RU2454491C2 - METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC - Google Patents
METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC Download PDFInfo
- Publication number
- RU2454491C2 RU2454491C2 RU2010126019/05A RU2010126019A RU2454491C2 RU 2454491 C2 RU2454491 C2 RU 2454491C2 RU 2010126019/05 A RU2010126019/05 A RU 2010126019/05A RU 2010126019 A RU2010126019 A RU 2010126019A RU 2454491 C2 RU2454491 C2 RU 2454491C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sic
- aln
- seed crystal
- crystal
- growth cell
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем.The invention relates to microelectronics and relates to a technology for producing single-crystal SiC, a widely used material used for the manufacture of integrated circuits.
Для проведения способа получения монокристаллического SiC необходимо иметь затравочный кристалл - пластину с бездефектной поверхностью, не содержащей нарушенные области после проведенной химико-механической обработки.To carry out the method for producing single-crystal SiC, it is necessary to have a seed crystal — a plate with a defect-free surface that does not contain disturbed areas after chemical-mechanical treatment.
Известны методы повышения качества поверхности затравочного кристалла до его помещения в ростовую камеру. В методе химического травления затравочного кристалла в расплаве КОН кристалл SiC помещают в емкость, содержащую расплав КОН, нагретый до температуры 500-600°С, и выдерживают в нем 10-30 минут [Sakwe S.A., Muller R., Wellmann P.J // Journal of Crystal Growth. - 2006. - Vol.289. - Iss.2. - p.520-526]. В методе газового травления в водороде затравочный кристалл помещают в реактор, нагретый до температуры 1450-1800°С, через который пропускают газообразный водород [Wulfhekel W., Sander D., Nitsche S., Dulot F., Leycuras A., Hanbucken M.// Applied Surface Science. - 2004. - Vol.234. - Iss. 1. - p.251-255]. Известен также метод анодного травления кристаллов карбида кремния в электрохимической ячейке, когда кристалл SiC располагают на аноде, а процесс травления ведут в щелочных или фторидных растворах [van Dorp D.H., Sattler J.J.H.B., den Otter J.H., Kelly, J.J. // Electrochimica Acta. - 2009. - Vol.54. - Iss.26. - p.6269-6275].Known methods for improving the surface quality of the seed crystal before it is placed in the growth chamber. In the method of chemical etching of a seed crystal in a KOH melt, a SiC crystal is placed in a container containing a KOH melt heated to a temperature of 500-600 ° C and held there for 10-30 minutes [Sakwe SA, Muller R., Wellmann PJ // Journal of Crystal Growth. - 2006 .-- Vol.289. - Iss. 2. p.520-526]. In the method of gas etching in hydrogen, the seed crystal is placed in a reactor heated to a temperature of 1450-1800 ° C, through which hydrogen gas is passed [Wulfhekel W., Sander D., Nitsche S., Dulot F., Leycuras A., Hanbucken M. // Applied Surface Science. - 2004 .-- Vol.234. - Iss. 1. - p. 251-255]. Also known is the method of anodic etching of silicon carbide crystals in an electrochemical cell when the SiC crystal is placed on the anode and the etching process is carried out in alkaline or fluoride solutions [van Dorp D.H., Sattler J.J.H.B., den Otter J.H., Kelly, J.J. // Electrochimica Acta. - 2009 .-- Vol.54. - Iss. 26. - p. 6269-6275].
Рассмотренные методы позволяют получить качественную поверхность затравочного кристалла, однако в процессе дальнейшей фиксации (приклеивания) обработанного затравочного кристалла на держателе и его размещения в ростовой ячейке происходит ухудшение качества поверхности вследствие ее загрязнения. Это не позволяет получить качественный монокристалл карбида кремния при его последующем наращивании на загрязненную поверхность затравочного кристалла.The methods considered make it possible to obtain a high-quality surface of the seed crystal, however, in the process of further fixing (gluing) the treated seed crystal on the holder and its placement in the growth cell, surface quality deteriorates due to contamination. This does not allow to obtain a high-quality single crystal of silicon carbide during its subsequent growth on the contaminated surface of the seed crystal.
