RU2463679C1 - Method of making capacitor cathode plate and solid-electrolyte capacitor - Google Patents
Method of making capacitor cathode plate and solid-electrolyte capacitor Download PDFInfo
- Publication number
- RU2463679C1 RU2463679C1 RU2011129721/07A RU2011129721A RU2463679C1 RU 2463679 C1 RU2463679 C1 RU 2463679C1 RU 2011129721/07 A RU2011129721/07 A RU 2011129721/07A RU 2011129721 A RU2011129721 A RU 2011129721A RU 2463679 C1 RU2463679 C1 RU 2463679C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- manganese
- sections
- capacitor
- manganese nitrate
- manganese dioxide
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к производству изделий электронной техники, конкретно - к производству оксидных конденсаторов, более конкретно - к производству оксидно-полупроводниковых конденсаторов, в том числе чип-конденсаторов, и касается способа получения катодной обкладки в виде многослойного покрытия из диоксида марганца, наносимого на поверхность секций, представляющих собой оксидированные объемно-пористые аноды из порошка вентильных металлов, например тантала, ниобия и являющегося полупроводниковым твердым электролитом. Нанесение покрытия из диоксида марганца осуществляют путем многократной пропитки секций в водных растворах солей марганца с последующим их пиролитическим разложением (пиролизом) с добавлением, например, водяного пара и подформовкой через каждые несколько слоев диоксида марганца.The invention relates to the manufacture of electronic products, specifically to the production of oxide capacitors, more specifically to the production of oxide semiconductor capacitors, including chip capacitors, and relates to a method for producing a cathode plate in the form of a multilayer coating of manganese dioxide deposited on the surface of the sections representing oxidized volume-porous anodes from valve metal powder, for example tantalum, niobium and which is a semiconductor solid electrolyte. The coating of manganese dioxide is carried out by repeatedly impregnating sections in aqueous solutions of manganese salts, followed by pyrolytic decomposition (pyrolysis) with the addition of, for example, water vapor and forcing every few layers of manganese dioxide.
Подформовка секций является необходимым процессом, позволяющим «залечить» дефектные зоны оксида вентильного металла, например поры или трещины и щели, образующиеся при пиролизе или вследствие посторонних включений, присутствующих в той или иной степени на поверхности металла. Во время подформовки имеет место электрическое подключение секции, и именно в дефектных зонах оксида металла и непосредственно вокруг них электропроводный диоксид марганца, MnO2, за счет местного нагрева частично восстанавливается, выделяя кислород, до оксида марганца, MnО, обладающего более низкой электропроводностью, т.е. бóльшими изолирующими свойствами. При этом оставшийся диоксид марганца продолжает работать как твердый электролит. Выделенный кислород закупоривает поры в оксидном слое, а в трещинах или щелях достигает вентильного металла, окисляя его. Тем самым локализуются и изолируются дефектные зоны, восстанавливается оксид металла, а токи утечки в конденсаторе снижаются. Сопротивление оксидного слоя практически не ухудшается, так как определяется, главным образом, высоким сопротивлением средней области оксидного слоя, где сохраняется правильный стехиометрический состав. С другой стороны, подформовка несколько ухудшает плотность и однородность оксидного слоя, что может привести к увеличению тангенса угла диэлектрических потерь (tg δ) и ухудшению частотных характеристик конденсатора.Section shaping is a necessary process to “heal” defective zones of valve metal oxide, such as pores or cracks and crevices resulting from pyrolysis or due to foreign inclusions present to some extent on the metal surface. During the molding, the section is electrically connected, and it is in the defective zones of the metal oxide and immediately around them that the conductive manganese dioxide, MnO 2 , is partially reduced by local heating, releasing oxygen, to manganese oxide, MnO, which has lower electrical conductivity, t. e. greater insulating properties. In this case, the remaining manganese dioxide continues to work as a solid electrolyte. The released oxygen clogs the pores in the oxide layer, and in cracks or crevices reaches the valve metal, oxidizing it. Thereby, defective zones are localized and isolated, metal oxide is reduced, and leakage currents in the capacitor are reduced. The resistance of the oxide layer practically does not deteriorate, since it is determined mainly by the high resistance of the middle region of the oxide layer, where the correct stoichiometric composition is maintained. On the other hand, under-molding slightly worsens the density and uniformity of the oxide layer, which can lead to an increase in the dielectric loss tangent (tan δ) and to a deterioration in the frequency characteristics of the capacitor.
