RU2340083C1 - Shf power pulse amplifier - Google Patents
Shf power pulse amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- RU2340083C1 RU2340083C1 RU2007120785/09A RU2007120785A RU2340083C1 RU 2340083 C1 RU2340083 C1 RU 2340083C1 RU 2007120785/09 A RU2007120785/09 A RU 2007120785/09A RU 2007120785 A RU2007120785 A RU 2007120785A RU 2340083 C1 RU2340083 C1 RU 2340083C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- microwave
- twt
- amplitron
- resistor
- gate
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в радиолокационной и радионавигационной технике, а также в средствах передачи информации.The invention relates to microwave technology and can be used in radar and radio navigation equipment, as well as in the transmission of information.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому объекту является импульсный усилитель мощности СВЧ (патент на изобретение №2262183, МПК H03F 3/32), выбранный в качестве прототипа. Устройство-прототип содержит первый и второй развязывающие вентили, модулятор, первый каскад усиления сигнала СВЧ, выполненный, например, на лампе бегущей волны (ЛБВ), второй каскад усиления сигнала СВЧ, выполненный, например, на амплитроне, при этом вход первого вентиля соединен с внешним источником сигнала СВЧ, выход первого вентиля соединен с входом СВЧ ЛБВ, выход СВЧ ЛБВ соединен с входом второго вентиля, выход которого соединен с входом СВЧ амплитрона, аноды ЛБВ и амплитрона соединены с общей шиной. Кроме этого, устройство-прототип содержит импульсный трансформатор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с общей шиной, катод ЛБВ соединен со вторым выводом вторичной обмотки импульсного трансформатора через согласующий резистор, катод амплитрона соединен со вторым выводом вторичной обмотки импульсного трансформатора через согласующий резистор, параллельно вторичной обмотке импульсного трансформатора включен пиковый детектор, состоящий из конденсатора, диода и резистора, включенного параллельно диоду. При этом одна из обкладок конденсатора соединена с катодом амплитрона, другая обкладка конденсатора соединена с катодом диода, анод которого подключен к общей шине, а параллельно согласующему резистору ЛБВ включен другой конденсатор.The closest in technical essence to the claimed object is a microwave pulse power amplifier (patent for invention No. 2262183, IPC H03F 3/32), selected as a prototype. The prototype device contains the first and second decoupling gates, a modulator, a first microwave signal amplification stage, made, for example, on a traveling wave lamp (TWT), a second microwave signal amplification stage, made, for example, on an amplitron, while the input of the first valve is connected to an external microwave signal source, the output of the first gate is connected to the input of the microwave TWT, the output of the microwave TWT is connected to the input of the second gate, the output of which is connected to the input of the microwave amplitron, the anodes of the TWT and the amplitron are connected to a common bus. In addition, the prototype device contains a pulse transformer, the first terminal of the secondary winding of which is connected to a common bus, the TWT cathode is connected to the second terminal of the secondary winding of the pulse transformer through a matching resistor, the cathode of the amplitron is connected to the second terminal of the secondary winding of the pulse transformer through a matching resistor, parallel to the secondary A peak detector is included in the winding of the pulse transformer, consisting of a capacitor, a diode and a resistor connected in parallel with the diode. In this case, one of the capacitor plates is connected to the cathode of the amplitron, the other capacitor plate is connected to the cathode of the diode, the anode of which is connected to a common bus, and another capacitor is connected in parallel with the TWT matching resistor.
Недостатком устройства-прототипа является то, что при скачкообразном изменении несущей частоты в пределах рабочего диапазона частот от импульса к импульсу или внутри радиоимпульса, изменяется статическое сопротивление амплитрона. Это приводит к изменению тока, срыву колебаний СВЧ и, соответственно, к сужению диапазона рабочих частот.The disadvantage of the prototype device is that when the carrier frequency changes abruptly within the operating frequency range from pulse to pulse or inside the radio pulse, the static resistance of the amplitron changes. This leads to a change in current, disruption of microwave oscillations and, accordingly, to a narrowing of the range of operating frequencies.
