RU2347190C1 - Micromechanical gyroscope - Google Patents
Micromechanical gyroscope Download PDFInfo
- Publication number
- RU2347190C1 RU2347190C1 RU2007128020/28A RU2007128020A RU2347190C1 RU 2347190 C1 RU2347190 C1 RU 2347190C1 RU 2007128020/28 A RU2007128020/28 A RU 2007128020/28A RU 2007128020 A RU2007128020 A RU 2007128020A RU 2347190 C1 RU2347190 C1 RU 2347190C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- electrodes
- cover
- mmg
- base
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Gyroscopes (AREA)
Abstract
Description
Предлагаемое устройство относится к приборам, измеряющим угловую скорость, в частности к микромеханическим гироскопам (ММГ) вибрационного типа.The proposed device relates to devices that measure angular velocity, in particular to micromechanical gyroscopes (MMG) of vibration type.
В настоящее время разработаны и широко используются ММГ вибрационного типа. Они включают в себя подвижную массу (ПМ), систему измерения перемещений ПМ по двум осям, систему возбуждения колебаний на резонансной частоте подвеса (Fрез) по одной оси, которые иногда называют первичными и ось соответственно осью первичных колебаний. При действии кориолисового ускорения по другой оси (ортогональной к первой) возникают колебания ПМ, называемые вторичными [Пешехонов и др. Результаты разработки микромеханического гироскопа. XII Санкт-Петербургская международная конференция по интегрированным навигационным системам 23-25 мая 2005 г. стр.268-274, рис.1, Распопов В.Я. Микромеханические приборы, 2-е издание. Тул. Гос. Университет. - Тула, 2004 г.475 стр, 325-462 стр]. По осям движения ПМ располагают неподвижные электроды (или статоры). Эти статоры с проводящей ПМ образуют конденсаторы, емкости которых зависят от положения ПМ.Currently developed and widely used MMG vibration type. They include moving mass (PM), a system for measuring PM movements along two axes, a system for exciting vibrations at the resonant frequency of the suspension (Fres) along one axis, which are sometimes called primary and the axis, respectively, is the axis of primary vibrations. Under the action of Coriolis acceleration along the other axis (orthogonal to the first), PM oscillations arise, called secondary [Peshekhonov et al. Results of the development of a micromechanical gyroscope. XII St. Petersburg International Conference on Integrated Navigation Systems May 23-25, 2005 p. 268-274, Fig. 1, Raspopov V.Ya. Micromechanical devices, 2nd edition. Tool Gos. University - Tula, 2004, 475 pp, 325-462 pp]. The motion axes of the PM have fixed electrodes (or stators). These stators with a conductive PM form capacitors whose capacitances depend on the position of the PM.
На силовые электроды, расположенные по оси возбуждения первичных колебаний в ММГ поступают переменные напряжения, создающие с помощью электрического поля силы или моменты на резонансной частоте подвеса ПМ, которые могут рассматриваться как силовые напряжения. Уровень их может составлять от 0,1 до 10 В, в зависимости от добротности подвеса. В ММГ уровень силовых сигналов превышает уровень измеряемых сигналов на три и более порядка.The power electrodes located along the axis of excitation of primary vibrations in the MMG receive alternating voltages that create forces or moments at the resonant frequency of the PM suspension with the help of an electric field, which can be considered as power voltages. Their level can be from 0.1 to 10 V, depending on the quality factor of the suspension. In MMG, the level of power signals exceeds the level of the measured signals by three or more orders of magnitude.
