральных технологий изготовления датчиков и преобразователей механических величин в электрические, преимущественно - к измерительной технике, и может быть использовано для измерения механических воздействий (давления, силы, ускорений и т.д.).The invention relates to the field of electronic devices created on the basis of integrated technologies for the manufacture of sensors and converters of mechanical quantities into electrical, mainly to measuring equipment, and can be used to measure mechanical stress (pressure, force, acceleration, etc.).
Предпочтительно изобретение направлено на обеспечение высокоточных измерений в области малых давлений от 0,1 кПа до 100 кПа в широком интервале температур с верхним пределом до +125°С.Preferably, the invention is aimed at providing high-precision measurements in the low-pressure range from 0.1 kPa to 100 kPa in a wide temperature range with an upper limit of + 125 ° C.
Известен интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами по патенту США № US 6006607 A (Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm, заявитель MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC. опубл. 28.12.1999), который выполнен в виде монокристаллической кремниевой пластины, с первой стороны которой сформированы тензорезисторы и объединены электрическими связями в мост Уитстона, а со второй стороны монокристаллической кремниевой пластины выполнено углубление, не выходящее на край пластины, состоящее из четырех параллельных канавок и двух его участков, соединяющих концы параллельных канавок между собой и имеющих с ними общее плоское дно, которое совместно с первой стороной пластины образует тонкую часть мембраны, окружающую три жестких центра, полученных таким образом, при этом на каждом прямолинейном тонком участке мембраны напротив дна соответствующей канавки размещен тензорезистор одного из плеч моста Уитстона. При этом жесткие центры имеют выступы, соответствующие размерам тензорезисторов. Форма, т.е. пространственная геометрическая конфигурация, и относительные размеры выступов и жестких центров не оговорены в формуле и описании патента и без доказательств или ссылок на физические обоснования возможности достижения таких свойств утверждается, что такое выполнение должно "сбалансировать любые эффекты от напряжений, возникающие от жестких центров", а "ориентация тензорезисторов в указанном направлении нейтрализует (уравновешивает, сбалансирует) помехи общего вида от эффектов напряженного состояния, возникающих из-за компоновочных и установочных напряжений при одновременном обеспечении высокой чувствительности" преобразователя. При этом утверждается, что такое выполнение преобразователя давления позволяет достичь хорошей линейной зависимости выходного сигнала от давления. С указанными утверждениями сложно согласиться, так как при прочих равных условиях увеличенный размер площади, занимаемой каждым жестким центром, относительно площади, необходимой для размещения измерительной части, включающей собственно тензорезисторы, части жестких центров и тонкие части мембраны, объединенные в измерительное устройство и изменяющие сопротивление тензорезисторов от давления на диафрагму, зависят от площади тонкой части мембраны. А если ее часть занимают жесткие центры, не участвующие в работе измерительной части, то такое выполнение тонкой части мембраны из-за ее относительно малой площади приводит к более низкой чувствительности преобразователя (см. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. - М.: Энергоатомиздат, 1983. 136 с.). При этом сложная конфигурация жестких центров и соответствующей внешней границы тонкой части мембраны усложняет и повышает затраты на производство преобразователей давления.Known integral pressure transducer with three rigid centers according to US patent No. US 6006607 A (Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm, applicant MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC. Publ. 12/28/1999), which is made in the form of a single-crystal silicon wafer, on the first side of which are formed strain gauges and connected by electrical connections to the Wheatstone bridge, and on the second side of the single-crystal silicon wafer, a recess is made that does not extend to the edge of the wafer, consisting of four parallel grooves and two of its sections connecting the ends of the pairs allelic grooves between themselves and having a common flat bottom with them, which together with the first side of the plate forms a thin part of the membrane surrounding three rigid centers, thus obtained, with each of the rectilinear thin section of the membrane opposite the bottom of the corresponding