Известны методы очистки (травления) поверхности затравочного кристалла, размещенного в ростовой ячейке, непосредственно перед осуществлением процесса наращивания монокристалла SiC методом сублимации порошкообразного источника карбида кремния и следующей за ней конденсацией на монокристаллическом затравочном кристалле (так называемые in-situ методы очистки). Примером таких методов является метод обратного градиента [Anikin M., Madar R.// Proc. of E-MRS. - 1996. - Strasbourg, France. - p.A-9], заключающийся в следующем. Непосредственно перед наращиванием монокристалла SiC в ростовой ячейке создаются условия, при которых обеспечивается преимущественная сублимация карбида кремния с поверхности монокристаллического затравочного кристалла (так называемый обратный градиент температур). Однако вследствие того, что сублимация SiC протекает инконгруэнтно, при такой обработке затравочного кристалла на его поверхности образуются области, обогащенные углеродом, что приводит к образованию дефектов и препятствует монокристаллическому росту кристалла SiC.Known methods for cleaning (etching) the surface of a seed crystal placed in a growth cell immediately before the process of growing a SiC single crystal by sublimation of a powdered source of silicon carbide and subsequent condensation on a single crystal seed crystal (the so-called in-situ cleaning methods). An example of such methods is the inverse gradient method [Anikin M., Madar R. // Proc. of E-MRS. - 1996. - Strasbourg, France. - p.A-9], which is as follows. Immediately prior to the growth of the SiC single crystal in the growth cell, conditions are created under which the preferred sublimation of silicon carbide from the surface of the single crystal seed crystal (the so-called inverse temperature gradient) is ensured. However, due to the fact that the sublimation of SiC proceeds incongruently, in this treatment of the seed crystal, regions enriched in carbon are formed on its surface, which leads to the formation of defects and prevents the single-crystal growth of the SiC crystal.
Наиболее близким к заявляемому является способ, представленный в заявке JP2008260665 [Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal, МПК С30В 29/36: С30В 29/10, опубл. 30.10.2008]. В этом способе для получения качественной поверхности затравочного кристалла непосредственно перед выращиванием затравочный кристалл обдувается газом, содержащим ионизированный водород. Осуществление данного способа требует сложного аппаратурного решения, предусматривающего введение питающей трубки для газа непосредственно в ростовую ячейку. Кроме того, введенный в ячейку газ взаимодействует с графитовыми стенками ростовой ячейки и приводит к быстрому выходу ячейки из строя.Closest to the claimed is the method presented in the application JP2008260665 [Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal, IPC C30B 29/36: C30B 29/10, publ. 10/30/2008]. In this method, to obtain a high-quality surface of the seed crystal, immediately before growing, the seed crystal is blown with a gas containing ionized hydrogen. The implementation of this method requires a complex hardware solution, involving the introduction of a supply tube for gas directly into the growth cell. In addition, the gas introduced into the cell interacts with the graphite walls of the growth cell and leads to the rapid failure of the cell.
Задачей заявляемого изобретения является создание способа получения монокристаллического SiC, позволяющего получить технический результат, заключающийся в упрощении и удешевлении способа, а также в увеличении срока службы ростовой ячейки.The objective of the invention is to provide a method for producing single-crystal SiC, which allows to obtain a technical result, which consists in simplifying and reducing the cost of the method, as well as in increasing the service life of the growth cell.
Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что в способе получения монокристаллического SiC сублимацией источника SiC на затравочный монокристалл SiC, предусматривающем предварительное травление поверхности затравочного монокристалла SiC в процессе подъема температуры в ростовой ячейке, травление поверхности затравочного кристалла SiC проводят сублимированным AlN, используя источник AlN, размещенный между затравочным кристаллом и источником SiC.The essence of the claimed invention lies in the fact that in the method of producing single-crystal SiC by sublimation of a SiC source onto a SiC seed single crystal, which involves preliminary etching the surface of the SiC seed single crystal during the temperature rise in the growth cell, the surface of the SiC seed crystal is etched using freeze-dried AlN using an AlN source located between the seed crystal and the source of SiC.