Задачей, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, является создание импульсного усилителя мощности СВЧ, обеспечивающего надежную работу во всем рабочем диапазоне частот при быстрой скачкообразной перестройке частоты как между импульсами, так и внутри них за счет стабилизации импульсного тока второго каскада усиления сигнала СВЧ и импульсного напряжения первого каскада усиления сигнала СВЧ как внутри импульса, так и от импульса к импульсу.The problem to which the invention is directed is to create a pulsed microwave power amplifier that provides reliable operation in the entire operating frequency range with fast frequency hopping both between pulses and inside them by stabilizing the pulse current of the second microwave signal and pulse voltage amplification stage the first stage of amplification of the microwave signal both inside the pulse and from pulse to pulse.
Сущность изобретения заключается в следующем.The invention consists in the following.
Предлагаемый импульсный усилитель мощности СВЧ содержит, так же как и прототип, первый и второй развязывающие вентили, модулятор, первый каскад усиления сигнала СВЧ, выполненный, например, на лампе бегущей волны (ЛБВ), второй каскад усиления сигнала СВЧ, выполненный, например, на амплитроне, при этом вход первого вентиля соединен с внешним источником сигнала СВЧ, выход первого вентиля соединен с входом СВЧ ЛБВ, выход СВЧ ЛБВ соединен с входом второго вентиля, выход которого соединен с входом СВЧ амплитрона, аноды ЛБВ и амплитрона соединены с общей шиной. В отличие от прототипа в импульсном усилителе мощности СВЧ положительный вывод модулятора соединен с общей шиной, катод ЛБВ соединен непосредственно с отрицательным выводом модулятора, катод амплитрона соединен с катодом ЛБВ через последовательно соединенные согласующий резистор, полевой транзистор и резистор обратной связи, при этом сток транзистора соединен с катодом амплитрона, а исток - с резистором обратной связи, а между точкой соединения резистора обратной связи и согласующего резистора и затвором полевого транзистора включен управляющий источник напряжения, причем положительный вывод управляющего источника напряжения соединен с затвором полевого транзистора.The proposed microwave microwave power amplifier contains, as well as the prototype, the first and second decoupling gates, a modulator, a first microwave signal amplification stage, made, for example, on a traveling wave lamp (TWT), a second microwave signal amplification stage, made, for example, on an amplitron, wherein the input of the first gate is connected to an external microwave signal source, the output of the first gate is connected to the microwave TWT input, the microwave TWT output is connected to the second gate input, the output of which is connected to the microwave amplitron input, TWT and amplyton anodes are connected to common bus. Unlike the prototype, in the microwave pulsed power amplifier, the positive terminal of the modulator is connected to the common bus, the TWT cathode is connected directly to the negative terminal of the modulator, the amplitron cathode is connected to the TWT cathode through a series resistor, a field effect transistor, and a feedback resistor, while the drain of the transistor is connected with the cathode of the amplitron, and the source with the feedback resistor, and between the connection point of the feedback resistor and the matching resistor and the gate of the field-effect transistor a control voltage source, and the positive terminal of the control voltage source is connected to the gate of the field effect transistor.
На фиг.1 представлена функциональная схема предлагаемого импульсного усилителя мощности СВЧ.Figure 1 presents the functional diagram of the proposed pulsed microwave power amplifier.
На фиг.2 представлены эпюры напряжений и токов в различных точках схемы усилителя мощности СВЧ, иллюстрирующие эффективность предлагаемого изобретения, где а) - эпюры напряжения модулирующих импульсов первого (пунктирная линия) и второго (сплошная линия) каскадов усиления сигнала СВЧ устройства-прототипа; б) - эпюра тока второго каскада усиления сигнала СВЧ устройства-прототипа; в) - эпюры модулирующих импульсов первого (пунктирная линия) и второго (сплошная линия) каскадов усиления сигнала СВЧ предлагаемого устройства; г) - эпюра тока второго каскада усиления сигнала СВЧ предлагаемого устройства; д) - эпюра напряжения между стоком и истоком транзистора. На оси абсцисс (времени) отмечен момент tΔf изменения частоты с частоты f2 на частоту f1, причем частота f2>f1.Figure 2 presents the plot of the voltages and currents at various points in the circuit of the microwave power amplifier, illustrating the effectiveness of the invention, where a) are voltage diagrams of the modulating pulses of the first (dashed line) and second (solid line) cascades of signal amplification of the microwave device of the prototype; b) - plot of the current of the second stage of amplification of the signal of the microwave device of the prototype; c) - diagrams of the modulating pulses of the first (dashed line) and second (solid line) cascades of amplification of the microwave signal of the proposed device; g) - diagram of the current of the second stage of amplification of the microwave signal of the proposed device; d) - voltage plot between the drain and the source of the transistor. On the abscissa (time) axis, the time t Δf of the frequency change from the frequency f2 to the frequency f1 is noted, and the frequency f2> f1.
