RU2380664C1 - Device for measuring propagation length of surface electromagnetic waves in infrared band - Google Patents
Device for measuring propagation length of surface electromagnetic waves in infrared band Download PDFInfo
- Publication number
- RU2380664C1 RU2380664C1 RU2008148815/28A RU2008148815A RU2380664C1 RU 2380664 C1 RU2380664 C1 RU 2380664C1 RU 2008148815/28 A RU2008148815/28 A RU 2008148815/28A RU 2008148815 A RU2008148815 A RU 2008148815A RU 2380664 C1 RU2380664 C1 RU 2380664C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sample
- sew
- radiation
- electromagnetic waves
- flat surface
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к бесконтактным исследованиям поверхности металлов и полупроводников оптическими методами, а именно - к определению спектров поглощения как самой поверхности, так и ее переходного слоя путем измерения длины распространения поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ), направляемых этой поверхностью, в инфракрасном диапазоне (ИК) спектра и может найти применение в исследованиях физико-химических процессов на поверхности твердого тела, в ИК-спектроскопии окисных и адсорбированных слоев, в сенсорных устройствах и контрольно-измерительной технике нанотехнологий.The invention relates to non-contact studies of the surface of metals and semiconductors by optical methods, namely, to determine the absorption spectra of both the surface and its transition layer by measuring the propagation length of surface electromagnetic waves (SEWs) directed by this surface in the infrared (IR) spectrum and may find application in studies of physicochemical processes on the surface of a solid body, in IR spectroscopy of oxide and adsorbed layers, in sensor devices and ROLL-measurement technology nanotechnology.
Спектроскопия поверхности твердого тела - одна из основных областей применения ПЭВ [1, 2]. В ИК-диапазоне применяют, главным образом, абсорбционную ПЭВ-спектроскопию, предполагающую измерение длины распространения ПЭВ L, достигающую в этом диапазоне 1000λ (где λ - длина волны излучения, возбуждающего ПЭВ), и которая поэтому может быть измерена непосредственно. Причем так как расстояние взаимодействия излучения с поверхностью в этом методе макроскопическое, то его чувствительность на много превышает чувствительность иных оптических методов контроля поверхности в ИК-диапазоне. Более того, в терагерцовой (ТГц) части ИК-диапазона метод ПЭВ-спектроскопии в настоящее время не имеет альтернативы при исследовании проводящей поверхности ввиду близости коэффициента отражения металлов на этих частотах к 100% [3].Spectroscopy of the surface of a solid is one of the main fields of application of SEW [1, 2]. In the infrared range, mainly PEV absorption spectroscopy is used, which assumes the measurement of the SEW propagation length L, reaching in this range 1000λ (where λ is the wavelength of the radiation exciting the SEW), and which therefore can be measured directly. Moreover, since the distance of interaction of radiation with the surface in this method is macroscopic, its sensitivity is much higher than the sensitivity of other optical methods for monitoring the surface in the infrared range. Moreover, in the terahertz (THz) part of the IR range, the method of SEV spectroscopy currently has no alternative in studying a conductive surface because the reflection coefficient of metals at these frequencies is close to 100% [3].
Известно устройство для измерения длины распространения ПЭВ в ИК-диапазоне, содержащее источник лазерного излучения, твердотельный образец с плоской поверхностью, фиксированный относительно поверхности элемент преобразования объемного излучения (ОИ) в ПЭВ, перемещаемый вдоль трека ПЭВ элемент преобразования ПЭВ в ОИ, фотодетектор, преобразующий ОИ в электрический сигнал, и блок обработки результатов измерений [4]. Основными недостатками такого устройства являются: 1) большая продолжительность измерений, обусловленная необходимостью прецизионного перемещения элемента преобразования (ПЭВ в ОИ) в процессе измерений; 2) низкая точность измерений, что связано с варьированием эффективности преобразования ПЭВ в ОИ при перемещении соответствующего элемента вдоль трека ПЭВ.A device is known for measuring the propagation length of SEWs in the IR range, containing a laser radiation source, a solid-state sample with a flat surface, an element of conversion of volume radiation (OI) to a SEV fixed to the surface, an element of conversion of SEV to OI moved along the SEV track, a photo detector converting OI into an electrical signal, and a unit for processing measurement results [4]. The main disadvantages of such a device are: 1) the long duration of the measurements, due to the need for precision movement of the conversion element (SEW in the OI) in the measurement process; 2) low accuracy of measurements, which is associated with a variation in the efficiency of conversion of SEW into OI when moving the corresponding element along the SEW track.