В качестве источника A1N можно использовать порошок AlN, размещенный в кювете, закрепленной в ростовой ячейке на держателе напротив затравочного кристалла, или пластину со слоем AlN, закрепленную на стенке ростовой ячейки напротив затравочного кристалла. Количество размещаемого в ростовой ячейке AlN определяют из расчета:As the source of A1N, you can use AlN powder placed in a cuvette mounted in the growth cell on the holder opposite the seed crystal, or a plate with an AlN layer mounted on the wall of the growth cell opposite the seed crystal. The amount of AlN placed in the growth cell is determined from the calculation:
М=3πnRρ(Н2+r2),M = 3πnRρ (H 2 + r 2 ),
где М - количество размещаемого в ростовой ячейке AlN, г,where M is the number placed in the growth cell AlN, g,
n=0,5…3,0 - параметр статистического разброса,n = 0.5 ... 3.0 is the parameter of the statistical spread,
R - глубина нарушенного слоя затравочного кристалла, см,R is the depth of the broken layer of the seed crystal, cm,
ρ=3,2 - плотность монокристалла SiC, г/см3,ρ = 3,2 - the density of the single crystal SiC, g / cm 3 ,
Н - расстояние "затравочный кристалл - источник AlN", см,N - distance "seed crystal - source AlN", cm,
r - радиус затравочного кристалла, см.r is the radius of the seed crystal, see
Параметр статистического разброса n установлен экспериментально и учитывает наблюдаемую на опыте флуктуацию глубины протравленного слоя для данной массы размещаемого в ростовой ячейке AlN при различных рабочих параметрах процесса (скорость подъема температуры, значение градиента в ростовой ячейке, остаточное давление аргона и т.д.).The statistical spread parameter n was established experimentally and takes into account the experimentally observed fluctuation in the depth of the etched layer for a given mass placed in the AlN growth cell for various process parameters (rate of temperature rise, gradient value in the growth cell, residual argon pressure, etc.).
Существенность отличия предлагаемого способа заключается в том, что для травления поверхности используется источник нитрида алюминия, размещенный непосредственно в стандартной ростовой ячейке. Химическое соединение нитрид алюминия AlN характеризуется высокой термической стабильностью и начинает сублимировать при температурах порядка 1400°С. Для карбида кремния SiC температуры сублимации немного выше - 1600°С и более. Такое соотношение температур сублимации SiC и AlN позволяет осуществить технологическую схему заявляемого способа, при которой травление поверхности затравочного кристалла SiC производится в процессе нагрева ростовой ячейки и непосредственно предшествует началу процесса выращивания монокристалла SiC.The significant difference between the proposed method lies in the fact that for etching the surface, a source of aluminum nitride is used, located directly in a standard growth cell. The chemical compound aluminum nitride AlN is characterized by high thermal stability and begins to sublimate at temperatures of about 1400 ° C. For silicon carbide SiC, sublimation temperatures are slightly higher - 1600 ° C or more. This ratio of sublimation temperatures of SiC and AlN allows you to implement the technological scheme of the proposed method, in which the etching of the surface of the seed crystal SiC is carried out in the process of heating the growth cell and immediately precedes the start of the process of growing a single crystal of SiC.
При нагреве ростовой ячейки до температуры начала сублимации нитрид алюминия сублимирует, частично разлагаясь на газообразный алюминий и азот:When the growth cell is heated to the temperature of the onset of sublimation, aluminum nitride sublimates, partially decomposing into gaseous aluminum and nitrogen:
AlN(тв.)→Al(газ)+N2(газ) AlN (tv) → Al (gas) + N 2 (gas)
AlN(тв.)→AlN(газ) AlN (tv) → AlN (gas)
Газообразные алюминийсодержащие агенты вступают во взаимодействие с поверхностью затравочного кристалла и производят как очистку, так и травление поверхности, предназначенной для последующего роста слитка. При травлении поверхности может быть удалена дефектная поверхностная область затравочного кристалла, нарушенная в результате проведенной химико-механической обработки.Gaseous aluminum-containing agents interact with the surface of the seed crystal and perform both cleaning and etching of the surface intended for subsequent growth of the ingot. When etching the surface, the defective surface region of the seed crystal, which is disturbed as a result of the chemical-mechanical treatment, can be removed.
При истощении источника нитрида алюминия процесс травления самопроизвольно завершается. Непосредственно после этого ростовая ячейка прогревается до температур, достаточных для осуществления монокристаллического роста карбида кремния (2000-2300°С), и производится выращивание монокристалла карбида кремния.When the source of aluminum nitride is depleted, the etching process spontaneously ends. Immediately after this, the growth cell warms up to temperatures sufficient for single-crystal growth of silicon carbide (2000-2300 ° C), and a single crystal of silicon carbide is grown.
