RU2426190C1 - Method of producing nano-sized structures - Google Patents
Method of producing nano-sized structures Download PDFInfo
- Publication number
- RU2426190C1 RU2426190C1 RU2010108074/28A RU2010108074A RU2426190C1 RU 2426190 C1 RU2426190 C1 RU 2426190C1 RU 2010108074/28 A RU2010108074/28 A RU 2010108074/28A RU 2010108074 A RU2010108074 A RU 2010108074A RU 2426190 C1 RU2426190 C1 RU 2426190C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electron beam
- substance
- nano
- nanodispersed
- scanning
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к способам получения наноразмерных структур и может найти применение, в частности, в микроэлектронике, точнее в наноэлектронике, а также при изготовлении модулей памяти со сверхвысокой плотностью записи, наносенсоров, молекулярных сит, игл-зондов сканирующих туннельных микроскопов и т.п.The invention relates to methods for producing nanoscale structures and can find application, in particular, in microelectronics, more precisely in nanoelectronics, as well as in the manufacture of memory modules with ultra-high recording density, nanosensors, molecular sieves, needle probes, scanning tunneling microscopes, etc.
Известен способ манипулирования наноразмерными объектами с помощью лазерного нанопинцета [Ashkin A., Dziedzic J.М. & Yamane Т. Optical trapping and manipulation of single cells using infrared laser beams. Nature 330, 769 (1987)], основанный на захвате и перемещении сфокусированным лазерным лучом дискретных частиц, взвешенных в жидкости либо газе. Известный способ позволяет создавать определенные рисунки из частиц преимущественно размером 100-5000 нм, но создание структур заданной непрерывной объемной формы затруднено помехами, связанными с броуновским движением, при этом для получения чистых образцов из них необходимо удалять жидкость.A known method of manipulating nano-sized objects using laser nanoscale tweezers [Ashkin A., Dziedzic J.M. & Yamane T. Optical trapping and manipulation of single cells using infrared laser beams. Nature 330, 769 (1987)], based on the capture and movement of discrete particles suspended in a liquid or gas by a focused laser beam. The known method allows you to create certain patterns of particles mainly with a size of 100-5000 nm, but the creation of structures of a given continuous volumetric shape is hindered by interference associated with Brownian motion, and in order to obtain clean samples, it is necessary to remove liquid from them.
Известен способ получения наноструктур путем переноса массы с иглы сканирующего туннельного микроскопа [В.Неволин. Зондовые нанотехнологии в электронике. Издание второе, исправленное и добавленное. М.: Техносфера, 2006. - с.72-76], основанный на том, что при приложении достаточно высокого напряжения между иглой-зондом и подложкой с иглы микроскопа на подложку переносятся отдельные атомы. Наноструктуры формируют, сканируя положение иглы и подавая в соответствующие моменты импульсы напряжения на туннельный промежуток, при этом атомы соответствующих элементов могут быть помещены на кончик иглы и с него перенесены в плоскости подложки в нужную точку. Недостатком известного способа является дискретный перенос вещества, что ограничивает возможность создания сплошных объемных наноструктур заданной формы. Кроме того, затруднены непрерывный контроль создаваемого объекта, а также повторная работа с полученным объектом после его выемки из туннельного микроскопа.A known method of producing nanostructures by mass transfer from the needle of a scanning tunneling microscope [V.Nevolin. Probe nanotechnology in electronics. Second edition, revised and added. M .: Technosphere, 2006. - pp. 72-76], based on the fact that when a sufficiently high voltage is applied between the probe needle and the substrate, individual atoms are transferred from the microscope needle to the substrate. Nanostructures are formed by scanning the position of the needle and applying voltage pulses to the tunnel gap at appropriate moments, while the atoms of the corresponding elements can be placed on the tip of the needle and transferred from it to the desired point in the substrate plane. The disadvantage of this method is the discrete transfer of matter, which limits the possibility of creating continuous bulk nanostructures of a given shape. In addition, it is difficult to continuously monitor the created object, as well as re-work with the obtained object after it is removed from the tunneling microscope.
