RU2318262C1 - Полупроводниковый антиферромагнитный материал - Google Patents
Полупроводниковый антиферромагнитный материал Download PDFInfo
- Publication number
- RU2318262C1 RU2318262C1 RU2006119846/02A RU2006119846A RU2318262C1 RU 2318262 C1 RU2318262 C1 RU 2318262C1 RU 2006119846/02 A RU2006119846/02 A RU 2006119846/02A RU 2006119846 A RU2006119846 A RU 2006119846A RU 2318262 C1 RU2318262 C1 RU 2318262C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor
- cobalt
- zinc
- oxides
- antiferromagnetic
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов. Может использоваться в магнитоэлектронике. Полупроводниковый антиферромагнитный материал характеризуется температурой перехода в парамагнитное состояние TN=600-650 К и представляет собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта Zn1-XCoXO, где Х=0,01÷0,25; или гомогенный твердый раствор оксидов цинка, кобальта и лантаноида Zn1-X-YCoXLnYO, где Ln - Pr, Nd, Sm или Eu; X=0,01-0,24; Y=0,01-0,03; X+Y≤0,25. Полученный материал обладает полупроводниковыми и антиферромагнитными свойствами, высокой температурой Кюри при высокой термической стабильности. 2 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, конкретно к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов, обладающих полупроводниковыми и антиферромагнитными свойствами, а также высокой температурой Кюри (точкой Нееля) ТN=600-650 К при высокой термической стабильности продукта.
Изобретение может быть использовано в магнитоэлектронике, в которой ведущая роль принадлежит не только электрической характеристике, но и квантово-механической, такой как спин электрона.
Развитие магнитоэлектроники в значительной мере сдерживается отсутствием подходящих материалов, удовлетворяющих трем основным критериям:
- сохранение магнитной ориентации в полупроводниках с n- и с p-подвижными носителями тока при температурах, значительно выше комнатных;
- простота и надежность методик синтеза материалов, возможность включения изделий, полученных из этих материалов, в стандартные полупроводниковые схемы;
- сохранение в полученных магнитных полупроводниковых материалах структуры и физико-химических свойств исходных полупроводниковых матриц без ухудшения их потребительских характеристик.
Магнитные полупроводниковые материалы принято подразделять на следующие классы: Концентрированные Магнитные Полупроводники (КМН); Полумагнитные Полупроводники (ПМП); Разбавленные Магнитные Полупроводники (РМП); Высокотемпературные Ферромагнитные Полупроводники (ВТФП) и Неоднородные Магнитные Материалы (НММ) [В.А.Иванов и др. Спинтроника и спинтронные материалы. Известия РАН, серия Химическая, 2004, №11, 2255-2303].
КМН, к которым относится EuO, Cr-халькогенидные шпинели MeCrXal2, BiMnO3, CeCuO3, YTiO3, а также пниктиды Mn(Cr)As(Sb), не получили практического применения из-за низких температур Кюри и технологических требований чистоты, предъявляемых к материалам электроники. Эти же причины плюс нестабильность препятствуют практическому использованию ПМП, получаемых на основе матриц II-IV и IV-VI (II - Zn, Cd, Hg; IV - Pb, Sn; VI - S, Se, Те), в которых случайным образом распределены Fe, Co, Ni.
РМП и ВТФП представляют собой материалы, использующие в качестве матриц полупроводники III-V (III - Al, Ga, In; V - Р, As, Sb) или II-IV (II - Zn, Cd; IV - Si, Ge, Pb, Sn), в которых атомы металлов II, III, IV групп статистически замещены атомами переходных металлов. К недостаткам относятся недостаточно высокие значения температур Кюри.
До настоящего времени материалы, получаемые на основе сложных оксидов, в классах полупроводников РМП и ВТФП представлены не были.
НММ представляют собой композиционные материалы, содержащие оксиды TiO2, ZnO и частицы магнитных металлов Fe, Со и Ni. Недостатком таких смесей является их неоднофазность и невоспроизводимость магнитных характеристик. Гетерогенность НММ показана на примере композитов на основе оксидов цинка и кобальта Zn1-XCo2+ XO, для которых ферромагнетизм обусловлен наличием кластеров кобальта [Jae Hyun Kirn et al., Magnetic properties of epitaxially grown semiconducting Zn1-XCoXO thin films by pulsed laser deposition. J. Appl. Phys., 2002, v.92, N10, p.6066-6071, R.Rode et al., Magnetic semiconductors based on cobalt substituted ZnO. J. Appl. Phys., 2003, v.93, N10, p.7676-7678].