groove placed a strain gauge of one of the shoulders of the bridge Wheatstone. In this case, the rigid centers have protrusions corresponding to the size of the strain gauges. Form i.e. the spatial geometric configuration, and the relative dimensions of the protrusions and rigid centers are not specified in the formula and description of the patent and without evidence or references to physical justification for the possibility of achieving such properties, it is argued that such an implementation should "balance any effects from stresses arising from the rigid centers", and "the orientation of the strain gauges in the indicated direction neutralizes (balances, balances) the general disturbances from the effects of the stress state arising due to the layout and adjusting voltages while ensuring high sensitivity "converter. It is argued that this embodiment of the pressure transducer allows you to achieve a good linear dependence of the output signal on the pressure. It is difficult to agree with the stated statements, since, ceteris paribus, the increased size of the area occupied by each rigid center relative to the area required to accommodate the measuring part, including the strain gages themselves, parts of the rigid centers and thin parts of the membrane, combined into a measuring device and changing the resistance of the strain gages pressure on the diaphragm, depending on the area of the thin part of the membrane. And if its part is occupied by rigid centers that are not involved in the work of the measuring part, then such a thin part of the membrane due to its relatively small area leads to a lower sensitivity of the transducer (see Vaganov V.I. Integrated strain transducers. - M.: Energoatomizdat 1983. 136 p.). Moreover, the complex configuration of the rigid centers and the corresponding external boundary of the thin part of the membrane complicates and increases the cost of manufacturing pressure transducers.
Известен интегральный датчик и преобразователь давления с тремя жесткими центрами по патенту США № US 6351996 B1 (Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors, заявитель MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC, опубл. 05.03.2002), в котором имеется описание преобразователя давления с тремя жесткими центрами, с признаками идентичными в ранее указанном патенте США № US 6006607 А, по результатам анализа текста описания, в указанной части можно утверждать, что также, как в патенте США № US 6006607 А, при прочих равных условиях увеличенный размер площади, занимаемой каждым жестким центром относительно площади, необходимой для измерительной части, включающей собственно тензорезисторы, части жестких центров и тонкие части мембраны, объединенные в измерительное устройство и изменяющие их сопротивление тензорезисторов от давления на диафрагму, зависят от площади тонкой части мембраны. А если ее часть занимают жесткие центры, то такое выполнение тонкой части мембраны из-за ее относительно малой площади приведет к более низкой чувствительности преобразователя, (см. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. - М.: Энергоатомиздат, 1983. 136 с.). При этом сложная конфигурация жестких центров и соответствующей внешней границы тонкой части мембраны усложняет и повышает затраты на производство преобразователей давления.Known integrated sensor and pressure transducer with three rigid centers according to US patent No. US 6351996 B1 (Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors, applicant MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC, published 05.03.2002), which describes a pressure transmitter with three rigid centers, identical in the previously mentioned US patent No. US 6006607 A, according to the analysis of the text of the description, in this part it can be argued that, as in US patent No. US 6006607 A, ceteris paribus, the increased size of the area occupied by each rigid center relative to loschadi necessary for the measuring part comprising strain gauges actually part hard centers and thin membrane part, in the combined metering apparatus and changing their resistance strain gauge on a diaphragm of the pressure depends on the area of the thin diaphragm portion. And if rigid centers occupy its part, then such a thin part of the membrane due to its relatively small area will lead to lower transducer sensitivity (see Vaganov V.I. Integral strain transducers. - M.: Energoatomizdat, 1983. 136 p. ) Moreover, the complex configuration of the rigid centers and the corresponding external boundary of the thin part of the membrane complicates and increases the cost of manufacturing pressure transducers.
