RU2319299C1 - Multi-input logical "and" element on cmos transistors - Google Patents

Multi-input logical "and" element on cmos transistors Download PDF

Info

Publication number
RU2319299C1
RU2319299C1 RU2006140021/09A RU2006140021A RU2319299C1 RU 2319299 C1 RU2319299 C1 RU 2319299C1 RU 2006140021/09 A RU2006140021/09 A RU 2006140021/09A RU 2006140021 A RU2006140021 A RU 2006140021A RU 2319299 C1 RU2319299 C1 RU 2319299C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
type
output
transistor
clock
key circuit
Prior art date
Application number
RU2006140021/09A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Ануфриевич Лементуев
Original Assignee
Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН filed Critical Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН
Priority to RU2006140021/09A priority Critical patent/RU2319299C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2319299C1 publication Critical patent/RU2319299C1/en

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

FIELD: computer engineering, possible use in MOS integration circuits during realization of logical devices.
SUBSTANCE: device contains AND-NOT element (1), inverting element (2), clock transistors (3) and (4) of n-type and p-type respectively, additional transistor (5) of n-type. The AND-NOT element (1) contains pre-charge transistor (6) of p-type and key circuit (7), made on serially connected transistors of n-type, gates of which are connected to inputs (8) of device. Pre-charge transistor (6) is coupled between power bus (9) and output (10) of AND-NOT element (1). First contact (11) of key circuit (7) of AND-NOT element (1) is connected to output (10) of AND-NOT element (1), and second contact (12) through clock transistor (3) is connected to zero bus (13), clock transistor (4) is coupled between power bus (9) and second contact (12) of key circuit (7). Gates of clock transistors (3,4) and pre-charge transistor (6) are connected to clock bus (14). Inverting element (2) contains logical transistor (15) of p-type, coupled between power bus (9) and output (16) and pre-charge transistor (17) of n-type, coupled between output of device and zero bus, gates of transistors (15,17) of inverting element (2) are connected respectively to output (10) and to second output (12) of key circuit (7). Additional transistor (5), gate of which is connected to output (16) of device, is coupled between output (10) of device and second output (12) of key circuit (7).
EFFECT: increased speed of device operation.
1 dwg

Description

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в КМДП интегральных схемах для реализации логических устройств.The invention relates to the field of computer technology and can be used in CMDP integrated circuits for the implementation of logical devices.

Известен тактируемый логический элемент И типа «домино» с несколькими входами (Патент США №5208489, FIG.1, Н03К 19/094, НКИ 307/451 от 04.05.1993). Он содержит элемент И-НЕ с предзарядовым транзистором p-типа, ключевую цепь на транзисторах n-типа и выходной статический инвертор. Недостатком элемента является ограниченное быстродействие, что связано с наличием нескольких последовательно включенных транзисторов ключевой цепи и нагрузкой выходного инвертора.Known clocked logic element And type "dominoes" with multiple inputs (US Patent No. 5208489, FIG.1, H03K 19/094, NKI 307/451 from 05/04/1993). It contains an NAND element with a p-type precharge transistor, a key circuit on n-type transistors, and an output static inverter. The disadvantage of this element is the limited speed, which is associated with the presence of several series-connected transistors of the key circuit and the load of the output inverter.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является логический элемент на КМДП транзисторах с функцией И на несколько входов (Патент РФ №2275737, Н03К 19/01, 19/094 от 06.12.2004). Это устройство, принятое за прототип, содержит элемент И-НЕ, инвертирующий элемент и два тактовых транзистора. Элемент И-НЕ содержит предзарядовый транзистор p-типа и логическую часть в виде ключевой цепи, выполненной на последовательно соединенных транзисторах n-типа, а инвертирующий элемент содержит логический транзистор p-типа и предзарядовый транзистор n-типа. Недостаток этого устройства - ограниченное быстродействие при большом числе входов по И, что обусловлено медленным процессом переключения элемента И-НЕ.The closest technical solution to the proposed one is a logic element on KMDP transistors with the And function for several inputs (RF Patent No. 2275737, Н03К 19/01, 19/094 of December 6, 2004). This device, taken as a prototype, contains an AND-NOT element, an inverting element and two clock transistors. The NAND element contains a p-type pre-charge transistor and a logic part in the form of a key circuit made on series-connected n-type transistors, and the inverting element contains a p-type logic transistor and an n-type pre-charge transistor. The disadvantage of this device is the limited performance with a large number of inputs on And, which is due to the slow process of switching the element AND-NOT.