Для создания источника нитрида алюминия в ростовой ячейке может быть использован порошкообразный нитрид алюминия, поскольку он наиболее дешев и доступен. В другом исполнении можно использовать напыленный поликристаллический слой нитрида алюминия на металлическом основании.To create a source of aluminum nitride in the growth cell, powdered aluminum nitride can be used, since it is the cheapest and most affordable. In another embodiment, a sprayed polycrystalline layer of aluminum nitride on a metal base can be used.
На фиг.1 приведена схема ростовой ячейки для осуществления способа.Figure 1 shows a diagram of a growth cell for implementing the method.
В таблице 1 указаны технические характеристики способа при различных значениях режимных параметров к приведенному примеру.Table 1 shows the technical characteristics of the method at various values of the operating parameters for the given example.
В качестве технического средства для осуществления предлагаемого способа может использоваться ростовая ячейка (фиг.1), содержащая цилиндрический корпус, боковая стенка 1, дно 2 и крышка 3 которого выполнены из плотного графита MПГ-6. На боковой стенке 1 ростовой ячейки снаружи последовательно расположены спираль 4 резистивного электронагревателя и теплоизоляционный слой 5, выполненный из графитового войлока. Элементы 1÷5 помещены в цилиндрическую вакуумную камеру 6 сублимационной установки. Внутри корпуса ростовой ячейки на ее крышке 3 установлен держатель 7 для помещения затравочного монокристалла 8 карбида кремния. На дне 2 ростовой ячейки располагают исходное сырье 9 - поликристаллы карбида кремния, служащие источником получаемого монокристаллического карбида кремния.As a technical means for implementing the proposed method, a growth cell can be used (Fig. 1) containing a cylindrical body, a
Между исходным сырьем 9 и затравочным монокристаллом 8 в ростовой ячейке расположен графитовый держатель 10 с установленной на нем кюветой 11, выполненной из танталовой фольги. В кювету 11 помещена навеска порошка нитрида алюминия 12.Between the feedstock 9 and the seed
Для экспериментальной проверки способа использован затравочный монокристалл 8 из SiC политипа 4Н номинальной ориентации (0001) и отклонением в 8° в направлении азимута [11-20] со средней по поверхности плотностью микропор 10-30 см-2. Данный материал подвергнут последовательной двусторонней шлифовке и полировке на алмазных пастах с уменьшением величины зерна абразива до 0,25 мкм с последующей ультразвуковой отмывкой в дистиллированной воде.For experimental verification of the method, a
В качестве источника SiC использован высокочистый порошкообразный карбид кремния производства фирмы Saint-Gobain (Norge), с размером зерна ≈100 мкм. Порошок SiC помещают на дно ростовой ячейки (фиг.1) внутренним диаметром d=80 мм.As a source of SiC, high-purity powdered silicon carbide manufactured by Saint-Gobain (Norge), with a grain size of ≈100 μm, was used. SiC powder is placed at the bottom of the growth cell (FIG. 1) with an inner diameter of d = 80 mm.
В держателе 7 закреплен затравочный кристалл 8, а на держателе 10 установлена кювета 11 с порошком AlN 12. В качестве источника нитрида алюминия использован порошок AlN отечественного производства с размером зерна 5 мкм.A
В ростовой ячейке была размещена затравочная пластина радиусом r=2,5 см с нарушенным поверхностным слоем глубиной R=0,001 см. Расстояние от затравочной пластины до кюветы с навеской AlN составляло Н=5 см. Полагали, что параметр n=1. Тогда количество порошка AlN, который должен быть размещен в кювете, по формуле, приведенной выше, может быть определено из выражения:A seed plate with a radius of r = 2.5 cm with a broken surface layer with a depth of R = 0.001 cm was placed in the growth cell.The distance from the seed plate to the cell with an AlN sample was H = 5 cm. It was assumed that parameter n = 1. Then the amount of AlN powder that must be placed in the cuvette, according to the formula above, can be determined from the expression:
М=3π*1*0,001*3,2*(52+2,52)=0,9, [г]M = 3π * 1 * 0.001 * 3.2 * (5 2 +2.5 2 ) = 0.9, [g]
Вакуумную камеру 6 откачивали до давления 8·10-6 мм рт. ст., а ростовую ячейку нагревали до 1000°С с помощью электроспирали 4 и выдерживали при данной температуре в течение 1 ч для удаления остаточных загрязнений. После этого вакуумную камеру 6 заполняли аргоном до давления 100 мм рт.ст. и нагревали до температуры источника SiC, равной 2100-2300°С, равномерно увеличивая температуру в течение 5 часов.The
Возможно использование способа, когда после заполнения аргоном до давления 100 мм рт.ст. вакуумную камеру нагревают до температуры 1600°С за 3 часа, выдерживают при этой температуре 1 час, после чего производят нагрев до температуры роста монокристаллического карбида кремния за 2 часа.You can use the method when, after filling with argon to a pressure of 100 mm RT.article. the vacuum chamber is heated to a temperature of 1600 ° C in 3 hours, kept at this temperature for 1 hour, after which it is heated to the growth temperature of single-crystal silicon carbide in 2 hours.
