RU2445725C1 - Negative differential conductivity bipolar semiconductor position-sensitive photodetector - Google Patents
Negative differential conductivity bipolar semiconductor position-sensitive photodetector Download PDFInfo
- Publication number
- RU2445725C1 RU2445725C1 RU2010141198/28A RU2010141198A RU2445725C1 RU 2445725 C1 RU2445725 C1 RU 2445725C1 RU 2010141198/28 A RU2010141198/28 A RU 2010141198/28A RU 2010141198 A RU2010141198 A RU 2010141198A RU 2445725 C1 RU2445725 C1 RU 2445725C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- region
- negative differential
- conductivity
- semiconductor structure
- photosensitive
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области электроники, оптоэлектроники, полупроводниковой техники, а именно к полупроводниковым позиционно-чувствительным фотоприемникам с отрицательной дифференциальной проводимостью.The invention relates to the field of electronics, optoelectronics, semiconductor technology, namely, semiconductor position-sensitive photodetectors with negative differential conductivity.
Известны приборы с отрицательной дифференциальной проводимостью - туннельные диоды (Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений. / Под редакцией Горюнова Н.Н. и Носова Ю.Р. М.: Сов. Радио, 1968, 300 с.). Вольт-амперная характеристика таких приборов имеет N-образный вид. При малых напряжениях наблюдается возрастающий участок тока до максимального значения - тока пика - затем с увеличением напряжения происходит снижение тока до минимального значения - участок отрицательной дифференциальной проводимости, и, далее, с увеличением напряжения вновь происходит рост тока - вторичная положительная ветвь. Туннельные диоды из-за наличия внутренней положительной обратной связи нашли широкое применение в автоматике, вычислительной и генераторной технике. Несмотря на это, туннельные диоды не нашли применения в оптоэлектронике, поскольку, не обладают фоточувствительностью, в том числе и позиционной.Known devices with negative differential conductivity - tunneling diodes (Semiconductor diodes. Parameters, measurement methods. / Edited by Goryunova N.N. and Nosov Yu.R. M .: Sov. Radio, 1968, 300 pp.). The current-voltage characteristic of such devices is N-shaped. At low voltages, an increasing portion of the current is observed to the maximum value - peak current - then, with increasing voltage, the current decreases to the minimum value - the portion of negative differential conductivity, and then, with increasing voltage, the current again grows - the secondary positive branch. Due to the presence of internal positive feedback, tunneling diodes are widely used in automation, computer and generator technology. Despite this, tunnel diodes did not find application in optoelectronics, because they do not have photosensitivity, including positional.
Известны приборы с отрицательной дифференциальной проводимостью на базе комбинации различных биполярных и полевых транзисторов (IEEE. Transactions on Circuits and Systems., 1985, №1, p.46-61). Известны полупроводниковые структуры двуэлектродных и трехэлектродных приборов на основе интегрированных в одном объеме полупроводника биполярных и полевых транзисторов (Зарубежная электронная техника, 10 (244), Москва, 1981). Такие приборы с отрицательной дифференциальной проводимостью также не обладают позиционной фоточувствительностью.Known devices with negative differential conductivity based on a combination of various bipolar and field effect transistors (IEEE. Transactions on Circuits and Systems., 1985, No. 1, p. 46-61). The semiconductor structures of two-electrode and three-electrode devices based on bipolar and field-effect transistors integrated in a single semiconductor volume are known (Foreign Electronic Technology, 10 (244), Moscow, 1981). Such devices with negative differential conductivity also do not have positional photosensitivity.
Наиболее близкими к предлагаемому изобретению являются интегральные фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью (Фотоприемник с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры: пат. РФ №2309487, 2007) на основе многослойных полупроводниковых структур, в которых проявляется позиционная чувствительность и изменяется величина отрицательной дифференциальной проводимости при изменении пространственного положения светового потока.Closest to the proposed invention are integrated photodetectors with negative differential conductivity (Photodetector with negative conductivity based on a semiconductor structure: US Pat. RF No. 2309487, 2007) based on multilayer semiconductor structures in which positional sensitivity is manifested and the value of negative differential conductivity changes with a change in spatial the position of the light flux.