Известен пленочный материал, который образуется при нанесении зольного геля оксида цинка с добавками ионов проводящих металлов на подложку, с последующими сушкой и термообработкой [Hyeon-Jun Lee et al., Study of diluted magnetic semiconductor: Co-doped ZnO. Appl. Phys. Lett. 2002, v.81, p.4020-4022].
Недостатком материала, представляющего собой смесь полупроводников и ферромагнетиков, является невоспроизводимость характеристик из-за зависимости от парциального давления кислорода при синтезе, а также подверженность химической деградации.
Наиболее близкими к заявляемому материалу является разбавленный магнитный полупроводник на основе ZnO [CN1383161] (прототип), приготовленный золь-гель методом с включениями добавок проводящих металлов, таких как Со, Fe, Ni в относительных количествах 1-1,5 мас.%.
К недостаткам этого материала следует отнести то, что полученный таким способом материал является композитом, а не соединением, поэтому он многофазен по своей природе и, как следствие, термодинамически нестабилен. Вторым недостатком является значительная коэрцитивная сила ферромагнитной фазы, что ограничивает область применения композита.
Задачей изобретения является создание гомогенного оксидного материала класса РМП, обладающего полупроводниковыми и антиферромагнитными свойствами с высокой температурой перехода из антиферромагнитного в парамагнитное состояние ТN=600-650 К. Под антиферромагнитным понимается упорядоченное состояние с антипараллельной ориентацией спиновых магнитных моментов ионов в кристаллической решетке.
Технический результат достигается тем, что предложен полупроводниковый антиферромагнитный материал, характеризующийся температурой перехода в парамагнитное состояние ТN=600-650 К, представляющий собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта, отвечающий формуле:
Zn1-XCoXO, где
Х=0,01÷0,25;
либо гомогенный твердый раствор оксидов цинка, кобальта и лантаноида с общей формулой:
Zn1-X-YCoXLnYO, где
Ln=Pr, Nd, Sm или Eu;
Х=0,01÷0,24;
Y=0,01÷0,03
X+Y≤0,25.
Значения Х и Y выбираются из соображений, что при Х<0,01 магнитные свойства не проявляются, при Х+Y>0,25 и при Y>0,03 твердый раствор теряет гомогенность, а при Y<0,01 присутствие лантаноида в твердом растворе не оказывает влияние на удельную намагниченность материала.
Синтез заявленного полупроводникового антиферромагнитного материала осуществляется путем спекания рассчитанных навесок смеси оксидов цинка ZnO и кобальта Со3O4, либо спеканием смеси оксидов цинка, кобальта и оксида европия, или оксида неодима, или оксида празеодима, или карбоната самария. Процесс образования гомогенного твердого раствора проводится в три стадии: первая стадия - отжиг при 700-750°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; вторая - отжиг при 800-900°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; третья - отжиг при 1000-1200°С также в течение 10 часов с последующим охлаждением.
Сущность изобретения состоит в следующем.
Полупроводниковый антиферромагнитный материал, согласно изобретению, является гомогенным твердым раствором, и представляет собой полупроводник, в котором проявление антиферромагнетизма связано с тем, что в процессе получения материала кобальт и лантаноид растворялись в оксиде цинка также в виде оксидов. Материал отвечает обобщенной формуле Zn1-X-YCoXLnYO, где Х=0,01÷0,25, Y=0,00÷0,03. Заявленное содержание кислорода в материале обусловлено тем, что избыточное содержание кислорода в оксидах кобальта и лантаноидов компенсируется его дефицитом в главном составляющим твердого раствора - оксиде цинка, характеризующимся определенным уровнем кислородной нестехиометрии [Zalecki V. et al. Phys. and chem. Solid-state. 2005, v.6, №1, р.44-49].
