RU2328008C2 - Устройство для измерения больших значений комплексной диэлетрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на свч - Google Patents

Устройство для измерения больших значений комплексной диэлетрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на свч Download PDF

Info

Publication number
RU2328008C2
RU2328008C2 RU2006128859/09A RU2006128859A RU2328008C2 RU 2328008 C2 RU2328008 C2 RU 2328008C2 RU 2006128859/09 A RU2006128859/09 A RU 2006128859/09A RU 2006128859 A RU2006128859 A RU 2006128859A RU 2328008 C2 RU2328008 C2 RU 2328008C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
waveguide
short
circuited
dielectric permittivity
low
Prior art date
Application number
RU2006128859/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2006128859A (ru
Inventor
Герман В чеславович Дмитриенко (RU)
Герман Вячеславович Дмитриенко
Николай Александрович Трефилов (RU)
Николай Александрович Трефилов
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет"
Priority to RU2006128859/09A priority Critical patent/RU2328008C2/ru
Publication of RU2006128859A publication Critical patent/RU2006128859A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2328008C2 publication Critical patent/RU2328008C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области измерения электрических величин и может быть использовано в производстве существующих и новых поглощающих материалов типа углепластиков, применяется в СВЧ-диапазоне, а также для контроля электрических параметров диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. Технический результат - получение более точной измерительной информации о значении комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов. Предлагается устройство для измерения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости сильно поглощающих материалов на СВЧ, в котором П-волновод короткозамкнутый на конце, а на боковой стенке напротив гребня выполнена продольная щель большой длины, параллельно оси П-волновода, и снабженная согласующими скосами, ширина щели во всю стенку П-волновода, которая в процессе измерения закрывается эталонным короткозамыкателем или измеряемым образцом. 3 ил.