Фотоприемник содержит полупроводниковые области, снабженные контактами, часть из которых соединена между собой. С одной стороны на первой области первого типа проводимости расположена первая область второго типа проводимости и вторая область первого типа проводимости. С другой стороны на первой области первого типа проводимости последовательно расположены вторая область второго типа проводимости и третья область первого типа проводимости. Контакт первой области второго типа проводимости соединен с контактом третьей области первого типа проводимости (коллектор), а контакт второй области второго типа проводимости соединен с контактом второй области первого типа проводимости (база). Контакт к первой области первого типа проводимости является эмиттером.The photodetector contains semiconductor regions provided with contacts, some of which are interconnected. On the one hand, on the first region of the first conductivity type, there is a first region of the second conductivity type and a second region of the first conductivity type. On the other hand, on the first region of the first conductivity type, a second region of the second conductivity type and a third region of the first conductivity type are sequentially arranged. The contact of the first region of the second conductivity type is connected to the contact of the third region of the first conductivity type (collector), and the contact of the second region of the second conductivity type is connected to the contact of the second region of the first conductivity type (base). Contact to the first region of the first type of conductivity is an emitter.
Фотоприемник представляет собой реализацию в объеме полупроводникового материала двухтранзисторной схемы замещения прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью на базе двух биполярных транзисторов.A photodetector is an implementation in the volume of semiconductor material of a two-transistor equivalent circuit of a device with negative differential conductivity based on two bipolar transistors.
Недостатками таких приборов являются необходимость дополнительного гальванического управления для получения участка отрицательной проводимости (трехэлектродные приборы) и малая область фоточувствительности (несколько миллиметров), в пределах которой в зависимость от координаты изменяется ток пика. При расширении этой области снижается чувствительность транзисторов к оптическому воздействию, ухудшается положительная обратная связь, что приводит к исчезновению участка отрицательной проводимости.The disadvantages of such devices are the need for additional galvanic control to obtain a section of negative conductivity (three-electrode devices) and a small photosensitivity region (several millimeters), within which the peak current varies depending on the coordinate. With the expansion of this region, the sensitivity of transistors to optical effects decreases, and positive feedback worsens, which leads to the disappearance of the negative conductivity region.
Известны также позиционно-чувствительные полупроводниковые приборы - сканисторы (А.С. 197683, 1976, В.Ф.Золотарев. Безвакуумные аналоги телевизионных трубок. - М.: Энергия. - 1972 - 216 с.), представляющие собой p-n-p- или n-p-n-структуры с тремя омическими контактами, два из которых расположены по краям верхнего фоточувствительного слоя, служащего эмиттером и одновременно делителем напряжения источника. Третий контакт является контактом к эквипотенциальной нижней области полупроводника, служащей коллектором. При проецировании светового пучка на эмиттерную область сканистора создается рельеф возбужденных светом и разделенных p-n-переходом носителей тока. Считывание рельефа осуществляется приложением пилообразного напряжения между одним из контактов к фоточувствительной области и контактом к эквипотенциальной области. Однако сканистор не обладает участком отрицательной дифференциальной проводимости на вольт-амперной характеристике, что существенно сужает области его применения.Also known are position-sensitive semiconductor devices - scanners (A. S. 197683, 1976, V. F. Zolotarev. Vacuum-free analogs of television tubes. - M .: Energy. - 1972 - 216 p.), Which are pnp- or npn- structures with three ohmic contacts, two of which are located at the edges of the upper photosensitive layer, which serves as an emitter and at the same time as a source voltage divider. The third contact is the contact to the equipotential lower region of the semiconductor serving as a collector. When a light beam is projected onto the emitter region of the scanner, a relief is formed of light carriers excited by light and separated by a pn junction. The relief is read by applying a sawtooth voltage between one of the contacts to the photosensitive region and the contact to the equipotential region. However, the scanner does not have a section of negative differential conductivity on the current-voltage characteristic, which significantly narrows the scope of its application.