Применение водяного пара во время пиролиза дополнительно повышает механическую прочность и электропроводность покрытия, а также улучшает его плотность, сплошность и однородность, так как поступление пара к секции предотвращает выделение нитрата марганца из внутренних пор, способствуя тем самым равномерному пиролизу нитрата марганца.The use of water vapor during pyrolysis additionally increases the mechanical strength and electrical conductivity of the coating, and also improves its density, continuity, and uniformity, since the flow of steam to the section prevents the release of manganese nitrate from internal pores, thereby contributing to uniform pyrolysis of manganese nitrate.
Известен способ, описанный в патенте US 7 144 432, кл. Н01G 9/00, опубл. 05.12.2006, согласно которому после нанесения слоя твердого электролита (покрытия из диоксида марганца) формируют дополнительный слой путем неоднократного нанесения раствора нитрата марганца с 0,5-2,0 мас.% графитового порошка с последующей термообработкой при температуре 200-250°С либо раствора графита с 5-10 мас.% порошка диоксида марганца с последующей термообработкой при температуре 150-200°С.The known method described in patent US 7 144 432, class. H01G 9/00, publ. 12/05/2006, according to which, after applying a layer of solid electrolyte (a coating of manganese dioxide), an additional layer is formed by repeatedly applying a solution of manganese nitrate with 0.5-2.0 wt.% Graphite powder, followed by heat treatment at a temperature of 200-250 ° C or graphite solution with 5-10 wt.% powder of manganese dioxide, followed by heat treatment at a temperature of 150-200 ° C.
Этот способ позволяет существенно снизить неблагоприятный эффект от расслоения между собой покрытий из диоксида марганца (слой твердого электролита) и углерода (графитовый слой), возникающего из-за разницы в их коэффициентах теплового расширения при нагреве готового конденсатора, когда, например, конденсатор монтируют на плату с помощью пайки, однако не достигаются наилучшие параметры покрытия из диоксида марганца и не исключается ухудшение оксидного слоя из-за последующего нанесения контактных катодных слоев.This method can significantly reduce the adverse effect of the stratification of coatings of manganese dioxide (a layer of solid electrolyte) and carbon (graphite layer), which arises due to the difference in their thermal expansion coefficients when heating a finished capacitor, when, for example, the capacitor is mounted on a board by soldering, however, the best parameters of the manganese dioxide coating are not achieved and the deterioration of the oxide layer due to the subsequent deposition of contact cathode layers is not ruled out.
Известен способ, описанный в патенте RU 2 284 070, кл. Н01G 9/052, H01G 4/10, опубл. 20.09.2006, прототип, согласно которому нанесение покрытия из шести пар слоев диокида марганца на оксидированные объемно-пористые аноды (секции) предусматривает их пропитку в 20%-ном водном растворе азотнокислого марганца, 50-и 62%-ных водных растворах смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца с последующим пиролитическим разложением этих солей марганца, когда через каждые два слоя двуокиси марганца производят подформовку анодов, а при пиролитическом разложении для четвертой и пятой пар слоев диоксида марганца применяют добавки водяного пара и водного раствора аммиака.The known method described in patent RU 2 284 070, class. H01G 9/052, H01G 4/10, publ. 09/20/2006, a prototype according to which the coating of six pairs of layers of manganese dioxide on oxidized volume-porous anodes (sections) provides for their impregnation in a 20% aqueous solution of manganese nitrate, 50 and 62% aqueous solutions of a mixture of nitrate and manganese acetate followed by pyrolytic decomposition of these manganese salts, when the anodes are formed every two layers of manganese dioxide, and during the pyrolytic decomposition for the fourth and fifth pairs of layers of manganese dioxide, water additives are used Macaw and aqueous ammonia.