Description

Изобретение относится к области измерения электрических величин и может быть использовано в производстве существующих и новых поглощающих материалов типа углепластиков, применяется в СВЧ-диапазоне, а также для контроля электрических параметров диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является выбранное в качестве прототипа устройство для измерения комплексной диэлектрической проницаемости косвенным методом, включающее короткозамкнутый на конце прямоугольный волновод, имеющий на боковой стенке продольную щель большой длины, параллельно оси волновода, снабженную согласующими скосами, которая в процессе измерения закрывается эталонным короткозамыкателем или измеряемым образцом [см. Патент РФ №2199760, Б.И. №6, 2003 г.]. Измерения проводятся в два этапа, в начале к щели волновода подключается эталонный короткозамыкатель и производится калибровка установки, затем к щели волновода взамен эталонного короткозамыкателя подключается исследуемый плоский образец диэлектрика. От СВЧ-генератора по волноводу подается зондирующая электромагнитная волна. Информация о параметрах материала заключается в амплитудах и фазах отраженных волн, т.е. в комплексном коэффициенте отражения от образца. Для измерения коэффициента отражения могут применяться одиночные и многозондовые измерительные линии, автоматические измерительные линии, автоматические измерители полных сопротивлений и т.п. Обработка результатов производится по способу прототипа [см. Патент РФ №2199760, Б.И. №6, 2003 г.].
Недостатком описанного прототипа являются невысокая точность измерения ε и tgδ для низкоимпедансных материалов, имеющих одновременно большие значения диэлектрической проницаемости ε и тангенса угла диэлектрических потерь tgδ и характеризующиеся большими коэффициентами отражения от образца. Электромагнитная волна при взаимодействии с измеряемым образцом низкоимпедансного композиционного материала испытывает большое затухание, для измерения ε и tgδ используют электромагнитную волну повышенной мощности.
Сущность изобретения заключается в следующем, в уменьшении погрешности измерения относительной диэлектрической проницаемости ε и тангенса угла диэлектрических потерь tgδ низкоимпедансных композиционных материалов и расширения частотного диапазона измерения диэлектрической проницаемости
Figure 00000002
.
Технический результат - получение более точной измерительной информации о значении комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов.
Указанный технический результат достигается тем, что устройство для измерения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на СВЧ, характеризующихся большими значениями комплексной относительной диэлектрической проницаемости, содержит СВЧ-генератор, измерительное устройство комплексного коэффициента отражения, короткозамкнутый на конце волновод, имеющий на боковой стенке продольную щель большой длины, параллельно оси волновода, снабженную согласующими скосами, которая в процессе измерения закрывается эталонным короткозамыкателем или измеряемым образцом, эталонный короткозамыкатель и образец измеряемого материала.
Особенностью является то, что оно содержит короткозамкнутый на конце П-волновод, у которого на боковой стенке напротив гребня выполнена продольная щель большой длины, параллельно оси короткозамкнутого на конце П-волновода, и снабженная согласующими скосами, причем ширина щели - во всю стенку короткозамкнутого на конце П-волновода.
Измерение диэлектрической проницаемости производится в два этапа, в начале щель закрывается эталонным короткозамыкателем, затем щель закрывается пластиной исследуемого материала. От СВЧ-генератора по короткозамкнутому на конце П-волноводу подается зондирующая электромагнитная волна, которая распространяется по короткозамкнутому на конце П-волноводу со щелью и взаимодействует с измеряемым образцом. В обоих случаях производится измерение комплексного коэффициента отражения от короткозамкнутого на конце П-волновода со щелью. Свойства П-волноводов - это более широкая рабочая полоса частот на низшем типе колебаний, к тому же в месте между гребнем и боковой стенкой концентрируется повышенная напряженность электромагнитного поля, что увеличивает чувствительность и точность метода измерения на образцах измеряемого материала малых геометрических размеров.
Сущность изобретения поясняется чертежами, где на Фиг.1 - представлено поперечное сечение П-волновода, на Фиг.2 - его вид сбоку, на Фиг.3 - вид снизу короткозамкнутого на конце П-волновода.
Устройство содержит СВЧ-генератор, измерительное устройство для измерения комплексной относительной диэлектрической проницаемости
Figure 00000003
и короткозамкнутый на конце П-волновод 1, у которого на боковой стенке напротив гребня выполнена продольная щель большой длины, параллельно оси короткозамкнутого на конце П-волновода 1, и снабженная согласующими скосами, ширина щели может быть во всю стенку короткозамкнутого на конце П-волновода 1, эталонный короткозамыкатель и образец измеряемого материала 2.
Устройство работает следующим образом. Короткозамкнутый на конце П-волновод 1 образцом измеряемого материала 2 подключается к измерительной схеме и СВЧ-генератору. От СВЧ-генератора по короткозамкнутому на конце П-волноводу 1 подается зондирующая волна, которая движется по короткозамкнутому на конце П-волноводу 1, у которого на боковой стенке напротив гребня выполнена продольная щель большой длины, параллельно оси короткозамкнутого на конце П-волновода 1, и снабженная согласующими скосами, причем ширина щели может быть во всю стенку короткозамкнутого на конце П-волновода 1, и доходит до короткозамкнутого конца П-волновода 1, отражается и движется в обратном направлении. Сначала производятся измерения комплексного коэффициента отражения зондирующей волны от короткозамкнутого на конце П-волновода 1 с эталонным короткозамыкателем, установленным на место щели, затем производятся измерения коэффициента отражения зондирующей волны, когда установлен образец измеряемого материала 2 (пластина). Из полученных результатов комплексных коэффициентов отражения зондирующей волны от короткозамкнутого на конце П-волновода 1 с образцом измеряемого материала 2 и с эталонным короткозамыкателем вычисляется значение комплексной диэлектрической проницаемости измеряемого материала.