Для устранения указанных недостатков предлагается данное изобретениеTo eliminate these disadvantages, the invention is proposed
Технический результат: увеличение протяженности области позиционной фоточувствительности фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.Effect: increase the length of the positional photosensitivity region of a photodetector with negative differential conductivity.
Технический результат достигается за счет введения дополнительной протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры, имеющей верхнюю фоточувствительную область первого типа проводимости с первым и вторым контактами, расположенными по краям области, вторую, среднюю, область второго типа проводимости и третью, нижнюю, область первого типа проводимости с третьим контактом, соединенную таким образом, что первый контакт к фоточувствительной области протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с эмиттерным электродом прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью, второй контакт к фоточувствительной области протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с коллекторным электродом, а третий контакт протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с базовым электродом прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью.The technical result is achieved by introducing an additional extended photosensitive semiconductor structure having an upper photosensitive region of the first conductivity type with first and second contacts located at the edges of the region, a second, middle, second conductivity type region and a third, lower, first conductivity type region with a third contact connected in such a way that the first contact to the photosensitive region of the extended photosensitive semiconductor structure is connected to the emitter nym electrode device with negative differential conductance, the second contact to the photosensitive region extended photosensitive semiconductor structure is connected to the collector electrode, and the third extended contact photosensitive semiconductor structure is connected to the base electrode of the device to a negative differential conductance.
Полупроводниковый позиционно-чувствительный фотоприемник с отрицательной дифференциальной проводимостью (Фиг.1) реализован на основе прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью (N), который может быть выполнен твердотельным или в виде схемотехнического аналога, и протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры, имеющей верхнюю фоточувствительную область первого типа проводимости (p-типа) с первым и вторым контактами, расположенными по краям области, вторую, среднюю, область второго типа проводимости (n-типа) и третью, нижнюю, область первого типа (p-типа) проводимости с третьим контактом. Протяженная фоточувствительная полупроводниковая структура включена в цепь управления элемента с отрицательной дифференциальной проводимостью таким образом, что первый контакт (7) к фоточувствительной области протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с эмиттерным (Э) электродом прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью, второй контакт (2) к фоточувствительной области протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с коллекторным электродом (К), а третий контакт (3) протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с базовым электродом (Б) прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью. Э1 и Э2 - электроды двухполюсного позиционно-чувствительного фотоприемника с отрицательной проводимостью. Ф - световой пучек, падающий на поверхность протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры. За счет предлагаемой схемы соединения реализуется двухполюсный комбинированный позиционно-чувствительный фотоприемник, обладающий вольт-амперной характеристикой, содержащей участок отрицательной дифференциальной проводимости.A semiconductor position-sensitive photodetector with negative differential conductivity (Figure 1) is implemented on the basis of a device with negative differential conductivity (N), which can be solid-state or in the form of a circuit analog, and an extended photosensitive semiconductor structure having an upper photosensitive region of the first type of conductivity (p-type) with the first and second contacts located at the edges of the region, the second, middle, region of the second type of conductivity (n-type) and tr In this case, the lower region of the first type (p-type) conductivity with the third contact. An extended photosensitive semiconductor structure is included in the control circuit of an element with negative differential conductivity in such a way that the first contact (7) to the photosensitive region of the extended photosensitive semiconductor structure is connected to the emitter (E) electrode of a device with negative differential conductivity, the second contact (2) to the photosensitive region an extended photosensitive semiconductor structure is connected to the collector electrode (K), and the third contact (3) is long constant photosensitive semiconductor structure is connected to the base electrode (B) of the device to a negative differential conductance. E 1 and E 2 are electrodes of a bipolar position-sensitive photodetector with negative conductivity. Ф - light beam incident on the surface of an extended photosensitive semiconductor structure. Due to the proposed connection scheme, a bipolar combined position-sensitive photodetector with a current-voltage characteristic containing a section of negative differential conductivity is realized.