Известен интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами по патенту Российской Федерации № RU 2362132 С1 (заявитель "НПК "Технологический центр" МИЭТ", опубл. 20.07.2009), который выполнен в виде монокристаллической кремниевой пластины, с первой стороны которой сформированы тензорезисторы и объединены электрическими связями в мост Уитстона, а со второй стороны монокристаллической кремниевой пластины выполнено углубление, не выходящее на край пластины, состоящее из четырех параллельных канавок и двух его участков, соединяющих концы параллельных канавок между собой и имеющих с ними общее плоское дно, которое совместно с первой стороной пластины образует тонкую часть мембраны, окружающую три жестких центра, полученных таким образом, при этом на каждом прямолинейном тонком участке мембраны напротив дна соответствующей канавки размещен тензорезистор одного из плеч моста Уитстона. Тензорезисторы, расположенные напротив крайних канавок, примыкающих к внешним границам канавок, принадлежащих наружному контуру дна мембраны, находятся в поле тензонапряжений, отличающемся от поля тензонапряжений тензорезисторов, расположенных напротив двух внутренних канавок. Это приводит к повышению нелинейности и соответственно к повышению затрат на приборную линеаризацию характеристик преобразователя.Known integral pressure transducer with three rigid centers according to the patent of the Russian Federation No. RU 2362132 C1 (applicant "NPK" Technological center "MIET", published on July 20, 2009), which is made in the form of a single-crystal silicon wafer, on the first side of which strain gages are formed and combined electrical connections to the Wheatstone bridge, and on the second side of the single-crystal silicon wafer a recess is made that does not extend to the edge of the wafer, consisting of four parallel grooves and two of its sections connecting the con There are parallel parallel grooves with each other and having a common flat bottom with them, which together with the first side of the plate forms a thin part of the membrane surrounding three rigid centers, obtained in this way, and a strain gauge of one of the arms is placed on each rectilinear thin section of the membrane opposite the bottom of the corresponding groove Wheatstone Bridge. The strain gages located opposite the extreme grooves adjacent to the outer edges of the grooves belonging to the outer contour of the bottom of the membrane are in the strain field different from the strain field of the strain gages located opposite the two internal grooves. This leads to an increase in non-linearity and, accordingly, to an increase in the costs of instrument linearization of the converter characteristics.
Технической задачей изобретения является повышение эффективности преобразования давления в электрический сигнал при малых значениях механического воздействия, расширение функциональных возможностей и снижение затрат на производство интегрального преобразователя давления с тремя жесткими центрами.An object of the invention is to increase the efficiency of converting pressure into an electrical signal at low values of mechanical impact, expanding functionality and reducing the cost of manufacturing an integrated pressure transducer with three rigid centers.
Указанная техническая задача решается тем, что интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами выполнен в виде монокристаллической кремниевой пластины, с первой стороны которой сформированы тензорезисторы и объединены электрическими связями в мост Уитстона, а со второй стороны монокристаллической кремниевой пластины выполнено углубление, не выходящее на край пластины, состоящее из четырех параллельных канавок и двух его участков, соединяющих концы параллельных канавок между собой и имеющих с ними общее плоское дно, которое совместно с первой стороной пластины образует тонкую часть мембраны, окружающую полученные таким образом три жестких центра, при этом на каждом прямолинейном тонком участке мембраны напротив дна соответствующей канавки размещен тензорезистор одного из плеч моста Уитстона, причем не менее 10% площади дна тонкой части мембраны расположено вне полосы, ограниченной двумя параллельными прямыми линиями, которые совмещены с внешними границами канавок, принадлежащими наружному контуру дна мембраны. Такое выполнение интегрального преобразователя давления позволяет уменьшить неравномерность распределения тензонапряжений по тонкой части мембраны в местах расположения тензорезисторов, что позволяет снизить нелинейность преобразования давления при малых его величинах, повысить чувствительность преобразователя и расширить его функциональные возможности.The indicated technical problem is solved in that the integrated pressure transducer with three rigid centers is made in the form of a single-crystal silicon wafer, strain gages are formed on the first side of the wafer and electrically connected to the Wheatstone bridge, and a recess is made on the second side of the single-crystal silicon wafer, which does not extend to the edge of the wafer consisting of four parallel grooves and two of its sections connecting the ends of the parallel grooves with each other and having a common flat bottom with them, which together with the first side of the plate forms a thin part of the membrane surrounding three rigid centers thus obtained, and on each rectilinear thin section of the membrane opposite the bottom of the corresponding groove, a strain gauge of one of the arms of the Wheatstone bridge is placed, and at least 10% of the bottom of the thin part of the membrane is located outside the strip bounded by two parallel straight lines that are aligned with the outer edges of the grooves belonging to the outer contour of the bottom of the membrane. This embodiment of the integral pressure transducer allows to reduce the uneven distribution of strain stresses over a thin part of the membrane at the locations of the strain gages, which allows to reduce the non-linearity of pressure conversion at small values, increase the sensitivity of the transducer and expand its functionality.
