RU2297074C2 - Фотоприемная ячейка с разделением цветов - Google Patents

Фотоприемная ячейка с разделением цветов Download PDF

Info

Publication number
RU2297074C2
RU2297074C2 RU2005133734/28A RU2005133734A RU2297074C2 RU 2297074 C2 RU2297074 C2 RU 2297074C2 RU 2005133734/28 A RU2005133734/28 A RU 2005133734/28A RU 2005133734 A RU2005133734 A RU 2005133734A RU 2297074 C2 RU2297074 C2 RU 2297074C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
region
charge carriers
barrier
highly doped
Prior art date
Application number
RU2005133734/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2005133734A (ru
Inventor
Юрий Иванович Тишин (RU)
Юрий Иванович Тишин
Виктор Александрович Гергель (RU)
Виктор Александрович Гергель
д Владимир Александрович Зимогл (RU)
Владимир Александрович Зимогляд
Игорь Валерьевич Ванюшин (RU)
Игорь Валерьевич Ванюшин
Андрей Владимирович Лепендин (RU)
Андрей Владимирович Лепендин
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз"
Priority to RU2005133734/28A priority Critical patent/RU2297074C2/ru
Publication of RU2005133734A publication Critical patent/RU2005133734A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2297074C2 publication Critical patent/RU2297074C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к производству интегральных многоэлементных фотоприемников, например, для видеокамер и цифровой фотографии. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение пространственного разрешения проецируемого изображения, динамического диапазона и уменьшение площади ячейки. Сущность: фотоприемная ячейка сформирована в кремниевой подложке первого типа проводимости с невыпрямляющим контактом и включает первую, вторую и третью области, которые имеют взаимное расположение и конфигурацию, обеспечивающую формирование первого и второго каналов для диффузии неосновных носителей заряда, генерированных в областях подложки, расположенных под первым и вторым потенциальными барьерами соответственно к первому и третьему р-n-переходам. Длина каналов не превышает диффузионной длины неосновных носителей заряда. 6 ил.

