RU2346386C1 - Дифференциальный усилитель - Google Patents

Дифференциальный усилитель Download PDF

Info

Publication number
RU2346386C1
RU2346386C1 RU2008102580/09A RU2008102580A RU2346386C1 RU 2346386 C1 RU2346386 C1 RU 2346386C1 RU 2008102580/09 A RU2008102580/09 A RU 2008102580/09A RU 2008102580 A RU2008102580 A RU 2008102580A RU 2346386 C1 RU2346386 C1 RU 2346386C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
input
parallel
transistor
collector
auxiliary
Prior art date
Application number
RU2008102580/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко (RU)
Николай Николаевич Прокопенко
Владимир Гавриилович Манжула (RU)
Владимир Гавриилович Манжула
Андрей Васильевич Хорунжий (RU)
Андрей Васильевич Хорунжий
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2008102580/09A priority Critical patent/RU2346386C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2346386C1 publication Critical patent/RU2346386C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов датчиков с высоким внутренним сопротивлением, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, операционных усилителях (ОУ), широкополосных и избирательных усилителях, фильтрах и т.п.). Дифференциальный усилитель содержит входной параллельно-балансный каскад (1) на биполярных транзисторах, имеющий первый (2) и второй (3) входы, первый (4) и второй (5) выходы, транзистор источника опорного тока (6), коллектор которого связан с общей эмиттерной цепью (7) входного параллельно-балансного каскада (1), а эмиттер соединен с шиной источника питания (8) через токостабилизирующий двухполюсник (9), первый (10) и второй (11) вспомогательные транзисторы, базы которых соединены с первым (2) и вторым (3) входами параллельно-балансного каскада (1), а эмиттеры соединены друг с другом и подключены к выходу вспомогательного токового зеркала (12), причем проводимость вспомогательных транзисторов 10 и 11 противоположна проводимости биполярных транзисторов входного параллельно-балансного каскада (1). База транзистора источника опорного тока (6) связана со входом вспомогательного токового зеркала (12), коллектор первого вспомогательного транзистора (10) соединен со вторым входом 3 входного параллельно-балансного каскада (1), а коллектор второго вспомогательного транзистора (11) связан с первым входом (2) входного параллельно-балансного каскада (1). Технический результат - повышение входного сопротивления. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов датчиков с высоким внутренним сопротивлением, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, операционных усилителях (ОУ), широкополосных и избирательных усилителях, фильтрах и т.п.).
Известны схемы дифференциальных усилителей (ДУ) с параллельным включением двух параллельно-балансных каскадов на разнотипных транзисторах [1-18]. На их модификации выдано более 20 патентов для ведущих микроэлектронных фирм мира. Дифференциальные усилители данного класса наряду с одиночными параллельно-балансными каскадами стали основным усилительным элементом многих микросхем аналоговых интерфейсов. Предполагаемое изобретение относится к данному подклассу устройств.
Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель НА5190, описанный в монографии Матавкина В.В [19, стр.103], содержащий входной параллельно-балансный каскад 1 на биполярных транзисторах, имеющий первый 2 и второй 3 входы, первый 4 и второй 5 выходы, транзистор источника опорного тока 6, коллектор которого связан с общей эмиттерной цепью 7 входного параллельно-балансного каскада 1, а эмиттер соединен с шиной источника питания 8 через токостабилизирующий двухполюсник 9, первый 10 и второй 11 вспомогательные транзисторы, базы которых соединены с первым 2 и вторым 3 входами параллельно-балансного каскада 1, а эмиттеры соединены друг с другом и подключены к выходу вспомогательного токового зеркала 12, причем проводимость вспомогательных транзисторов 10 и 11 противоположна проводимости биполярных транзисторов входного параллельно-балансного каскада 1.
Данная структура ДУ присутствует также в патентах US №4.555.673, 5.610.557, 4.797.631, 6.963.244, 4.358.739, 5.153.529.
Существенный недостаток известного ДУ состоит в том, что он имеет небольшое входное дифференциальное сопротивление (Rвх), зависящее от абсолютных значений коэффициента усиления по току базы (β) применяемых транзисторов и их статического режима. Для повышения
Figure 00000001
в известных ДУ применяется местная отрицательная обратная связь (вводятся эмиттерные резисторы). Однако при этом ухудшаются многие параметры ДУ - коэффициент усиления по напряжению, напряжение смещения нуля, коэффициент подавления помехи по питанию, крутизна усиления ДУ и др.
Основная цель предлагаемого изобретения состоит в повышении на один-два порядка входного сопротивления ДУ без ухудшения его крутизны и ряда других параметров.
