RU2434078C2 - Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering - Google Patents
Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering Download PDFInfo
- Publication number
- RU2434078C2 RU2434078C2 RU2009143289/02A RU2009143289A RU2434078C2 RU 2434078 C2 RU2434078 C2 RU 2434078C2 RU 2009143289/02 A RU2009143289/02 A RU 2009143289/02A RU 2009143289 A RU2009143289 A RU 2009143289A RU 2434078 C2 RU2434078 C2 RU 2434078C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- atoms
- substrate
- stoichiometric composition
- ion
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии получения тонких пленок, в частности к способу формирования сегнетоэлектрических пленок сложного стехиометрического состава, и может быть использовано для создания многокомпонентных пленочных покрытий с заданным стехиометрическим составом при решении ряда задач нанотехнологии, энергосберегающих технологий, в электронной, атомной и других областях науки и техники.The invention relates to a technology for producing thin films, in particular to a method for forming ferroelectric films of complex stoichiometric composition, and can be used to create multicomponent film coatings with a given stoichiometric composition in solving a number of problems of nanotechnology, energy-saving technologies, in electronic, atomic and other fields of science and technicians.
Известен метод ионно-плазменного осаждения пленок сложных оксидов [Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь. 1982. 73 с.]. Он позволяет контролируемым образом, варьируя технологические параметры процесса, изменять условия осаждения и наносить с высокой скоростью роста пленки с заданным стехиометрическим составом, определяющим электрофизические свойства формируемых тонкопленочных покрытий. Но формирование их стехиометрического состава определяется стехиометрией распыляемой мишени.The known method of ion-plasma deposition of films of complex oxides [Danilin BS, Syrchin V.K. Magnetron Spray Systems. M .: Radio and communication. 1982. 73 p.]. It allows in a controlled manner, varying the technological parameters of the process, to change the deposition conditions and apply with a high film growth rate with a given stoichiometric composition that determines the electrophysical properties of the formed thin-film coatings. But the formation of their stoichiometric composition is determined by the stoichiometry of the sprayed target.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому решению является способ осаждения тонких пленок на основе сложных оксидов [Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат. 1989. 328 с.]. Известный способ заключается в том, что на подложку, расположенную на аноде, методом ионно-плазменного распыления наносят атомы мишени, выполненной из сложных оксидов сегнетоэлектриков. Способ позволяет менять по глубине стехиометрический состав выращиваемых пленок за счет того, что в зону распыления доставляется последовательно ряд мишеней, стехиометрия каждой из которых переносится на подложку с растущим покрытием.The closest in technical essence to the claimed solution is a method of deposition of thin films based on complex oxides [Danilin BS The use of low-temperature plasma for applying thin films. M .: Energoatomizdat. 1989. 328 p.]. The known method consists in the fact that target atoms made of complex oxides of ferroelectrics are deposited by a method of ion-plasma sputtering on a substrate located on the anode. The method allows changing the depth of the stoichiometric composition of the grown films due to the fact that a series of targets are delivered sequentially to the spray zone, the stoichiometry of each of which is transferred to a substrate with a growing coating.
Недостатком известного способа является его ограниченные технологические возможности, позволяющие получать пленки только стехиометрического состава, близкого по величине со стехиометрическим составом распыляемой мишени.The disadvantage of this method is its limited technological capabilities, allowing to obtain films only of stoichiometric composition, close in magnitude to the stoichiometric composition of the sprayed target.
В известном способе в диапазоне малых давлений рабочего газа (~ до 5 Па) граница зоны термализации распыленных атомов Ва и Sr превышает длину пространства дрейфа мишень-подложка. Поэтому в этом диапазоне малых давлений рабочего газа (~ до 5 Па) соотношение потоков распыленных атомов Ba/Sr, достигших поверхности подложки, расположенной в центре магнетронной распылительной системы, соответствует исходной стехиометрии BaxSr1-xTiO3 распыляемой мишени.In the known method, in the range of low pressures of the working gas (~ up to 5 Pa), the boundary of the thermalization zone of atomized Ba and Sr atoms exceeds the length of the target-substrate drift space. Therefore, in this range of low working gas pressures (~ 5 Pa), the ratio of the fluxes of atomized Ba / Sr atoms reaching the surface of the substrate located in the center of the magnetron sputtering system corresponds to the initial stoichiometry of the Ba x Sr 1-x TiO 3 sputtering target.