Заявленный полупроводниковый материал обладает антиферромагнитными свойствами, на что указывает характер кривой температурной зависимости удельной намагниченности. Кривая обладает известной специфической характеристикой [Королева Л.И. Магнитные полупроводники. 2003, М.: Изд-во МГУ, 312 с.] с точками Нееля.
На Фиг.1 представлена сравнительная характеристика температурной зависимости удельной намагниченности гомогенного твердого раствора Zn0.75Co0.22Eu0.03O и ферромагнитного материала прототипа.
Полупроводниковые свойства подтверждаются характером кривой зависимости проводимости заявленного материала от температуры.
На Фиг.2 представлена характерная кривая температурной зависимости проводимости (σ) на примере Zn0.80Co0.20O при частотах измерительного поля 15,9 и 159,0 кГц.
В таблице представлены примеры составов заявленного полупроводникового антиферромагнитного материала и температуры перехода из антиферромагнитного в парамагнитное состояние.
| Таблица. | ||
| № Примера | Состав твердого раствора | Температура перехода в парамагнитное состояние ТN, К(±3) |
| 1 | Zn0.99Co0.01O | 610 |
| 2 | Zn0.95CO0.050 | 620 |
| 3 | Zn0.80Co0.20O | 625 |
| 4 | Zn0.75C0.25O | 625 |
| 5 | Zn0.98Co0.01Eu0.01O | 600 |
| 6 | Zn0.89Co0.10Eu0.01O | 610 |
| 7 | Zn0.75Co0.24Eu0.01O | 625 |
| 8 | Zn0.97Co0.01Eu0.02O | 610 |
| 9 | Zn0.88Co0.10Eu0.02O | 615 |
| 10 | Zn0.75Co0.23Eu0.02O | 630 |
| 11 | Zn0.96Co0.01Eu0.03O | 625 |
| 12 | Zn0.82Co0.15Eu0.03O | 635 |
| 13 | Zn0.98Co0.01Eu0.01O | 650 |
| 14 | Zn0.98Co0.01Pr0.01O | 625 |
| 15 | Zn0.89Co0.10Pr0.01O | 625 |
| 16 | Zn0.75Co0.24Pr0.01O | 625 |
| 17 | Zn0.97Co0.01Pr0.02O | 625 |
| 18 | Zn0.88Co0.10Pr0.02O | 625 |
| 19 | Zn0.75Co0.23Pr0.02O | 625 |
| 20 | Zn0.96Co0.01Pr0.03O | 625 |
| 21 | Zn0.82Co0.15Pr0.03O | 625 |
| 22 | Zn0.75Co0.22Pr0.03O | 650 |
| 23 | Zn0.98Co0.01Nd0.01O | 625 |
| 24 | Zn0.89Co0.10Nd0.01O | 625 |
| 25 | Zn0.75Co0.24Nd0.01O | 625 |
| 26 | Zn0.97Co0.01Nd0.02O | 625 |
| 27 | Zn0.88Co0.10Nd0.02O | 625 |
| 28 | Zn0.75Co0.23Nd0.02O | 625 |
| 29 | Zn0.96Co0.01Nd0.03O | 625 |
| 30 | Zn0.82Co0.15Nd0.03O | 625 |
| 31 | Zn0.75Co0.22Nd0.03O | 625 |
| 32 | Zn0.98Co0.01Sm0.01O | 625 |
| 33 | Zn0.89Co0.10Sm0.01O | 625 |
| 34 | Zn0.75Co0.24Sm0.01O | 625 |
| 35 | Zn0.97Co0.01Sm0.02O | 625 |
| 36 | Zn0.88Co0.10Sm0.02O | 630 |
| 37 | Zn0.75Co0.23Sm0.02O | 640 |
| 38 | Zn0.96Co0.01Sm0.03O | 625 |
| 39 | Zn0.82Co0.15Sm0.03O | 625 |
| 40 | Zn0.75Co0.22Sm0.03O | 650 |
Отличительной особенностью получаемого полупроводникового антиферромагнитного материала является термическая стабильность, что позволяет использовать его в химически агрессивных средах.
Ниже приведены примеры получения заявленного материала:
Пример 1.
В качестве исходных материалов использовали оксид кобальта Со3O4, поставляемый в соответствии с ТУ 6-09-1518-77 (ОСЧ 9-2), и оксид цинка по ТУ 6-09-2175-72) (ОСЧ 14-2).