Поставленная цель достигается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем входной параллельно-балансный каскад 1 на биполярных транзисторах, имеющий первый 2 и второй 3 входы, первый 4 и второй 5 выходы, транзистор источника опорного тока 6, коллектор которого связан с общей эмиттерной цепью 7 входного параллельно-балансного каскада 1, а эмиттер соединен с шиной источника питания 8 через токостабилизирующий двухполюсник 9, первый 10 и второй 11 вспомогательные транзисторы, базы которых соединены с первым 2 и вторым 3 входами параллельно-балансного каскада 1, а эмиттеры соединены друг с другом и подключены к выходу вспомогательного токового зеркала 12, причем проводимость вспомогательных транзисторов 10 и 11 противоположна проводимости биполярных транзисторов входного параллельно-балансного каскада 1, предусмотрены новые связи - база транзистора источника опорного тока 6 связана со входом вспомогательного токового зеркала 12 либо непосредственно, либо через согласующий усилитель тока 13 (фиг.2), коллектор первого вспомогательного транзистора 10 соединен со вторым входом 3 входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор второго вспомогательного транзистора 11 связан с первым входом 2 входного параллельно-балансного каскада 1.
На фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 и п.2 формулы изобретения.
В схеме фиг.3, соответствующей фиг.2, показаны примеры выполнения подсхем 12 и 13.
На фиг.4 показаны схемы известного и заявляемого ДУ в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».
График фиг.5 иллюстрирует частотную зависимость входного дифференциального сопротивления известного и заявляемого устройств.
Дифференциальный усилитель фиг.2 содержит входной параллельно-балансный каскад 1 на биполярных транзисторах, имеющий первый 2 и второй 3 входы, первый 4 и второй 5 выходы, транзистор источника опорного тока 6, коллектор которого связан с общей эмиттерной цепью 7 входного параллельно-балансного каскада 1, а эмиттер соединен с шиной источника питания 8 через токостабилизирующий двухполюсник 9, первый 10 и второй 11 вспомогательные транзисторы, базы которых соединены с первым 2 и вторым 3 входами параллельно-балансного каскада 1, а эмиттеры соединены друг с другом и подключены к выходу вспомогательного токового зеркала 12, причем проводимость вспомогательных транзисторов 10 и 11 противоположна проводимости биполярных транзисторов входного параллельно-балансного каскада 1. База транзистора источника опорного тока 6 связана со входом вспомогательного токового зеркала 12, коллектор первого вспомогательного транзистора 10 соединен со вторым входом 3 входного параллельно-балансного каскада 1, а коллектор второго вспомогательного транзистора 11 связан с первым входом 2 входного параллельно-балансного каскада 1.
На фиг.2 в соответствии с п.2 формулы изобретения база транзистора источника опорного тока 6 связана со входом вспомогательного токового зеркала 12 через согласующий усилитель тока 13.
Рассмотрим работу ДУ фиг.2.
В статическом режиме статические входные токи ДУ I2 и I3 определяются разностью токов базы входных транзисторов дифференциального каскада 1 и коллекторных токов транзисторов 11 и 10:
Figure 00000002
Figure 00000003
Если учесть, что коэффициенты передачи тока подсхем 13 и 12 близки к единице (Кi12=1, Кi13=1), то из (1) и (2) следует, что входные токи ДУ близки к нулю I2≈0, I3≈0. Это первое достоинство предлагаемой схемы.
Второе преимущество предлагаемого устройства состоит в том, что в схеме фиг.2 обеспечивается компенсация не только статических входных токов I2 и I3, но и их приращений i2 и i3. Как следствие, входное сопротивление ДУ фиг.2 для переменного тока существенно повышается. Действительно, при увеличении напряжения uвх на входе 2 относительно входа 3 увеличивается ток базы iб1:
Figure 00000004
где
Figure 00000005
;
rэ1, rэ2 - сопротивления эмиттерных переходов входных транзисторов каскада 1;
φт=25 мВ - температурный потенциал;
Iк7=I9 - коллекторный ток транзистора 7.
Поэтому
Figure 00000006
С другой стороны, приращения коллекторных токов транзисторов 10 и 11
Figure 00000007
где rэ10=rэ11 - сопротивления эмиттерных переходов транзисторов 10 и 11.
Причем
Figure 00000008
Если учесть, что за счет построения подсхемы 12 и 10 (Кi12=1, Кi13=1) обеспечивается равенство
Figure 00000009
то уравнение (6) можно представить в следующем виде
Figure 00000010
Поэтому коллекторные токи транзисторов 11 и 10, а также входные токи ДУ i2 и i3
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
После преобразований (10) и (11) находим, что
Figure 00000014
Поэтому входная проводимость предлагаемого ДУ
Figure 00000015
Так как β1≈β6, то из (13) следует, что в предлагаемой схеме увх существенно уменьшается.
В ДУ-прототипе фиг.1
Figure 00000016
Следовательно, в заявляемом ДУ входное сопротивление увеличивается в Nу-раз, где
Figure 00000017
Полученные выше теоретические выводы подтверждаются результатами моделирования известной и предлагаемой схем в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар» (фиг.5). При этом заявляемый ДУ имеет более чем на порядок лучшие значения входного сопротивления. Данный результат обеспечивается без ухудшения других параметров ДУ - крутизны и напряжения смещения нуля. Кроме этого, статические входные токи заявляемого ДУ в 8-10 раз меньше, чем в схеме ДУ-прототипа.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент Японии JP 8222972.
2. Патентная заявка США №2004/0174216.
3. Патент США №6.963.244.
4. Патент США №6.420.931.
5. Патент США №6.222.416.
6. Патент США №5.880.639.
7. Патент США №5.610.557.
8. Патент США №5.153.529.
9. Патент Японии JP №7050528.
10. Патент США №6.191.619.
11. Патент США №6.163.290.
12. Патент США №5.814.953.
13. Патент США №5.714.906.
14. Патент США №5.523.718.
15. Патент США №5.515.005.
16. Патент США №5.293.136.
17. Патент США №4.636.743.
18. Патент США №4.783.637.
19. Матавкин В.В. Быстродействующие операционные усилители. - М.: Радио и связь, 1989. - С.101-103. - Рис.6.11 (стр.103).

