RU2375785C1 - Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon - Google Patents
Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon Download PDFInfo
- Publication number
- RU2375785C1 RU2375785C1 RU2008128338/28A RU2008128338A RU2375785C1 RU 2375785 C1 RU2375785 C1 RU 2375785C1 RU 2008128338/28 A RU2008128338/28 A RU 2008128338/28A RU 2008128338 A RU2008128338 A RU 2008128338A RU 2375785 C1 RU2375785 C1 RU 2375785C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tungsten
- silicon
- film
- making
- metal structure
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных схем (ИС): при формировании электродов в транзисторах и обкладок конденсаторов, при формировании контактов и проводящих областей на поверхности кремния, в качестве проводящих, термостабильных и барьерных слоев в системах металлизации. Газофазное химическое осаждение (CVD) вольфрама - основной процесс многоуровневой межконтактной металлизации вследствие хорошей конформности покрытий.The invention relates to semiconductor micro- and nanoelectronics and can be used in the manufacture of integrated circuits (ICs): in the formation of electrodes in transistors and capacitor plates, in the formation of contacts and conductive regions on a silicon surface, as conductive, thermostable and barrier layers in metallization systems . Gas-phase chemical deposition (CVD) of tungsten is the main process of multi-level intercontact metallization due to the good conformity of the coatings.
Известен способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии, включающий нанесение тонкой пленки вольфрама на кремний CVD-методом по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом в реакторе пониженного давления с активацией водорода [Маликов И.В., Плющева С.В., Шаповал С.Ю. «Газофазное осаждение тонких пленок вольфрама с применением ВЧ-активации», Высокочистые вещества, 1991, №4, с.177-182].A known method of manufacturing a thin-film metal structure of tungsten on silicon, comprising applying a thin film of tungsten to silicon by CVD method by the reaction of reduction of tungsten hexafluoride with hydrogen in a low pressure reactor with hydrogen activation [Malikov IV, Plushenko SV, Shapoval S.Yu. . "Gas-phase deposition of thin tungsten films using RF activation", High-purity substances, 1991, No. 4, pp. 177-182].
Однако при всех положительных свойствах вольфрамовой металлизации (вольфрам не подвержен электромиграции, устойчив к термическим воздействиям, отличается высокой термостабильностью, низкой активностью окисления, хорошей проводимостью и др.) пленки вольфрама имеют низкую структурную целостность и часто отслаиваются из-за плохой адгезии вольфрама к кремнию, что затрудняет их практическое использование в технологии ИС.However, for all the positive properties of tungsten metallization (tungsten is not susceptible to electromigration, resistant to thermal effects, is characterized by high thermal stability, low oxidation activity, good conductivity, etc.), tungsten films have low structural integrity and often peel off due to poor adhesion of tungsten to silicon, which complicates their practical use in IP technology.
Известен способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии, принятый за прототип [Handbook of semiconductor manufacturing technology/ ed. Y.Nishi, R.Doering, Marcell Dekker Inc., N.Y., USA, 2000, p.342-345]. Способ включает нанесение тонкой пленки вольфрама методом газофазного химического осаждения по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом в реакторе пониженного давления с активацией водорода на подложку из кремния, покрытую нанометровым подслоем адгезионного промотера. В качестве промотера использовали нитрид титана толщиной 30-50 нм для улучшения адгезии пленки вольфрама к кремнию. Нанесение пленки нитрида титана (TiN) - самостоятельный процесс, который входит как дополнительная стадия в общую технологическую схему и требует дорогостоящего оборудования. Для получения пленок TiN применяют процессы реактивного магнетронного распыления либо с коллимацией, либо с ионизацией распыленных частиц.A known method of manufacturing a thin-film metal structure of tungsten on silicon, adopted as a prototype [Handbook of semiconductor manufacturing technology / ed. Y. Nishi, R.Doering, Marcell Dekker Inc., N.Y., USA, 2000, p. 342-345]. The method includes applying a thin film of tungsten by gas-phase chemical deposition by the reaction of reduction of tungsten hexafluoride with hydrogen in a reduced pressure reactor with hydrogen activation on a silicon substrate coated with a nanometer sublayer of an adhesion promoter. As a promoter, titanium nitride 30–50 nm thick was used to improve the adhesion of the tungsten film to silicon. The deposition of a film of titanium nitride (TiN) is an independent process, which is included as an additional step in the overall technological scheme and requires expensive equipment. To obtain TiN films, reactive magnetron sputtering processes are used either with collimation or with ionization of the sputtered particles.