На фиг.3 показаны: вольтамперные характеристики амплитрона на двух частотах: f1 (тонкая сплошная линия) и f2 (тонкая пунктирная линия), причем f1<f2; нагрузочные характеристики устройства-прототипа (толстая сплошная линия) и предлагаемого устройства (толстая пунктирная линия); линия, обозначающая границу зоны устойчивой работы амплитрона (тонкая точечная линия, зона устойчивой работы, располагается слева от нее).Figure 3 shows: current-voltage characteristics of the amplitron at two frequencies: f1 (thin solid line) and f2 (thin dashed line), with f1 <f2; load characteristics of the prototype device (thick solid line) and the proposed device (thick dashed line); a line indicating the boundary of the zone of stable operation of the amplitron (a thin dotted line, the zone of stable operation, is located to the left of it).
Импульсный усилитель мощности СВЧ (фиг.1) содержит так же, как и прототип, первый 1 и второй 2 развязывающие вентили, модулятор 3, первый каскад 4 усиления сигнала СВЧ, выполненный, например, на лампе бегущей волны (ЛБВ), второй каскад 5 усиления сигнала СВЧ, выполненный, например, на амплитроне. При этом вход первого вентиля 1 соединен с внешним источником сигнала СВЧ, выход первого вентиля 1 соединен с входом СВЧ ЛБВ 4, выход СВЧ ЛБВ 4 соединен с входом второго вентиля 2. Выход второго вентиля 2 соединен с входом СВЧ амплитрона 5. Аноды ЛБВ 4 и амплитрона 5 соединены с общей шиной.The microwave microwave power amplifier (Fig. 1) contains, like the prototype, the first 1 and second 2 decoupling gates, a
В отличие от прототипа в импульсном усилителе мощности СВЧ положительный вывод модулятора 3 соединен с общей шиной, катод ЛБВ 4 соединен непосредственно с отрицательным выводом модулятора 3, катод амплитрона 5 соединен с катодом ЛБВ 4 через последовательно соединенные согласующий резистор 6, полевой транзистор 7 и резистор обратной связи 8. При этом сток транзистора 7 соединен с катодом амплитрона 5, а исток - с резистором обратной связи 8, а между точкой соединения согласующего резистора 6 и резистора обратной связи 8 и затвором полевого транзистора 7 включен управляющий источник напряжения 9, причем положительный вывод управляющего источника напряжения 9 соединен с затвором полевого транзистора 7.In contrast to the prototype, in the microwave pulse power amplifier, the positive output of the
Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.