Известно устройство для определения коэффициента ПЭВ металлическими пленками, содержащее импульсный источник монохроматического излучения, элемент преобразования объемной электромагнитной волны в ПЭВ, прозрачную металлическую пленку, направляющую ПЭВ, снабженную двумя электродами, разнесенными вдоль трека ПЭВ, и имеющую ширину, не превосходящую поперечный размер пучка излучения источника, подложку для пленки, измеритель электрического напряжения, усилитель и источник постоянного тока [5]. Основными недостатками такого устройства являются: 1) ограниченность класса исследуемых образцов (они должны быть прозрачными и шириной, не превосходящей поперечный размер пучка излучения источника); 2) ограниченность разновидностей излучения, возбуждающего ПЭВ (оно должно быть импульсным); 3) необходимость термостатирования источника для стабилизации его параметров.A device is known for determining the coefficient of SEW by metal films, containing a pulsed source of monochromatic radiation, an element for converting a volume electromagnetic wave into a SEW, a transparent metal film guiding the SEW, equipped with two electrodes spaced along the SEW track, and having a width not exceeding the transverse size of the source radiation beam , a substrate for a film, an electric voltage meter, an amplifier, and a direct current source [5]. The main disadvantages of such a device are: 1) the limited class of the studied samples (they should be transparent and not wider than the transverse size of the source radiation beam); 2) the limited variety of radiation that excites SEW (it should be pulsed); 3) the need for temperature control of the source to stabilize its parameters.
Известно устройство для исследования тонких слоев методом абсорбционной ПЭВ-спектроскопии в ТГц области спектра, содержащее источник лазерного излучения, твердотельный образец с плоской поверхностью, объединенные в один элементы преобразования ОИ в ПЭВ и обратно, выполненные в виде прозрачной плоскопараллельной пластины со скошенным торцом, обращенной основанием к образцу, внедренной в поле ПЭВ и расположенной параллельно поверхности образца на расстоянии не меньше 10λ, причем размер пластины в плоскости падения не меньше длины распространения ПЭВ, а также - фотоприемное устройство, выполненое в виде линейки фотодетекторов и размещеное на верхней грани пластины [6]. Основным недостатком такого устройства является искажение результатов измерений вследствие внедрения пластины в поле ПЭВ, что приводит к увеличению потерь энергии ПЭВ на излучение и, как следствие, к уменьшению длины распространению ПЭВ по сравнению с невозмущенной поверхностью образца.A device for the study of thin layers by absorption PEV spectroscopy in the THz spectral region, containing a laser source, a solid-state sample with a flat surface, combined into one element for the conversion of OI into SEW and vice versa, made in the form of a transparent plane-parallel plate with a beveled end facing the base to the sample embedded in the SEW field and located parallel to the surface of the sample at a distance of at least 10λ, and the size of the plate in the plane of incidence is not less than the distribution length elimination of SEW, as well as a photodetector made in the form of a line of photodetectors and placed on the upper edge of the plate [6]. The main disadvantage of such a device is the distortion of the measurement results due to the insertion of the plate into the SEW field, which leads to an increase in the SEW energy loss to radiation and, as a result, to a decrease in the SEW propagation length as compared to the unperturbed sample surface.