При увеличении давления рабочего газа соотношение потоков распыленных атомов Ba/Sr, достигших поверхности подложки, расположенной в центре магнетронной распылительной системы, будет изменяться в сторону увеличения поверхностной плотности распыленных атомов Ва. Это обусловлено тем, что длина зоны термализации для распыленных атомов Sr уменьшается значительнее быстрее, чем для более тяжелой компоненты потока распыленных атомов Ва.With increasing working gas pressure, the ratio of the fluxes of atomized Ba / Sr atoms reaching the surface of the substrate located in the center of the magnetron sputtering system will change in the direction of increasing the surface density of atomized Ba atoms. This is due to the fact that the length of the thermalization zone for sputtered Sr atoms decreases much more rapidly than for the heavier component of the flux of sputtered Ba atoms.
Для мишени со стехиометрическим составом Ва0.3Sr0.7TiO3 параметр стехиометрического состава х для подложки, расположенной на аноде на оси магнетронной распылительной системы, может изменяться на небольшую величину в пределах х=0.30-0.42 за счет изменения величины давления рабочего газа от 5 до 100 Па.For a target with a stoichiometric composition of Ba 0.3 Sr 0.7 TiO 3, the stoichiometric parameter x for a substrate located on the anode on the axis of the magnetron sputtering system can vary by a small amount in the range x = 0.30-0.42 due to a change in the pressure of the working gas from 5 to 100 Pa
Задачей, решаемой изобретением, является разработка способа осаждения тонких пленок сегнетоэлектриков на основе сложных оксидов методом ионно-плазменного распыления, позволяющего расширить диапазон отклонения стехиометрического состава получаемых пленок от стехиометрического состава распыляемой мишени.The problem solved by the invention is the development of a method for the deposition of thin films of ferroelectrics based on complex oxides by ion-plasma spraying, which allows to expand the deviation range of the stoichiometric composition of the obtained films from the stoichiometric composition of the sprayed target.
Поставленная задача решается за счет того, что, как и в известном способе, на подложку, расположенную на аноде, методом ионно-плазменного распыления наносят атомы мишени, выполненной из сложных оксидов сегнетоэлектриков. Но, в отличие от известного, в предполагаемом способе подложку размещают в области проекции зоны активного распыления мишени, а между ней и мишенью параллельно оси системы распыления устанавливают цилиндрический экран, выполненный из диэлектрического материала, диаметр которого соизмерим с размерами подложки.The problem is solved due to the fact that, as in the known method, target atoms made of complex oxides of ferroelectrics are deposited by ion-plasma sputtering on a substrate located on the anode. But, unlike the known method, in the proposed method the substrate is placed in the projection region of the active sputtering zone of the target, and a cylindrical screen made of a dielectric material, the diameter of which is comparable with the size of the substrate, is installed between it and the target parallel to the axis of the sputtering system.
Достигаемым техническим результатом является расширение диапазона отклонения стехиометрического состава получаемых пленок от стехиометрического состава распыляемой мишени. При этом стехиометрический состав осаждаемой многокомпонентной пленки может изменяться в широком диапазоне, величина которого, при заданных геометрических параметрах вводимого цилиндрического экрана, определяется давлением рабочего газа.Achievable technical result is the expansion of the deviation range of the stoichiometric composition of the obtained films from the stoichiometric composition of the sprayed target. In this case, the stoichiometric composition of the deposited multicomponent film can vary over a wide range, the value of which, for given geometric parameters of the introduced cylindrical screen, is determined by the pressure of the working gas.