Известен способ получения наноразмерных структур с помощью электронно-лучевой литографии [J.A.Liddle et al. Resist Requirements and Limitations for Nanoscale Electron-Beam Patterning. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 739 (19): 19-30 (2003)] путем модификации поверхности подложки электронным лучом, который сканирует поверхность, повторяя заложенный в управляющий компьютер шаблон с толщиной линии преимущественно 10 нм. Известный способ в основном используют для создания матриц для фотолитографии. Его недостатком является функциональная ограниченность, обусловленная невозможностью перемещения вещества в пространстве, в результате чего способ позволяет создавать только закрепленные на подложке плоские либо рельефные объекты, форма которых определяется используемым шаблоном.A known method for producing nanoscale structures using electron beam lithography [J.A. Liddle et al. Resist Requirements and Limitations for Nanoscale Electron-Beam Patterning. Mat. Res. Soc. Symp Proc. 739 (19): 19-30 (2003)] by modifying the surface of the substrate with an electron beam that scans the surface, repeating the pattern embedded in the control computer with a line thickness of predominantly 10 nm. The known method is mainly used to create matrices for photolithography. Its disadvantage is functional limitation, due to the impossibility of moving the substance in space, as a result of which the method allows you to create only flat or embossed objects fixed on the substrate, the shape of which is determined by the template used.
Наиболее близким к заявляемому способу является метод перьевой нанолитографии [В.В.Старостин. Материалы и методы нанотехнологии. Учебное пособие. Под общ. редакцией Л.Н.Патрикеева. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008, с.393-394], основанный на перемещении нанодисперсного вещества и заключающийся в рисовании на подложке плоских наноструктур коллоидной жидкостью (наночернилами), которую помещают на острие-зонде атомно-силового микроскопа. Ширина наносимых линий в известном способе достигает 1-2 нм.Closest to the claimed method is the method of pen nanolithography [V.V. Starostin. Materials and methods of nanotechnology. Tutorial. Under the total. Edited by L.N. Patrikeev. - M .: BINOM. Laboratory of Knowledge, 2008, pp. 393-394], based on the movement of nanodispersed substances and consisting in drawing on the substrate of flat nanostructures a colloidal liquid (nano-ink), which is placed on the tip of an atomic force microscope. The width of the applied lines in the known method reaches 1-2 nm.
Однако известный метод, в котором происходит осаждение нанодисперсного вещества на подложку, позволяет создавать только объекты, закрепленные на подложке и повторяющие ее рельеф, и не обеспечивает возможности создания свободно размещающихся в пространстве объемных наноразмерных структур (нитей, стержней, мембран и т.п.), предназначенных для использования в функциональных наноустройствах. Кроме того, в методе перьевой нанолитографии затруднен непрерывный контроль и корректировка размеров и формы создаваемого объекта, в том числе толщины рисуемой линии, поскольку для его осуществления необходимо записывать атомно-силовые изображения объекта на отдельных этапах его создания, что требует достаточно продолжительного времени, при этом не всегда возможен возврат в исходную точку создания объекта.However, the known method in which nanodispersed material is deposited on a substrate allows only objects fixed on the substrate and repeating its relief to be created, and does not provide the possibility of creating volumetric nanoscale structures (threads, rods, membranes, etc.) that are freely placed in space intended for use in functional nanodevices. In addition, the method of pen nanolithography makes it difficult to continuously monitor and adjust the size and shape of the created object, including the thickness of the drawn line, since for its implementation it is necessary to record atomic force images of the object at individual stages of its creation, which requires a sufficiently long time, while it is not always possible to return to the starting point of creating the object.
Задачей изобретения является создание способа, обеспечивающего получение объемных наноразмерных структур заданной формы, свободно размещающихся в пространстве.The objective of the invention is to provide a method that provides bulk nanoscale structures of a given shape, freely placed in space.
Технический результат изобретения заключается в обеспечении перемещения исходного нанодисперсного вещества в пространстве с возможностью постоянного контроля и корректировки размеров и формы формируемых наноразмерных структур.The technical result of the invention is to ensure the movement of the initial nanodispersed substance in space with the possibility of constant monitoring and adjusting the size and shape of the formed nanoscale structures.