Технической задачей, решаемой в изобретении, является повышение быстродействия устройства. Поставленная цель достигается тем, что многовходовый логический элемент И на КМДП транзисторах, содержащий элемент И-НЕ, инвертирующий элемент, тактовый транзистор n-типа и тактовый транзистор p-типа, элемент И-НЕ содержит предзарядовый транзистор p-типа, включенный между шиной питания и выходом данного элемента, и ключевую цепь, состоящую из последовательно соединенных транзисторов n-типа, затворы которых подключены к входам устройства, первый вывод ключевой цепи подключен к выходу элемента И-НЕ, а второй вывод через тактовый транзистор n-типа соединен с нулевой шиной, тактовый транзистор p-типа включен между шиной питания и вторым выводом ключевой цепи элемента И-НЕ, инвертирующий элемент содержит логический транзистор p-типа, включенный между шиной питания и выходом устройства, и предзарядовый транзистор n-типа, включенный между выходом устройства и нулевой шиной, затворы тактовых транзисторов и предзарядового транзистора p-типа подключены к тактовой шине, затворы логического транзистора p-типа и предзарядового транзистора n-типа инвертирующего элемента подключены соответственно к выходу элемента И-НЕ и к второму выводу ключевой цепи элемента И-НЕ, содержит дополнительный транзистор n-типа, который включен между выходом элемента И-НЕ и вторым выводом ключевой цепи того же элемента и затвор которого соединен с выходом устройства, причем устройство содержит не менее 8 входов.The technical problem solved in the invention is to increase the speed of the device. This goal is achieved by the fact that the multi-input logic element AND on the CMSC transistors, containing the AND-NOT element, an inverting element, an n-type clock transistor and a p-type clock transistor, an AND-NOT element contains a p-type precharge transistor connected between the power bus and the output of this element, and the key circuit, consisting of series-connected transistors of n-type, the gates of which are connected to the inputs of the device, the first output of the key circuit is connected to the output of the element AND NOT, and the second output through the clock transistor n- type is connected to the zero bus, a p-type clock transistor is connected between the power bus and the second output of the NAND element key circuit, an inverting element contains a p-type logic transistor connected between the power bus and the device output, and an n-type precharge transistor included between the output of the device and the zero bus, the gates of the clock transistors and the p-type pre-charge transistor are connected to the clock bus, the gates of the p-type logic transistor and the n-type pre-charge transistor of the inverting element are connected respectively To the output of the NAND element and to the second terminal of the key circuit of the NAND element, it contains an additional n-type transistor that is connected between the output of the NAND element and the second terminal of the key circuit of the same element and whose gate is connected to the output of the device, The device contains at least 8 inputs.

Существенными отличительными признаками в указанной совокупности признаков является наличие дополнительного транзистора n-типа, который в совокупности с новыми связями формирует дополнительную цепь обратной связи параллельно с ключевой цепью элемента И-НЕ.Significant distinguishing features in this set of features is the presence of an additional n-type transistor, which, together with new connections, forms an additional feedback circuit in parallel with the key circuit of the AND-NOT element.