Description

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников, например, для видеокамер и цифровой фотографии.
Известны фотоприемные ячейки для интегральных многоэлементных фотоприемников, выполненные в виде фотодиодов (1), предназначенных для считывания изображения во всем видимом диапазоне длин волн.
Недостатком таких фотоприемных ячеек является невозможность выявления составляющих светового потока с различными длинами волн, что обуславливает необходимость использования внешних по отношению к собственно ячейкам светофильтров.
Известны также фотоприемные ячейки с разделением цветов падающего светового потока, содержащие в кремниевой подложке первого типа проводимости области, образующие р-n переходы для разделения носителей заряда, генерированных различными составляющими светового потока от элемента изображения, проецируемого на поверхность ячейки (2).
Известны фотоячейки с разделением цветов (3), содержащие в кремниевой подложке первый и второй р-n переходы, удаленные на различные расстояния от поверхности, покрытой слоем двуокиси кремния.
Данное техническое решение является наиболее близким к заявляемому по технической сущности и выбирается в качестве прототипа.
Известные фотоприемные ячейки имеют следующие существенные недостатки:
- сравнительно низкое пространственное разрешение проецируемого на фотоприемник изображения;
- большое число фоточувствительных элементов, необходимых для считывания трехкомпонентного сигнала, несущего информацию о цвете, и, следовательно, большая площадь, занимаемая фотоячейкой на кристалле интегрального фотоприемника.
Техническим результатом настоящего изобретения является повышение пространственного разрешения проецированного изображения и их динамического диапазона.
Другим техническим результатом настоящего изобретения является уменьшение площади фотоячейки.
Эти технические результаты достигнуты в фоточувствительной ячейке с разделением цветовых компонент света, падающего на ее поверхность, сформированной в кремниевой подложке первого типа проводимости с невыпрямляющим контактом и включающей:
- первую область второго типа проводимости, расположенную в приповерхностном слое подложки, разделенную на первую, вторую и третью части областями двуокиси кремния, снабженные первым, вторым и третьим невыпрямляющими контактами и образующие с подложкой первый, второй и третий p-n-переходы;
- вторую высоколегированную область одинакового с подложкой типа проводимости, расположенную под упомянутой первой областью и формирующую первый потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки под первым барьером;
- третью высоколегированную область одинакового с подложкой типа проводимости, расположенную под упомянутой второй высоколегированной областью, формирующую второй потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки под вторым барьером;
- четвертую высоколегированную область одинакового с подложкой типа проводимости, расположенную под упомянутой третьей высоколегированной областью, формирующую третий потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки под третьим барьером;
- упомянутые вторая, третья и четвертая высоколегированные области имеют взаимное расположение и конфигурацию, обеспечивающую формирование первого и второго каналов для диффузии неосновных носителей заряда, генерированных в областях подложки, расположенных под первым и вторым потенциальными барьерами соответственно к первому и третьему p-n-переходами, при этом длина каналов не превышает диффузионной длины неосновных носителей заряда;
- упомянутые первый, второй и третий невыпрямляющие контакты подключены к выходу фоточувствительной ячейки и положительному полюсу источника напряжения, отрицательный полюс которого соединен с невыпрямляющим контактом к подложке.
Фоточувствительная ячейка с разделением цветов согласно настоящему изобретению иллюстрируется приведенными чертежами.
На фиг.1 приведен схематический разрез интегральной структуры фоточувствительной ячейки согласно настоящему изобретению.
На фиг.2 приведен схематический разрез интегральной структуры фоточувствительной ячейки согласно настоящему изобретению в процессе ее изготовления после операции формирования латеральных p+-областей имплантацией бора.
На фиг.3 приведен схематический разрез интегральной структуры фоточувствительной ячейки согласно настоящему изобретению в процессе ее изготовления после операции формирования вертикальных p+-областей в подложке имплантацией атомов бора с различной энергией.
На фиг.4 приведен схематический разрез интегральной структуры фоточувствительной ячейки согласно настоящему изобретению в процессе ее изготовления после операции формирования приповерхностных контактных p++-областей.
На фиг.5 приведен схематический разрез интегральной структуры фоточувствительной ячейки согласно настоящему изобретению в процессе ее изготовления после операции формирования боковой диэлектрической изоляции.
Чертежи фиг.2-5 иллюстрируют один из возможных способов изготовления фоточувствительной ячейки с разделением цветов согласно настоящему изобретению.
Фоточувствительная ячейка с разделением цветовых компонент света, падающего на ее поверхность, согласно настоящему изобретению сформирована в кремниевой подложке 1-го типа проводимости с невыпрямляющим контактом 2 и включает:
- первую область 3-го типа проводимости, расположенную в приповерхностном слое подложки, разделенную на первую 3.1, вторую 3.2 и третью 3.3 части областями двуокиси кремния 4, снабженные первым 5, вторым 6 и третьим 7 невыпрямляющими контактами и образующие с подложкой первый 8, второй 9 и третий 10 p-n-переходы;
- первую высоколегированную область 11 одинакового с подложкой типа проводимости, расположенную под упомянутой первой областью 3 и формирующую первый потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки 1 под первым барьером;
- вторую высоколегированную область 12 одинакового с подложкой типа проводимости, расположенную под упомянутой первой высоколегированной областью, формирующую второй потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки под вторым барьером;