Мощность СВЧ подается на вход развязывающего вентиля 1 с развязкой α=20 дБ. После усиления в первом каскаде 4 усиления сигнала СВЧ мощность СВЧ через вентиль 2 поступает на вход второго каскада 5 усиления сигнала СВЧ. С выхода второго каскада 5 мощность СВЧ поступает в антенну.Microwave power is supplied to the input of decoupling valve 1 with isolation α = 20 dB. After amplification in the first stage 4 amplification of the microwave signal, the microwave power through the
Импульсная модуляция каскадов 4 и 5 усиления сигнала СВЧ производится так же, как и в прототипе, от одного импульсного модулятора 3. Модулятор согласован с первым каскадом 4 усиления сигнала СВЧ и выдает импульсы со стабильным напряжением вершины. Импульсное напряжение на первый каскад 4 усиления сигнала СВЧ подается непосредственно от отрицательного вывода модулятора в точке «А» на фиг.1 (пунктирная линия на фиг.2,в), а на второй каскад 5 усиления сигнала СВЧ подается в точку «Б» на фиг.1 (сплошная линия на фиг.2,в) с этого же отрицательного вывода модулятора через согласующий резистор 6, резистор обратной связи 8 и транзистор 7, каналом которого управляет по затвору управляющий источник напряжения 9.The pulse modulation of stages 4 and 5 of the amplification of the microwave signal is carried out in the same way as in the prototype, from one
Непосредственное подключение первого каскада 4 усиления сигнала СВЧ к модулятору, а второго каскада 5 усиления сигнала СВЧ через согласующий резистор 6, полевой транзистор 7 и резистор обратной связи 8 обеспечивает задержку переднего фронта модулирующего импульса амплитрона относительно переднего фронта модулирующего импульса ЛБВ (фиг.2,в). Это повышает надежность работы усилителя, предотвращая возникновение паразитных колебаний на выходе второго каскада 5 усиления сигнала СВЧ без СВЧ возбуждения.Direct connection of the first microwave signal amplification stage 4 to the modulator, and the second microwave signal amplification stage 5 through a
Изменение несущей частоты приводит к изменению напряжения анода (фиг.3 ΔU) второго каскада 5 усиления сигнала СВЧ. При этом в устройстве-прототипе (на фиг.3 изображена нагрузочная характеристика устройства-прототипа с использованием пикового детектора и, следовательно, малым нагрузочным сопротивлением, при изменении частоты с f2 до частоты f1 рабочая точка переместится из точки 1 в точку 2) неравномерность тока второго каскада 5 (фиг.3 - ΔI, фиг.2,а - сплошная линия и фиг.2,б - момент tΔf) приводит к выходу за пределы зоны устойчивой работы, где параметры второго каскада 5 не гарантируются, а неравномерность напряжения второго каскада 5 (фиг.3 - ΔU2 и фиг.2,а - сплошная линия) приводит к неравномерности напряжения первого каскада 4 (фиг.2,а - пунктирная линия), что, в свою очередь, может привести к нестабильной работе первого каскада 4.The change in the carrier frequency leads to a change in the voltage of the anode (Fig.3 ΔU) of the second stage 5 amplification of the microwave signal. Moreover, in the prototype device (Fig. 3 shows the load characteristic of the prototype device using a peak detector and, therefore, a low load resistance, when the frequency changes from f2 to frequency f1, the operating point will move from point 1 to point 2) cascade 5 (Fig. 3 - ΔI, Fig. 2, a - solid line and Fig. 2, b - moment t Δf ) leads to the out of the zone of stable operation, where the parameters of the second cascade 5 are not guaranteed, and the voltage unevenness of the second cascade 5 (figure 3 - ΔU2 and figure 2, a - continuous line) leads to a first voltage nonuniformity stage 4 (Figure 2, and - dotted line), which in turn may lead to unstable operation of the first stage 4.
Согласование модулятора 3 с первым каскадом 4 усиления сигнала СВЧ обеспечивает стабильное напряжение, необходимое первому каскаду 4 (фиг 2,в - пунктирная линия).Coordination of the
Для стабилизации тока второго каскада 5 усиления сигнала СВЧ введен активный параметрический стабилизатор тока, состоящий из полевого транзистора 7, ток стока которого равен току амплитрона (фиг.2,г) и в наибольшей степени зависит от напряжения на затворе полевого транзистора 7, резистора обратной связи 8, снижающего зависимость тока стока полевого транзистора 7 от напряжения сток-исток и температуры, и управляющего источника напряжения 9, вырабатывающего необходимое напряжение затвора и компенсирующего температурную зависимость тока стока полевого транзистора 7.To stabilize the current of the second microwave signal amplification stage 5, an active parametric current stabilizer is introduced, consisting of a field-effect transistor 7, the drain current of which is equal to the current of the amplitron (Fig. 2d) and is most dependent on the voltage across the gate of the field-effect transistor 7, a feedback resistor 8, which reduces the dependence of the drain current of the field effect transistor 7 on the drain-source voltage and temperature, and a control voltage source 9, which generates the necessary gate voltage and compensates for the temperature dependence of the current field effect transistor 7.