При использовании в ММГ в качестве основания проводящего кремния, как это показано на фиг.13а статьи (С.Acar, А.М.Shkel, Structurally decoupled micromachined gyroscopes with post-release capacitance enhancement, Journal of Micromechanics and Microengineerig 15, (2005) р.1092-1101) между электродами, на которые поступают силовые напряжения, и электродами, образующими емкостные датчики перемещения ПМ, возникают паразитные связи, эквивалентная схема которых представляет собой последовательное соединение конденсаторов и резистора. Для уменьшения влияния этих паразитных связей можно использовать компенсирующие сигналы, величину которых определяют экспериментально. Однако вводить такие поправки при большом числе электродов оказывается затруднительно из-за сложной процедуры определения численных значений этих поправок. Кроме того, при изменении параметров окружающей среды (например, температуры) параметры эквивалентной цепи, описывающей эти паразитные связи, могут изменяться.When using conductive silicon as the base in MMG, as shown in FIG. p.1092-1101) between the electrodes to which power voltages are supplied and the electrodes forming capacitive PM displacement sensors, spurious connections arise, the equivalent circuit of which is a series connection of capacitors and a resistor. To reduce the influence of these spurious bonds, compensating signals can be used, the value of which is determined experimentally. However, it is difficult to introduce such corrections for a large number of electrodes because of the complicated procedure for determining the numerical values of these corrections. In addition, when changing environmental parameters (for example, temperature), the parameters of the equivalent circuit describing these parasitic bonds can change.
Для уменьшения влияния паразитных связей электроды ММГ могут размещаться на основании, являющемся диэлектриком (см. М.Е.Ash et al. Micromechanical Inertial Sensor Development at Draper Laboratory With Recent Test Results. Symposium Gyro Technology 1999, Stuttgart, Germany, р.3.0-3.12, fig.2, fig.3). На этих фигурах показано, что ММГ собирается из двух частей («вафель»), для изготовления одной из которых используется стекло, а другой - кремний. Однако такая конструкция является нетехнологичной, т.к. предполагает применение двух разных типов материалов.To reduce the influence of spurious bonds, MMG electrodes can be placed on a dielectric base (see M.E. Ash et al. Micromechanical Inertial Sensor Development at Draper Laboratory With Recent Test Results. Symposium Gyro Technology 1999, Stuttgart, Germany, p. 3.0- 3.12, fig. 2, fig. 3). These figures show that MMG is assembled from two parts (“wafers”), one of which is used to make glass and the other is silicon. However, this design is low-tech, because involves the use of two different types of materials.
В качестве примера серийно выпускаемой конструкции ММГ, выполненной целиком на кристалле кремния и имеющей большое количество электродов на одной подложке, можно привести ММГ фирмы Bosch, в которой и силовые электроды канала возбуждения первичных колебаний, и измерительные электроды выходного канала располагаются на подложке (см. книгу Распопова стр.344-345).As an example of a commercially available MMG design made entirely on a silicon crystal and having a large number of electrodes on one substrate, we can use Bosch MMG, in which both the power electrodes of the primary oscillation excitation channel and the measuring electrodes of the output channel are located on the substrate (see the book Raspopova p. 344-345).
В качестве другого примера можно привести ММГ, описанный в [Пешехонов и др. Результаты разработки микромеханического гироскопа. XII Санкт-Петербургская международная конференция по интегрированным навигационным системам 23-25 мая 2005 г. стр.268-274]. Конструкция ММГ показана на рис.2,3, а технология изготовления - на рис.5. В отличие от ММГ фирмы Bosch измерительные электроды выходного канала расположены не на основании, а на крышке ММГ. Однако и такое размещение не избавляет от прохождения помех, обусловленных силовыми напряжениями. Это обусловлено тем, что и в этой конструкции есть связь между основанием и крышкой ММГ через слои металлизации, наносимые по периметру кристалла кремния (см. упомянутый рис.5, где белым цветом выделены на рис.5ж и 5з слои металлизации). И хотя под слоем металлизации на крышке расположен изоляционный слой, в качестве которого используется диоксид кремния, связь между верхним и нижним кристаллами кремния (между основанием и крышкой) на переменном токе существует и имеет значительную величину - на уровне десятков пикофарад.As another example, MMG described in [Peshekhonov et al. Results of the development of a micromechanical gyroscope. XII St. Petersburg International Conference on Integrated Navigation Systems May 23-25, 2005 p.268-274]. The design of the MMG is shown in Fig. 2,3, and the manufacturing technology is shown in Fig. 5. In contrast to the Bosch MMG, the measuring electrodes of the output channel are not located on the base, but on the MMG cover. However, such a placement does not eliminate the passage of interference caused by power voltages. This is due to the fact that in this design there is a connection between the base and the MMH cover through metallization layers deposited along the perimeter of the silicon crystal (see the aforementioned Fig. 5, where the metallization layers are highlighted in white in Figs. 5g and 5c). And although there is an insulating layer under the metallization layer on the cover, which is used as silicon dioxide, the connection between the upper and lower silicon crystals (between the base and the cover) on alternating current exists and has a significant value - at the level of tens of picofarads.