Указанный технический результат достигается способом формирования наноразмерных структур, включающим перемещение исходного нанодисперсного вещества, в котором в отличие от известного указанное перемещение осуществляют с помощью электронного луча, боковую сторону которого сближают с исходным нанодисперсным веществом на расстояние не более 10 нм, затем электронный луч перемещают по заданной траектории, определяющей форму создаваемой наноразмерной структуры.The indicated technical result is achieved by the method of forming nanoscale structures, including the movement of the initial nanosized substance, in which, in contrast to the known, this movement is carried out using an electron beam, the side of which is brought closer to the original nanosized substance at a distance of not more than 10 nm, then the electron beam is moved at a predetermined trajectory that determines the shape of the created nanoscale structure.
Контроль и корректировка формируемых наноразмерных структур оптимальным образом осуществляются при использовании электронного луча сканирующего электронного микроскопа.The control and adjustment of the formed nanoscale structures is optimally carried out using the electron beam of a scanning electron microscope.
Способ осуществляют следующим образом.The method is as follows.
Образец, содержащий исходное нанодисперсное вещество, размещают на подложке, в качестве которой используют, например, предметную сеточку для просвечивающих электронных микроскопов, кремниевую пластинку и т.п., при этом частицы нанодисперсного вещества либо их агломераты могут находиться вблизи края подложки либо краев отверстий в подложке и частично «свешиваться» с нее. Записывают электронно-микроскопическое изображение образца, например, с помощью сканирующего электронного микроскопа (SEM).A sample containing the initial nanodispersed substance is placed on a substrate, for example, using an object mesh for transmission electron microscopes, a silicon wafer, etc., while the particles of the nanodispersed substance or their agglomerates can be located near the edge of the substrate or the edges of the holes substrate and partially "hang" with it. An electron microscopic image of the sample is recorded, for example, using a scanning electron microscope (SEM).
Не изменяя фокусировки электронного луча, устанавливают его фокус либо область сканирования фокуса вблизи границы нанодисперсного вещества и сближают с ним на расстояние не более 10 нм вплоть до полного соприкосновения боковой стороны электронного луча с указанным веществом, при этом луч располагают нормально к плоскости подложки либо под углом к ней.Without changing the focus of the electron beam, set its focus or focus scan area near the nanodispersed substance border and bring it to a distance of no more than 10 nm until the lateral side of the electron beam is completely in contact with the specified substance, while the beam is placed normally to the substrate plane or at an angle To her.
Сфокусированный электронный луч, а также область сканирования сфокусированного электронного луча притягивают частицы нанодисперсного вещества, которые смещаются по направлению к боковой стороне электронного луча и образуют сплошную объемную полосу. При своем перемещении по заданной траектории сфокусированный электронный луч или область его сканирования увлекают за собой частицы нанодисперсного вещества, которые движутся вслед за боковой стороной электронного луча в области его фокуса и непрерывно заполняют пространство. Таким образом, происходит непрерывное перемещение нанодисперсного вещества в область фокусировки либо в область развертки сфокусированного электронного луча и его непрерывное следование вдоль траектории передвижения электронного луча либо области его сканирования. Установлено, что при сохранении неизменного положения области развертки электронного луча исходное нанодисперсное вещество с течением времени заполняет эту область.The focused electron beam, as well as the scanning area of the focused electron beam, attract particles of nanodispersed matter, which are displaced towards the side of the electron beam and form a continuous volume band. When moving along a given trajectory, a focused electron beam or its scanning region carries particles of nanodispersed matter along with it, which follow the lateral side of the electron beam in the region of its focus and continuously fill the space. Thus, the nanodispersed substance is continuously moving to the focusing region or to the scanning region of the focused electron beam and it is continuously following the path of the electron beam or its scanning region. It has been established that, while maintaining the unchanged position of the scanning region of the electron beam, the initial nanodisperse substance fills this region over time.
Таким образом, с помощью перемещения электронного луча по определенной траектории обеспечивается формирование из исходного нанодисперсного вещества наноразмерных структур заданной формы, которые могут быть сформированы как на подложке, так и в пространстве.Thus, by moving the electron beam along a certain trajectory, the formation of nanosized structures of a given shape, which can be formed both on the substrate and in space, is ensured from the initial nanodispersed substance.
Размеры формируемых наноразмерных структур определяются диаметром перемещаемой в пространстве области сканирования электронного луча либо диаметром электронного луча (в случае отсутствия перемещаемой области сканирования) и их линейными перемещениями. Минимальная толщина формируемых структур достигается при перемещении сфокусированного электронного луча без сканирования области, при этом с уменьшением диаметра электронного луча она уменьшается.The sizes of the formed nanoscale structures are determined by the diameter of the electron-beam scanning region moved in space or the diameter of the electron beam (in the absence of a movable scanning region) and their linear displacements. The minimum thickness of the structures formed is achieved by moving the focused electron beam without scanning the area, while decreasing the diameter of the electron beam.