Параметры интегрального преобразователя давления, в частности нелинейность и чувствительность, сохраняются при воздействии избыточного давления на мембрану как с первой, так и второй ее стороны, что также расширяет функциональные возможности преобразователя.The parameters of the integrated pressure transducer, in particular non-linearity and sensitivity, are preserved when the membrane exerts pressure on both the first and second sides, which also extends the functionality of the transducer.
Получаемая простая форма жестких центров и выступов, сформированных по краю углубления, позволяет без значительного усложнения подготовки производства, путем использования известных и отработанных технологических процессов, достичь улучшенных характеристик преобразователей.The resulting simple form of rigid centers and protrusions formed along the edge of the recess allows, without significantly complicating the preparation of production, using well-known and well-established technological processes, to achieve improved characteristics of the transducers.
В интегральном преобразователе давления выполнение монокристаллической кремниевой пластины, которая ориентирована в плоскости (100) и имеет n-тип проводимости, а тензорезисторы имеют p-тип проводимости и расположены длинной стороной в направлении [011], позволяет использовать хорошо отлаженные и широко используемые технологические процессы и оборудование. При этом при стабильных высоких качественных показателях изготовления, при широко известных и отлаженных технологических процессах производства преобразователей достигаются улучшенные функциональные возможности работы тонких частей мембраны.In an integrated pressure transducer, the implementation of a single-crystal silicon wafer, which is oriented in the (100) plane and has n-type conductivity, and strain gauges have p-type conductivity and are located with the long side in the [011] direction, allows the use of well-established and widely used technological processes and equipment. At the same time, with stable high quality manufacturing indicators, with well-known and well-established technological processes for the production of converters, improved functional capabilities of the thin parts of the membrane are achieved.
В интегральном преобразователе давления выполнение продольных границ плоского дна каждой канавки мембраны параллельными тензорезистору и имеющими длину не менее 0,7 длины тензорезистора позволяет достичь оптимального коэффициента преобразования механического воздействия в электрическую величину при сохранении остальных качественных показателей его работы.In the integrated pressure transducer, the longitudinal boundaries of the flat bottom of each membrane groove are parallel to the strain gauge and having a length of at least 0.7 the length of the strain gauge allows you to achieve the optimal coefficient of conversion of mechanical stress into electrical quantity while maintaining the remaining quality indicators of its operation.
Отношение перпендикулярного тензорезистору расстояния между границами плоского дна каждой канавки к ширине тензорезистора лежит в пределах от 0,3 до 3, позволяет достичь оптимального коэффициента преобразования механического воздействия в электрическую величину при сохранении остальных качественных показателей его работы в условиях расположения одного тензорезистора симметрично оси канавки.The ratio of the distance between the borders of the flat bottom of each groove perpendicular to the strain gauge and the width of the strain gauge lies in the range from 0.3 to 3, which makes it possible to achieve an optimal coefficient of conversion of the mechanical effect into an electrical quantity while maintaining the remaining quality indicators of its operation under the conditions of the location of one strain gage symmetrically to the groove axis.