Наличие емкостной связи между основанием и крышкой с измерительными электродами, которые образуют емкостной датчик перемещения ПМ по выходному каналу, приводит к тому, что на входы преобразователей емкость-напряжения, например, трансрезистивных усилителей (см. рис.6 упомянутой статьи Пешехонов и др.) поступают помимо тока высокой частоты и токи на резонанасной частоте подвеса ПМ с силовых электродов драйва, что увеличивает шумы и помехи на выходе демодулятора в этом канале. Кроме того, сигналы, поступающие на силовые электроды или электроды обратной связи, также могут проходить через паразитные емкости на вход преобразователя емкость-напряжение. В конечном счете, это ухудшает точность ММГ.The presence of capacitive coupling between the base and the cover with measuring electrodes, which form a capacitive PM displacement sensor along the output channel, leads to the fact that the inputs of capacitance-voltage converters, for example, transresistive amplifiers (see Fig. 6 of the mentioned article Peshekhonov and others) In addition to the high-frequency current, currents arrive at the resonant frequency of the PM suspension from the power electrodes of the drive, which increases the noise and interference at the output of the demodulator in this channel. In addition, the signals supplied to the power or feedback electrodes can also pass through stray capacitors to the input of the capacitance-voltage converter. Ultimately, this degrades the accuracy of MMG.
В качестве прототипа выбран ММГ, описанный в упомянутой работе Пешехонова [Пешехонов В.Г. и др. Результаты разработки микромеханического гироскопа. XII Санкт-Петербургская международная конференция по интегрированным навигационным системам 23-25 мая 2005 г. стр.268-274]. Этот ММГ содержит основание из кремния с установленными на нем через изолирующие слои статорами и опорой, на которой с помощью торсионов подвешен ротор, крышку из кремния с нанесенным на нем изолирующим слоем, на котором нанесены электроды, выводы от статоров, ротора и электродов, электронный блок и его источник питания, при этом сигнальные выводы электронного блока соединены с выводами от статоров, ротора и электродов, а выводы питания электронного блока соединены с выводами источника питания, в том числе и с общим выводом.As a prototype, the MMG described in the aforementioned work by Peshekhonov [Peshekhonov V.G. et al. Results of the development of a micromechanical gyroscope. XII St. Petersburg International Conference on Integrated Navigation Systems May 23-25, 2005 p.268-274]. This MMG contains a silicon base with stators installed on it through insulating layers and a support on which a rotor is suspended using torsions, a silicon cover with an insulating layer deposited on it, on which electrodes are applied, leads from stators, rotor and electrodes, an electronic unit and its power source, while the signal terminals of the electronic unit are connected to the terminals from the stators, rotor and electrodes, and the power terminals of the electronic unit are connected to the terminals of the power source, including the common terminal.
Недостатком ММГ является недостаточно высокая точность, обусловленная прохождением силовых сигналов из канала драйва (напряжений на электродах гребенчатого двигателя) в выходной канал ММГ через легированный кремний и тонкие слои окиси кремния.The disadvantage of MMG is not high enough accuracy due to the passage of power signals from the drive channel (voltages at the electrodes of the comb engine) to the output channel of the MMG through doped silicon and thin layers of silicon oxide.
Задачей изобретения является повышение точности ММГ.The objective of the invention is to improve the accuracy of MMG.