Предлагаемый способ позволяет остановиться на любом этапе формирования наноразмерной структуры, получить электронно-микроскопическое изображение формируемого образца (которое получается практически мгновенно), затем выбрать дальнейшее направление движения электронного луча, скорректировать толщину создаваемого объекта либо вернуться в исходную точку и провести дополнительное формирование, перемещая луч в другом направлении.The proposed method allows you to stop at any stage of the formation of the nanoscale structure, obtain an electron microscopic image of the formed sample (which is obtained almost instantly), then choose the further direction of the electron beam, adjust the thickness of the created object or return to the starting point and conduct additional formation by moving the beam to another direction.
Примеры конкретного осуществления способаExamples of specific implementation of the method
Формирование наноразмерных структур осуществляли с помощью сканирующего электронного микроскопа (SEM) Hitachi S5500 высокого разрешения, снабженного приставкой для работы в режиме сканирующего просвечивающего микроскопа (STEM) и энергодисперсионным спектрометром (EDS) марки Thermo. Сканирование и запись изображения проводили с помощью микроскопа, перемещение электронного луча по области сканирования выполняли в операционной среде компьютера спектрометра EDS.The nanoscale structures were formed using a Hitachi S5500 high-resolution scanning electron microscope (SEM) equipped with an attachment for working in the scanning transmission microscope (STEM) mode and an Thermo energy dispersive spectrometer (EDS). Scanning and recording of the image was carried out using a microscope; the electron beam was moved over the scanning area in the operating environment of the computer of the EDS spectrometer.
Пример 1Example 1
Образец помещали на стандартную предметную сеточку (фиг.1) для просвечивающих электронных микроскопов, покрытую ячеистым липким углеродным покрытием. Во избежание эффекта «выгорания» подложки под электронным лучом и его возможного вклада в электронно-микроскопическое изображение формируемого объекта электронный луч подводили к частицам вещества, прилипшим к краю ячеек липкого покрытия, под которыми подложка отсутствовала. Индивидуальный рисунок пор липкого покрытия, имеющий место для каждой отдельной сеточки, позволяет отыскать место предыдущих съемок спустя значительный промежуток времени.The sample was placed on a standard subject net (Fig. 1) for transmission electron microscopes coated with a sticky carbon coating. In order to avoid the effect of “burning out” of the substrate under the electron beam and its possible contribution to the electron microscopic image of the formed object, the electron beam was brought to the particles of matter adhering to the edge of the cells of the adhesive coating, under which the substrate was absent. The individual pore pattern of the sticky coating, which takes place for each individual mesh, allows you to find the place of previous surveys after a considerable period of time.
Для формирования наноразмерных структур использовали нанодисперсное вещество, полученное путем совместной деструкции железосодержащих электродов (Fe 95%, С 5%) и политетрафторэтилена (ПТФЭ) в плазме импульсного высоковольтного разряда известным способом (пат. РФ №2341536, опубл. 2008.12.20). По данным рентгенофазового анализа, выполненного на дифрактометре D8 ADVANCE по методу Брег-Брентано с использованием программы поиска EVA с банком порошковых данных PDF-2, полученное вещество представляет собой композит, содержащий FeF3, FeOF, ПТФЭ, фторированный и алифатический углерод.For the formation of nanoscale structures used nanodispersed substance obtained by the joint destruction of iron-containing electrodes (Fe 95%,
На фиг.2 показаны STEM (просвечивающий режим электронного сканирующего микроскопа) изображения исходного нанодисперсного вещества (изображение 1) и конечной сформированной наноструктуры (изображение 5). В ходе перемещения круговых областей сканирования электронного луча были получены промежуточные наноразмерные структуры, показанные на изображениях 2 и 3 (фиг.2). Траектории перемещения области сканирования обозначены светлыми метками, при этом большему диаметру метки соответствует большая по диаметру область сканирования электронного луча. В ходе перемещения электронного луча, сфокусированного в точку, получена структура, показанная на изображении 4 (фиг.2).Figure 2 shows STEM (transmission electron microscope transmission mode) images of the initial nanodispersed substance (image 1) and the final formed nanostructure (image 5). During the movement of the circular scanning areas of the electron beam, intermediate nanoscale structures were obtained, shown in
Проверка стабильности сформированных наноразмерных структур показала, что их форма и размеры с течением времени не изменяются (фиг.3, изображения 1, 2, 3 - сформированная наноразмерная структура, показанная в различном масштабе, изображения 4, 5, 6 - эта же структура спустя 103 часа). Изображения 1, 2, 3, 5 и 6 представляют собой STEM изображения. Изображение 4 записано в режиме отражения сканирующего электронного микроскопа для демонстрации объемности нанодисперсного вещества.Checking the stability of the formed nanoscale structures showed that their shape and size do not change over time (Fig. 3,
Стабильность сформированных структур подтверждается также тем, что спустя некоторое время (103 часа в данном примере) их вещество не взаимодействует с электронным лучом; полученная структура не реагирует изменением своей формы на его перемещение.The stability of the formed structures is also confirmed by the fact that after some time (103 hours in this example) their substance does not interact with the electron beam; the resulting structure does not respond by changing its shape to its movement.