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является абсорбционный ПЭВ-спектрометр ТГц диапазона, содержащий источник лазерного излучения, фокусирующий объектив, твердотельный образец с плоской поверхностью, элемент преобразования ОИ в ПЭВ в виде непрозрачного экрана, перемещаемого над поверхностью, ограниченную в направлении распространения ПЭВ ребром образца, обеспечивающим трансформацию ПЭВ в ОИ, фотоприемное устройство, преобразующее ОИ в электрический сигнал, и блок обработки результатов измерений [7]. Основными недостатками известного устройства являются: 1) большая продолжительность измерений, обусловленная необходимостью прецизионного перемещения объектива и элемента преобразования (ОИ в ПЭВ) в процессе измерений; 2) низкая точность измерений, что связано с варьированием эффективности преобразования ОИ в ПЭВ при перемещении соответствующего элемента вдоль трека ПЭВ.The closest in technical essence to the claimed device is a THz absorption PEV spectrometer containing a laser source, a focusing lens, a solid-state sample with a flat surface, an element of conversion of optical radiation into a SEW in the form of an opaque screen moving over the surface, limited in the direction of propagation of the SEW edge sample, providing the transformation of the SEW in the OI, a photodetector that converts the OI into an electrical signal, and the processing unit of the measurement results [7]. The main disadvantages of the known device are: 1) the long duration of the measurements, due to the need for precise movement of the lens and the conversion element (OI in SEW) in the measurement process; 2) low measurement accuracy, which is associated with a variation in the conversion efficiency of the OI to SEW when moving the corresponding element along the SEV track.
Техническим результатом, на достижение которого направлено изобретение, является сокращение времени и повышение точности измерений.The technical result to which the invention is directed is to reduce time and improve measurement accuracy.
Сущность изобретения заключается в том, что в устройстве для измерения длины распространения ПЭВ инфракрасного диапазона, содержащем источник лазерного излучения, твердотельный образец с плоской поверхностью, направляющей ПЭВ, элемент преобразования объемного излучения в ПЭВ и фотодетектор, размещенный у края поверхности в плоскости падения излучения и подключенный к измерительному прибору, образец выполнен в виде двух частей, имеющих сопряженные плоские поверхности, лежащие в одной плоскости, элемент преобразования зафиксирован 1 относительно плоской поверхности первой части по ходу излучения, фотодетектор установлен с возможностью передвижения вдоль линии пересечения плоскости падения излучения и плоской поверхности образца, а вторая часть образца является съемной.The essence of the invention lies in the fact that in the device for measuring the propagation length of an infrared SEW containing a laser radiation source, a solid-state sample with a flat surface guiding a SEW, an element for converting volume radiation into a SEW and a photo detector located at the edge of the surface in the plane of radiation incidence and connected to the measuring device, the sample is made in the form of two parts having paired flat surfaces lying in the same plane, the transformation element is fixed 1 about relatively flat surface of the first part along the radiation path, the photodetector is installed with the ability to move along the line of intersection of the plane of incidence of radiation and the flat surface of the sample, and the second part of the sample is removable.
Сокращение времени измерений достигается за счет устранения необходимости прецизионного перемещения элемента преобразования объемной волны в поверхностную вдоль трека ПЭВ в процессе измерений на расстояние, сравнимое с длиной распространения ПЭВ (от нескольких сантиметров до нескольких дециметров, в зависимости от частоты излучения).The reduction of the measurement time is achieved by eliminating the need for precision movement of the element of the conversion of the body wave to surface along the SEW track during the measurement process by a distance comparable to the length of the SEW propagation (from a few centimeters to several decimeters, depending on the radiation frequency).
Повышение точности измерений достигается в результате фиксации элемента преобразования объемной волны в поверхностную относительно образца, что позволяет избежать варьирования эффективности возбуждения ПЭВ в процессе выполнения измерений.Improving the accuracy of measurements is achieved by fixing the element of the conversion of a body wave into a surface wave relative to the sample, which avoids varying the efficiency of excitation of the SEW during the measurement.