Поставленная задача решается тем, что микромеханический гироскоп, содержащий основание из кремния с установленными на нем через изолирующие слои статорами и опорой, на которой с помощью торсионов подвешен ротор, крышку из кремния с нанесенным на нем изолирующим слоем, на котором расположены электроды, при этом основание и крышка сварены по периметру, электронный блок с источником питания, при этом сигнальные выводы электронного блока соединены с выводами от статоров, ротора и электродов, в нем введены выводы, по крайней мере, от кремния основания или крышки, которые соединены с общим выводом источника питания. Кроме того, поставленная задача решается тем, что на наружную поверхность кремния крышки и/или основания нанесен слой металлизации, который соединен с общим выводом источника питания.The problem is solved in that a micromechanical gyroscope containing a silicon base with stators installed on it through the insulating layers and a support on which a rotor is suspended using torsions, a silicon cover with an insulating layer deposited on it, on which the electrodes are located, and the base and the lid is welded around the perimeter, the electronic unit with a power source, while the signal leads of the electronic unit are connected to the leads from the stators, rotor and electrodes, the leads, at least from silicon Considerations or covers that are connected to the common terminal of the power source. In addition, the problem is solved in that a metallization layer is applied to the outer surface of the silicon of the lid and / or base, which is connected to a common terminal of the power source.
По существу в предлагаемом микромеханическом гироскопе предложено за счет соединения кремния основания и крышки с общим выводом источника питания уменьшить влияние силовых электродов на измерительные. Дополнительный эффект от этого проявляется в том, что электроды и диск экранируются проводящим кремнием и дополнительным слоем металлизации крышки и основания.Essentially, in the proposed micromechanical gyroscope, it is proposed to reduce the influence of power electrodes on the measuring ones by connecting the silicon base and cover with a common output of the power source. An additional effect of this is manifested in the fact that the electrodes and the disk are shielded by conductive silicon and an additional metallization layer of the lid and base.
Заявляемое устройство поясняется чертежами.The inventive device is illustrated by drawings.
На фиг.1 приведен вариант конструкции ММГ. На фиг.1 приняты следующие обозначения:Figure 1 shows a design variant MMG. In figure 1, the following notation:
1 - основание;1 - base;
2 - опора;2 - support;
3 - торсионы;3 - torsion bars;
4 - подвижная масса (ПМ);4 - moving mass (PM);
4 - статоры, расположенные в плоскости первичных колебаний.4 - stators located in the plane of the primary oscillations.
На фиг.2 показаны электроды и выводы от них. На фиг.2 приняты следующие обозначения:Figure 2 shows the electrodes and the conclusions from them. In figure 2, the following notation:
2 - опора;2 - support;
5 - статоры, расположенные в плоскости первичных колебаний;5 - stators located in the plane of the primary oscillations;
6 - пара диаметрально расположенных на крышке электродов;6 - a pair of electrodes diametrically located on the lid;
7 - другая пара диаметрально расположенных на крышке электродов;7 - another pair of electrodes diametrically located on the lid;
8 - электрические выводы от элементов конструкции ММГ (электродов, статоров и опоры)8 - electrical leads from MMG structural elements (electrodes, stators and supports)
На фиг.3 приведена конструкция микромеханической части ММГ. На фиг.3 приняты следующие обозначения:Figure 3 shows the design of the micromechanical part of the MMG. In figure 3, the following notation:
4 - ПМ;4 - PM;
9 - кремний основания 1;9 -
10 - кремний крышки;10 - silicon cap;
11 - изоляционный слой, нанесенный на основание 1;11 - an insulating layer deposited on the
12 - слой металлизации;12 - metallization layer;
13 - изоляционный слой между слоем металлизации и кремнием крышки.13 - an insulating layer between the metallization layer and the silicon cap.
