RU2009143289A - METHOD FOR DEPOSITION OF THIN FILMS OF FERROELECTRICIANS BASED ON COMPLEX OXIDES BY ION-PLASMA SPRAYING METHOD - Google Patents

METHOD FOR DEPOSITION OF THIN FILMS OF FERROELECTRICIANS BASED ON COMPLEX OXIDES BY ION-PLASMA SPRAYING METHOD Download PDF

Info

Publication number
RU2009143289A
RU2009143289A RU2009143289/02A RU2009143289A RU2009143289A RU 2009143289 A RU2009143289 A RU 2009143289A RU 2009143289/02 A RU2009143289/02 A RU 2009143289/02A RU 2009143289 A RU2009143289 A RU 2009143289A RU 2009143289 A RU2009143289 A RU 2009143289A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
complex oxides
deposition
ion
substrate
target
Prior art date
Application number
RU2009143289/02A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2434078C2 (en
Inventor
Валерий Александрович Вольпяс (RU)
Валерий Александрович Вольпяс
Андрей Борисович Козырев (RU)
Андрей Борисович Козырев
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехни
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехни, Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехни
Priority to RU2009143289/02A priority Critical patent/RU2434078C2/en
Publication of RU2009143289A publication Critical patent/RU2009143289A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2434078C2 publication Critical patent/RU2434078C2/en

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Способ осаждения тонких пленок сегнетоэлектриков на основе сложных оксидов методом ионно-плазменного распыления путем нанесения на подложку, расположенную на аноде, атомов мишени, выполненной из сложных оксидов сегнетоэлектриков, отличающийся тем, что подложку размещают в области проекции зоны активного распыления мишени, а между ней и мишенью параллельно оси системы распыления устанавливают цилиндрический экран, выполненный из диэлектрического материала, диаметр которого соизмерим с размерами подложки. ! 2. Способ получения тонкопленочных структур сложных оксидов по п.1, отличающийся тем, что в качестве сложных оксидов использован оксид BSTO. ! 3. Способ получения тонкопленочных структур сложных оксидов по п.1, отличающийся тем, что в качестве сложных оксидов использован оксид PZTO. 1. The method of deposition of thin films of ferroelectrics based on complex oxides by ion-plasma spraying by applying to a substrate located on the anode, target atoms made of complex oxides of ferroelectrics, characterized in that the substrate is placed in the projection area of the active sputtering area of the target, and between a cylindrical screen made of a dielectric material, the diameter of which is commensurate with the size of the substrate, is mounted with it and the target parallel to the axis of the spraying system. ! 2. A method for producing thin-film structures of complex oxides according to claim 1, characterized in that BSTO oxide is used as complex oxides. ! 3. The method of producing thin-film structures of complex oxides according to claim 1, characterized in that PZTO oxide is used as complex oxides.

Claims (3)

1. Способ осаждения тонких пленок сегнетоэлектриков на основе сложных оксидов методом ионно-плазменного распыления путем нанесения на подложку, расположенную на аноде, атомов мишени, выполненной из сложных оксидов сегнетоэлектриков, отличающийся тем, что подложку размещают в области проекции зоны активного распыления мишени, а между ней и мишенью параллельно оси системы распыления устанавливают цилиндрический экран, выполненный из диэлектрического материала, диаметр которого соизмерим с размерами подложки.1. The method of deposition of thin films of ferroelectrics based on complex oxides by ion-plasma spraying by applying to a substrate located on the anode, target atoms made of complex oxides of ferroelectrics, characterized in that the substrate is placed in the projection area of the active sputtering area of the target, and between a cylindrical screen made of a dielectric material, the diameter of which is commensurate with the size of the substrate, is mounted with it and the target parallel to the axis of the spraying system. 2. Способ получения тонкопленочных структур сложных оксидов по п.1, отличающийся тем, что в качестве сложных оксидов использован оксид BSTO.2. A method for producing thin-film structures of complex oxides according to claim 1, characterized in that BSTO oxide is used as complex oxides. 3. Способ получения тонкопленочных структур сложных оксидов по п.1, отличающийся тем, что в качестве сложных оксидов использован оксид PZTO. 3. The method of producing thin-film structures of complex oxides according to claim 1, characterized in that PZTO oxide is used as complex oxides.
RU2009143289/02A 2009-11-23 2009-11-23 Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering RU2434078C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009143289/02A RU2434078C2 (en) 2009-11-23 2009-11-23 Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009143289/02A RU2434078C2 (en) 2009-11-23 2009-11-23 Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009143289A true RU2009143289A (en) 2011-05-27
RU2434078C2 RU2434078C2 (en) 2011-11-20