Этот способ позволяет получить покрытие с хорошими параметрами по плотности, однородности, сплошности, механической прочности и электропроводности, однако процесс нанесения покрытия имеет много циклов пиролитического разложения и подформовки, что увеличивает продолжительность технологической операции и расход материалов и трудо- и энергоресурсов.This method allows to obtain a coating with good parameters in terms of density, uniformity, continuity, mechanical strength and electrical conductivity, however, the coating process has many cycles of pyrolytic decomposition and molding, which increases the duration of the technological operation and the consumption of materials and labor and energy resources.
Известен конденсатор на основе конденсаторного элемента, описанного в указанном выше патенте US 7 144 432, в котором на поверхности анода из вентильного металла формируется оксидный слой, затем - слой твердого электролита из диоксида марганца, затем - графитовый слой, а потом - металлизированный слой. При этом между слоями твердого электролита и графита формируется промежуточный слой путем нанесения раствора нитрата марганца с 0,5-2,0 мас.% графитового порошка с последующей термообработкой при температуре 200-250°С либо раствора графита с 5-10 мас.% порошка диоксида марганца с последующей термообработкой при температуре 150-200°С.A capacitor is known based on the capacitor element described in the aforementioned patent US 7 144 432, in which an oxide layer is formed on the surface of the anode from a valve metal, then a layer of a solid electrolyte from manganese dioxide, then a graphite layer, and then a metallized layer. In this case, an intermediate layer is formed between the layers of solid electrolyte and graphite by applying a solution of manganese nitrate with 0.5-2.0 wt.% Graphite powder followed by heat treatment at a temperature of 200-250 ° C or a graphite solution with 5-10 wt.% Powder manganese dioxide followed by heat treatment at a temperature of 150-200 ° C.
Этот конденсатор имеет стабильные хорошие величины импеданса и эквивалентного последовательного сопротивления в результате предотвращения расслоения между собой слоя твердого электролита и графитового слоя, однако не достигаются наилучшие электрические и частотные характеристики.This capacitor has stable good values of impedance and equivalent series resistance as a result of preventing stratification of the solid electrolyte layer and the graphite layer, but the best electrical and frequency characteristics are not achieved.
Известен конденсатор, описанный в указанном выше патенте RU 2 284 070, прототип, который содержит катодную обкладку в виде покрытия из 6 пар слоев диоксида марганца, нанесенных способом, который предусматривает пропитку анодов в 20%-ном водном растворе азотнокислого марганца, 50- и 62%-ных водных растворах смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца с последующим пиролитическим разложением этих соединений марганца, когда через каждые два слоя диоксида марганца производят подформовку анодов, а при пиролитическом разложении применяют добавки водяного пара и водного раствора аммиака.The known capacitor described in the aforementioned patent RU 2 284 070, a prototype that contains a cathode lining in the form of a coating of 6 pairs of layers of manganese dioxide deposited by a method that involves impregnating the anodes in a 20% aqueous solution of manganese nitrate, 50- and 62 % aqueous solutions of a mixture of manganese nitrate and acetic acid followed by pyrolytic decomposition of these manganese compounds, when anodes are formed every two layers of manganese dioxide, and additives are used for pyrolytic decomposition dyanogo steam and aqueous ammonia.
Этот конденсатор имеет улучшенные электрические и частотные характеристики, однако процесс нанесения покрытия имеет много циклов пиролиза и подформовки, что удлиняет технологический цикл изготовления конденсатора и увеличивает расход материалов и трудо- и энергоресурсов.This capacitor has improved electrical and frequency characteristics, however, the coating process has many cycles of pyrolysis and molding, which lengthens the production cycle of the capacitor and increases the consumption of materials and labor and energy resources.