На фиг.4 показана упрощенная эквивалентная электрическая схема ММГ. На фиг.4 приняты следующие обозначения:Figure 4 shows a simplified equivalent electrical circuit MMG. In figure 4, the following notation:
4 - ПМ, которая показана в виде проводника электрического тока;4 - PM, which is shown in the form of an electric current conductor;
8 - электрические выводы от элементов конструкции ММГ;8 - electrical conclusions from the structural elements of MMG;
9 - кремний основания 1;9 -
10 - кремний крышки;10 - silicon cap;
14 - выход электронного блока ММГ;14 - the output of the electronic unit MMG;
15 - 18 - конденсаторы, образованные электродами 7, 6 и ПМ 4;15 - 18 - capacitors formed by electrodes 7, 6 and
19 - 22 - конденсаторы, образованные статорами 5 и ПМ 4;19 - 22 - capacitors formed by the
23 - конденсаторы, образованные электродами 7, 6 и кремнием крышки 10;23 - capacitors formed by electrodes 7, 6 and
24 - конденсаторы, образованные статорами 5 и кремнием основания 9;24 - capacitors formed by the
25 - эквивалентные резисторы, представляющие сопротивления между областью кремния крышки 10 вблизи изоляционного слоя, на котором размещены электроды 7, 8, и областью кремния крышки вблизи слоя металлизации 12;25 is equivalent resistors representing resistances between the silicon region of the
26 - эквивалентные резисторы, представляющие сопротивления между областью кремния основания вблизи изоляционного слоя 11, на котором размещены статоры 5, и областью кремния основания вблизи наружной поверхности основания;26 is equivalent resistors representing resistances between the silicon region of the base near the insulating
27 - эквивалентные резисторы, представляющие сопротивления между областями кремния крышки вблизи изоляционных слоев, на которых размещены электроды 7, 8;27 - equivalent resistors representing the resistance between the areas of the silicon cap near the insulating layers on which the
28 - эквивалентные резисторы, представляющие сопротивления между областями кремния основания вблизи изоляционных слоев, на которых размещены статоры 5;28 is equivalent resistors representing resistances between areas of the silicon base near the insulating layers on which the
29 - конденсатор, образованный опорой 2 и кремнием основания 1;29 is a capacitor formed by a support 2 and
30 - эквивалентный резистор, представляющий сопротивление между областью кремния основания вблизи изоляционного слоя, на котором размещена опора 2, и областью кремния основания вблизи наружной поверхности основания;30 is an equivalent resistor representing the resistance between the silicon base region near the insulating layer on which the support 2 is placed and the silicon base region near the outer surface of the base;
31 - эквивалентный резистор, представляющий омическое сопротивление торсионов;31 is an equivalent resistor representing the ohmic resistance of the torsion bars;
32 - электронный блок ММГ;32 - electronic block MMG;
33 - источник питания электронного блока ММГ;33 - power source electronic block MMG;
34 - общий вывод источника питания 33;34 - the General conclusion of the
35 - конденсатор, образованный кремнием крышки 10, изоляционным слоем 13 и слоем металлизации 12;35 is a capacitor formed by silicon of the
36 - конденсатор, образованный кремнием основания 9, изоляционным слоем 11, находящимся по периметру основания 1 и слоем металлизации 12;36 is a capacitor formed by silicon of the
37 - дополнительный слой металлизации сверху кремния крышки 10;37 - an additional layer of metallization on top of the
38 - дополнительный слой металлизации снизу кремния основания 9;38 - an additional layer of metallization below the
39 - дополнительный вывод от кремния основания 9;39 - an additional conclusion from the
40 - дополнительный вывод от кремния крышки 10.40 - additional output from
41 - источник управляющего напряжения.41 - source of control voltage.
42 - ток от источника управляющего напряжения 41.42 - current from the source of
Предлагаемое устройство работает следующим образом.The proposed device operates as follows.