Температура затравочного кристалла после нагрева приобретает значение 2000-2200°С. Ячейку выдерживали при указанных температуре и давлении в течение 1 ч, после чего производили откачку вакуумной камеры 6 до давления аргона 3 мм рт.ст., при котором происходит рост монокристаллического слитка SiC на затравочном кристалле 8 в течение 12-18 часов. По окончании выращивания слитка монокристаллического карбида кремния вакуумную камеру охлаждают до комнатной температуры и разгерметизируют. Из тигля извлекают монокристаллический слиток карбида кремния политипа 4Н.The temperature of the seed crystal after heating becomes 2000-2200 ° C. The cell was kept at the indicated temperature and pressure for 1 h, after which the
Скорость роста слитка определяют прямым измерением толщины слитка, а также гравиметрически (по изменению веса держателя 7 с затравкой 8 и наращенным на ней монокристаллическим карбидом кремния). Плотность микропор и дислокаций в слитке определяют под микроскопом после щелочного травления поверхности пластины, вырезанной из полученного слитка.The growth rate of the ingot is determined by direct measurement of the thickness of the ingot, as well as gravimetrically (by changing the weight of the
В таблице 1 указаны технические характеристики способа при различных значениях режимных параметров к приведенному примеру - результаты пятикратных испытаний вариантов способа в среде аргона при указанных температурах источника SiC и затравочного монокристалла, давлении в вакуумной камере 6, равном 3 мм рт.ст.Table 1 shows the technical characteristics of the method at various values of the operating parameters for the given example — the results of five-fold tests of the process variants in argon medium at the indicated temperatures of the SiC source and the seed single crystal, the pressure in the
Техническим результатом заявляемого способа является упрощение и удешевление процесса. По сравнению со способом-прототипом в заявляемом способе используется стандартная ростовая ячейка, без дополнительных вакуумных или газовых вводов, что позволяет легко осуществлять вращение и перемещение ячейки, необходимое для получения требуемых температурных профилей внутри ростовой ячейки. Применение заявляемого способа приводит также к увеличению срока службы ростовой ячейки по сравнению с прототипом. Так, в процессе с травлением кристалла до его помещения в ростовую камеру ростовая ячейка служит примерно 50 процессов (около 2500 часов). Применение способа-прототипа, по нашим данным, укорачивает срок службы ячейки примерно вдвое (25 процессов роста или 1250 часов). Применение заявляемого способа позволяет использовать ячейку в течение 40 процессов (2000 часов работы).The technical result of the proposed method is to simplify and reduce the cost of the process. Compared with the prototype method, the claimed method uses a standard growth cell, without additional vacuum or gas inlets, which makes it easy to rotate and move the cell necessary to obtain the required temperature profiles inside the growth cell. The application of the proposed method also leads to an increase in the service life of the growth cell compared to the prototype. So, in the process with etching the crystal before it is placed in the growth chamber, the growth cell serves about 50 processes (about 2500 hours). The use of the prototype method, according to our data, shortens the cell life by about half (25 growth processes or 1250 hours). The application of the proposed method allows you to use the cell for 40 processes (2000 hours).
Таким образом, срок службы ячейки по сравнению с прототипом возрастает примерно на 60%.Thus, the life of the cell compared with the prototype increases by about 60%.