Задача изобретения является комплексной и состоит в получении катодной обкладки повышенной прочности и электропроводности при сокращении технологического цикла получения катодной обкладки и реализации с такой катодной обкладкой оксидно-полупроводникового конденсатора, в том числе чип-конденсатора, с улучшенными электрическими и частотными характеристиками и длительным сроком службы при сокращении технологического цикла изготовления конденсатора и соответственно снижении расхода материалов, трудо- и энергоресурсов.The objective of the invention is complex and consists in obtaining a cathode plate with increased strength and electrical conductivity while reducing the technological cycle of obtaining a cathode plate and implementing an oxide semiconductor capacitor, including a chip capacitor, with improved electrical and frequency characteristics and a long service life with such a cathode plate. reducing the technological cycle of manufacturing a capacitor and, accordingly, reducing the consumption of materials, labor and energy resources.
Эта комплексная задача решается путем разработки способа получения катодной обкладки в виде покрытия из слоев диоксида марганца, наносимых на поверхность секции (оксидированного объемно-пористого анода), и оксидно-полупроводникового конденсатора, в том числе чип-конденсатора, с такими техническими результатами, как повышенная прочность и электропроводность катодной обкладки, уменьшенное количество и длительность циклов пиролиза и подформовки, улучшенные электрические и частотные характеристики и повышенный срок службы конденсатора, сокращенный технологический цикл изготовления конденсатора и сниженный расход материалов и трудо- и энергоресурсов.This complex problem is solved by developing a method for producing a cathode plate in the form of a coating of manganese dioxide layers deposited on the surface of the section (an oxidized volume-porous anode) and an oxide-semiconductor capacitor, including a chip capacitor, with such technical results as increased strength and electrical conductivity of the cathode plate, reduced number and duration of pyrolysis and molding cycles, improved electrical and frequency characteristics, and increased capacitor life , Shortened process cycle capacitor fabrication and reduced consumption of materials and labor and energy resources.
Предлагаемый способ получения катодной обкладки для оксидно-полупроводникового конденсатора включает ряд технологических переходов и оптимизирован по режимам и условиям. В способе первые 7 слоев диоксида марганца на секциях, в начале процесса представляющих собой оксидированные аноды, получают путем пропитки секций водным раствором азотнокислого марганца плотностью 1,19 г/см3 при температуре 40±5°С в течение 3-5 минут, в прямой пропорциональной зависимости от габаритных размеров секций, с последующим пиролизом азотнокислого марганца в термостате с вентилятором при температуре 270±10°С в течение 3-5 минут, в прямой пропорциональной зависимости от габаритных размеров секций, и охлаждение на воздухе не менее 30 секунд. Аналогично получают 8-й, 9-й и 10-й слои диоксида марганца, применяя для пропитки секций водный раствор азотнокислого марганца плотностью 1,5 г/см3, 1,8 г/см3 и 1,96 г/см3 соответственно. Далее производят обработку секций кремниево-марганцевой суспензией плотностью 2,44 г/см3, состоящей из 60 мас.% водного раствора азотнокислого марганца, 39,5 мас.% мелкодисперсного порошка диоксида марганца, 0,5 мас.% аэросила, представляющего собой мелкодисперсный порошок диоксида кремния, путем пропитки секций суспензией при температуре 65±5°С в течение 3-5 минут, в прямой пропорциональной зависимости от габаритных размеров секций, с последующим пиролизом азотнокислого марганца и охлаждением, как описано выше, получая в результате 11-й, предпоследний, слой, содержащий диоксид марганца и дополнительно диоксид кремния. Затем наносят 12-й, заключительный, слой диоксида марганца аналогично 10-му слою. При этом во время каждого цикла пиролиза в термостат впрыскивают деионизованную воду в количестве 5-9 литров в минуту, в прямой пропорциональной зависимости от габаритных размеров секций, а через каждые три цикла пиролиза производят подформовку секций в водном растворе уксусной кислоты сопротивлением 44-66 кОм при пониженном напряжении формовки, составляющем 30-90% от