Наличие в предлагаемом устройстве перечисленных выше существенных признаков обеспечивает решение поставленной технической задачи - повышение бвстродействия устройства. В известном устройстве при реализации функции И переключение элемента И-НЕ происходит через ключевую цепь с наличием нескольких последовательно включенных транзисторов транзисторов n-типа, а при большом числе входов - инвертирующий элемент переключается дополнительно через несколько последовательно включенных логических транзисторов p-типа, что ограничивает быстродействие многовходового элемента И. В предлагаемом устройстве переключение элемента И-НЕ через ключевую цепь происходит только на начальном этапе - до достижения на выходе устройства порогового напряжения транзисторов n-типа, что составляет не более 20% напряжения питания. В дальнейшем формирование выходного сигнала до уровня напряжения питания осуществляется при переключении элемента И-НЕ через дополнительный транзистор n-типа, сопротивление которого много меньше сопротивления ключевой цепи, что повышает быстродействие многовходового элемента И и позволяет использовать в ключевой цепи транзисторы n-типа с минимальными геометрическими размерами с наименьшей входной емкостью, что дополнительно ведет к повышению быстродействия устройства.The presence in the proposed device of the above essential features provides a solution to the technical problem - improving the performance of the device. In the known device, when the AND function is implemented, the AND-NOT element is switched through the key circuit with the presence of several series-connected transistors of n-type transistors, and with a large number of inputs, the inverting element switches additionally through several series-connected logical p-type transistors, which limits the performance multi-input element I. In the proposed device, the switching of the AND-NOT element through the key chain occurs only at the initial stage - until reaching the output threshold voltage devices of n-type transistors, which is not more than 20% of the supply voltage. Further, the formation of the output signal to the supply voltage level is carried out when the AND-NOT element is switched through an additional n-type transistor, the resistance of which is much less than the resistance of the key circuit, which increases the speed of the multi-input And element and allows the use of n-type transistors with minimal geometric dimensions with the smallest input capacity, which further leads to increased device performance.

На чертеже приведена принципиальная схема заявляемого многовходового логического элемента И на КМДП транзисторах.The drawing shows a schematic diagram of the inventive multi-input logic element AND on the CMDT transistors.

Многовходовый логический элемент на КМДП транзисторах содержит элемент И-НЕ 1, инвертирующий элемент 2, тактовые транзисторы 3 и 4 соответственно n-типа и p-типа, дополнительный транзистор 5 n-типа. Элемент И-НЕ 1 содержит предзарядовый транзистор 6 p-типа и ключевую цепь 7, выполненную на последовательно соединенных транзисторах n-типа, затворы которых подключены к входам 8 устройства. Предзарядовый транзистор 6 p-типа включен между шиной питания 9 и выходом 10 элемента И-НЕ. Первый вывод 11 ключевой цепи 7 элемента И-НЕ соединен с выходом 10 элемента И-НЕ, а второй вывод 12 через тактовый транзистор 3 n-типа соединен с нулевой шиной 13. Тактовый транзистор 4 p-типа включен между шиной питания 9 и вторым выводом 12 ключевой цепи 7 элемента И-НЕ 1. Затворы тактовых транзисторов 3, 4 и предзарядового транзистора 6 подключены к тактовой шине 14.The multi-input logic element on the CMSC transistors contains an AND-1 element, an inverting element 2, clock transistors 3 and 4, respectively, of n-type and p-type, an additional transistor 5 of n-type. The AND-NOT 1 element contains a p-type pre-charge transistor 6 and a key circuit 7 made on series-connected n-type transistors, the gates of which are connected to the inputs of the device 8. A p-type pre-charge transistor 6 is connected between the power bus 9 and the output 10 of the NAND element. The first terminal 11 of the key circuit 7 of the AND-NOT element is connected to the output 10 of the AND-NOT element, and the second terminal 12 is connected via the n-type clock transistor 3 to the zero bus 13. The p-type clock transistor 4 is connected between the power bus 9 and the second terminal 12 of the key circuit 7 of the AND-NOT element 1. The gates of the clock transistors 3, 4 and the pre-charge transistor 6 are connected to the clock bus 14.

Инвертирующий элемент 2 содержит логический транзистор 15 p-типа, включенный между шиной питания 9 и выходом 16 устройства, и предзарядовый транзистор 17 n-типа, включенный между выходом 16 устройства и нулевой шиной 13. Затворы логического транзистора 15 p-типа и предзарядового транзистора 17 n-типа инвертирующего элемента 2 подключены соответственно к выходу 10 и к второму выводу 12 ключевой цепи 7 элемента И-НЕ.The inverting element 2 contains a p-type logic transistor 15 connected between the power bus 9 and the device output 16, and an n-type pre-charge transistor 17 connected between the device output 16 and the zero bus 13. The gates of the p-type logic transistor 15 and the pre-charge transistor 17 n-type inverting element 2 are connected respectively to the output 10 and to the second terminal 12 of the key circuit 7 of the element AND.