Пример 2Example 2
В условиях примера 1 из упомянутого нанодисперсного вещества была сформирована нанопора диаметром 4 нм, представленная на фиг.4 (изображения 1-6). Траектория передвижения электронного луча отмечена белыми метками. На изображении 1 представлен исходный образец нанодисперсного вещества, на изображениях 5-6 - вид конечной сформированной поры при различном увеличении.Under the conditions of Example 1, a nanopore with a diameter of 4 nm was formed from the nanodispersed substance shown in FIG. 4 (images 1-6). The trajectory of the electron beam is marked with white marks.
Пример 3Example 3
В условиях примера 1 из упомянутого нанодисперсного вещества был сформирован наностержень длиной 42 нм и толщиной 10 нм, представленный на фиг.5 (изображения 6-9). Траектория передвижения электронного луча показана белыми метками. На изображении 6 представлена исходная форма образца нанодисперсного вещества (идентичная представленной на изображении 6, фиг.3), на изображениях 7-9 - сформированный наностержень и его положение на исходном образце.Under the conditions of Example 1, a nanorod 42 nm long and 10 nm thick was formed from the nanodispersed substance shown in Fig. 5 (images 6-9). The trajectory of the electron beam is shown by white marks.
Пример 4Example 4
В условиях примера 1 из нанодисперсного оксида железа Fe2O3, состав которого определен по данным рентгенофазового и энергодисперсионного анализа, сформирована наноразмерная структура, последовательные этапы формирования которой показаны на фиг.6 (изображения 1-16). Траектория перемещения сфокусированного в точку электронного луча обозначена светлыми метками. Конечный вид сформированной в пространстве наноразмерной структуры в различном масштабе показан на изображениях 15 и 16.Under the conditions of Example 1, a nanosized structure is formed from nanodispersed iron oxide Fe 2 O 3 , the composition of which is determined according to the data of x-ray phase and energy dispersive analysis, the successive stages of which are shown in Fig. 6 (images 1-16). The trajectory of the electron beam focused to a point is indicated by light marks. The final view of the nanoscale structure formed in space at different scales is shown in
Пример 5Example 5
Для формирования наноразмерных структур использовали нанодисперсный оксид вольфрама WO3, полученный путем деструкции вольфрамовых электродов в плазме высоковольтного электрического разряда на воздухе и осажденный на кремниевой подложке. Были использованы глобулярные формы этого вещества, представляющие собой ассоциаты наночастиц размерами не более 15 нм (фиг.7, изображение 1).To form nanosized structures, we used nanosized tungsten oxide WO 3 , obtained by the destruction of tungsten electrodes in a plasma of a high voltage electric discharge in air and deposited on a silicon substrate. We used globular forms of this substance, which are associates of nanoparticles with sizes of no more than 15 nm (Fig. 7, image 1).