номинального напряжения формовки, с последующей сушкой в термостате при 150±10°С в течение не менее 3 минут.The proposed method for producing a cathode plate for an oxide-semiconductor capacitor includes a number of technological transitions and is optimized for the modes and conditions. In the method, the first 7 layers of manganese dioxide in sections, at the beginning of the process being oxidized anodes, are obtained by impregnating sections with an aqueous solution of manganese nitrate with a density of 1.19 g / cm 3 at a temperature of 40 ± 5 ° C for 3-5 minutes, in direct proportional to the overall dimensions of the sections, followed by pyrolysis of manganese nitrate in a thermostat with a fan at a temperature of 270 ± 10 ° C for 3-5 minutes, in direct proportion to the overall dimensions of the sections, and cooling in air for at least 30 sec und. The 8th, 9th and 10th layers of manganese dioxide are obtained in a similar manner, using an aqueous solution of manganese nitrate with a density of 1.5 g / cm 3 , 1.8 g / cm 3 and 1.96 g / cm 3, respectively, for section impregnation . Next, the sections are treated with a silicon-manganese suspension with a density of 2.44 g / cm 3 , consisting of 60 wt.% Aqueous solution of manganese nitrate, 39.5 wt.% Finely divided manganese dioxide powder, 0.5 wt.% Aerosil, which is finely divided silicon dioxide powder, by impregnating the sections with a suspension at a temperature of 65 ± 5 ° C for 3-5 minutes, in direct proportion to the overall dimensions of the sections, followed by pyrolysis of manganese nitrate and cooling, as described above, resulting in the 11th, prepos the ice layer containing manganese dioxide and optionally silicon dioxide. Then put the 12th, final, layer of manganese dioxide similarly to the 10th layer. At the same time, during each pyrolysis cycle, deionized water is injected into the thermostat in an amount of 5-9 liters per minute, in direct proportion to the overall dimensions of the sections, and every three pyrolysis cycles, sections are formed in an aqueous solution of acetic acid with a resistance of 44-66 kOhm at a reduced molding voltage of 30-90% of the nominal molding voltage, followed by drying in a thermostat at 150 ± 10 ° C for at least 3 minutes.
Впрыскивание воды во время пиролиза создает эффект водяного пара, описанный выше.Injection of water during pyrolysis creates the effect of water vapor described above.
Обработка секций кремниево-марганцевой суспензией дополнительно увеличивает электропроводность и существенно упрочняет покрытие из диоксида марганца, тем самым позволяя не только дополнительно противостоять неблагоприятному воздействию пиролиза и подформовки на параметры оксидного слоя, но и улучшить эти параметры - за счет уменьшения количества и длительности циклов пиролиза и подформовки. В дальнейшем это способствует уменьшению повреждений оксидного слоя при нанесении на секцию последующих катодных контактных покрытий -переходного, например углеродного, и металлизированного, например серебряного, - и, таким образом, позволяет получить оксидно-полупроводниковый конденсатор с улучшенными электрическими и частотными характеристиками и повышенным сроком службы. При этом сокращается технологический цикл изготовления как катодной обкладки, так и конденсатора, что приводит к снижению расхода материалов, трудо- и энергоресурсов.The treatment of the sections with a silicon-manganese suspension additionally increases the electrical conductivity and significantly strengthens the coating of manganese dioxide, thereby not only additionally resisting the adverse effects of pyrolysis and molding on the parameters of the oxide layer, but also improving these parameters by reducing the number and duration of the pyrolysis and molding cycles . In the future, this helps to reduce damage to the oxide layer when subsequent cathodic contact coatings are applied to the section — a transition, for example carbon, and metallized, for example silver, and, thus, an oxide-semiconductor capacitor with improved electrical and frequency characteristics and an extended service life is obtained. . At the same time, the technological cycle of manufacturing both the cathode plate and the capacitor is reduced, which leads to a decrease in the consumption of materials, labor and energy resources.
