RU2379780C1 - Геттерный элемент - Google Patents

Геттерный элемент Download PDF

Info

Publication number
RU2379780C1
RU2379780C1 RU2008138803/09A RU2008138803A RU2379780C1 RU 2379780 C1 RU2379780 C1 RU 2379780C1 RU 2008138803/09 A RU2008138803/09 A RU 2008138803/09A RU 2008138803 A RU2008138803 A RU 2008138803A RU 2379780 C1 RU2379780 C1 RU 2379780C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
getter
getter element
metal film
vacuum
substance
Prior art date
Application number
RU2008138803/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Михайлович Ефимов (RU)
Валерий Михайлович Ефимов
Дмитрий Георгиевич Есаев (RU)
Дмитрий Георгиевич Есаев
Original Assignee
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук filed Critical Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук
Priority to RU2008138803/09A priority Critical patent/RU2379780C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2379780C1 publication Critical patent/RU2379780C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области вакуумной технологии для поддержания высокого вакуума в различных приборах, в особенности к области вакуумирования полупроводниковых приборов, и может быть использован при разработке конструкций инфракрасных фотоприемников, помещаемых в герметичный вакуумный корпус. Геттерный элемент состоит из пористого геттерирующего вещества, на поверхность которого нанесена несплошная металлическая пленка, причем соседние области отдельных частей несплошной металлической пленки соединены друг с другом хотя бы в одной точке, и с двух противоположных сторон геттерного элемента к крайним областям несплошной металлической пленки выполнены омические контакты. Техническим результатом является то, что одновременно решается проблема защиты поверхности геттерного элемента от выделения частиц, ухудшающих вакуум, и проблема активации геттерного элемента электрическим нагревом. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к области вакуумной технологии для поддержания высокого вакуума в различных приборах, в особенности к области вакуумирования полупроводниковых приборов, и может быть использовано при разработке конструкций инфракрасных фотоприемников, помещаемых в герметичный вакуумный корпус.
Известны устройства - геттеры, геттерные элементы, предназначенные для создания и поддержания высокого вакуума в некоторых ограниченных объемах различных устройств - кинескопов, рентгеновских трубок, криостатов, и т.п., основные функциональные элементы которых должны продолжительное время (до десятка лет) находиться в постоянном вакууме, при этом для того, чтобы геттерный элемент начал выполнять свою функцию, его активируют уже будучи помещенным в вакуумный объем устройства. Активация геттерного вещества осуществляется обычно его нагреванием до определенной температуры каким-либо электрическим нагревательным элементом или, например, лазерным излучением через прозрачное окно вакуумного объема.
Известен геттерный элемент (патент США №5882727), где активный материал в виде пасты (геттерный материал и органика) наносится на плоскую подложку. Активация геттерного элемента, включающего в свой состав элементы органики, приводит к выделению частиц геттерной пасты в весь вакуумируемый объем.
Недостатком геттерного элемента является то, что он не решает одновременно проблемы поддержания высокого вакуума в процессе эксплуатации и проблему активации геттера, так как он выделяет газообразные частицы, ухудшающие вакуум, в большей или в меньшей степени, или при их активации, или в процессе дальнейшей работы.
Известен геттерный элемент (патент США №5929515), в котором нет вредного влияния газообразных выделений на основной действующий элемент устройства, геттерный элемент помещается в небольшой вакуумный объем, расположенный непосредственно над этим элементом устройства, что защищает его от вредных выделений других частей устройства. Но для активации геттера требуется использование лазерного излучения.
Недостатком геттерного элемента является то, что активация его значительно сложнее, чем активация посредством электрического тока, и требует сложного и дорогостоящего оборудования. Кроме того, он не решает одновременно проблемы поддержания высокого вакуума в процессе эксплуатации и проблему активации геттера.
Известен геттерный элемент (Международная заявка №2002/027058) с уменьшенным выделением частиц с его поверхности в процессе работы. Это достигается тем, что геттерный элемент состоит из пористого геттерирующего вещества, на поверхность которого нанесена несплошная металлическая пленка, удерживающая частицы от отрыва с поверхности геттерного элемента.