На чертеже приведена схема заявляемого устройства, где 1 - источник р-поляризованного монохроматического излучения, 2 - элемент преобразования излучения в ПЭВ, 3 - неподвижная часть образца, 4 - съемная часть образца, 5 - фотодетектор, 6 - измерительный прибор.The drawing shows a diagram of the inventive device, where 1 is the source of p-polarized monochromatic radiation, 2 is the radiation conversion element in the SEW, 3 is the fixed part of the sample, 4 is the removable part of the sample, 5 is a photodetector, 6 is a measuring device.
Заявляемое устройство работает следующим образом. Излучение источника 1 падает на элемент 2 и с некоторой эффективностью преобразуется в ПЭВ, направляемую плоской поверхностью неподвижной части 3 образца. Дойдя до края поверхности части 3 образца, ИК ПЭВ переходит, практически без изменения своей интенсивности, на плоскую поверхность съемной части 4 образца и продолжает распространяться в прежнем направлении до ее края. Дифрагируя на краю части 4 образца, ПЭВ трансформируется в объемную волну, которая поглощается фотодетектором 5. Сигнал, вырабатываемый фотодетектором 5 и пропорциональный интенсивности ПЭВ I2 на краю части 4 образца, регистрируется прибором 6. Затем съемную часть 4 образца изымают из установки, а фотодетектор 5 перемещают к краю части 3 образца и измеряют интенсивность ПЭВ I1 на краю неподвижной части 3 образца. После чего длина распространения ПЭВ L может быть рассчитана по формуле [1, 2]:The inventive device operates as follows. The radiation of source 1 falls on element 2 and, with some efficiency, is converted into a SEW, directed by the flat surface of the stationary part 3 of the sample. Having reached the edge of the surface of part 3 of the sample, the IR SEW passes, almost without changing its intensity, to the flat surface of the removable part 4 of the sample and continues to spread in the same direction to its edge. Diffracting at the edge of part 4 of the sample, the SEW is transformed into a body wave, which is absorbed by the photodetector 5. The signal generated by the photodetector 5 and proportional to the intensity of the SEW I 2 at the edge of part 4 of the sample is recorded by the device 6. Then, the removable part 4 of the sample is removed from the installation, and the photodetector 5 move to the edge of part 3 of the sample and measure the intensity of SEW I 1 at the edge of the stationary part 3 of the sample. After that, the propagation length of the SEW L can be calculated by the formula [1, 2]:
где l - расстояние, пройденное ПЭВ по съемной части 4 образца.where l is the distance traveled by the SEI on the removable part 4 of the sample.
Ключевым моментом функционирования заявляемого устройства является факт перехода ИК ПЭВ с одной плоской проводящей поверхности на другую, сопряженную с первой и расположенную в одной и той же плоскости, практически без потерь. Это явление исследовано в работах [8, 9], где установлено, что в среднем ИК-диапазоне эффективность перехода ПЭВ с одной упомянутой выше металлической поверхности на другую составляет около 99%, а в ТГц области ИК-спектра она практически (в пределах точности измерений) достигает 100% при расстоянии между краями поверхностей до 10λ. Такие зазоры между металлическими изделиями без труда достигаются шлифованием сопрягаемых поверхностей.A key point in the functioning of the claimed device is the fact of the transition of the IR SEW from one flat conductive surface to another, conjugated with the first and located in the same plane, with almost no loss. This phenomenon was studied in [8, 9], where it was found that in the mid-IR range the efficiency of the SEW transition from one metal surface mentioned above to another is about 99%, while in the THz region of the IR spectrum it is practically (within the measurement accuracy ) reaches 100% with a distance between the edges of the surfaces up to 10λ. Such gaps between metal products are easily achieved by grinding the mating surfaces.