Предлагаемый оксидно-полупроводниковый конденсатор, в том числе чип-конденсатор, представляет собой секцию, состоящую из анода в виде спеченного прессованного объемно-пористого тела из порошка вентильного металла, в том числе тантала, ниобия, на поверхности которого последовательно созданы оксидный слой, являющийся диэлектриком, многослойное покрытие из диоксида марганца повышенной прочности и электропроводности, являющееся катодной обкладкой и полученное в соответствии с заявляемым способом, углеродный слой, являющийся катодным переходным покрытием, серебросодержащий слой, являющийся катодным контактным покрытием, и защищенную от воздействия внешней среды пластмассовой оболочкой, созданной, например, путем опрессовки секции.The proposed oxide semiconductor capacitor, including a chip capacitor, is a section consisting of an anode in the form of a sintered pressed volume-porous body made of valve metal powder, including tantalum, niobium, on the surface of which an oxide layer is formed, which is a dielectric , a multilayer coating of manganese dioxide of increased strength and conductivity, which is the cathode lining and obtained in accordance with the claimed method, the carbon layer, which is the cathode ne transition coating, a silver-containing layer, which is a cathode contact coating, and protected from the external environment by a plastic shell created, for example, by crimping a section.
В предлагаемых изобретениях поставленная комплексная задача решена и достигнуты указанные выше технические результаты благодаря следующим факторам.In the proposed invention, the complex task is solved and the above technical results are achieved due to the following factors.
Повышенная прочность катодной обкладки, представляющей собой покрытие из диоксида марганца, обеспечивается за счет обработки покрытых диоксидом марганца секций кремниево-марганцевой суспензией, которая непосредственно упрочняет покрытие и позволяет уменьшить количество и длительность циклов пиролиза и подформовки, что, в свою очередь, уменьшает повреждения оксидного слоя и способствует защите оксидного слоя от неблагоприятных воздействий нанесения на секцию последующих катодных контактных покрытий.The increased strength of the cathode plate, which is a coating of manganese dioxide, is ensured by treating sections coated with manganese dioxide with a silicon-manganese suspension, which directly strengthens the coating and reduces the number and duration of pyrolysis and molding cycles, which, in turn, reduces damage to the oxide layer and helps protect the oxide layer from the adverse effects of applying subsequent cathodic contact coatings to the section.
Электропроводность катодной обкладки дополнительно увеличивается также благодаря обработке секций кремниево-марганцевой суспензией.The electrical conductivity of the cathode plate is further increased also due to the processing of sections of a silicon-manganese suspension.
И все это вместе улучшает электрические и частотные характеристики конденсатора, удлиняет срок его службы, а также сокращает технологический цикл изготовления конденсатора, что приводит к снижению расхода материалов, трудо- и энергоресурсов.And all this together improves the electric and frequency characteristics of the capacitor, lengthens its service life, and also reduces the manufacturing cycle of the capacitor, which leads to a reduction in the consumption of materials, labor and energy resources.
Фигура 1 графически представляет характер зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от частоты для оксидно-полупроводниковых конденсаторов номинала 20 В×22 мкФ, изготовленных по заявляемому способу и способу-прототипу.Figure 1 graphically represents the nature of the dependence of the equivalent series resistance on frequency for oxide-semiconductor capacitors of a nominal value of 20 V × 22 μF, manufactured by the present method and the prototype method.
Фигура 2 графически представляет характер зависимости тангенса угла диэлектрических потерь (tg δ) от частоты для оксидно-полупроводниковых конденсаторов номинала 20 В×22 мкФ, изготовленных по заявляемому способу и способу-прототипу.Figure 2 graphically represents the nature of the dependence of the dielectric loss tangent (tan δ) on frequency for oxide-semiconductor capacitors of a nominal value of 20 V × 22 μF, manufactured by the present method and the prototype method.
Из графиков фигур 1, 2 видно, что частотные характеристики предлагаемого конденсатора улучшены по сравнению с конденсатором-прототипом.From the graphs of figures 1, 2 it can be seen that the frequency characteristics of the proposed capacitor are improved compared to the prototype capacitor.
Предлагаемые изобретения реализованы на ОАО «Элеконд», г.Сарапул, где изготовлены танталовые оксидно-полупроводниковые чип-конденсаторы с использованием заявляемого способа получения катодной обкладки повышенной прочности из диоксида марганца.The proposed inventions were implemented at Elekond OJSC, Sarapul, where tantalum oxide semiconductor chip capacitors were manufactured using the inventive method for producing a cathode plate of increased strength from manganese dioxide.