Изобретение базируется на следующих физических явлениях. Анализ процессов рассеяния при столкновении атомных частиц в области давлений, характерных для процесса ионно-плазменного распыления, показывает, что более тяжелые атомы распыляемой мишени, сталкиваясь с атомами рабочего газа (аргон или кислородосодержащая атмосфера), достигают поверхности анода, практически сохраняя направленное движение и энергию, полученные ими в плоскости мишени. Направленные потоки более легких атомов распыляемой мишени достаточно быстро убывают, и их перенос на анод и подложку обеспечивается диффузионными потоками. Величина диффузионных потоков распыленных атомов определяется градиентом плотности термализованных распыленных атомов, граница термализации которых существенным образом зависит как от соотношения масс атомов распыляемой мишени и атомов рабочего газа, так и от начальной энергии распыленных атомов, определяемой энергией связи атомов мишени [Вольпяс В.А., Гольман Е.К., Цукерман М.А. Исследование процессов термализации и диффузии потоков распыленных атомов в газах. // ЖТФ. 1996, Т.66, Вып.4, с.16-23]. Таким образом, подложка в области, противоположной зоне эрозии мишени, в зависимости от состава и давления рабочего газа (которые определяют длину свободного пробега распыленных атомов относительно упругих столкновений), бомбардируется направленным потоком более тяжелых распыленных атомов мишени со средней энергией 2…10 эВ (масштаб энергий связи атомов мишени). Одновременно на эту область подложки диффузионными потоками осуществляется доставка более легких атомов распыляемой мишени с энергией ~0.1 эВ (температура атомной подсистемы газоразрядной плазмы). При этом угловое распределение более легких атомов распыляемой мишени, перешедших в диффузионный режим движения, на расстояниях от мишени, превышающих границу зоны термализации, имеет практически изотропный характер. Это приводит к их интенсивному уходу на стенки камеры распылительной системы и уменьшению их поверхностной плотности на подложке. Таким образом, на подложке, расположенной на аноде непосредственно под зоной активного распыления, соотношение поверхностных плотностей распыленных атомов с различными массами, увеличивается для более тяжелых атомов мишени.The invention is based on the following physical phenomena. An analysis of the scattering processes during the collision of atomic particles in the pressure range characteristic of the ion-plasma sputtering process shows that the heavier atoms of the sputtering target, colliding with the atoms of the working gas (argon or an oxygen-containing atmosphere), reach the anode surface, practically preserving directed motion and energy obtained by them in the plane of the target. The directed flows of lighter atoms of the sputtered target decrease rather quickly, and their transfer to the anode and substrate is provided by diffusion flows. The magnitude of the diffusion fluxes of atomized atoms is determined by the density gradient of thermalized atomized atoms, the thermalization boundary of which substantially depends both on the ratio of the atomic masses of the atomized target and the atoms of the working gas, and on the initial energy of atomized atoms, determined by the binding energy of the target atoms [Volpyas V.A. Golman E.K., Zuckerman M.A. Investigation of the processes of thermalization and diffusion of streams of atomized atoms in gases. // ZhTF. 1996, T.66, Issue 4, p.16-23]. Thus, the substrate in the region opposite the target erosion zone, depending on the composition and pressure of the working gas (which determine the mean free path of atomized atoms relative to elastic collisions), is bombarded with a directed flow of heavier atomized atoms of the target with an average energy of 2 ... 10 eV (scale binding energies of target atoms). At the same time, lighter atoms of the sputtered target with an energy of ~ 0.1 eV (temperature of the atomic subsystem of the gas-discharge plasma) are delivered to this region of the substrate by diffusion flows. In this case, the angular distribution of lighter atoms of the sputtered target, which transferred to the diffusion mode of motion, at distances from the target exceeding the boundary of the thermalization zone, is practically isotropic. This leads to their intensive leaving on the walls of the chamber of the spray system and a decrease in their surface density on the substrate. Thus, on a substrate located on the anode directly below the active sputtering zone, the ratio of the surface densities of atomized atoms with different masses increases for heavier target atoms.
Предлагаемый способ осаждения сегнетоэлектрических пленок на основе сложных оксидов методом ионно-плазменного распыления, позволяющий из одной распыляемой мишени с определенным стехиометрическим составом получать пленки с иным стехиометрическим составом, решается размещением подложки на аноде в области проекции зоны активного распыления мишени, т.е. зоны, в которой распыление мишени происходит наиболее интенсивно, и установкой параллельно оси распылительной системы цилиндрического диэлектрического экрана, имитирующего адсорбирующие стенки камеры распылительной системы, диаметр которого соизмерим с размерами подложки.The proposed method for the deposition of ferroelectric films based on complex oxides by ion-plasma spraying, which allows one to produce films with a different stoichiometric composition from a single sputtered target, is solved by placing the substrate on the anode in the projection area of the target’s active sputtering region, i.e. the zone in which the sputtering of the target occurs most intensively, and by installing parallel to the axis of the spraying system a cylindrical dielectric screen simulating the adsorbing walls of the spraying chamber, the diameter of which is comparable with the dimensions of the substrate.