Для изготовления ММГ вибрационного типа используются две кремниевые пластины, первая из которых является (см. фиг.1) основанием 1, на котором установлена опора 2. На этой опоре 2 подвешена с помощью торсионов 3 ПМ 4 (выполнена в виде диска). На основании также установлены статоры 5. ПМ 4 и статоры 5 имеют гребенчатую структуру, образуя гребенчатый двигатель и датчик углового перемещения ПМ 4 в плоскости первичных колебаний.For the manufacture of vibration-type MMG, two silicon wafers are used, the first of which is (see FIG. 1) the
Электроды 6 (см. фиг.2), используемые для измерения перемещений ПМ 4 в плоскости вторичных колебаний, нанесены на второй кремниевой пластине (крышке). Электроды 7, которые могут использоваться для введения обратной связи и подстройки резонансной частоты подвеса по оси вторичных колебаний, также сформированы на крышке. Выводы 8 от статоров 5, электродов 6, 7 и опоры 2 позволяют подавать на них электрические сигналы от электронного блока, обеспечивающего функционирование ММГ.The electrodes 6 (see figure 2) used to measure the displacements of
Опора 2, на которой подвешена ПМ 4, и статоры 5 установлены на основании 1 из кремния 9 через изолирующий слой оксида кремния 11 (см. фиг.3). Крышка, выполненная из кремния 10, крепится к основанию путем сварки слоев металлизации 12, предварительно нанесенных на основание и на крышке. Слой металлизации 12 на крышке наносится после формирования на периферии крышки изоляционного слоя 13.The support 2, on which the
В результате описанных технологических операций в микромеханическом узле ММГ формируются гребенчатый двигатель и емкостные датчики перемещения ПМ 4, которые на упрощенной электрической схеме связей между разными узлами микромеханического узла ММГ представляют собой (см. фиг.4) конденсаторы 19-22, образованные ПМ 4 и статорами 5, и конденсаторы 15-18, образованные ПМ 4 и электродами 6, 7. Вывод 8 через сопротивление торсионов 3 (резистор 31) связан с ПМ 4. Электрическим сопротивлением самой опоры по сравнению с сопротивлением тонких торсионов можно пренебречь. Помимо этих элементов и связей, которые могут считаться полезными, в микромеханическом узле ММГ есть паразитные связи, которые изображены конденсаторами 23, 24, 29 и 35 и резисторами 25-28, 30. Конденсаторы образованы проводящими слоями кремния, из которого состоят статоры 5, электроды 6, 7 и опора 2, или слоями металлизации 12 и слоями оксида кремния 11, 13 между проводниками. Необходимо отметить, что диэлектрическая постоянная оксида кремния в 3,9 раза выше вакуума. Поэтому при одинаковых величинах зазора между ПМ 4 и электродами 6, 7 и толщины этого оксидного слоя между электродами и кремния крышки 11 величины паразитных емкостей оказываются примерно в 4 раза больше полезных. Так, например, если емкость конденсатора 15 равна 2 пФ, то емкость конденсатора 23 будет примерно 8 пФ. Отметим, что при меньших величинах толщины оксидного слоя (как правило, он выбирается равным 0,5 мкм) эти паразитные емкости оказываются соответственно больше, что еще в большей степени увеличивает уровень помех. Суммарная площадь слоев металлизации 12, расположенных по периметру кристалла, также велика, что с учетом диэлектрической постоянной оксида кремния дает величину порядка 15-20 пФ, т.е. значительно больше емкости электродов. К выводам 8, показанным на фиг.2, подключен в ММГ электронный блок 32, который выводами питания соединен с источником напряжения 33, который имеет два вывода, например, 5 В и общий вывод 34. Для того чтобы не загромождать схему соединений на фиг.3 показаны не все связи выводов 8 с соответствующими входами и выходами блока 32. В предложенном устройстве от кремния крышки 10 и основания 9 сделан дополнительный вывод 39 и 40 соответственно, который соединен с общим выводом 34 источника 33. Дополнительный эффект уменьшения паразитных связей достигается за счет нанесения дополнительного слоя металлизации 37 и 38 по всей поверхности кремния крышки 10 и основания 9, что приводит к значительному уменьшению эквивалентных резисторов 25 и 26. Также дополнительный слой металлизации 37 и 38 выступает как экран для электродов и ПМ 4 от электромагнитных воздействий окружающей среды.As a result of the described technological operations in the micromechanical assembly MMG, a comb motor and capacitive