Напряжение с управляющего источника 9 обеспечивает полное отпирание полевого транзистора 7 при отсутствии модулирующего импульса. При появлении модулирующего импульса через полевой транзистор 7 и резистор обратной связи 8 начинает протекать ток, создающий падение напряжения на резисторе обратной связи 8, которое компенсирует напряжение управляющего источника напряжения 9 и переводит полевой транзистор 7 в активный режим. В этом случае при токах меньше заданных резистором обратной связи 8 и управляющим источником напряжения 9 статическое и динамическое сопротивления полевого транзистора 7 равны и крайне малы. Суммарное сопротивление цепочки: согласующий резистор 6, резистор обратной связи 8 и полевой транзистор 7, обусловлено в большей степени сопротивлением согласующего резистора 6. При этом, как показано на фиг.3, нагрузочная характеристика предлагаемого устройства сходна с нагрузочной характеристикой устройства-прототипа. При приближении тока к заданному значению динамическое сопротивление полевого транзистора 7 резко возрастает. Транзистор переходит в режим стабилизатора тока, когда ток транзистора стабилен (фиг.2,г) и обусловлен напряжением затвор-исток, а не напряжением сток-исток (фиг.2,д).The voltage from the control source 9 provides a complete unlocking of the field effect transistor 7 in the absence of a modulating pulse. When a modulating pulse appears through a field effect transistor 7 and a feedback resistor 8, a current begins to flow, creating a voltage drop across the feedback resistor 8, which compensates for the voltage of the control voltage source 9 and puts the field effect transistor 7 in active mode. In this case, at currents less than those set by the feedback resistor 8 and the control voltage source 9, the static and dynamic resistance of the field effect transistor 7 are equal and extremely small. The total resistance of the chain: the terminating
При уменьшении частоты колебаний статическое сопротивление каскада 5 усиления сигнала СВЧ уменьшается. Одновременно с этим увеличивается статическое сопротивление полевого транзистора 7, работающего в активном режиме и имеющего большое динамическое сопротивление за счет стабильности управляющего источника напряжения 9. Соответственно суммарное статическое сопротивление цепочки - второй каскад 5 усиления сигнала СВЧ, полевой транзистор 7, резистор обратной связи 8, согласующий резистор 6 - остается неизменным, что обеспечивает стабильность тока в ней и, соответственно, стабильность тока амплитрона (фиг.3, рабочая точка по нагрузочной характеристике предлагаемого устройства переходит из точки 1 в точку 3). При этом уменьшение статического сопротивления амплитрона и увеличение статического сопротивления полевого транзистора 7 вызывает уменьшение напряжения на амплитроне и увеличение напряжения на полевом транзисторе (как показано на фиг.2,в, д). При увеличении частоты происходят обратные процессы - статическое сопротивление амплитрона увеличивается, а статическое сопротивление полевого транзистора уменьшается.When the oscillation frequency decreases, the static resistance of the microwave signal amplification stage 5 decreases. At the same time, the static resistance of the field effect transistor 7 operating in an active mode and having high dynamic resistance due to the stability of the control voltage source 9 is increased. Accordingly, the total static resistance of the circuit is the second microwave signal amplification stage 5, the field effect transistor 7, feedback resistor 8, matching resistor 6 - remains unchanged, which ensures the stability of the current in it and, accordingly, the stability of the current of the amplitron (figure 3, the operating point on the load The characteristics of the proposed device goes from point 1 to point 3). In this case, a decrease in the static resistance of the amplitron and an increase in the static resistance of the field effect transistor 7 cause a decrease in the voltage on the amplitron and an increase in the voltage on the field effect transistor (as shown in FIG. With increasing frequency, reverse processes occur - the static resistance of the amplitron increases, and the static resistance of the field-effect transistor decreases.