Family

ID=44734587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009143289/02A RU2434078C2 (en) 2009-11-23 2009-11-23 Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2434078C2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2511636C2 (en) * 2012-05-23 2014-04-10 Учреждение образования "Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины", ул. Советская, 104 Sol-gel method of forming ferroelectric strontium-bismuth-tantalum oxide film
RU2682118C1 (en) * 2018-04-16 2019-03-14 Андрей Анатольевич Одинец Solid solutions ferroelectric films production method
RU2700901C1 (en) * 2019-02-07 2019-09-23 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) METHOD OF PRODUCING FERROELECTRIC FILMS Βa1-XSrXTiO3

Also Published As

Publication number Publication date
RU2434078C2 (en) 2011-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CL2014002921A1 (en) Plasma treatment system and vacuum coating and surface treatment, comprises a plasma mechanism, a magnetron tasting, an anodes, a remote arc discharge, a cathode cover, an anode cover, a magnetic system, a supply of cathode energy, and an arc discharge power supply; method to coat a substrate.
JP2013229608A5 (en)
RU2009143289A (en) METHOD FOR DEPOSITION OF THIN FILMS OF FERROELECTRICIANS BASED ON COMPLEX OXIDES BY ION-PLASMA SPRAYING METHOD
WO2015025211A3 (en) Film formation system and film formation method for forming metal film
RU2015128877A (en) SOLUTION FOR FORMING A METAL FILM AND METHOD FOR FORMING A METAL FILM
CN103805955B (en) A kind of film coating method sputtering three layer dielectrics for spirally wound
US9773917B2 (en) Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and display device
MX2013012200A (en) High power impulse magnetron sputtering method providing enhanced ionization of the sputtered particles and apparatus for its implementation.
CN106086783B (en) A kind of radical occlusion device and its occlusion method and deposition system
WO2012097024A3 (en) Pvd process with synchronized process parameters and magnet position
EA201692354A1 (en) MATERIAL CONTAINING A FUNCTIONAL LAYER, MANUFACTURED FROM SILVER CRYSTALLIZED ON A LAYER OF NICKEL OXIDE
CN102251218B (en) Film plating apparatus
RU2012140590A (en) METHOD FOR PRODUCING HETEROEPITAXIAL SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON SUBSTRATE
US9328409B2 (en) Coated article, method for making the same and electronic device using the same
RU2013132704A (en) METHOD FOR PRODUCING CARBINE COATINGS
WO2013034411A3 (en) Vacuum coating apparatus
RU2014130048A (en) LOW-TEMPERATURE ION-ARC SPRAYING
RU2015108566A (en) METHOD FOR SPRAYING THIN-FILM COATINGS ON THE SURFACE OF SEMICONDUCTOR HETEROEPITAXIAL STRUCTURES BY MAGNETRON SPRAYING
FR2973799B1 (en) PROCESS FOR OBTAINING A HEXANITROHEXAAZAISOWURTZITANE CRYSTAL CRYSTAL WITH ROUNDED MORPHOLOGY; CHARGE AND ENERGY MATERIAL CORRESPONDING
JP2009074181A (en) Method of producing thin film, and thin film production system
RU2013103137A (en) METHOD FOR PRODUCING FERROELECTRIC CAPACITORS
RU2012105581A (en) METHOD FOR COVERING BY ELECTRON BEAM EVAPORATION IN VACUUM
RU2013133581A (en) METHOD FOR PRODUCING AN INTERMETAL ANTIEMISSION COATING ON GRID ELECTRODES OF GENERATOR LAMPS
CN103094122A (en) Preparation technology of low-pressure ZnO thin film transistor of bottom-gate structure
CN106460148B (en) The method of sedimentary and thus obtained product in through-hole or groove

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20171124