На фиг.4 показано прохождение тока 42 от источника управляющего напряжения 41 на входы электронного блока 32 через измерительные электроды.Figure 4 shows the passage of current 42 from a source of
Благодаря введенному слою металлизации 38 и 37, который приводит к уменьшению сопротивлений 25 и 26 и дополнительным выводам 39 и 40 от кремния, соединенным с общим выводом 34, доля тока от источника U1, проходящего через резистор 26, увеличивается, а доля тока, проходящего на электронный блок 32, уменьшается. Таким образом уменьшается влияние паразитных связей и уровень помех в предлагаемом ММГ.Thanks to the introduced
Таким образом, в предложенном устройстве по сравнению с прототипом достигается повышение точности.Thus, in the proposed device in comparison with the prototype, an increase in accuracy is achieved.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007128020/28A RU2347190C1 (en) | 2007-07-17 | 2007-07-17 | Micromechanical gyroscope |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007128020/28A RU2347190C1 (en) | 2007-07-17 | 2007-07-17 | Micromechanical gyroscope |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2347190C1 true RU2347190C1 (en) | 2009-02-20 |
Family
ID=40531866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007128020/28A RU2347190C1 (en) | 2007-07-17 | 2007-07-17 | Micromechanical gyroscope |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2347190C1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2582483C1 (en) * | 2015-02-09 | 2016-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") | Modified microacousto-mechanical gyroscope |
RU2662061C1 (en) * | 2017-10-25 | 2018-07-23 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Mems devices sealing method |
-
2007
- 2007-07-17 RU RU2007128020/28A patent/RU2347190C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ПЕШЕХОНОВ В.Г. и др. Результаты разработки микромеханического гироскопа. XII Санкт-Петербургская международная конференция по интегрированным навигационным системам 23-25 мая 2005, с.268-274. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2582483C1 (en) * | 2015-02-09 | 2016-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") | Modified microacousto-mechanical gyroscope |
RU2662061C1 (en) * | 2017-10-25 | 2018-07-23 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Mems devices sealing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7484410B2 (en) | Gyro sensor and sensor apparatus using same | |
JP5649810B2 (en) | Capacitive sensor | |
JP3606164B2 (en) | Capacitance type external force detection device | |
US20100127715A1 (en) | Semiconductor physical quantity sensor and control device using the same | |
Sharma et al. | A high-Q in-plane SOI tuning fork gyroscope | |
WO2013179647A2 (en) | Physical amount sensor | |
US20110132089A1 (en) | Inertial Sensor | |
US11567100B2 (en) | Vibrating beam accelerometer with additional support flexures to avoid nonlinear mechanical coupling | |
JP2012108148A (en) | Tuning fork gyroscopes, accelerometers, and other sensors with improved scale factor | |
JP2003028644A (en) | Angular velocity sensor | |
JP4362877B2 (en) | Angular velocity sensor | |
JP2004294405A (en) | Angular velocity sensor device and its regulating method | |
JPH08159776A (en) | Angular velocity sensor | |
RU2347190C1 (en) | Micromechanical gyroscope | |
RU2344374C1 (en) | Electrode structure for micromechanical gyroscope and micromechanical gyroscope with such structure (versions) | |
JPWO2009078284A1 (en) | Angular velocity sensor | |
JP3627665B2 (en) | Angular velocity sensor | |
JP3449130B2 (en) | Dynamic quantity sensor and integrated circuit using the same | |
RU2315265C1 (en) | Micro mechanical gyroscope | |
JP4292746B2 (en) | Angular velocity sensor | |
JP2008241481A (en) | Sensor element | |
JP4088317B2 (en) | Sensor element | |
JP2000131072A (en) | Capacity change detection circuit device | |
US8549916B2 (en) | Angular velocity sensor | |
JPH09145736A (en) | Composite acceleration/angular velocity sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HK4A | Changes in a published invention | ||
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200718 |