Сущность изобретения поясняется представленными чертежами:The invention is illustrated by the drawings:
фиг.1 - конструкция магнетронной распылительной системы, позволяющая реализовать заявляемый способ;figure 1 - the design of the magnetron spray system, which allows to implement the inventive method;
фиг.2 - зависимость соотношения потоков распыленных атомов Ba/Sr в сечении поверхности подложки от величины давления рабочего газа (кислорода) при расположении подложки на аноде на оси магнетронной распылительной системы;figure 2 - dependence of the ratio of the fluxes of atomized Ba / Sr atoms in the cross section of the surface of the substrate on the pressure of the working gas (oxygen) when the substrate is located on the anode on the axis of the magnetron sputtering system;
фиг.3 - зависимость соотношения потоков распыленных атомов Ba/Sr в сечении поверхности подложки от величины давления рабочего газа (кислорода) при расположении подложки на аноде в области проекции зоны активного распыления мишени и введении цилиндрического экрана;figure 3 - dependence of the ratio of the fluxes of atomized Ba / Sr atoms in the cross section of the surface of the substrate on the pressure of the working gas (oxygen) when the substrate is located on the anode in the projection area of the active sputtering area of the target and the introduction of a cylindrical screen;
фиг.4 - зависимость стехиометрического состава осаждаемых пленок от величины давления рабочего газа (кислорода) при распылении мишеней со стехиометрическим составом Ва0.3Sr0.7TiO3 и PbZr0.54Ti0.46О3.figure 4 - dependence of the stoichiometric composition of the deposited films on the pressure of the working gas (oxygen) when sputtering targets with a stoichiometric composition of Ba 0.3 Sr 0.7 TiO 3 and PbZr 0.54 Ti 0.46 About 3 .
Рассмотрим пример реализации предлагаемого способа на примере получения пленок BSTO путем ионно-плазменного распыления мишени из сложного оксида со стехиометрическим составом BaxSr1-xTiO3. Для мишени из сложного оксида PZTO со стехиометрическим составом PbZrxTi1-хО3, рассуждения носят аналогичный характер.Consider an example of the implementation of the proposed method on the example of obtaining BSTO films by ion-plasma sputtering of a target from a complex oxide with a stoichiometric composition Ba x Sr 1-x TiO 3 . For a PZTO composite oxide target with a stoichiometric composition of PbZr x Ti 1-x O 3 , the reasoning is similar.
В заявляемом способе подложку из поликора (Al2O3) 3 (фиг.1), радиус которой равен 0,45 см, размещают на аноде 2 в области проекции зоны активного распыления мишени BaxSr1-xTiO3 1, а между ней и мишенью 1 параллельно оси распылительной системы устанавливают цилиндрический экран 4, радиус которого равен 0,5 см, выполненный из диэлектрического материала. Смысл введения в пространство дрейфа мишень-подложка цилиндрического экрана состоит в том, что термализованные в объеме пространства дрейфа распыленные атомы Sr значительно быстрее распыленных атомов Ва переходят в диффузионный режим движения и, в большей степени, осаждаются на стенках цилиндрического экрана. При этом величина более тяжелого компонента мишени - потока распыленных атомов Ва, достигших сечения поверхности подложки, превышает величину потока распыленных атомов Sr. Поэтому в этом диапазоне высоких давлений рабочего газа соотношение потоков распыленных атомов Ba/Sr, достигших сечения подложки, ограниченной размерами цилиндрического экрана, адсорбирующего на своей внутренней поверхности более легкие атомы Sr, может существенно отличается от исходной стехиометрии распыляемой мишени. Это отличие соотношения потоков распыленных атомов Ba/Sr в области подложки, ограниченной размерами цилиндрического экрана, зависит от длины экрана и величины давления рабочего газа.In the inventive method, a substrate of polycor (Al 2 O 3 ) 3 (Fig. 1), the radius of which is 0.45 cm, is placed on the anode 2 in the projection area of the active sputtering zone of the target Ba x Sr 1-x TiO 3 1, and between it and the target 1 parallel to the axis of the spray system set a cylindrical screen 4, the radius of which is 0.5 cm, made of dielectric material. The meaning of introducing a cylindrical screen target-substrate into the drift space is that the atomized Sr atoms thermalized in the volume of the drift space much faster than the atomized Ba atoms go into the diffusion mode of motion and, to a greater extent, are deposited on the walls of the cylindrical screen. In this case, the magnitude of the heavier component of the target — the flux of atomized Ba atoms, reaching the cross section of the substrate surface — exceeds the atomic flux Sr. Therefore, in this range of high working gas pressures, the ratio of the fluxes of atomized Ba / Sr atoms, reaching the cross section of the substrate, limited by the size of the cylindrical screen adsorbing lighter Sr atoms on its inner surface, can significantly differ from the initial stoichiometry of the sprayed target. This difference in the ratio of the fluxes of atomized Ba / Sr atoms in the region of the substrate, limited by the size of the cylindrical screen, depends on the length of the screen and the pressure of the working gas.