В качестве примера применения заявляемого устройства рассмотрим возможность измерения с его помощью длины распространения ПЭВ, генерируемой излучением источника 1 с длиной волны λ=20 мкм на поверхности напыленного алюминия, размещенного в воздухе. В качестве элемента преобразования 2 излучения источника в ПЭВ выберем непрозрачный экран, край которого ориентирован параллельно поверхности неподвижной части 3 образца и расположен на расстоянии 10λ от нее. Размер l съемной части 4 выберем равным 10,0 см. Согласно [3] диэлектрическая проницаемость алюминия на данной λ равна εA1=-17925+i·17845. Тогда показатель поглощения ПЭВ (т.е. мнимая часть показателя преломления ПЭВ) в рассматриваемом примере будет равен 1,4·10-5, что соответствует уменьшению интенсивности ПЭВ на съемной части 3 образца в 2,4 раза. Такое изменение интенсивности ПЭВ может быть надежно зарегистрировано современными фотодетекторами и согласно (1) соответствует длине пробега ПЭВ L, равной 11,4 см. Причем время измерений определяется только временем регистрации сигналов фотодетектором 5 и временем, необходимым для перемещения этого детектора на расстояние l. Погрешность же измерений, обусловленная вариацией эффективности преобразования излучения источника в ПЭВ в процессе измерений, полностью исключена вследствие фиксации элемента преобразования 2 относительно неподвижной части 3 образца.As an example of the application of the inventive device, we consider the possibility of measuring with it the propagation length of the SEW generated by the radiation of source 1 with a wavelength of λ = 20 μm on the surface of the deposited aluminum placed in the air. As an element of transformation 2 of the radiation of the source into the SEW, we will choose an opaque screen, the edge of which is oriented parallel to the surface of the stationary part 3 of the sample and is located at a distance of 10λ from it. The size l of the removable part 4 is chosen equal to 10.0 cm. According to [3], the dielectric constant of aluminum at a given λ is ε A1 = -17925 + i · 17845. Then, the absorption coefficient of the SEW (i.e., the imaginary part of the refractive index of the SEW) in the considered example will be 1.4 · 10 -5 , which corresponds to a 2.4-fold decrease in the SEW intensity on the removable part 3 of the sample. Such a change in the intensity of the SEW can be reliably detected by modern photodetectors and, according to (1), corresponds to the mean free path of the SEW L equal to 11.4 cm. Moreover, the measurement time is determined only by the time of registration of the signals by photodetector 5 and the time required to move this detector to a distance l. The measurement error, due to the variation in the conversion efficiency of the radiation of the source into the SEW during the measurement process, is completely excluded due to the fixation of the conversion element 2 relative to the fixed part 3 of the sample.
Таким образом, по сравнению с прототипом заявляемое устройство позволяет сократить время и повысить точность измерений.Thus, in comparison with the prototype of the claimed device allows to reduce time and improve the accuracy of measurements.
Источники информацииInformation sources
1. Поверхностные поляритоны. Электромагнитные волны на поверхностях и границах раздела сред / Под ред. В.М.Аграновича и Д.Л.Миллса. - М.: Наука, 1985. - 525 с.1. Surface polaritons. Electromagnetic waves on surfaces and media interfaces / Ed. V.M.Agranovich and D.L. Mills. - M .: Nauka, 1985 .-- 525 p.
2. Zhizhin G.N., Yakovlev V.A. Broad-band spectroscopy of surface electromagnetic waves // Physics Reports. - 1990. - v.194. - No.5/6. - p.281-289.2. Zhizhin G.N., Yakovlev V.A. Broad-band spectroscopy of surface electromagnetic waves // Physics Reports. - 1990. - v. 194. - No.5 / 6. - p. 281-289.
3. Ordal M.A., Long L.L., Bell R.J. et al. Optical properties of metals Al, Co, Cu, Au, Fe, Pb, Ni, Pd, Pt, Ag, Ti and W in the infrared and far infrared // Applied Optics. - 1983. - v.22. - No.7. - p.1099-1120.3. Ordal M.A., Long L.L., Bell R.J. et al. Optical properties of metals Al, Co, Cu, Au, Fe, Pb, Ni, Pd, Pt, Ag, Ti and W in the infrared and far infrared // Applied Optics. - 1983 .-- v.22. - No.7. - p.1099-1120.