Однако качество получаемых структур не всегда отвечает требованиям современной техники. Формирование подслоя TiN связано с использованием дополнительных реагентов, что нежелательно в технологии ИС, так как любой реагент - потенциальный источник загрязнений и непредсказуемый источник помех. Помимо TiN, на стадии зародышеобразования дополнительно вводят силан (SiH4), что еще более усложняет технологический процесс.However, the quality of the resulting structures does not always meet the requirements of modern technology. The formation of the TiN sublayer is associated with the use of additional reagents, which is undesirable in IP technology, since any reagent is a potential source of pollution and an unpredictable source of interference. In addition to TiN, silane (SiH 4 ) is additionally introduced at the nucleation stage, which further complicates the process.
Представленное изобретение решает задачу улучшения качества получаемой металлической структуры вольфрама на кремнии с одновременным упрощением технологического процесса.The presented invention solves the problem of improving the quality of the obtained metal structure of tungsten on silicon while simplifying the process.
Технический эффект при этом заключается в получении целостностных и стабильных гетероструктур благодаря формированию нанометрового подслоя силицида вольфрама (W5Si3) высокой плотности. Кроме того, происходит упрощение технологического процесса за счет совмещения в одном процессе стадий получения подслоя промотера и пленки вольфрама.The technical effect in this case is to obtain integrity and stable heterostructures due to the formation of a nanometer sublayer of high density tungsten silicide (W 5 Si 3 ). In addition, the process is simplified by combining in one process the stages of obtaining the promoter sublayer and the tungsten film.
Поставленная задача достигается способом изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии, включающим создание нанометрового подслоя адгезионного промотера с последующим нанесением тонкой пленки вольфрама методом газофазного химического осаждения по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом на подложку из кремния при пониженном давлении. Новизна способа заключается в том, что в качестве адгезионного промотера используют силицид вольфрама W5Si3.The task is achieved by a method of manufacturing a thin-film metal structure of tungsten on silicon, including the creation of a nanometer sublayer of an adhesion promoter followed by applying a thin film of tungsten by gas-phase chemical deposition by the reaction of reduction of tungsten hexafluoride with hydrogen on a silicon substrate under reduced pressure. The novelty of the method lies in the fact that tungsten silicide W 5 Si 3 is used as an adhesion promoter.
Силицид W5Si3 имеет структурное соответствие как к вольфраму, так и к кремнию, отличается высоким совершенством границы раздела пленка-подложка, что делает его хорошим адгезионным промотером вольфрама к кремнию. Кроме того, плотная структура силицида W5Si3 препятствует образованию других силицидов с более высоким содержанием кремния и более низкой проводимостью.The silicide W 5 Si 3 has a structural correspondence to both tungsten and silicon; it has a high perfection of the film-substrate interface, which makes it a good adhesive promoter of tungsten to silicon. In addition, the dense structure of the silicide W 5 Si 3 prevents the formation of other silicides with a higher silicon content and lower conductivity.
Подслой силицида вольфрама W5Si3 может быть получен любыми способами.The tungsten silicide sublayer W 5 Si 3 can be obtained by any means.
Наиболее технологично создание подслоя силицида вольфрама проводить обработкой кремниевой подложки перед нанесением пленки вольфрама парами гексафторида вольфрама в том же реакторе при температуре 100-200°С в течение 10-20 минут. В этих условиях образуется тонкий поверхностный слой активного кремния и благоприятное соотношение вольфрама к кремнию приводит к формированию стабильной плотной силицидной пленки постоянного состава W5Si3, которая является диффузионным барьером, как для гексафторида вольфрама, так и для кремния, что и приводит к прекращению реакции силицирования. В результате создается самоограниченный слой силицида W5Si3 толщиной ~20 нм с высокой проводимостью, который обеспечивает хорошую адгезию вольфрама.The most technologically advanced creation of a tungsten silicide sublayer is carried out by treating the silicon substrate before applying the tungsten film in pairs of tungsten hexafluoride in the same reactor at a temperature of 100-200 ° C for 10-20 minutes. Under these conditions, a thin surface layer of active silicon is formed and a favorable ratio of tungsten to silicon leads to the formation of a stable dense silicide film of constant composition W 5 Si 3 , which is a diffusion barrier for both tungsten hexafluoride and silicon, which leads to termination of the reaction siliconizing. As a result, a self-limited layer of W 5 Si 3 silicide with a thickness of ~ 20 nm with a high conductivity is created, which ensures good adhesion of tungsten.