Результаты эксперимента сведены в таблицу (фиг.4).The results of the experiment are summarized in table (figure 4).
Для мишени со стехиометрическим составом Ва0.3Zr0.7TiO3 параметр стехиометрического состава х для подложки, расположенной на аноде в области проекции зоны активного распыления мищени, может достигать величины в пределах х=0.30-0.70 за счет изменения величины давления рабочего газа от 10 до 100 Па.For a target with a stoichiometric composition of Ba 0.3 Zr 0.7 TiO 3, the parameter of stoichiometric composition x for a substrate located on the anode in the area of projection of the active spraying zone of the target can reach a value in the range x = 0.30-0.70 due to a change in the pressure of the working gas from 10 to 100 Pa
Сравнительный анализ изменения соотношения потоков распыленных атомов Ba/Sr в сечении поверхности подложки от давления рабочего газа (кислорода) в отсутствие и при введении в пространство дрейфа мишень-подложка цилиндрического экрана представлен на фиг.2 и фиг.3 соответственно.A comparative analysis of the change in the ratio of the fluxes of atomized Ba / Sr atoms in the cross section of the surface of the substrate from the pressure of the working gas (oxygen) in the absence and when the target-substrate of the cylindrical screen is introduced into the drift space is shown in FIG.
Результаты статистического моделирования, подтвержденные результатами экспериментов реализации способа ионно-плазменного осаждения тонких пленок сегнетоэлектриков на основе сложных оксидов, доказывают расширение диапазона отклонения стехиометрического состава получаемых пленок в присутствии экрана от стехиометрического состава используемых мишеней. Как видно из примеров, приведенных в таблице (фиг.4), стехиометрический состав пленок, полученных без экрана, очень близок к стехиометрическому составу используемых мишеней, и незначительно повышается вместе с повышением давления. Например при давлении в 100 Па состав Ва (х) в пленке отличается от состава Ва в мишени на 0,12, в то время как при использовании экрана х изменяется на 0,4. Это очень большое изменение стехиометрического состава по отношению к стехиометрическому составу мишени.The results of statistical modeling, confirmed by the results of experiments implementing the method of ion-plasma deposition of thin films of ferroelectrics based on complex oxides, prove the expansion of the deviation range of the stoichiometric composition of the obtained films in the presence of a screen from the stoichiometric composition of the targets used. As can be seen from the examples shown in the table (figure 4), the stoichiometric composition of the films obtained without a screen is very close to the stoichiometric composition of the targets used, and increases slightly with increasing pressure. For example, at a pressure of 100 Pa, the composition of Ba (x) in the film differs from the composition of Ba in the target by 0.12, while when using the screen, x changes by 0.4. This is a very large change in the stoichiometric composition with respect to the stoichiometric composition of the target.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009143289/02A RU2434078C2 (en) | 2009-11-23 | 2009-11-23 | Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009143289/02A RU2434078C2 (en) | 2009-11-23 | 2009-11-23 | Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009143289A RU2009143289A (en) | 2011-05-27 |
| RU2434078C2 true RU2434078C2 (en) | 2011-11-20 |
Family
ID=44734587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009143289/02A RU2434078C2 (en) | 2009-11-23 | 2009-11-23 | Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2434078C2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2511636C2 (en) * | 2012-05-23 | 2014-04-10 | Учреждение образования "Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины", ул. Советская, 104 | Sol-gel method of forming ferroelectric strontium-bismuth-tantalum oxide film |