Примеры осуществления предлагаемого способа получения катодной обкладки для танталового оксидно-полупроводникового чип-конденсатора номиналом 20 В×22 мкФ и габаритными размерами 7,3 мм×4,3 мм×2,9 мм (средний габарит) в соответствии с описанной выше технологией приведены в таблице 1.Examples of the proposed method for producing a cathode plate for a tantalum oxide semiconductor chip capacitor with a nominal value of 20 V × 22 μF and overall dimensions of 7.3 mm × 4.3 mm × 2.9 mm (average) in accordance with the technology described above are given in table 1.
Электрические характеристики танталового оксидно-полупроводникового чип-конденсатора с катодной обкладкой, полученной по заявляемому способу в примерах 1-3, а также танталового оксидно-полупроводникового конденсатора с катодной обкладкой по способу-прототипу представлены в таблице 2.The electrical characteristics of a tantalum oxide semiconductor chip capacitor with a cathode plate obtained by the present method in examples 1-3, as well as a tantalum oxide semiconductor capacitor with a cathode plate according to the prototype method are presented in table 2.
Из представленных в таблице 2 данных следует, что катодная обкладка, полученная по заявляемому способу, позволяет реализовать оксидно-полупроводниковый конденсатор, в частности танталовый чип-конденсатор, с уменьшенными величинами тока утечки, тангенса угла диэлектрических потерь, эквивалентного последовательного сопротивления, импеданса и хорошей величиной емкости, т.е. с улучшенными электрическими характеристиками.From the data presented in table 2, it follows that the cathode plate obtained by the present method allows to realize an oxide semiconductor capacitor, in particular a tantalum chip capacitor, with reduced leakage current, dielectric loss tangent, equivalent series resistance, impedance and a good value capacities, i.e. with improved electrical performance.
В таблице 3 представлены полученные по результатам приемосдаточных, климатических испытаний и испытаний на безотказность характеристики танталового оксидно-полупроводникового чип-конденсатора, номинал 20 В×22 мкФ, с катодной обкладкой, изготовленной по заявляемому способу.Table 3 presents the results of acceptance tests, climatic tests and reliability tests of the characteristics of a tantalum oxide semiconductor chip capacitor, nominal 20 V × 22 μF, with a cathode plate made according to the claimed method.
Из представленных в таблице 3 данных видно, что с катодной обкладкой, полученной по заявляемому способу, можно реализовать оксидно-полупроводниковый конденсатор, в том числе танталовый чип-конденсатор, с улучшенными электрическими характеристиками и длительным сроком службы.From the data presented in table 3, it can be seen that with a cathode plate obtained by the present method, it is possible to realize an oxide-semiconductor capacitor, including a tantalum chip capacitor, with improved electrical characteristics and a long service life.