Оптимальный вариант CVD-процесса - газофазное осаждение вольфрама по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом с использованием ВЧ-активированного водорода при температурах от 200°С и более.The best option for the CVD process is the gas-phase deposition of tungsten by the reaction of reduction of tungsten hexafluoride with hydrogen using RF-activated hydrogen at temperatures from 200 ° C and more.
Использование ВЧ-активированного водорода в процессе газофазного химического осаждения позволяет снижать температуру процесса до комнатной. Снижение температуры важное условие при формировании контактов к полупроводниковым слоям, особенно при переходе на наноуровни. Однако при таких условиях качественные пленки могут быть получены только при температурах более 200°С.The use of RF-activated hydrogen in the process of gas-phase chemical deposition can reduce the process temperature to room temperature. A decrease in temperature is an important condition for the formation of contacts to semiconductor layers, especially when switching to nanoscale levels. However, under such conditions, high-quality films can be obtained only at temperatures above 200 ° C.
По предложенной технологии получены тонкие пленки вольфрама толщиной порядка 100 нм и удельным сопротивлением 8×10-6 Ом×см, близким к сопротивлению объемного металла.Using the proposed technology, thin films of tungsten with a thickness of about 100 nm and a specific resistance of 8 × 10 -6 Ohm × cm close to the resistance of bulk metal were obtained.
На чертеже представлен общий вид установки для изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии.The drawing shows a General view of the installation for the manufacture of thin-film metal structure of tungsten on silicon.
Установка состоит из следующих основных частей: кварцевый реактор 1, печь сопротивления 2 с контролируемым нагревом и точным поддержанием температуры с помощью ВРТ, кремниевые пластины 3, система вакуумирования 4, включающая азотные ловушки, форвакуумный насос и насос типа "Ruts" с приборами контроля вакуума «ВТ-2А» и «ВДГ-1», источник гексафторида вольфрама 5 с вентилем точной регулировки и датчиком давления, система подачи и очистки водорода 6 с установкой «Палладий 0,5» для очистки водорода за счет фильтрации через палладиевые фильтры, индуктор ВЧ-генератора 7 с частотой 13,56 МГц и мощностью до 500 Вт для возбуждения плазмы, датчик давления 8 для контроля давления парогазовой смеси в реакторе, система загрузки 9.The installation consists of the following main parts: a
В качестве источника вольфрама использовали чистый гексафторид вольфрама, соответствующий ТУ 6-02-18-137-87.Pure tungsten hexafluoride corresponding to TU 6-02-18-137-87 was used as a source of tungsten.
В качестве подложек использовали пластины высокоомного кремния с ориентацией <100>.High-resistance silicon wafers with an orientation of <100> were used as substrates.
Предварительно подложку из кремния обрабатывали парами гексафторида вольфрама в течение 10-20 минут при температуре 100-200°С.The silicon substrate was pretreated with vapors of tungsten hexafluoride for 10–20 minutes at a temperature of 100–200 ° C.
Осаждения вольфрама проводили при пониженном давлении, варьируя температуру от 200 до 500°С в зависимости от типа CVD-процесса. В обычном режиме CVD-процесс протекает при температурах выше 350°С. Для снижения температуры осаждения пленок вольфрама использовали активацию водорода, что позволяет получать качественные пленки при температурах более 200°С.Tungsten deposition was carried out under reduced pressure, varying the temperature from 200 to 500 ° C, depending on the type of CVD process. In normal mode, the CVD process proceeds at temperatures above 350 ° C. To reduce the deposition temperature of tungsten films, hydrogen activation was used, which allows one to obtain high-quality films at temperatures above 200 ° C.
Более высокие температуры процесса нежелательны в технологии формирования интегральных схем, так как приводят к дополнительным плохо контролируемым источникам структурных нарушенийHigher process temperatures are undesirable in the technology of forming integrated circuits, as they lead to additional poorly controlled sources of structural disturbances
Измерение толщины пленок проводили на профилометре Talystep. Электросопротивление пленок измеряли четырехзондовым контактным методом.The film thickness was measured on a Talystep profilometer. The electrical resistance of the films was measured by the four-probe contact method.