Как видно из таблицы, использование заявляемого способа приводит к улучшению технических характеристик монокристаллического карбида кремния. Так, плотность микропор снижается в 4-6 раз, плотность дислокаций - на порядок.As can be seen from the table, the use of the proposed method leads to improved technical characteristics of single-crystal silicon carbide. So, the micropore density decreases by 4-6 times, the dislocation density - by an order of magnitude.
Claims (4)
М=3πnRρ(H2+r2),
где М - количество размещаемого в ростовой ячейке AlN, г;
n=0,5…3,0 - параметр статистического разброса;
R - глубина нарушенного слоя затравочного кристалла, см;
ρ=3,2 - плотность монокристалла SiC, г/см3;
Н - расстояние "затравочный кристалл - источник AlN", см;
r - радиус затравочного кристалла, см. 4. The method of producing single-crystal SiC according to claim 1, characterized in that the amount of AlN placed in the growth cell is determined from the calculation
M = 3πnRρ (H 2 + r 2 ),
where M is the amount placed in the growth cell AlN, g;
n = 0.5 ... 3.0 - parameter of the statistical spread;
R is the depth of the broken layer of the seed crystal, cm;
ρ = 3,2 is the density of the single crystal SiC, g / cm 3 ;
H - distance "seed crystal - source AlN", cm;
r is the radius of the seed crystal, see
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010126019/05A RU2454491C2 (en) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010126019/05A RU2454491C2 (en) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010126019A RU2010126019A (en) | 2011-12-27 |
| RU2454491C2 true RU2454491C2 (en) | 2012-06-27 |
Family
ID=45782377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010126019/05A RU2454491C2 (en) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2454491C2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2562486C1 (en) * | 2014-07-22 | 2015-09-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2736814C1 (en) * | 2020-04-03 | 2020-11-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | Method of producing monocrystalline sic |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003063890A (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Method and apparatus for growing low-defect single crystal |
| JP2007176718A (en) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal |
| JP2008260665A (en) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Bridgestone Corp | Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal |
-
2010
- 2010-06-25 RU RU2010126019/05A patent/RU2454491C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003063890A (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Method and apparatus for growing low-defect single crystal |
| JP2007176718A (en) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal |
| JP2008260665A (en) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Bridgestone Corp | Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2562486C1 (en) * | 2014-07-22 | 2015-09-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2010126019A (en) | 2011-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4514339B2 (en) | Method and apparatus for growing silicon carbide single crystal | |
| JP5779171B2 (en) | Method and apparatus for sublimation growth of SiC single crystal | |
| US7316747B2 (en) | Seeded single crystal silicon carbide growth and resulting crystals | |
| RU2576406C2 (en) | Tantalum carbide-covered carbon material and method for manufacturing thereof | |
| US6336971B1 (en) | Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal | |
| KR102340110B1 (en) | Silicon carbide ingot, wafer and manufacturing method of the same | |
| WO2010024390A1 (en) | METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL FILM | |
| ES2768765T3 (en) | Device and procedure for the production of silicon carbide | |
| CN105734671B (en) | A kind of method of high quality growing silicon carbice crystals | |
| CN100575545C (en) | The method of growing high quality nano-diamond membrane with low cost | |
| CN1942415A (en) | Tantalum carbide-covered carbon material and process for producing the same | |
| EP1026290B1 (en) | Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal | |
| RU2454491C2 (en) | METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC | |
| CN101233265A (en) | AIN crystal and method for growing the same, and AIN crystal substrate | |
| EP1154049A1 (en) | Method of manufacturing single-crystal silicon carbide | |
| JP2002520252A (en) | Method for producing SiC single crystal | |
| JP6238249B2 (en) | Silicon carbide single crystal and method for producing the same | |
| EP3940122A1 (en) | Sic wafer and method of manufacturing sic wafer | |
| JPH11509826A (en) | Method for producing silicon carbide single crystal | |
| Hartmann et al. | Homoepitaxial seeding and growth of bulk AlN by sublimation | |
| TWI729926B (en) | Manufacturing method for silicon carbide ingot and system for manufacturing silicon carbide ingot | |
| JP3491429B2 (en) | Method for producing silicon carbide single crystal | |
| JP2021195298A (en) | Silicon carbide ingot, wafer and method of manufacturing the same | |
| US20070000432A1 (en) | Method for growth of silicon carbide single crystal, silicon carbide seed crystal, and silicon carbide single crystal | |
| RU2405071C1 (en) | METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20121119 |
|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20131230 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150626 |