Увеличение протяженности области позиционной фоточувствительности по сравнению с существующими позиционно-чувствительными фотоприемниками с отрицательной дифференциальной проводимостью достигается за счет использования протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры, линейные размеры фоточувствительной области которой могут достигать нескольких сантиметров.An increase in the length of the positional photosensitivity region in comparison with existing positionally sensitive photodetectors with negative differential conductivity is achieved through the use of an extended photosensitive semiconductor structure, the linear dimensions of the photosensitive region of which can reach several centimeters.
Получение участка отрицательной дифференциальной проводимости на выходной вольт-амперной характеристике такого фотоприемника в двухэлектродном включении обеспечивается за счет использования протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры в качестве фотоуправляемого делителя напряжения (фотопотенциометра).Obtaining a plot of negative differential conductivity at the output current-voltage characteristic of such a photodetector in a two-electrode switch is provided by using an extended photosensitive semiconductor structure as a photo-controlled voltage divider (photopotentiometer).
Протяженная фоточувствительная полупроводниковая структура в режиме фотоуправляемого делителя работает следующим образом.An extended photosensitive semiconductor structure in the photo-controlled divider mode operates as follows.
При приложении внешнего напряжения между первым и вторым электродами протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры все падение напряжения осуществляется на фоточувствительном p-слое. Между электродами 1 и 3, 2 и 3 внешнее напряжение не прикладывается, и оба p-n-перехода протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры при освещении ее поверхности работают в фотогальваническом режиме.When an external voltage is applied between the first and second electrodes of an extended photosensitive semiconductor structure, the entire voltage drop occurs on the photosensitive p-layer. No external voltage is applied between
В отсутствии освещения поверхности сопротивление двух последовательно включенных p-n-переходов протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры велико. При высокоинтенсивном освещении небольшого участка поверхности в ограниченном объеме полупроводника реализуется генерация электронно-дырочных пар, и большой градиент концентрации освобожденных светом избыточных пар носителей заряда обуславливает их диффузионное перемещение к p-n-переходам. В области p-n-переходов происходит разделение пар полем перехода. Нарушается равновесие системы, возникает фототок и сопротивление p-n-переходов протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры уменьшается с ростом интенсивности светового потока. Таким образом, при освещении участка поверхности протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры последовательная цепочка p-n-переходов в объеме, ограниченном диаметром светового пучка и толщиной протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры, представляет собой сопротивление, значение которого зависит от интенсивности светового потока. В режиме фотопотенциометра в отсутствии освещения напряжение на третьем электроде протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры равно нулю (сопротивление цепочки велико и эквивалентно разрыву цепи) и пропорционально координате светового пучка x на поверхности протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры при освещении, когда сопротивление цепочки p-n-переходов мало. Полученное таким образом напряжение на третьем электроде протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры, согласно Фиг.1, используется для управления трехэлектродным прибором с отрицательной дифференциальной проводимостью.In the absence of surface illumination, the resistance of two pn junctions connected in series with an extended photosensitive semiconductor structure is high. Under high-intensity illumination of a small surface area in a limited semiconductor volume, electron-hole pairs are generated, and a large concentration gradient of the excess carrier pairs released by light causes their diffusion to pn junctions. In the region of pn junctions, pairs are separated by a transition field. The equilibrium of the system is violated, a photocurrent appears, and the resistance of pn junctions of an extended photosensitive semiconductor structure decreases with increasing light flux intensity. Thus, when illuminating a surface portion of an extended photosensitive semiconductor structure, a sequential chain of pn junctions in a volume limited by the diameter of the light beam and the thickness of an extended photosensitive semiconductor structure is a resistance, the value of which depends on the light flux intensity. In the photopotentiometer mode in the absence of illumination, the voltage at the third electrode of the extended photosensitive semiconductor structure is zero (the resistance of the chain is large and equivalent to breaking the circuit) and is proportional to the coordinate of the light beam x on the surface of the extended photosensitive semiconductor structure under illumination when the resistance of the p-n junction chain is small. The voltage thus obtained at the third electrode of an extended photosensitive semiconductor structure, according to FIG. 1, is used to control a three-electrode device with negative differential conductivity.