Изучение химических взаимодействий поверхностных слоев подложки кремния с пленкой вольфрама проводили методом тонкопленочной рентгеновской дифрактометрии.The chemical interactions of the surface layers of a silicon substrate with a tungsten film were studied by thin-film X-ray diffractometry.
Состояние поверхности образца контролировали с помощью атомно-силовой микроскопии (атомно-силовой микроскоп АСМ Р-04).The surface state of the sample was monitored using atomic force microscopy (atomic force microscope AFM R-04).
К тому же визуально контролировали наличие видимых дефектов и нарушение целостности покрытия.In addition, the presence of visible defects and violation of the integrity of the coating were visually monitored.
Приведенные примеры подтверждают, но не ограничивают предлагаемое изобретение.The above examples confirm, but do not limit the invention.
Пример 1.Example 1
Получение тонких пленок вольфрама восстановлением его гексафторида водородом проводили в установке, представленной на чертеже.Obtaining thin films of tungsten by reducing its hexafluoride with hydrogen was carried out in the installation shown in the drawing.
В кварцевый реактор (1) помещали пьедестал с кремниевыми пластинами (3) площадью 1.5×1.5 см2. Максимальное количество одновременно обрабатываемых кремниевых пластин 10 штук. С помощью системы вакуумирования (4) доводили давление до 0.13 Па. Открывали вентиль подачи WF6 (5) и создавали давление в реакторе 10 Па. Перед проведением CVD-процесса до начала осаждения вольфрамовой пленки кремниевую подложку обрабатывали парами гексафторида вольфрама, подаваемого из системы (5) в течение 15 минут при температуре 200°С, поддерживаемой высокоточным регулятором температуры (2). При этом образуется активный слой кремния. Что и приводит к образованию силицида вольфрама W5Si3 высокой плотности (14.523 г/см3). Этот силицид является барьером для дальнейшего проникновения гексафторида вольфрама, и реакция силицирования прекращается и образуется самоограниченный подслой силицида W5Si3 толщиной ~20 нм.A pedestal with silicon wafers (3) with an area of 1.5 × 1.5 cm 2 was placed in a quartz reactor (1). The maximum number of simultaneously processed silicon wafers is 10 pieces. Using a vacuum system (4), the pressure was adjusted to 0.13 Pa. The supply valve WF 6 (5) was opened and the pressure in the reactor was 10 Pa. Before carrying out the CVD process, before the deposition of the tungsten film, the silicon substrate was treated with vapors of tungsten hexafluoride supplied from the system (5) for 15 minutes at a temperature of 200 ° C, supported by a high-precision temperature controller (2). In this case, an active silicon layer is formed. Which leads to the formation of high density tungsten silicide W 5 Si 3 (14.523 g / cm 3 ). This silicide is a barrier to further penetration of tungsten hexafluoride, and the silicification reaction is terminated and a self-limited sublayer of W 5 Si 3 silicide ~ 20 nm thick is formed.
Далее проводили газофазное осаждение пленки вольфрама. В реактор (1) из системы (6) подавали водород, который проходил очистку через палладиевые фильтры. Общее давление в реакторе доводили до 53.2 Па. Температура проведения процесса составила 400°С. Длительность процесса осаждения определялась требуемой толщиной наращиваемой пленки вольфрама.Next, gas-phase deposition of a tungsten film was carried out. Hydrogen was fed into the reactor (1) from system (6), which was purified through palladium filters. The total pressure in the reactor was adjusted to 53.2 Pa. The temperature of the process was 400 ° C. The duration of the deposition process was determined by the required thickness of the stacked tungsten film.
Удельное сопротивление полученных пленок вольфрама толщиной 150 нм более приближалось к сопротивлению объемного металла и составляло 8×10-6 Ом·см.The specific resistance of the obtained tungsten films with a thickness of 150 nm was closer to the resistance of the bulk metal and amounted to 8 × 10 -6 Ohm · cm.
Визуальный контроль с помощью микроскопа показал отсутствие нарушения целостности покрытия и видимых дефектов.Visual inspection using a microscope showed no violation of the integrity of the coating and visible defects.