4. Жижин Г.Н., Москалева M.A., Шомина E.B., Яковлев В.А. Селективное поглощение ПЭВ, распространяющейся по металлу в присутствии тонкой диэлектрической пленки // Письма в ЖЭТФ. - 1976. - т.24. - Вып.4. - с.221-225.4. Zhizhin G.N., Moskaleva M.A., Shomina E.B., Yakovlev V.A. Selective absorption of SEW propagating through a metal in the presence of a thin dielectric film // Letters in JETP. - 1976.- t.24. - Issue 4. - p. 221-225.
5. Большаков М.М., Никитин А.К., Тищенко А.А., Самодуров Ю.И. Устройство для определения коэффициента поглощения поверхностных электромагнитных волн металлическими пленками // Авторское свидетельство СССР №1684634. - Бюл. №38 от 15.10.1991 г.5. Bolshakov MM, Nikitin AK, Tishchenko AA, Samodurov Yu.I. A device for determining the absorption coefficient of surface electromagnetic waves by metal films // USSR Author's Certificate No. 1684634. - Bull. No. 38 dated 10/15/1991
6. Жижин Г.Н., Никитин А.К., Никитин В.В., Чудинова Г.К. Устройство для исследования тонких слоев в терагерцовой области спектра // Заявка на изобретение №2007123801/28(025929) от 27.06.2007 г. - Решение о выдаче патента от 05 июня 2008 г.6. Zhizhin G.N., Nikitin A.K., Nikitin V.V., Chudinova G.K. A device for the study of thin layers in the terahertz region of the spectrum // Application for invention No. 2007123801/28 (025929) dated 06/27/2007 - Decision on the grant of a patent dated June 05, 2008
7. Жижин Г.Н., Никитин А.К., Богомолов Г.Д., Завьялов В.В., Джонг Юнг Ук, Ли Банг Чол, Сеонг Хи Пак, Хек Джин Ча. Поглощение поверхностных плазмонов терагерцового диапазона в структуре "металл-покровный слой-воздух" // Оптика и спектроскопия. - 2006. - Т.100. - №5. - с.798-802 (прототип).7. Zhizhin G.N., Nikitin A.K., Bogomolov G.D., Zavyalov V.V., Jung Young Uk, Lee Bang Chol, Seong Hi Pak, Hyuk Jin Cha. Absorption of surface plasmons of the terahertz range in the structure of a metal-coating layer-air // Optics and Spectroscopy. - 2006. - T.100. - No. 5. - p. 798-802 (prototype).
8. Жижин Г.Н., Москалева М.А., Шомина Е.В., Яковлев В.А. Распространение ПЭВ по металлическим поверхностям // гл.3, с.88 в работе [1].8. Zhizhin G.N., Moskaleva M.A., Shomina E.V., Yakovlev V.A. Distribution of SEW on metal surfaces // Chap. 3, p. 88 in [1].
9. Nazarov М., Coutaz J.-L., Shkurinov A., Garet F. THz surface plasmon jump between two metal edges // Optics Communications, 2007, v.277, p.33-39.9. Nazarov M., Coutaz J.-L., Shkurinov A., Garet F. THz surface plasmon jump between two metal edges // Optics Communications, 2007, v. 277, p. 33-39.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008148815/28A RU2380664C1 (en) | 2008-12-11 | 2008-12-11 | Device for measuring propagation length of surface electromagnetic waves in infrared band |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008148815/28A RU2380664C1 (en) | 2008-12-11 | 2008-12-11 | Device for measuring propagation length of surface electromagnetic waves in infrared band |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2380664C1 true RU2380664C1 (en) | 2010-01-27 |
Family
ID=42122223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008148815/28A RU2380664C1 (en) | 2008-12-11 | 2008-12-11 | Device for measuring propagation length of surface electromagnetic waves in infrared band |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2380664C1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2470269C1 (en) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) | Device to measure length of propagation of monochromatic surface electromagnetic waves of infrared range |
| RU2547164C1 (en) * | 2013-11-29 | 2015-04-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) | Geodetic prism for deflection of beam of monochromatic surface plazmon-polaritons of terahertz range |
| RU2561800C1 (en) * | 2014-05-22 | 2015-09-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) | Method of controlling intensity of infrared surface electromagnetic wave on flat-face structure |