В отсутствии освещения поверхности протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры (Фиг.1), (при отсутствии управляющего напряжения на базовом электроде прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью (N)), на выходной вольт-амперной характеристике комбинированного фотоприемника участка отрицательной дифференциальной проводимости не наблюдается. Появление и движение пучка света по поверхности протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры обеспечивает изменение падения напряжения на базовом электроде, и, как следствие, появление на выходной вольт-амперной характеристики фотоприемника участка отрицательной дифференциальной проводимости (Фиг.3).In the absence of surface illumination of an extended photosensitive semiconductor structure (Fig. 1), (in the absence of a control voltage at the base electrode of a device with negative differential conductivity (N)), no negative differential conductivity is observed at the output current-voltage characteristic of the combined photodetector. The appearance and movement of the light beam on the surface of an extended photosensitive semiconductor structure provides a change in the voltage drop across the base electrode, and, as a result, the appearance of a negative differential conductivity section on the output current-voltage characteristic of the photodetector (Figure 3).
В экспериментальных образцах предлагаемого двухполюсного позиционно-чувствительного фотодатчика элемент с отрицательной дифференциальной проводимостью реализован на основе комбинации двух транзисторов, соединенных по схеме модуляции тока базы основного транзистора дополнительным полевым транзистором с управляющим p-n-переходом (IEEE Transactions on Circuits and Systems, 1985, №1, p.46-61). При этом затвор полевого транзистора соединен с коллектором биполярного. В качестве биполярного транзистора использован бескорпусной транзистор типа КТ 3129, в качестве полевого - бескорпусной транзистор типа КП 302.In the experimental samples of the proposed bipolar position-sensitive photosensor, an element with negative differential conductivity is implemented based on a combination of two transistors connected by an additional field-effect transistor with a control pn junction using the base transistor base modulation scheme (IEEE Transactions on Circuits and Systems, 1985, No. 1, p. 46-61). In this case, the gate of the field-effect transistor is connected to the bipolar collector. An open-frame transistor of the KT 3129 type was used as a bipolar transistor, and a open-type transistor of the KP 302 type was used as a field-effect transistor.
Протяженная фоточувствительная полупроводниковая структура представляет собой линейную полупроводниковую структуру с габаритными размерами 2×35 мм, с двумя p-n-переходами, реализованными на глубинах 50 и 200 мкм в объеме полупроводника p-типа проводимости с поверхностным сопротивлением 105 Ом/см. Удельное сопротивление n-областей составляет 250 Ом/□. На верхней фоточувствительной поверхности протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры реализованы два металлических электрода (по краям линейной структуры) для подключения источников питания, на противоположной стороне кристалла - третий выходной электрод.An extended photosensitive semiconductor structure is a linear semiconductor structure with overall dimensions of 2 × 35 mm, with two pn junctions implemented at depths of 50 and 200 μm in the volume of a p-type semiconductor with a surface resistance of 10 5 Ω / cm. The resistivity of n-regions is 250 Ohm / □. On the upper photosensitive surface of an extended photosensitive semiconductor structure, two metal electrodes (along the edges of the linear structure) for connecting power sources are realized, on the opposite side of the crystal there is a third output electrode.
Все элементы комбинированного прибора смонтированы в одном корпусе с прозрачным окном для ввода излучения. Габаритные размеры фотоприемника составляют 42×11×5 мм. В качестве источника излучения использован полупроводниковый лазерный ИК-диод мощность. 300 мВт со сфокусированным пучком на поверхности протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры диаметром 1 мм.All elements of the combined device are mounted in one housing with a transparent window for radiation input. The overall dimensions of the photodetector are 42 × 11 × 5 mm. A semiconductor laser IR power diode was used as a radiation source. 300 mW with a focused beam on the surface of an extended photosensitive semiconductor structure with a diameter of 1 mm.