Для грубого согласования уровней напряжения первого 4 и второго 5 каскада усиления сигнала СВЧ и уменьшения нагрузки на полевой транзистор 7 введен согласующий резистор 6.To roughly match the voltage levels of the first 4 and second 5 stages of amplification of the microwave signal and reduce the load on the field effect transistor 7, a terminating
Технический результат от использования предлагаемого импульсного усилителя мощности СВЧ в отличие от устройства-прототипа заключается в обеспечении надежной работы усилителя во всем рабочем диапазоне частот при быстрой скачкообразной перестройке частоты как между импульсами, так и внутри них. Надежная работа усилителя обусловлена стабилизацией импульсного тока второго каскада 5 усиления сигнала СВЧ и импульсного напряжения первого каскада 4 усиления сигнала СВЧ как внутри импульса, так и от импульса к импульсу.The technical result from the use of the proposed pulsed microwave power amplifier, in contrast to the prototype device, is to ensure reliable operation of the amplifier in the entire operating frequency range with fast frequency hopping both between pulses and inside them. The reliable operation of the amplifier is due to the stabilization of the pulse current of the second microwave signal amplification stage 5 and the pulse voltage of the first microwave signal amplification stage 4 both inside the pulse and from pulse to pulse.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007120785/09A RU2340083C1 (en) | 2007-06-04 | 2007-06-04 | Shf power pulse amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007120785/09A RU2340083C1 (en) | 2007-06-04 | 2007-06-04 | Shf power pulse amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2340083C1 true RU2340083C1 (en) | 2008-11-27 |
Family
ID=40193364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007120785/09A RU2340083C1 (en) | 2007-06-04 | 2007-06-04 | Shf power pulse amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2340083C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2538301C1 (en) * | 2013-12-09 | 2015-01-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Half bridge galvanic isolated pulse-power amplifier |
| RU2618601C1 (en) * | 2016-01-11 | 2017-05-04 | Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Всероссийский научно-исследовательский институт радиоаппаратуры" (АО "ВНИИРА") | High-power microwave impulses generator |
| RU2634226C1 (en) * | 2016-11-25 | 2017-10-24 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная фирма "Плазмаинформ" | Pulse amplifier shf |
-
2007
- 2007-06-04 RU RU2007120785/09A patent/RU2340083C1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2538301C1 (en) * | 2013-12-09 | 2015-01-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Half bridge galvanic isolated pulse-power amplifier |
| RU2618601C1 (en) * | 2016-01-11 | 2017-05-04 | Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Всероссийский научно-исследовательский институт радиоаппаратуры" (АО "ВНИИРА") | High-power microwave impulses generator |
| RU2634226C1 (en) * | 2016-11-25 | 2017-10-24 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная фирма "Плазмаинформ" | Pulse amplifier shf |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7035604B2 (en) | Communications signal amplifiers having independent power control and amplitude modulation | |
| KR101145666B1 (en) | Three-stage gan hemt doherty power amplifier for high frequency applications | |
| US9419561B2 (en) | Circuits and methods for biasing a power amplifier | |
| US9252713B2 (en) | Bias circuits and methods for stacked devices | |
| US20090310709A1 (en) | Amplitude modulated pulse transmitter | |
| JP5806076B2 (en) | RF pulse signal generation switching circuit, RF pulse signal generation circuit, and target detection apparatus | |
| JPH0669002B2 (en) | High frequency amplifier | |
| EP3311499B1 (en) | Current enhanced driver for high-power solid-state radio frequency power amplifiers | |
| US8395443B2 (en) | Doherty amplifier | |
| EP0561346A1 (en) | Amplifier | |
| RU2340083C1 (en) | Shf power pulse amplifier | |
| US7365603B2 (en) | FET amplifier, pulse modulation module, and radar device | |
| US11595012B2 (en) | Distributed amplifier | |
| US9998075B1 (en) | LDO with fast recovery from saturation | |
| Rao et al. | A high‐voltage solid‐state Marx generator with adjustable pulse edges | |
| CN208608971U (en) | A kind of gallium nitride microwave integrated circuit pulse modulated circuit | |
| KR101094359B1 (en) | Millimeter-wave amplifier and bias circuit for the same | |
| EP2705601B1 (en) | Wideband and reconfigurable doherty based amplifier | |
| EP2573937A1 (en) | Power amplifier module having bias circuit | |
| CN109981080B (en) | Method and circuit for improving overshoot suppression efficiency of power amplifier under same pulse trigger signal and power amplifier | |
| EP1394945A2 (en) | Driver circuit | |
| JP6155636B2 (en) | Wireless communication apparatus, signal adjustment circuit, and signal adjustment method | |
| Montaseri et al. | Design of stacked-MOS transistor mm-wave class C amplifiers for Doherty power amplifiers | |
| JP2009506696A (en) | Apparatus and method for amplifying pulsed RF signals | |
| US20080150634A1 (en) | Two-stage amplification using intermediate non-linear square wave |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130605 |