| RU2642912C1 (en) * | 2016-10-13 | 2018-01-29 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр уникального приборостроения Российской академии наук (НТЦ УП РАН) | Method of generating continuous broadband infrared radiation with regulated spectrum |
-
2008
- 2008-12-11 RU RU2008148815/28A patent/RU2380664C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ЖИЖИН Г.Н. и др. Поглощение поверхностных плазмонов терагерцового диапазона в структуре «метал-покровный слой-воздух». Оптика и спектроскопия. 2006, т.100, №5, с.798-802. * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2470269C1 (en) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) | Device to measure length of propagation of monochromatic surface electromagnetic waves of infrared range |
| RU2547164C1 (en) * | 2013-11-29 | 2015-04-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) | Geodetic prism for deflection of beam of monochromatic surface plazmon-polaritons of terahertz range |
| RU2561800C1 (en) * | 2014-05-22 | 2015-09-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) | Method of controlling intensity of infrared surface electromagnetic wave on flat-face structure |
| RU2642912C1 (en) * | 2016-10-13 | 2018-01-29 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр уникального приборостроения Российской академии наук (НТЦ УП РАН) | Method of generating continuous broadband infrared radiation with regulated spectrum |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Koch et al. | Terahertz time-domain spectroscopy | |
| JP5419411B2 (en) | Terahertz wave generator | |
| JP4911606B2 (en) | Total reflection attenuation optical probe and aqueous solution spectrometer using the same | |
| Wesch et al. | A multi-channel THz and infrared spectrometer for femtosecond electron bunch diagnostics by single-shot spectroscopy of coherent radiation | |
| EP2015054B1 (en) | Terahertz Time-Domain Spectroscopy in Attenuated-Total-Reflection | |
| RU2318192C1 (en) | Plasmon-based terahertz-range spectrometer for examination of conductive surface | |
| US20150139856A1 (en) | Optical device and detection device | |
| RU2380664C1 (en) | Device for measuring propagation length of surface electromagnetic waves in infrared band | |
| US20150131092A1 (en) | Optical device and detection apparatus | |
| CN111337445B (en) | Dielectric super surface based on angle scanning enhanced infrared spectrum absorption | |
| Roux et al. | Principles and applications of THz time domain spectroscopy | |
| RU2645008C1 (en) | Device for measuring the length of infrared surface of the electromagnetic wave | |
| RU2380665C1 (en) | Device for determining absorption coefficient of surface electromagnetic waves in infrared band | |
| Shukla et al. | Design and analysis of aluminum-silicon-graphene based plasmonic device for biosensing applications in the optical communication band | |
| EP2372343A1 (en) | Gas sensor, method for optically measuring the presence of a gas using the gas sensor and gas sensing system | |
| RU2512659C2 (en) | Method to measure length of distribution of infra-red superficial plasmons on real surface | |
| RU2573617C1 (en) | Infrared amplitude-phase plasmon spectrometer | |
| JP4031712B2 (en) | Spectroscopic measurement method and spectroscopic measurement apparatus for semiconductor multilayer film | |
| RU2477841C2 (en) | Infrared amplitude-phase plasmon spectrometer | |
| RU2345351C1 (en) | Device for obtaining of absorption spectrums of laminas in terahertz spectrum region | |
| RU2681427C1 (en) | Device for measuring the length of infrared surface of the electromagnetic wave | |
| RU2470269C1 (en) | Device to measure length of propagation of monochromatic surface electromagnetic waves of infrared range | |
| RU2699304C1 (en) | Apparatus for determining the propagation length of a surface electromagnetic wave in the infrared range during a single radiation pulse | |
| RU2411467C1 (en) | Method of converting monochromatic infrared radiation to surface electromagnetic wave | |
| RU2629909C1 (en) | Static device for determining distribution of field intensity of infrared surface electromagnetic wave along its track |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20131212 |