| RU2682118C1 (en) * | 2018-04-16 | 2019-03-14 | Андрей Анатольевич Одинец | Solid solutions ferroelectric films production method |
| RU2700901C1 (en) * | 2019-02-07 | 2019-09-23 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | METHOD OF PRODUCING FERROELECTRIC FILMS Βa1-XSrXTiO3 |
-
2009
- 2009-11-23 RU RU2009143289/02A patent/RU2434078C2/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ДАНИЛИН Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. - М.: Энергоатомиздат, 1989, с.328. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2511636C2 (en) * | 2012-05-23 | 2014-04-10 | Учреждение образования "Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины", ул. Советская, 104 | Sol-gel method of forming ferroelectric strontium-bismuth-tantalum oxide film |
| RU2682118C1 (en) * | 2018-04-16 | 2019-03-14 | Андрей Анатольевич Одинец | Solid solutions ferroelectric films production method |
| RU2700901C1 (en) * | 2019-02-07 | 2019-09-23 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | METHOD OF PRODUCING FERROELECTRIC FILMS Βa1-XSrXTiO3 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2009143289A (en) | 2011-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ferreira et al. | CrN thin films deposited by HiPIMS in DOMS mode | |
| Sit et al. | Thin film microstructure control using glancing angle deposition by sputtering | |
| Ensinger | Low energy ion assist during deposition—an effective tool for controlling thin film microstructure | |
| Ehiasarian et al. | Influence of high power impulse magnetron sputtering plasma ionization on the microstructure of TiN thin films | |
| Wallin et al. | Synthesis of α-Al2 O3 thin films using reactive high-power impulse magnetron sputtering | |
| Greczynski et al. | Selection of metal ion irradiation for controlling Ti1− xAlxN alloy growth via hybrid HIPIMS/magnetron co-sputtering | |
| Okamoto et al. | Reactive sputtering characteristics of silicon in an Ar N2 mixture | |
| CN103668099A (en) | Coating system and method for coating substrate in coating system | |
| Packwood et al. | Effects of atomic collisions on the stoichiometry of thin films prepared by pulsed laser deposition | |
| US20100206713A1 (en) | PZT Depositing Using Vapor Deposition | |
| Sønderby et al. | Industrial-scale high power impulse magnetron sputtering of yttria-stabilized zirconia on porous NiO/YSZ fuel cell anodes | |
| RU2434078C2 (en) | Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering | |
| Cemin et al. | Low-energy ion irradiation in HiPIMS to enable anatase TiO2 selective growth | |
| MXPA05005113A (en) | Method for vapor-depositing strip-shaped substrates with a transparent barrier layer made of aluminum oxide. | |
| US20110114474A1 (en) | Method and apparatus for deposition of diffusion thin film | |
| Collado et al. | Temperature dependence of electrical resistivity in oxidized vanadium films grown by the GLAD technique | |
| KR102244994B1 (en) | METHOD FOR DEPOSITING A PIEZOELECTRIC FILM CONTAlNING AlN, AND A PIEZOELECTRIC FILM CONTAlNING AlN | |
| Choi et al. | Surface characterization of PZT thin films obtained at various O2 gas ratios | |
| Cheviot et al. | Monitoring tantalum nitride thin film structure by reactive RF magnetron sputtering: Influence of processing parameters | |
| CN102453880A (en) | Method for improving uniformity of magnetron sputtering thin film | |
| Valente-Feliciano | HIPIMS: A new generation of film deposition techniques for SRF applications | |
| Vargas et al. | On-axis radio frequency magnetron sputtering of stoichiometric BaTiO3 target: Localized re-sputtering and substrate etching during thin film growth | |
| Volpyas et al. | Ion plasma deposition of oxide films with graded-stoichiometry composition: Experiment and simulation | |
| Gutiérrez et al. | Hexagonally-arranged-nanoporous and continuous NiO films with varying electrical conductivity | |
| Rosaz et al. | Development of Nb $ _3 $ Sn coatings by magnetron sputtering for SRF cavities |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20171124 |