Такой комбинированный прибор при наличии светового пучка на фоточувствительной поверхности протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры имеет выходные N-образные вольт-амперной характеристики, зависящие от координаты светового пучка на поверхности протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры (Фиг.2). Значение тока пика N-характеристики такого прибора также зависит от пространственного расположения светового пучка на поверхности протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры. Полученная в эксперименте зависимость значения тока пика от координаты светового пучка комбинированного позиционно-чувствительного прибора представлена на Фиг.3. При значениях координаты светового пучка ниже 10 мм вольт-амперная характеристика прибора утрачивает участок отрицательной дифференциальной проводимости, что связано с уменьшением напряжения на выходе протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры ниже порога чувствительности прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью. Свыше 25 мм происходило исчезновение участка отрицательной дифференциальной проводимостью из-за смещения напряжения минимума в область напряжений пробоя биполярного транзистора.Such a combined device in the presence of a light beam on the photosensitive surface of an extended photosensitive semiconductor structure has output N-shaped volt-ampere characteristics depending on the coordinate of the light beam on the surface of an extended photosensitive semiconductor structure (Figure 2). The peak current value of the N-characteristic of such a device also depends on the spatial arrangement of the light beam on the surface of an extended photosensitive semiconductor structure. The experimentally obtained dependence of the peak current on the coordinate of the light beam of a combined position-sensitive device is shown in FIG. 3. When the coordinates of the light beam are lower than 10 mm, the current-voltage characteristic of the device loses the area of negative differential conductivity, which is associated with a decrease in the voltage at the output of an extended photosensitive semiconductor structure below the sensitivity threshold of a device with negative differential conductivity. Above 25 mm, the region of negative differential conductivity disappeared due to a shift in the minimum voltage to the breakdown voltage region of the bipolar transistor.
С учетом погрешности измерений, в диапазоне от 15 до 25 мм, полученная характеристика носит линейный характер, что позволяет выполнение с помощью рассмотренного прибора простых преобразований координаты в ток. Наличие участка отрицательной дифференциальной проводимостью на выходной вольт-амперной характеристике обеспечивает работу таких фотодатчиков в ключевых режимах, что позволяет исключить дополнительные схемы управления, снизить массогабаритные показатели электронной аппаратуры и обеспечивает применение таких преобразователей в устройствах управления различными сложными механизмами, а также в системах контроля и безопасности.Taking into account the measurement error, in the range from 15 to 25 mm, the obtained characteristic is linear in nature, which allows simple transformations of the coordinate into current using the device considered. The presence of a negative differential conductivity plot on the output current-voltage characteristic ensures the operation of such photosensors in key modes, which eliminates additional control circuits, reduces the overall dimensions of electronic equipment and ensures the use of such converters in control devices of various complex mechanisms, as well as in control and safety systems .
Рассмотренная комбинация позиционного фотодатчика и элемента с отрицательной дифференциальной проводимостью позволила расширить область фоточувствительности по сравнению с известными приборами минимум в 1,5 раза.The considered combination of a positional photosensor and an element with negative differential conductivity made it possible to expand the photosensitivity region by at least 1.5 times in comparison with known devices.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST
1. В.Ф.Золотарев Безвакуумные аналоги телевизионных трубок. - М.: Энергия. - 1972 - 216 с.1. V.F.Zolotarev Vacuum-free analogs of television tubes. - M .: Energy. - 1972 - 216 p.
2. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений. / Под редакцией Горюнова Н.Н. и Носова Ю.Р. - М.: Сов. Радио, 1968. 300 с.2. Semiconductor diodes. Parameters, measurement methods. / Edited by N. Goryunov and Nosova Yu.R. - M .: Owls. Radio, 1968.300 s.
3. IEEE. Transactions on Circuits and Systems., 1985., №1., p.46-61.3. IEEE. Transactions on Circuits and Systems., 1985., No. 1., P. 46-61.
4. Фотоприемник с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры: Пат. РФ №2309487. Опубл. в Б.И., 2007.4. A photodetector with negative conductivity based on a semiconductor structure: Pat. RF №2309487. Publ. in B.I., 2007.