Недостатком указанного технического решения является то, что в нем не решается вторая проблема - проблема активация геттерного вещества. Этот геттерный элемент взят за прототип.
Техническим результатом изобретения является то, что в нем одновременно решается проблема защиты поверхности геттерного элемента от выделения частиц, ухудшающих вакуум, и проблема его активации электрическим прогревом.
Технический результат достигается тем, что в геттерном элементе, состоящем из пористого геттерирующего вещества, на поверхность которого нанесена несплошная металлическая пленка, соседние области отдельных частей несплошной металлической пленки соединены друг с другом хотя бы в одной точке, и с двух противоположных сторон геттерного элемента к крайним областям несплошной металлической пленки выполнены омические контакты.
В геттерном элементе к омическим контактам прижимом присоединены контактные провода.
При нанесении тонких металлических пленок по технологии, применяемой в полупроводниковой промышленности, например, напылением, возможно выбрать такой диапазон толщин, обычно 0,007-0,1 мкм, когда пленка не является сплошной. Процент площади, покрываемой металлом, зависит от различных технологических параметров, но в, первую очередь, от толщины пленки. Если различные участки металлической пленки имеют между собой электрический контакт, то такая пленка служит одновременно нагревателем для активации геттера. Для этого к тонкой металлической пленке необходимо выполнить омические контакты с двух противоположных сторон геттерного элемента и для осуществления процесса активации пропустить через пленку электрический ток, который нагревает геттерный элемент до нужной температуры, обычно вблизи 350-800°С. После проведения процесса активации геттерный элемент охлаждается. Поскольку металлическая пленка выполняется несплошной, то через участки, не покрытые металлом, происходит поглощение остаточных газов, находящихся в вакуумном объеме. Таким образом, тонкая металлическая пленка одновременно защищает поверхность геттерного элемента от выделения частиц, ухудшающих вакуум, и в то же время служит нагревательным элементом для активации геттерного элемента.
На фигуре 1 показан геттерный элемент в разрезе, а на фигуре 2 показан внешний вид геттерного элемента, где
1 - пористое геттерирующее вещество,
2 - несплошная тонкая металлическая пленка,
3 - первый омический контакт к металлической пленке на одной из сторон геттерного элемента,
4 - второй омический контакт к металлической пленке на противоположной стороне геттерного элемента,
5 - провод для подведения электрического тока к первому омическому контакту,
6 - провод для подведения электрического тока ко второму омическому контакту.
Для реализации данного технического решения предлагается использовать в качестве пористого геттерирующего вещества порошковую смесь титана и ванадия соотношении компонент приблизительно 1:1, которая вначале спрессовывается под давлением 100-500 кг/см2, для получения пластины толщиной 0,5-2 мм и площадью около 1 см2, а затем спекается при температуре 800-1000°С в вакууме или водородсодержащей газовой смеси, например в смеси водорода и азота. На полученную таким образом поверхность геттерного элемента в вакууме наносится тонкая несплошная металлическая пленка толщиной 0,03-0,1 мкм, например, напылением хрома или золота и повторным напылением, через маску на противоположные стороны геттерного элемента наносятся толстые омические контакты (толщиной 0,5-3 мкм), например, из золота. Для активации геттерного элемента к омическим контактам подводится электрический ток, например прижимом токопроводящих проводов.
Геттерный элемент работает следующим образом. Был изготовлен макет предлагаемого устройства и испытана его работа. Макет выполнен из пористого геттерирующего вещества, состоящего из смеси титана и ванадия, в соотношении компонент 1:1. Несплошная металлическая пленка выполнена напылением хрома толщиной 0,035 мкм, причем соседние области отдельных частей несплошной металлической пленки соединены друг с другом хотя бы в одной точке. Размеры геттерного элемента составили 0,1×1×1 см. Омические контакты с противоположных сторон геттерного элемента выполнены также из хрома толщиной 0,2 мкм. Геттерный элемент активировался пропусканием в вакууме через несплошную металлическую пленку тока величиной 0,1 А. Время активации составило при этом 3 часа.