В интегральном преобразователе давления выполнение сопряжении поверхности дна тонких участков мембраны с боковыми стенками мембраны и каждого жесткого центра криволинейной поверхностью с радиусом округления от 3 до 10 мкм является оптимальным для снижения локальных напряжений и незначительно увеличивает затраты при производстве.In an integrated pressure transducer, pairing the bottom surface of thin sections of the membrane with the side walls of the membrane and each rigid center with a curved surface with a rounding radius of 3 to 10 μm is optimal for reducing local stresses and slightly increases production costs.
В интегральном преобразователе давления выполнение угла наклона боковых стенок углубления к поверхности плоского дна составляет от 130 до 85 градусов и является оптимальным для различных технологических особенностей изготовления жестких центров и плоской мембраны.In the integrated pressure transducer, the angle of inclination of the side walls of the recess to the surface of the flat bottom is from 130 to 85 degrees and is optimal for various technological features of the manufacture of rigid centers and a flat membrane.
На Фиг.1 показан вид на преобразователь со второй стороны, то есть со стороны углубления.Figure 1 shows a view of the Converter from the second side, that is, from the side of the recess.
На Фиг.2 - разрез по линии А-А Фиг.1.Figure 2 is a section along the line aa of figure 1.
Интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами выполнен в виде монокристаллической кремниевой пластины 1, на первой стороне 2 (Фиг.2) которой сформированы тензорезисторы 3, 4, 5 и 6 (на Фиг.1 показаны условно, на Фиг.2 - в разрезе) и объединены электрическими связями в мост Уитстона (не показаны), а со второй стороны 7 монокристаллической кремниевой пластины 1 выполнено углубление 8, не выходящее на край пластины 1, состоящее из четырех параллельных канавок 9, 10, 11, 12 и двух его участков 13, 14, соединяющих концы параллельных канавок 9, 10, 11, 12 между собой и имеющих с ними общее плоское дно 15, которое совместно с первой стороной 2 пластины 1 образует тонкую часть мембраны, окружающую три полученных таким образом жестких центра 16, 17, 18, при этом на каждом прямолинейном тонком участке мембраны напротив дна соответствующей канавки 9, 10, 11, 12 размещен тензорезистор одного из плеч моста Уитстона, соответственно 3, 4, 5 и 6.The integrated pressure transducer with three rigid centers is made in the form of a single-
Не менее 10% площади дна 15 тонкой части мембраны, например участки 19, 20, 21 и 22, расположено вне полосы, ограниченной двумя параллельными прямыми линиями 23 и 24, которые совмещены с внешними границами канавок 9 и 12, принадлежащими наружному контуру плоского дна 15 мембраны. Такое выполнение интегрального преобразователя давления позволяет уменьшить неравномерность распределения тензонапряжений по тонкой части мембраны в местах расположения тензорезисторов 3, 4, 5, 6, что позволяет снизить нелинейность преобразования давления при малых его величинах, повысить чувствительность преобразователя.At least 10% of the
Параметры интегрального преобразователя давления, в частности нелинейность и чувствительность, сохраняются при воздействии избыточного давления на мембрану с первой 2 или второй ее стороны 7, что расширяет функциональные возможности преобразователя.The parameters of the integral pressure transducer, in particular non-linearity and sensitivity, are maintained when the membrane is exposed to excessive pressure from the first 2 or
В интегральном преобразователе давления выполнение монокристаллической кремниевой пластины, которая ориентирована в плоскости (100) и имеет n-тип проводимости, а тензорезисторы 3, 4, 5, 6 имеют p-тип проводимости и расположены длинной стороной в направлении [011], позволяет использовать хорошо отлаженные и широко используемые технологические процессы и оборудование. При этом при стабильных высоких качественных показателях изготовления преобразователей в условиях давно отлаженных технологий производства достигаются улучшенные функциональные возможности работы тонких частей мембраны.In an integrated pressure transducer, the implementation of a single-crystal silicon wafer, which is oriented in the (100) plane and has n-type conductivity, and