Дополнительный транзистор 5 транзистор n-типа, затвор которого соединен с выходом 16 устройства, включен между выходом 10 и вторым выводом 12 ключевой цепи 7 элемента И-НЕ 1.An additional transistor 5 is an n-type transistor, the gate of which is connected to the output 16 of the device, is connected between the output 10 and the second output 12 of the key circuit 7 of the AND-NOT 1 element.

Устройство работает следующим образом. В исходном состоянии - на первом полутакте, при нулевом сигнале на тактовой шине 14 тактовый транзистор 3 n-типа закрыт, а тактовый транзистор 4 p-типа и предзарядовый транзистор 6 p-типа - открыты. От шины питания 9 через предзарядовые транзисторы 6 и 4 p-типа происходит процесс предзаряда до уровня логической 1, равного напряжению на шине питания 9, узловых емкостей, связанных с выходом 10 элемента И-НЕ и с вторым выводом 12 ключевой цепи 7 того же элемента. В результате логический транзистор 15 p-типа инвертирующего элемента 2 закрыт, а предзарядовый транзистор 17 n-типа - открыт. На выходе 16 устройства устанавливается сигнал логического 0. На первом полутакте на входах 8 устройства устанавливаются сигналы соответствующие входным переменным.The device operates as follows. In the initial state - on the first half-cycle, with a zero signal on the clock bus 14, the n-type clock transistor 3 is closed, and the p-type clock transistor 4 and the p-type precharge transistor 6 are open. From the supply bus 9 through the pre-charge transistors 6 and 4 p-type, the process of pre-charging occurs to the logical level 1, equal to the voltage on the supply bus 9, node capacitances associated with the output 10 of the AND-NOT element and with the second output 12 of the key circuit 7 of the same element . As a result, the p-type logic transistor 15 of the inverting element 2 is closed, and the n-type precharge transistor 17 is open. At the output 16 of the device, a logic 0 signal is set. On the first half-cycle, the signals corresponding to the input variables are set at the inputs of the device 8.

На втором полутакте после подачи положительного сигнала на тактовую шину 14 тактовый транзистор 3 n-типа открывается, а тактовый транзистор 4 p-типа и предзарядовый транзистор 6 p-типа закрываются. Тактовый транзистор 3 n-типа с большой шириной канала обеспечивает быстрый разряд емкостной нагрузки, связанной с вторым выводом 12 ключевой цепи 7, и предзарядовый транзистор 17 n-типа закрывается, что подготавливает выход 16 устройства к формированию выходного сигнала. Если все сигналы, подаваемые на входы 8 устройства, согласно функции И соответствуют логической 1, ключевая цепь 7 оказывается в проводящем состоянии и узловая емкость выхода 10 элемента И-НЕ начинает разряжаться через указанную ключевую цепь и тактовый транзистор 3 n-типа. При этом логический транзистор 15 p-типа инвертирующего элемента 2, затвор которого подключен к выходу элемента И-НЕ, открывается, и повышается уровень сигнала на выходе 16 устройства. При большом числе входов устройства и малых размерах транзисторов n-типа ключевой цепи 7 переходной процесс разряда узловой емкости, связанной с выходом 10 элемента И-НЕ, протекал бы достаточно медленно, как и в устройстве-прототипе. При достижении на выходе 16 устройства напряжения, равного пороговому для транзисторов n-типа, открывается дополнительный транзистор 5 n-типа и скорость разряда узловой емкости, связанной с выходом 10 элемента И-НЕ существенно возрастает, и соответственно сильнее открывается логический транзистор 15 p-типа и быстрее растет сигнал на выходе 16 устройства. Дополнительный транзистор 5 n-типа играет роль положительной обратной связи и его наличие позволяет использовать транзисторы n-типа в ключевой цепи 7 с минимальными размерами, что существенно уменьшает емкостную нагрузку по входам 8 элемента и повышает быстродействие при каскадном включении логических элементов. При большом числе входов (не менее 8) дополнительный транзистор 5 n-типа при тех же размерах, что и транзисторы n-типа ключевой цепи 7, существенно ускоряет процесс формирования сигнала логической 1 на выходе устройства.In the second half-cycle, after applying a positive signal to the clock bus 14, the n-type clock transistor 3 opens, and the p-type clock transistor 4 and the p-type precharge transistor 6 are closed. The n-type clock transistor 3 with a large channel width provides a fast discharge of the capacitive load associated with the second terminal 12 of the key circuit 7, and the n-type precharge transistor 17 is closed, which prepares the output 16 of the device to generate an output signal. If all the signals supplied to the inputs of the device 8, according to the AND function, correspond to logical 1, the key circuit 7 is in a conducting state and the nodal capacitance of the output 10 of the NAND element starts to discharge through the indicated key circuit and the n-type clock transistor 3. In this case, the p-type logical transistor 15 of the inverting element 2, the gate of which is connected to the output of the AND-NOT element, opens, and the signal level at the output 16 of the device increases. With a large number of device inputs and the small size of the n-type transistors of the key circuit 7, the transition process of the discharge of the nodal capacitance associated with the output 10 of the AND-NOT element would proceed rather slowly, as in the prototype device. When the output voltage 16 of the device reaches the threshold voltage for n-type transistors, an additional n-type transistor 5 opens and the discharge rate of the nodal capacitance associated with the output 10 of the NAND element increases significantly, and accordingly, the p-type logical transistor 15 opens and the signal at the output 16 of the device grows faster. An additional n-type transistor 5 plays the role of positive feedback and its presence allows the use of n-type transistors in the key circuit 7 with minimum dimensions, which significantly reduces the capacitive load at the inputs of the element 8 and increases the speed when the logic elements are cascaded. With a large number of inputs (at least 8), an additional n-type transistor 5 with the same dimensions as the n-type transistors of the key circuit 7 significantly speeds up the process of generating a logical 1 signal at the output of the device.