Claims (1)

  1. Устройство для измерения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на СВЧ, характеризующихся большими значениями комплексной относительной диэлектрической проницаемости, содержащее СВЧ генератор, измерительное устройство комплексного коэффициента отражения, короткозамкнутый на конце волновод, имеющий на одной стенке продольную щель большой длины, параллельно оси волновода, снабженную согласующими скосами, которая в процессе измерения закрывается эталонным короткозамыкателем или измеряемым образцом, эталонный короткозамыкатель и образец измеряемого материала, отличающееся тем, что оно содержит короткозамкнутый на конце П-волновод, у которого на широкой стенке напротив гребня выполнена продольная щель большой длины, параллельно оси короткозамкнутого на конце П-волновода, и снабженная согласующими скосами, причем ширина щели - во всю стенку короткозамкнутого на конце П-волновода.
RU2006128859/09A 2006-08-08 2006-08-08 Устройство для измерения больших значений комплексной диэлетрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на свч RU2328008C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006128859/09A RU2328008C2 (ru) 2006-08-08 2006-08-08 Устройство для измерения больших значений комплексной диэлетрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на свч

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006128859/09A RU2328008C2 (ru) 2006-08-08 2006-08-08 Устройство для измерения больших значений комплексной диэлетрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на свч

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006128859A RU2006128859A (ru) 2008-02-20
RU2328008C2 true RU2328008C2 (ru) 2008-06-27

Family

ID=39266755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006128859/09A RU2328008C2 (ru) 2006-08-08 2006-08-08 Устройство для измерения больших значений комплексной диэлетрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на свч

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2328008C2 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2006128859A (ru) 2008-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5334941A (en) Microwave reflection resonator sensors
US5872447A (en) Method and apparatus for in-situ measurement of polymer cure status
Abd Rahman et al. Planar microwave sensors for accurate measurement of material characterization: A review
US6819121B1 (en) Method and apparatus for measurement of concrete cure status
RU2548064C1 (ru) Способ измерения диэлектрической проницаемости материалов и устройство для его осуществления
Xiao et al. A dual-scale CSRRs-based sensor for dielectric characterization of solid materials
RU2321010C1 (ru) Устройство для измерения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на свч
RU2328008C2 (ru) Устройство для измерения больших значений комплексной диэлетрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на свч
Zhang et al. A CSRR-Based Dual-Peaks Antenna Sensor for Full Characterization of Magneto-Dielectric Materials
Ghodgaonkar et al. Microwave nondestructive testing of composite materials using free-space microwave measurement techniques
DE602004006154D1 (de) Sensor und gesamtvorrichtung zur hydrometrischen messung
Hasar Microwave method for thickness-independent permittivity extraction of low-loss dielectric materials from transmission measurements
EP3156784A1 (en) Enhanced characterization of dielectric properties
RU2326392C1 (ru) Устройство для определения параметров низкоимпедансных материалов на свч с помощью коаксиального резонатора
WO2021124393A1 (ja) 誘電分光測定装置
EP2442096B1 (en) Determination of electromagnetic properties of samples
Casacuberta et al. Sensitivity Optimization in Single-Frequency Planar Microwave Sensors for Solid and Liquid Characterization and Microfluidics
WO2000004375A1 (en) Microwave measuring instrument and methods of measuring with microwaves
JPH0714870Y2 (ja) シート状物の高周波特性測定装置
Hasar Procedure for accurate and stable constitutive parameters extraction of materials at microwave frequencies
Hanif et al. Compact maze-shaped meta resonator for high-sensitive S-band low permittivity characterization
RU2199760C2 (ru) Устройство для измерения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости сильно поглощающих материалов на свч
RU2247400C1 (ru) Устройство для измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных материалов на свч
RU2787302C1 (ru) Способ определения мнимой части комплексной диэлектрической проницаемости жидких диэлектриков со слабым поглощением в диапазоне 22-40 ГГц
RU2766059C1 (ru) Способ бесконтактного определения диэлектрической проницаемости жидких диэлектриков в диапазоне 22-40 ГГц

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20080809