На фиг.7 (изображения 2-9) показано последовательное формирование наноразмерной структуры при перемещении сфокусированного электронного луча. Траектория передвижения электронного луча отмечена светлыми метками. На изображении 8 показан вид конечной сформированной структуры, находящейся на подложке, на изображении 9 - общий вид образца в области формирования этой наноструктуры.7 (images 2-9) shows the sequential formation of a nanoscale structure when moving a focused electron beam. The trajectory of the electron beam is marked with bright marks. Image 8 shows a view of the final formed structure located on the substrate, image 9 shows a general view of the sample in the region of formation of this nanostructure.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010108074/28A RU2426190C1 (en) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | Method of producing nano-sized structures |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010108074/28A RU2426190C1 (en) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | Method of producing nano-sized structures |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2426190C1 true RU2426190C1 (en) | 2011-08-10 |
Family
ID=44754756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010108074/28A RU2426190C1 (en) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | Method of producing nano-sized structures |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2426190C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112599419A (en) * | 2020-12-16 | 2021-04-02 | 河南大学 | Printing type construction method of micro-nano semiconductor device |
-
2010
- 2010-03-04 RU RU2010108074/28A patent/RU2426190C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| СТАРОСТИН В.В. Материалы и методы нанотехнологии. Учебное пособие/Под общ. редакцией Л.Н.Патрикеева. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008, с.393-394. J.A.Liddle et al. Resist Requirements and Limitations for Nanoscale Electron-Beam Patterning. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 739 (19); 19-30 (2003). НЕВОЛИН В. Зондовые нанотехнологии в электронике. Издание второе, исправленное и добавленное. - М.: Техносфера, 2006. с.72-76. Ashkin A., Dziedzic J.M. & Yamane T. Optical trapping and manipulation of single cells using infrared laser beams. Nature 330, 769 (1987). * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112599419A (en) * | 2020-12-16 | 2021-04-02 | 河南大学 | Printing type construction method of micro-nano semiconductor device |
| CN112599419B (en) * | 2020-12-16 | 2022-10-11 | 河南大学 | Printing type construction method of micro-nano semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mayeen et al. | Morphological characterization of nanomaterials | |
| Engstrom et al. | Additive nanomanufacturing–A review | |
| Kim et al. | Developments in micro/nanoscale fabrication by focused ion beams | |
| KR100679619B1 (en) | A method for fabricating a spm nanoneedle probe and a critical dimension spm nanoneedle probe using ion beam and a spm nanneedle probe and a cd-spm nanoneedle probe thereby | |
| US7818816B1 (en) | Substrate patterning by electron emission-induced displacement | |
| DE102016205941A1 (en) | Apparatus and method for analyzing a defect of a photolithographic mask or wafer | |
| Matsui | Focused-ion-beam deposition for 3-D nanostructure fabrication | |
| DE102018210098B4 (en) | Device and method for examining and/or processing a sample | |
| Huth et al. | Living up to its potential—Direct-write nanofabrication with focused electron beams | |
| JP2005083857A (en) | Nanotube probe and its manufacturing method | |
| Matsui | Three-dimensional nanostructure fabrication by focused ion beam chemical vapor deposition | |
| RU2426190C1 (en) | Method of producing nano-sized structures | |
| Zhang et al. | Accessing crystal–crystal interaction forces with oriented nanocrystal atomic force microscopy probes | |
| US20080061249A1 (en) | High resolution low dose transmission electron microscopy real-time imaging and manipulation of nano-scale objects in the electron beam | |
| JP2017207492A (en) | Removal of debris from high aspect structure | |
| CN106771376B (en) | Method for preparing atomic force microscope needle point | |
| Guo et al. | Growth of ultra-long free-space-nanowire by the real-time feedback control of the scanning speed on focused-ion-beam chemical vapor deposition | |
| Kant et al. | Focused ion beam (FIB) technology for micro-and nanoscale fabrications | |
| US20150059449A1 (en) | New Lithographic Method | |
| KR100736358B1 (en) | Method to assemble nanostructures at the end of scanning probe microscope's probe and scanning probe microscope with the probe | |
| CN206671365U (en) | A kind of sample for being used to prepare atomic-force microscope needle-tip | |
| Pumarol et al. | Controlled deposition of gold nanodots using non-contact atomic force microscopy | |
| Boggild et al. | Customizable nanotweezers for manipulation of free-standing nanostructures | |
| Dollinger et al. | Thin films of size-selected Mo clusters: Growth modes and structures | |
| Jung et al. | Scanning probe lithography for fabrication of Ti metal nanodot arrays |