Claims (2)

1. Геттерный элемент, состоящий из пористого геттерирующего вещества, на поверхность которого нанесена несплошная металлическая пленка, отличающийся тем, что соседние области отдельных частей несплошной металлической пленки соединены друг с другом хотя бы в одной точке, и с двух противоположных сторон геттерного элемента к крайним областям несплошной металлической пленки выполнены омические контакты.
2. Геттерный элемент по п.1, отличающийся тем, что к омическим контактам прижимом присоединены контактные провода.
RU2008138803/09A 2008-09-29 2008-09-29 Геттерный элемент RU2379780C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008138803/09A RU2379780C1 (ru) 2008-09-29 2008-09-29 Геттерный элемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008138803/09A RU2379780C1 (ru) 2008-09-29 2008-09-29 Геттерный элемент

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2379780C1 true RU2379780C1 (ru) 2010-01-20

Family

ID=42120981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008138803/09A RU2379780C1 (ru) 2008-09-29 2008-09-29 Геттерный элемент

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2379780C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2775545C1 (ru) * 2021-06-29 2022-07-04 Акционерное общество «Обнинское научно-производственное предприятие «Технология» им. А.Г.Ромашина» Способ обезгаживания и активирования газопоглотителя в рентгеновской трубке и катод рентгеновской трубки для его осуществления

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2775545C1 (ru) * 2021-06-29 2022-07-04 Акционерное общество «Обнинское научно-производственное предприятие «Технология» им. А.Г.Ромашина» Способ обезгаживания и активирования газопоглотителя в рентгеновской трубке и катод рентгеновской трубки для его осуществления

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101273661B (zh) 压力波发生装置及其制造方法
Mourya et al. Development of Pd-Pt functionalized high performance H2 gas sensor based on silicon carbide coated porous silicon for extreme environment applications
Hjalmarsson et al. Electrochemical performance and degradation of (La0. 6Sr0. 4) 0.99 CoO3− δ as porous SOFC-cathode
Chang et al. Bendable polymer electrolyte fuel cell using highly flexible Ag nanowire percolation network current collectors
TWI336899B (ru)
Sim et al. Formation of 3D graphene–Ni foam heterostructures with enhanced performance and durability for bipolar plates in a polymer electrolyte membrane fuel cell
Afshar et al. Indium-tin-oxide single-nanowire gas sensor fabricated via laser writing and subsequent etching
ATE503278T1 (de) Gasdiffusionselektroden und membranelektrodenbaugruppen für protonenaustauschmembran-brennstoffzellen
Feng et al. Nitrogen plasma-implanted titanium as bipolar plates in polymer electrolyte membrane fuel cells
EP2072771A3 (en) Exhaust gas treatment device
EP1950558B1 (en) Gas sensor
JP5470278B2 (ja) 高温型燃料電池積層体用の密封機構
JP3690552B2 (ja) 金属ペーストの焼成方法
CA2917107A1 (en) Method for producing a bipolar plate and bipolar plate for an electrochemical cell
WO2006130739A3 (en) Graphitized carbon coatings for composite electrodes
TW200719778A (en) Circuit connection structure and method of manufacturing the same and semiconductor substrate for circuit connection structure
WO2008038547A1 (fr) Détecteur d'hydrogène
CN106537555A (zh) 薄型基板及其制造方法、以及基板的输送方法
Nandi et al. Outstanding room-temperature hydrogen gas detection by plasma-assisted and graphene-functionalized core–shell assembly of SnO2 nanoburflower
Han et al. A CO gas sensor based on Pt-loaded carbon nanotube sheets
Cha et al. Low‐thermal‐budget doping of 2D materials in ambient air exemplified by synthesis of boron‐doped reduced graphene oxide
JP2003347042A (ja) 有機電子デバイス用の封止膜およびその製造方法
RU2379780C1 (ru) Геттерный элемент
Kim et al. Formation of palladium nano-gap on self-cracked WO3 for hydrogen gas sensors
O'Donnell et al. Manipulating the orientation of an organic adsorbate on silicon: a NEXAFS study of acetophenone on Si (0 0 1)

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130930