Все оксиды тщательно смешивали и перетирали под этиловым спиртом.
Навеску полученной смеси оксидов, общей массой в 10 г и брутто-составом Zn0.99Co0.01O загружали в алундовый тигель и отжигали по следующей схеме: первая стадия - отжиг при 700°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; вторая - отжиг при 800°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; третья - отжиг при 1000°С также в течение 10 часов с последующим охлаждением.
По данным термогравиметрического анализа (ТГА), в пределах инструментальной ошибки прибора, брутто-состав синтезированных образцов не отличается от исходного брутто-состава Zn0.99Co0.01O.
Материалы по примерам 2-4 получены аналогичным способом.
Пример 5.
В качестве исходных материалов использовали оксиды кобальта, цинка и оксид европия в соответствии с маркой ХЧ по ТУ 6-09-4768-79.
Все оксиды тщательно смешивали и перетирали под этиловым спиртом.
Навеску полученной смеси оксидов, общей массой в 10 г и брутто-составом Zn0.98Co0.01Eu0.01O загружали в алундовый тигель и отжигали в три стадии: первая стадия - отжиг при 750°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; вторая - отжиг при 900°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; третья - отжиг при 1200°С также в течение 10 часов с последующим охлаждением.
По данным ТГА, в пределах инструментальной ошибки прибора, брутто-состав синтезированных образцов не отличается от исходного брутто-состава Zn0.98Co0.01Eu0.01O.
Материалы по примерам 6-31 получены аналогичным способом.
Пример 32.
В качестве исходных материалов использовали оксиды кобальта, цинка и карбонат самария в соответствии с маркой ХЧ по ТУ 6-09-4770-79. Оксиды кобальта, цинка и карбонат самария тщательно смешивали и перетирали под этиловым спиртом.
Навеску полученной смеси оксидов кобальта, цинка и карбоната самария, общей массой в 10 г и брутто-составом Zn0.98Co0.01Sm0.01O загружали в алундовый тигель и отжигали в три стадии: первая стадия - отжиг при 750°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; вторая - отжиг при 900°С в течение 10 часов с последующим охлаждением до комнатной температуры; третья - отжиг при 1200°С также в течение 10 часов с последующим охлаждением.
Материалы по примерам 33-40 получены аналогичным способом.
Представленные в таблице материалы исследовались методами рентгенофазового и дифференциально-термического (ДТА) анализов. На рентгенограммах присутствовали только линии, характерные для структуры ZnO с параметрами a=3.25 Å и с=5.19 Å.
Кривые ДТА указывали на отсутствие фазовых превращений I рода, что свидетельствует о гомогенности полученного оксидного материала.
Зависимости удельной намагниченности материала исследовались пондеромоторным методом [В.И.Чечерников. Магнитные измерения. Изд-во МГУ. 1969, 388 с.] в магнитном поле 0,86Т (8,6 kOe) в интервале температур 77-700 К.
Температурные зависимости проводимости Igσ=f(1000/T) материала в пределах экспериментальных погрешностей не отличались от подобных для чистого оксида цинка и обнаруживали изменение характера проводимости лишь свыше 650 К.
Как видно из Фиг.1-2, таблицы и приведенных примеров, заявленный продукт является гомогенным полупроводниковым антиферромагнитным материалом с температурой Кюри (точкой Нееля) TN=600-650 К.
Уникальное сочетание полупроводниковых и антиферромагнитных свойств заявленного материала делает его перспективным продуктом для практического использования в магнитоэлектронике.