Атомно-микроскопические измерения показали равномерность покрытия по всей поверхности подложки. Пленка сплошная, а средняя шероховатость при толщине пленки 100 нм была на уровне 8-12 нм.Atomic microscopic measurements showed uniformity of coating over the entire surface of the substrate. The film is continuous, and the average roughness at a film thickness of 100 nm was at the level of 8-12 nm.
Пример 2. То же, что в примере 1, только газофазное осаждение вольфрама по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом проводили с использованием ВЧ-активированного водорода. При этом температура газофазного осаждения вольфрама составляла 100°С.Example 2. The same as in example 1, only the gas-phase deposition of tungsten by the reaction of reduction of tungsten hexafluoride with hydrogen was carried out using RF-activated hydrogen. The temperature of the gas-phase deposition of tungsten was 100 ° C.
Полученные пленки вольфрама при той же толщине покрытия (150 нм)имели более высокое удельное сопротивление 62×10-6 Ом·см, что делает их непригодными для решения поставленной задачи.The obtained tungsten films with the same coating thickness (150 nm) had a higher resistivity of 62 × 10 -6 Ohm · cm, which makes them unsuitable for solving the problem.
Пример 3. То же, что в примере 2, только газофазное осаждение вольфрама по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом с использованием ВЧ-активированного водорода проводили при температуре 200°С.Example 3. The same as in example 2, only gas-phase deposition of tungsten by the reaction of reduction of tungsten hexafluoride with hydrogen using RF-activated hydrogen was carried out at a temperature of 200 ° C.
Удельное сопротивление полученных пленок вольфрама толщиной 150 нм приближалось к сопротивлению объемного металла и снизилось до величины 11×10-6 Ом·см.The specific resistance of the obtained tungsten films with a thickness of 150 nm approached the resistance of the bulk metal and decreased to 11 × 10 -6 Ohm · cm.
Визуальный контроль с помощью микроскопа показал отсутствие нарушения целостности покрытия и видимых дефектов.Visual inspection using a microscope showed the absence of a violation of the integrity of the coating and visible defects.
Атомно-микроскопические измерения показали равномерность покрытия по всей поверхности подложки, средняя шероховатость при толщине пленки 150 нм была на уровне 8-12 нм.Atomic microscopic measurements showed uniformity of coating over the entire surface of the substrate, the average roughness at a film thickness of 150 nm was at the level of 8-12 nm.
Таким образом, использование ВЧ-активированного водорода позволило снизить температуру CVD-процесса на 200°С.Thus, the use of RF-activated hydrogen allowed us to reduce the temperature of the CVD process by 200 ° C.
Как следует из сказанного выше, предлагаемое изобретение позволяет создавать нанометровый подслой адгезионного промотера силицида вольфрама состава W5Si3 высокой плотности 14.523 г/см3, в то время как плотность адгезионного промотера в прототипе TiN 5.44 г/см3. Что, в свою очередь, позволяет получать тонкопленочную стабильную металлическую структуру вольфрама на кремнии с высокой проводимостью, хорошей адгезией и структурной целостностью, хорошей отражательной способностью и термостабильностью. Удельное сопротивление полученных тонких пленок вольфрама приблизилось к сопротивлению объемного металла (5,5×10-6 Ом·см) и составляло 8×10-6 Ом·см.As follows from the above, the present invention allows to create a nanometer sublayer of the adhesive promoter of tungsten silicide of composition W 5 Si 3 high density 14.523 g / cm 3 while the density of the adhesive promoter in the prototype TiN 5.44 g / cm 3 . This, in turn, allows one to obtain a thin-film stable metal structure of tungsten on silicon with high conductivity, good adhesion and structural integrity, good reflectivity and thermal stability. The specific resistance of the obtained thin tungsten films approached the resistance of the bulk metal (5.5 × 10 -6 Ohm · cm) and amounted to 8 × 10 -6 Ohm · cm.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008128338/28A RU2375785C1 (en) | 2008-07-14 | 2008-07-14 | Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008128338/28A RU2375785C1 (en) | 2008-07-14 | 2008-07-14 | Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2375785C1 true RU2375785C1 (en) | 2009-12-10 |
Family
ID=41489749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008128338/28A RU2375785C1 (en) | 2008-07-14 | 2008-07-14 | Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2375785C1 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2610055C1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-02-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВО Чеченский государственный университет) | Method for semiconducting device manufacture |