Таким образом, заявляемый способ обеспечивает получение катодной обкладки из диоксида марганца повышенной прочности и электропроводности и реализацию оксидно-полупроводникового конденсатора, в том числе чип-конденсатора, с улучшенными электрическими и частотными характеристиками и длительным сроком службы при сокращении технологического цикла изготовления конденсатора и снижении расхода материалов и трудо- и энергоресурсов.Thus, the inventive method provides a cathode plate of manganese dioxide of increased strength and conductivity and the implementation of an oxide semiconductor capacitor, including a chip capacitor, with improved electrical and frequency characteristics and a long service life while reducing the technological cycle of manufacturing a capacitor and reducing material consumption and labor and energy.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011129721/07A RU2463679C1 (en) | 2011-07-18 | 2011-07-18 | Method of making capacitor cathode plate and solid-electrolyte capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011129721/07A RU2463679C1 (en) | 2011-07-18 | 2011-07-18 | Method of making capacitor cathode plate and solid-electrolyte capacitor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2463679C1 true RU2463679C1 (en) | 2012-10-10 |
Family
ID=47079707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011129721/07A RU2463679C1 (en) | 2011-07-18 | 2011-07-18 | Method of making capacitor cathode plate and solid-electrolyte capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2463679C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2740516C1 (en) * | 2020-07-21 | 2021-01-15 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет" | Method of producing coatings from manganese dioxide on tantalum anodes of oxide-semiconductor capacitors |
| CN116206902A (en) * | 2023-04-14 | 2023-06-02 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | Manganese dioxide cathode of welding-resistant tantalum electrolytic capacitor, capacitor and preparation method of manganese dioxide cathode |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4042420A (en) * | 1974-11-20 | 1977-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing manganese oxide solid electrolyte capacitor |
| RU2284070C1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-09-20 | Открытое акционерное общество "Элеконд" | Method for producing cathode plate of oxide-semiconductor capacitor |
| US7144432B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-12-05 | Rohm Co., Ltd. | Method of making capacitor element used for solid electrolytic capacitor |
-
2011
- 2011-07-18 RU RU2011129721/07A patent/RU2463679C1/en active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4042420A (en) * | 1974-11-20 | 1977-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing manganese oxide solid electrolyte capacitor |
| US7144432B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-12-05 | Rohm Co., Ltd. | Method of making capacitor element used for solid electrolytic capacitor |
| RU2284070C1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-09-20 | Открытое акционерное общество "Элеконд" | Method for producing cathode plate of oxide-semiconductor capacitor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2740516C1 (en) * | 2020-07-21 | 2021-01-15 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет" | Method of producing coatings from manganese dioxide on tantalum anodes of oxide-semiconductor capacitors |
| CN116206902A (en) * | 2023-04-14 | 2023-06-02 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | Manganese dioxide cathode of welding-resistant tantalum electrolytic capacitor, capacitor and preparation method of manganese dioxide cathode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100557743C (en) | Solid electrolytic capacitor And Manufacturing approach | |
| JP4979663B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
| JP4850127B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
| TW200919511A (en) | Method for manufacturing electrolytic capacitor and electrolytic capacitor | |
| CN103310981B (en) | The preparation method of full tantalum hermetic seal capacitor | |
| JP5933397B2 (en) | Solid electrolytic capacitor manufacturing method and solid electrolytic capacitor | |
| JP2009505413A (en) | Solid capacitor and manufacturing method thereof | |
| CN103474247A (en) | Method for manufacturing solid polymer electrolytic condenser | |
| RU2463679C1 (en) | Method of making capacitor cathode plate and solid-electrolyte capacitor | |
| US10199175B2 (en) | Method of producing solid electrolytic capacitor and capacitor made thereby | |
| JP2000082639A (en) | MANUFACTURE OF Nb CAPACITOR | |
| WO2011013375A1 (en) | Manufacturing method for solid electrolytic capacitor | |
| RU2284070C1 (en) | Method for producing cathode plate of oxide-semiconductor capacitor | |
| JP4719823B2 (en) | Manufacturing method of niobium solid electrolytic capacitor | |
| JP2007173454A (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| RU2480855C1 (en) | Method of making cathode plate of solid-electrolyte capacitor | |
| RU2516525C1 (en) | Method for production of cathode lining for solid-electrolyte capacitor | |
| JP2008277344A (en) | Method for manufacturing solid-state electrolytic capacitor | |
| JP2000068160A (en) | Ta SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND ITS MANUFACTURE | |
| JP2885101B2 (en) | Manufacturing method of electrolytic capacitor | |
| KR100753618B1 (en) | Method of Manufacturing a Solid Electrolytic Capacitor | |
| JPH02267915A (en) | Manufacture of solid-state electrolytic capacitor | |
| RU2740516C1 (en) | Method of producing coatings from manganese dioxide on tantalum anodes of oxide-semiconductor capacitors | |
| JP2004018966A (en) | Method for forming titanium oxide coating film and titanium electrolytic capacitor | |
| JP2008205190A (en) | Solid electrolytic capacitor and its manufacturing method |