Claims (1)
- Полупроводниковый антиферромагнитный материал, характеризующийся температурой перехода в парамагнитное состояние ТN=600-650 К, представляющий собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта с формулой Zn1-XCoxO, где Х=0,01-0,25, или гомогенный твердый раствор оксидов цинка, кобальта и лантаноида в виде празеодима или неодима, или самария, или европия с формулойZn1-X-YCoXLnYO,где Х=0,01-0,24;Y=0,01-0,03;X+Y≤0,25.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006119846/02A RU2318262C1 (ru) | 2006-06-07 | 2006-06-07 | Полупроводниковый антиферромагнитный материал |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006119846/02A RU2318262C1 (ru) | 2006-06-07 | 2006-06-07 | Полупроводниковый антиферромагнитный материал |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2318262C1 true RU2318262C1 (ru) | 2008-02-27 |
Family
ID=39279080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006119846/02A RU2318262C1 (ru) | 2006-06-07 | 2006-06-07 | Полупроводниковый антиферромагнитный материал |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2318262C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2470897C2 (ru) * | 2011-03-21 | 2012-12-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук (ИФ СО РАН) | Способ получения самарийсодержащего спин-стекольного магнитного материала |
| RU2555719C1 (ru) * | 2014-07-24 | 2015-07-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | Спин-стекольный магнитный материал |
-
2006
- 2006-06-07 RU RU2006119846/02A patent/RU2318262C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2470897C2 (ru) * | 2011-03-21 | 2012-12-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук (ИФ СО РАН) | Способ получения самарийсодержащего спин-стекольного магнитного материала |
| RU2555719C1 (ru) * | 2014-07-24 | 2015-07-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | Спин-стекольный магнитный материал |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Goktas | High-quality solution-based Co and Cu co-doped ZnO nanocrystalline thin films: Comparison of the effects of air and argon annealing environments | |
| Ivill et al. | Structure and magnetism of cobalt-doped ZnO thin films | |
| Trukhanov | Magnetic and magnetotransport properties of La 1− x Ba x MnO 3− x/2 perovskite manganites | |
| Murtaza et al. | Structural and magnetic studies on Zr doped ZnO diluted magnetic semiconductor | |
| Guler et al. | The annealing effect on microstructure and ESR properties of (Cu/Ni) co-doped ZnO nanoparticles | |
| Kolesnik et al. | Absence of room temperature ferromagnetism in bulk Mn-doped ZnO | |
| Dinesha et al. | Structural, electrical and magnetic properties of Co and Fe co-doped ZnO nanoparticles prepared by solution combustion method | |
| Marton et al. | Growth control of stoichiometry in LaMnO3 epitaxial thin films by pulsed laser deposition | |
| Wang et al. | A comparative study on the ferromagnetic properties of undoped and Mn-doped ZnO | |
| Gumiel et al. | Thin film processing of multiferroic BiFeO3: From sophistication to simplicity. A review | |
| RU2318262C1 (ru) | Полупроводниковый антиферромагнитный материал | |
| Kotru et al. | Synthesis and magnetic studies of pure and doped NiZn ferrite films using Sol gel method | |
| Dai et al. | Mechanism‐based tuning of room‐temperature ferromagnetism in Mn‐doped β‐Ga2O3 by annealing atmosphere | |
| Ram et al. | Effect of (Fe, Co) co-doping on the structural, electrical and magnetic properties of ZnO nanocrystals prepared by solution combustion method | |
| Musaeva et al. | Effect of oxygen content and nonstoichiometry defects on the phase transformations in manganites of the La 0.65 Sr 0.35 Mn 1− x− y Ni x Ti y O 3+ γ system | |
| Karpasyuk et al. | Systems of manganites with enhanced electromagnetic parameters | |
| Babić-Stojić et al. | Ferromagnetic properties of the Zn–Mn–O system | |
| Mal et al. | Defect mediated reversible ferromagnetism in Co and Mn doped zinc oxide epitaxial films | |
| Brajesh et al. | Room‐temperature structural, magnetic, and dielectric characteristics of La‐doped CuO bulk multiferroic | |
| RU2392680C2 (ru) | Полупроводниковый ферримагнитный материал | |
| CN109761596B (zh) | 一种La、Zn共掺杂铁酸铋薄膜及其制备方法和应用 | |
| Kim et al. | Characteristics of cobalt-doped zinc oxide thin films prepared by pulsed laser deposition | |
| Ekhande et al. | Role of defects in enhancing room temperature ferromagnetism of Mn doped ZnO nanoparticles | |
| Albino et al. | Effect of Ca and Ag doping on the functional properties of BiFeO 3 nanocrystalline powders and films | |
| Aselage et al. | Metal-semiconductor and magnetic transitions in compensated polycrystalline La 1− x Ca x MnO 3− δ (x= 0.20, 0.25) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130608 |