| RU2629190C2 (en) * | 2015-09-07 | 2017-08-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Electrochemical manufacture method of tungsten silicide powder |
| RU2672675C2 (en) * | 2013-10-16 | 2018-11-19 | Сучжоу Ханс Энерджи Сторидж Текнолоджи Ко., Лтд. | Tungsten-based material, super battery and supercapacitor |
| RU2757177C1 (en) * | 2021-02-15 | 2021-10-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Method for manufacturing silicide contacts from tungsten |
| RU2767482C1 (en) * | 2021-06-17 | 2022-03-17 | Общество с ограниченной ответственностью "Пилингтон Гласс" | Method for manufacturing a chemically and thermally stable metal absorbing structure of tungsten on a silicate substrate |
-
2008
- 2008-07-14 RU RU2008128338/28A patent/RU2375785C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Handbook of semiconductor manufacturing technology. Y.Nishi, R.Doering, Marcell Dekker Inc., N.Y., USA, 2000, p.342-345. Маликов И.В. и др. Газофазное осаждение тонких пленок вольфрама с применением ВЧ-активации», Высокочистые вещества, 1991, №4, с.177-182. * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2672675C2 (en) * | 2013-10-16 | 2018-11-19 | Сучжоу Ханс Энерджи Сторидж Текнолоджи Ко., Лтд. | Tungsten-based material, super battery and supercapacitor |
| RU2629190C2 (en) * | 2015-09-07 | 2017-08-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Electrochemical manufacture method of tungsten silicide powder |
| RU2610055C1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-02-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВО Чеченский государственный университет) | Method for semiconducting device manufacture |
| RU2757177C1 (en) * | 2021-02-15 | 2021-10-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Method for manufacturing silicide contacts from tungsten |
| RU2767482C1 (en) * | 2021-06-17 | 2022-03-17 | Общество с ограниченной ответственностью "Пилингтон Гласс" | Method for manufacturing a chemically and thermally stable metal absorbing structure of tungsten on a silicate substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0174543B1 (en) | Process for deposition of a tungsten layer on a semiconductor wafer | |
| US7074719B2 (en) | ALD deposition of ruthenium | |
| Kim | The application of atomic layer deposition for metallization of 65 nm and beyond | |
| US5780360A (en) | Purge in silicide deposition processes dichlorosilane | |
| Ha et al. | Influence of oxidant source on the property of atomic layer deposited Al2O3 on hydrogen-terminated Si substrate | |
| KR20010078215A (en) | Plasma treatment of a titanium nitride film formed by chemical vapor deposition | |
| RU2375785C1 (en) | Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon | |
| JPH05211127A (en) | Method for plasma-reinforced chemical vapor growth | |
| Xie et al. | Ru thin film grown on TaN by plasma enhanced atomic layer deposition | |
| US5672385A (en) | Titanium nitride film-MOCVD method incorporating use of tetrakisdialkylaminotitanium as a source gas | |
| Kim et al. | Comparison study for TiN films deposited from different method: chemical vapor deposition and atomic layer deposition | |
| Yang et al. | Low-resistivity α-phase tungsten films grown by hot-wire assisted atomic layer deposition in high-aspect-ratio structures | |
| Aithal et al. | Electroless copper deposition on silicon with titanium seed layer | |
| KR0179797B1 (en) | Method of forming cu thin film with bias voltage supplied | |
| US20050250341A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| JPH06283453A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| Chang et al. | Nitridation of fine grain chemical vapor deposited tungsten film as diffusion barrier for aluminum metallization | |
| KR100200911B1 (en) | Process and apparatus for producing conductive layers or structures for circuits integrated on the very largest scale | |
| Majumder et al. | Thermal stability of Ti/Mo and Ti/MoN nanostructures for barrier applications in Cu interconnects | |
| JP2002517084A (en) | Resistor having low temperature coefficient of resistance and method of manufacturing the same | |
| JP4640281B2 (en) | Barrier metal layer and method for forming the same | |
| JP3194256B2 (en) | Film growth method and film growth apparatus | |
| Liu et al. | Effects of amino-terminated self-assembled monolayers on nucleation and growth of chemical vapor-deposited copper films | |
| JP3988256B2 (en) | Deposition method | |
| Park et al. | Transformer coupled plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition of ta (Si) N thin films and their cu diffusion barrier properties |