При подаче нулевого сигнала на тактовую шину 14 происходит восстановление исходного состояния элемента тактовый транзистор 3 n-типа закрывается, а тактовый транзистор 4 p-типа и предзарядовый транзистор 6 p-типа открываются. В диапазоне пока уровень сигнала на выходе 16 устройства выше порогового дополнительный транзистор 5 n-типа работает в инверсном режиме, что увеличивает скорость заряда узловой емкости выхода 10 элемента И-НЕ, что уменьшает также время восстановления исходного состояния элемента.When a zero signal is applied to the clock bus 14, the initial state of the element is restored, the n-type clock transistor 3 closes, and the p-type clock transistor 4 and the p-type precharge transistor 6 open. In the range while the signal level at the output 16 of the device is above the threshold, the additional n-type transistor 5 operates in the inverse mode, which increases the charge rate of the nodal capacitance of the output of the 10 AND-NOT element, which also reduces the time to restore the initial state of the element.

Claims (1)

Многовходовый логический элемент И на КМДП транзисторах, содержащий элемент И-НЕ, инвертирующий элемент, тактовый транзистор n-типа и тактовый транзистор р-типа, элемент И-НЕ содержит предзарядовый транзистор р-типа, включенный между шиной питания и выходом данного элемента, и ключевую цепь, состоящую из последовательно соединенных транзисторов n-типа, затворы которых подключены к входам устройства, первый вывод ключевой цепи подключен к выходу элемента И-НЕ, а второй вывод через тактовый транзистор n-типа соединен с нулевой шиной, тактовый транзистор р-типа включен между шиной питания и вторым выводом ключевой цепи элемента И-НЕ, инвертирующий элемент содержит логический транзистор р-типа, включенный между шиной питания и выходом устройства, и предзарядовый транзистор n-типа, включенный между выходом устройства и нулевой шиной, затворы тактовых транзисторов и предзарядового транзистора р-типа подключены к тактовой шине, затворы логического транзистора р-типа и предзарядового транзистора n-типа инвертирующего элемента подключены соответственно к выходу элемента И-НЕ и к второму выводу ключевой цепи элемента И-НЕ, отличающийся тем, что содержит дополнительный транзистор n-типа, который включен между выходом элемента И-НЕ и вторым выводом ключевой цепи того же элемента и затвор которого соединен с выходом устройства, причем устройство содержит не менее 8 входов.A multi-input AND gate on the KMDP transistors containing an NAND element, an inverting element, an n-type clock transistor and a p-type clock transistor, an NAND gate contains an p-type precharge transistor connected between the power bus and the output of this element, and a key circuit consisting of n-type transistors connected in series, the gates of which are connected to the inputs of the device, the first output of the key circuit is connected to the output of the NAND element, and the second output is connected to the zero bus via an n-type clock transistor, The r-type transistor is connected between the power bus and the second terminal of the key circuit of the NAND element, the inverting element contains a p-type logic transistor connected between the power bus and the device output, and an n-type pre-charge transistor connected between the device output and the zero bus , the gates of the clock transistors and p-type pre-charge transistor are connected to the clock bus, the gates of the p-type logic transistor and p-type transistor of the n-type inverting element are connected respectively to the output of the AND-NOT element and to the second output of the key circuit of the AND-NOT element, characterized in that it contains an additional n-type transistor that is connected between the output of the element AND-NOT and the second output of the key circuit of the same element and whose gate is connected to the output of the device, the device comprising at least 8 inputs.
RU2006140021/09A 2006-11-13 2006-11-13 Multi-input logical "and" element on cmos transistors RU2319299C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006140021/09A RU2319299C1 (en) 2006-11-13 2006-11-13 Multi-input logical "and" element on cmos transistors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006140021/09A RU2319299C1 (en) 2006-11-13 2006-11-13 Multi-input logical "and" element on cmos transistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2319299C1 true RU2319299C1 (en) 2008-03-10