В интегральном преобразователе давления выполнение продольных границ плоского дна каждой канавки 9, 10, 11, 12 параллельными соответствующему тензорезистору и с длиной l1, которая составляет не менее 0,7 длины l2 соответствующего тензорезистора 3, 4, 5, 6, позволяет достичь оптимального коэффициента преобразования механического воздействия в электрическую величину при сохранении остальных качественных показателей его работы.In the integrated pressure transducer, the execution of the longitudinal boundaries of the flat bottom of each
Отношение перпендикулярного тензорезистору расстояния между границами плоского дна a1 каждой канавки, например 10, к ширине а2 соответствующего тензорезистора 4 лежит в пределах от 0,3 до 3, что позволяет достичь оптимального коэффициента преобразования механического воздействия в электрическую величину при сохранении остальных качественных показателей его работы при расположении одного тензорезистора симметрично относительно оси канавки.The ratio of the distance perpendicular to the strain gauge between the boundaries of the flat bottom a 1 of each groove, for example 10, to the width a 2 of the
В интегральном преобразователе давления выполнение сопряжении поверхности дна 15 тонких участков мембраны с боковыми стенками 25 мембраны и каждого жесткого центра 16, 17, 18 с криволинейной поверхностью 26 с радиусом скругления от 3 до 10 мкм является оптимальным для снижения локальных напряжений и незначительно увеличивает затраты при производстве.In the integrated pressure transducer, pairing the bottom surface of 15 thin sections of the membrane with the
В интегральном преобразователе давления выполнение угла 27 наклона боковых стенок 25 углубления 8 к поверхности плоского дна 15 составляет от 130 до 85 градусов и является оптимальным для различных технологических особенностей изготовления жестких центров и плоской мембраны.In the integrated pressure transducer, the execution of the
Получаемая простая форма жестких центров 16, 17, 18 и выступов 28 и 29, сформированных по краю углубления 8, позволяет без значительного усложнения подготовки производства путем использования известных и отработанных технологических процессов достичь улучшенных характеристик преобразователей и расширения их функциональных возможностей.The obtained simple form of
Интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами работает следующим образом.An integrated pressure transducer with three rigid centers operates as follows.
Под воздействием избыточного давления, например, на первую сторону 2 пластины 1 плоское дно 15 с участками 19, 20, 21, 22 тонкой части мембраны изгибается, жесткие центры 16, 17, 18 перемещаются, в тонкой части мембраны между ними и выступами 28 и 29 создаются разнонаправленные тензонапряжения (сжатия на одних тензорезисторах 4 и 5 и растяжения на тензорезисторах 3 и 6). Поля тензонапряжений в местах расположения тензорезисторов из-за симметричной конфигурации концентраторов напряжений в виде жестких центров 16, 17, 18 и выступов 28 и 29 имеют симметричную конфигурацию, что приводит к почти одинаковому изменению сопротивления тензорезисторов, к общей сбалансированности моста Уитстона и, как следствие, к высокой линейности преобразовательной характеристики, т.е., например, зависимости выходного напряжения от давления.Under the influence of excess pressure, for example, on the
Под воздействием избыточного давления на вторую сторону 7 плоское дно 15 с участками 19, 20, 21, 22 тонкой части мембраны изгибается, жесткие центры 16, 17, 18 перемещаются и создают разнонаправленные тензонапряжения (сжатия на тензорезисторах 3, 6 и растяжения на тензорезисторах 4 и 5). В остальном процесс измерения давления повторяется полностью.Under the influence of excess pressure on the
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011124188/28A RU2469436C1 (en) | 2011-06-16 | 2011-06-16 | Integrated pressure transducer with three solid centres |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011124188/28A RU2469436C1 (en) | 2011-06-16 | 2011-06-16 | Integrated pressure transducer with three solid centres |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2469436C1 true RU2469436C1 (en) | 2012-12-10 |
Family
ID=49255890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011124188/28A RU2469436C1 (en) | 2011-06-16 | 2011-06-16 | Integrated pressure transducer with three solid centres |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2469436C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU174159U1 (en) * | 2017-04-12 | 2017-10-06 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Integral sensor element of a pressure transducer based on a bipolar transistor |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6006607A (en) * | 1998-08-31 | 1999-12-28 | Maxim Integrated Products, Inc. | Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm |
| US6351996B1 (en) * | 1998-11-12 | 2002-03-05 | Maxim Integrated Products, Inc. | Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors |
| US20080160659A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Russell William Craddock | Pressure transducer diaphragm and method of making same |
| RU2362236C1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-20 | Государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) | Matrix of ic pressure transducers |
| RU2362132C1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-20 | Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) | Integrated pressure transducer |
-
2011
- 2011-06-16 RU RU2011124188/28A patent/RU2469436C1/en active IP Right Revival
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6006607A (en) * | 1998-08-31 | 1999-12-28 | Maxim Integrated Products, Inc. | Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm |
| US6351996B1 (en) * | 1998-11-12 | 2002-03-05 | Maxim Integrated Products, Inc. | Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors |
| US20080160659A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Russell William Craddock | Pressure transducer diaphragm and method of making same |
| RU2362236C1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-20 | Государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) | Matrix of ic pressure transducers |
| RU2362132C1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-20 | Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) | Integrated pressure transducer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU174159U1 (en) * | 2017-04-12 | 2017-10-06 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Integral sensor element of a pressure transducer based on a bipolar transistor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20200319040A1 (en) | Microelectromechanical scalable bulk-type piezoresistive force/pressure sensor | |
| KR102313908B1 (en) | Method of manufacturing a pressure sensor | |
| CN104729784B (en) | A kind of beam groove combines step island film micro-pressure sensor chip and preparation method | |
| US9513182B2 (en) | Pressure sensor having multiple piezoresistive elements | |
| CN104764547B (en) | A kind of sculptured island membrane stress concentrating structure micro-pressure sensor chip and preparation method | |
| CN104748904B (en) | Sectional mass block stressed concentration structural micro-pressure sensor chip and preparation method | |
| CN102288354B (en) | Piezo-resistive pressure sensor | |
| WO2014080759A1 (en) | Pressure sensor | |
| CN102798498A (en) | Multi-range integrated pressure sensor chip | |
| CN105765360A (en) | Pressure sensor | |
| CN104350366A (en) | Mechanical-quantity measuring device | |
| CN105066869A (en) | Transverse deviation double sensitive gate interdigital metal strain sheet capable of measuring surface strain transverse partial derivative | |
| RU2362133C1 (en) | Microelectronic absolute pressure gage and absolute pressure sensor | |
| RU2469436C1 (en) | Integrated pressure transducer with three solid centres | |
| RU2469437C1 (en) | Integrated pressure transducer with one solid centre | |
| RU167463U1 (en) | RADIATION-RESISTANT HIGH TEMPERATURE STRAIN SENSITIVE PRESSURE TRANSDUCER ELEMENT | |
| CN101694409A (en) | Method for manufacturing all-silica pressure chips of SOI oil pressure sensor | |
| CN103017948A (en) | Piezoresistive type pressure sensor | |
| RU2362132C1 (en) | Integrated pressure transducer | |
| RU2507490C1 (en) | Sensor of absolute pressure of high accuracy based on semiconducting sensitive element with rigid centre | |
| CN204924166U (en) | Two sensitive grid interdigital metal strain gauge of lateral deviation of horizontal local derviation but measured surface meets an emergency | |
| RU2451270C1 (en) | Semiconductor high-precision absolute pressure sensor | |
| Huang et al. | High sensitive and linear pressure sensor for ultra-low pressure measurement | |
| RU2818501C1 (en) | Integral pressure transducer | |
| RU183909U1 (en) | Small radiation resistant high temperature strain gauge pressure transducer element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150617 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20170203 |