5. Г.Виглеб. Датчики. Устройство и применение. - М.: Мир, 1989 г.5. G. Wigleb. Sensors Device and application. - M.: Mir, 1989.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010141198/28A RU2445725C1 (en) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | Negative differential conductivity bipolar semiconductor position-sensitive photodetector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010141198/28A RU2445725C1 (en) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | Negative differential conductivity bipolar semiconductor position-sensitive photodetector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2445725C1 true RU2445725C1 (en) | 2012-03-20 |
Family
ID=46030293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010141198/28A RU2445725C1 (en) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | Negative differential conductivity bipolar semiconductor position-sensitive photodetector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2445725C1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2022412C1 (en) * | 1991-12-19 | 1994-10-30 | Сергей Борисович Бакланов | Semiconductor structure base phototriac |
| SU1160899A1 (en) * | 1982-04-05 | 1995-09-27 | Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор" | Device for tracking luminous radiation source |
| RU2050032C1 (en) * | 1992-09-16 | 1995-12-10 | Юрий Алексеевич Евсеев | Photo triac |
| JP2000022133A (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Phototriac |
| RU2309487C2 (en) * | 2005-10-31 | 2007-10-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ульяновский государственный университет | Negative-conductivity photodetector built around semiconductor structure |
-
2010
- 2010-10-07 RU RU2010141198/28A patent/RU2445725C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1160899A1 (en) * | 1982-04-05 | 1995-09-27 | Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор" | Device for tracking luminous radiation source |
| RU2022412C1 (en) * | 1991-12-19 | 1994-10-30 | Сергей Борисович Бакланов | Semiconductor structure base phototriac |
| RU2050032C1 (en) * | 1992-09-16 | 1995-12-10 | Юрий Алексеевич Евсеев | Photo triac |
| JP2000022133A (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Phototriac |
| RU2309487C2 (en) * | 2005-10-31 | 2007-10-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ульяновский государственный университет | Negative-conductivity photodetector built around semiconductor structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liu et al. | A novel photodetector using MOS tunneling structures | |
| US5187380A (en) | Low capacitance X-ray radiation detector | |
| TW202001296A (en) | Avalanche photo-transistor | |
| KR20180028752A (en) | Photo-detector | |
| CN111710688A (en) | Detector pixel unit, image sensor and detection method | |
| Tobe et al. | High‐sensitivity InGaAsP/InP phototransistors | |
| Brunkov et al. | Cooled P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP double heterostructure photodiodes | |
| Hsu et al. | A PMOS tunneling photodetector | |
| RU2445725C1 (en) | Negative differential conductivity bipolar semiconductor position-sensitive photodetector | |
| Lee et al. | Si-based current-density-enhanced light emission and low-operating-voltage light-emitting/receiving designs | |
| US3452206A (en) | Photo-diode and transistor semiconductor radiation detector with the photodiode biased slightly below its breakdown voltage | |
| Rouger et al. | Integrated low power and high bandwidth optical isolator for monolithic power MOSFETs driver | |
| Elliott | Cadmium mercury telluride infrared detectors | |
| Kostov et al. | High-speed bipolar phototransistors in a 180 nm CMOS process | |
| US3986195A (en) | Light responsive field effect transistor having a pair of gate regions | |
| US4567430A (en) | Semiconductor device for automation of integrated photoarray characterization | |
| US3466448A (en) | Double injection photodetector having n+-p-p+ | |
| Perry | Analysis and characterization of the spectral response of CMOS based integrated circuit (IC) photodetectors | |
| Marwick et al. | A UV photodetector with internal gain fabricated in silicon on sapphire CMOS | |
| CN109904271A (en) | Light sensing semiconductor unit and light sensing semiconductor array | |
| JPS6250992B2 (en) | ||
| CN112447875A (en) | Avalanche type photoelectric transistor element and its optical detection method | |
| KR102678796B1 (en) | SINGLE PHOTON DETECTOR, ELECTRONIC DEVICE, AND LiDAR DEVICE | |
| RU2309487C2 (en) | Negative-conductivity photodetector built around semiconductor structure | |
| Estrada et al. | Design considerations for current-assisted photonic demodulator (CAPD) in time-of-flight CMOS image sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191008 |