Family

ID=39281127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006140021/09A RU2319299C1 (en) 2006-11-13 2006-11-13 Multi-input logical "and" element on cmos transistors

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2319299C1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2509412C1 (en) * 2012-10-04 2014-03-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Logical element "and" with multidigit internal representation of signals
RU2509413C1 (en) * 2012-10-09 2014-03-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Logical element "and" with multidigit internal representation of signals
RU2513717C1 (en) * 2012-09-10 2014-04-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Two-input "and" logic gate with multidigit internal signal presentation
RU2613853C2 (en) * 2015-03-04 2017-03-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук Multi-input logic element "i"
RU2693331C1 (en) * 2018-02-07 2019-07-02 Акционерное общество "МЦСТ" Reading port

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2513717C1 (en) * 2012-09-10 2014-04-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Two-input "and" logic gate with multidigit internal signal presentation
RU2509412C1 (en) * 2012-10-04 2014-03-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Logical element "and" with multidigit internal representation of signals
RU2509413C1 (en) * 2012-10-09 2014-03-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Logical element "and" with multidigit internal representation of signals
RU2613853C2 (en) * 2015-03-04 2017-03-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук Multi-input logic element "i"
RU2693331C1 (en) * 2018-02-07 2019-07-02 Акционерное общество "МЦСТ" Reading port

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105471412B (en) Integrated clock gating cell using low area and low power latches
US5521538A (en) Adiabatic logic
RU2319299C1 (en) Multi-input logical "and" element on cmos transistors
US5525916A (en) All-N-logic high-speed single-phase dynamic CMOS logic
US11152941B2 (en) High-voltage voltage level converter
RU2679186C1 (en) Voltage level converter
US7164293B2 (en) Dynamic latch having integral logic function and method therefor
WO2006044175A2 (en) Logic circuitry
US7394294B2 (en) Complementary pass-transistor logic circuit and semiconductor device
Lee et al. Split-level precharge differential logic: A new type of high-speed charge-recycling differential logic
US6292027B1 (en) Fast low-power logic gates and method for evaluating logic signals
Kaur et al. Analysis of low power CMOS current comparison domino logic circuits in ultra deep submicron technologies
RU2382490C1 (en) Clocked paraphase logical element
RU2412542C1 (en) Clocked multi-input and-element
Chang et al. Complementary pass-transistor energy recovery logic for low-power applications
RU2258303C1 (en) Para-phase logical element based on short-channel mis transistors
RU2275737C1 (en) Multifunction logic gate built around cmis transistors
RU2613853C2 (en) Multi-input logic element "i"
RU2368072C1 (en) Clocked logical element and-or on cmds-transistors
US7157958B2 (en) Reduced voltage pre-charge multiplexer
RU2515702C1 (en) Clocked and-or gate
RU2107387C1 (en) Paraphasal logic element built around mis transistors
RU2209508C1 (en) Paraphase logic gate of cascade devices built around cmis transistors
KR100459227B1 (en) Dynamic Logic Circuit
RU2393631C1 (en) Paraphase logical element

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20161114