Claims (2)

1. Дифференциальный усилитель, содержащий входной параллельно-балансный каскад (1) на биполярных транзисторах, имеющий первый (2) и второй (3) входы, первый (4) и второй (5) выходы, транзистор источника опорного тока (6), коллектор которого связан с общей эмиттерной цепью (7) входного параллельно-балансного каскада (1), а эмиттер соединен с шиной источника питания (8) через токостабилизирующий двухполюсник (9), первый (10) и второй (11) вспомогательные транзисторы, базы которых соединены с первым (2) и вторым (3) входами параллельно-балансного каскада (1), а эмиттеры соединены друг с другом и подключены к выходу вспомогательного токового зеркала (12), причем проводимость вспомогательных транзисторов (10) и (11) противоположна проводимости биполярных транзисторов входного параллельно-балансного каскада (1), отличающийся тем, что база транзистора источника опорного тока (6) связана со входом вспомогательного токового зеркала (12), коллектор первого вспомогательного транзистора (10) соединен со вторым входом (3) входного параллельно-балансного каскада (1), а коллектор второго вспомогательного транзистора (11) связан с первым входом (2) входного параллельно-балансного каскада (1).
2. Дифференциальный усилитель по п.1, отличающийся тем, что база транзистора источника опорного тока (6) связана с входом вспомогательного токового зеркала (12) через согласующий усилитель тока (13).
RU2008102580/09A 2008-01-22 2008-01-22 Дифференциальный усилитель RU2346386C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008102580/09A RU2346386C1 (ru) 2008-01-22 2008-01-22 Дифференциальный усилитель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008102580/09A RU2346386C1 (ru) 2008-01-22 2008-01-22 Дифференциальный усилитель

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2346386C1 true RU2346386C1 (ru) 2009-02-10

Family

ID=40546881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008102580/09A RU2346386C1 (ru) 2008-01-22 2008-01-22 Дифференциальный усилитель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2346386C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2467469C1 (ru) * 2011-11-21 2012-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель
RU2487467C1 (ru) * 2011-12-13 2013-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Устройство для компенсации статических и динамических входных токов дифференциальных каскадов на биполярных транзисторах
RU2519558C2 (ru) * 2012-08-09 2014-06-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2467469C1 (ru) * 2011-11-21 2012-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель
RU2487467C1 (ru) * 2011-12-13 2013-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Устройство для компенсации статических и динамических входных токов дифференциальных каскадов на биполярных транзисторах
RU2519558C2 (ru) * 2012-08-09 2014-06-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ming et al. A high-precision compensated CMOS bandgap voltage reference without resistors
Surkanti et al. Converting a three-stage pseudoclass-AB amplifier to a true-class-AB amplifier
RU2346386C1 (ru) Дифференциальный усилитель
RU2390916C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель
RU2354041C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
Singh et al. High frequency flipped voltage follower with improved performance and its application
RU2396699C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель с повышенным входным дифференциальным сопротивлением
Gupta et al. Low voltage high performance FGMOS based Wilson current mirror
RU2293433C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала
RU2346385C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным входным сопротивлением
RU2368067C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным входным сопротивлением
RU2365029C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2292638C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным ослаблением синфазного сигнала
Rodovalho et al. Rail-to-rail input/output bulk driven class AB operational amplifier with improved composite transistors
RU2396698C1 (ru) Дифференциальный усилитель
RU2394360C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель с повышенным входным сопротивлением
RU2390914C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2319290C1 (ru) Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя
Popa High accuracy CMOS multifunctional structure for analog signal processing
RU2394362C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2419193C1 (ru) Дифференциальный усилитель с парафазным выходом
RU2331972C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным коэффициентом усиления по напряжению
RU2449465C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель
RU2331968C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным ослаблением синфазного сигнала
RU2419192C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным коэффициентом усиления

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130123