- третью высоколегированную область 13 одинакового с подложкой 7 типа проводимости, расположенную под упомянутой второй высоколегированной областью, формирующую третий потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки под третьим барьером;
- упомянутые первая, вторая и третья высоколегированные области имеют взаимное расположение и конфигурацию, обеспечивающую формирование первого 14 и второго 15 каналов для диффузии неосновных носителей заряда, генерированных в областях подложки, расположенных под первым и вторым потенциальными барьерами соответственно к первому 8 и третьему 10 p-n-переходам, при этом длина каналов не превышает диффузионной длины неосновных носителей заряда;
- упомянутые первый 5, второй 6 и третий 7 невыпрямляющие контакты подключены соответственно к первому, второму и третьему выходам фотоприемной ячейки, которые через схемы считывания подключены к положительному полюсу источника напряжения, отрицательный полюс которого соединен с невыпрямляющим контактом 2 к подложке 1.
Схемы считывания фототоков на фиг.1 обозначены A1, A2 и A3 и могут быть выполнены в виде электронных схем, сформированных на подложке 7 в едином с фотоприемной ячейкой технологическом процессе.
Фотоприемные ячейки согласно настоящему изобретению могут быть скомпонованы в матрицу сверхбольшой интегральной схемы многоэлементного фотоприемного устройства.
Фоточувствительная ячейка согласно настоящему изобретению может быть изготовлена, например, способом, иллюстрируемым фиг.2-6.
Технологический процесс изготовления основан на многократном использовании процессов ионной имплантации и последующих активационных отжигов. Процесс может использовать следующие технологические операции:
1. Формирование ретроградно-легированных латерально-барьерных p+-областей (16, 17, 18 и 19) имплантацией бором. Характерная концентрация активированного бора в этих областях составляет порядка ~1·1017...3·1017 см-3.
2. Формирование вертикально-барьерных p+-областей (11, 12, 13) в p-подложке 1 путем однократной (для каждой области) имплантации атомов бора соответствующих энергий. Так, область 11 должна быть центрирована на глубине ~0,4 нм, область 12 - на глубине ~1,2 нм, а область 13 - на глубине ~2,5 нм. Характерная концентрация активированного бора в этих областях также составляет порядка ~1·1017...3·10 см-3.
3. Формирование приповерхностной контактной p++-области 2 к p-подложке 1 (фиг.4).
4. Формирование n+-легированной приповерхностной области 3 имплантацией атомов мышьяка на глубине порядка 0,2 нм, образующей p-n-переход (фиг.5).
5. Разделение приповерхностной области 3 слоем двуокиси кремния 4 на первую 3.1, вторую 3.2 и третью 3.3 части, образующие с подложкой 1 первый 8, второй 9 и третий 10 р-n-переходы.
Приведенным примером не исчерпываются все возможные варианты изготовления фотоприемной ячейки с разделением цветов согласно настоящему изобретению.
Фотоприемная ячейка согласно настоящему изобретению работает следующим образом.
Световой поток от элемента изображения определенной цветности, соответствующей определенному спектральному составу в видимом диапазоне оптического спектра, проецируется на поверхность фотоприемной ячейки. Согласно известному свойству дисперсии показателя поглощения света в кремнии фотоны различных длин волн, составляющие указанный световой поток, характеризуются соответственно различной глубиной фундаментального поглощения, обусловленного генерацией электронно-дырочных пар. В предлагаемой фотоприемной ячейке, представляющей собой монолитную совокупность трех n+-р фотодиодов 8, 9 и 10, фотоактивные р-области которых конфигурированы и изолированы друг от друга связной высоколегированной p+-областью, сформированной определенной последовательностью ионных имплантаций соответствующих доз и энергий и образующей энергетические барьеры между соответствующими низколегированными p-областями этих фотодиодов: 8-14, 9-15, 10-16. При этом происходит разделение фотоэлектронов по месту их генерации между диодными структурами 8, 9, 10, что и несет информацию о цветности генерировавших их фотонов. При этом благодаря наличию указанных барьерных областей, а также считывающих p-n-переходов в глубине подложки под фоточувствительной областью образуется потенциальный профиль, необходимый и достаточный для формирования диффузионных потоков разделенных "цветовых" компонент неосновных носителей к различным считывающим контактам, а именно:
- фотогенерированные носители, рожденные выше первой высоколегированной области 11 одинакового с подложкой типа проводимости, собираются к считывающей области пространственного заряда p-n-перехода 9. При этом указанная барьерная область 11 препятствует взаимному проникновению фотогенерированных носителей между каналом для диффузии неосновных носителей заряда 14 и считывающей области пространственного заряда p-n-перехода 9;
- фотогенерированные носители, рожденные глубже первой высоколегированной области 11 одинакового с подложкой типа проводимости и выше второй высоколегированной области 12 одинакового с подложкой типа проводимости, собираются к считывающей области пространственного заряда p-n-перехода 8. При этом указанная барьерная область 12 препятствует взаимному проникновению фотогенерированных носителей между каналами для диффузии неосновных носителей заряда 14 и 15;
- фотогенерированные носители, рожденные глубже второй высоколегированной области 12 одинакового с подложкой типа проводимости и выше третьей высоколегированной области 13 одинакового с подложкой типа проводимости, собираются к считывающей области пространственного заряда p-n-перехода 10. При этом указанная барьерная область 13 препятствует взаимному проникновению носителей, фотогенерированных ниже барьерной области 13 и отвечающих инфракрасному диапазону спектра оптического излучения, в канал для диффузии неосновных носителей заряда 15,
- латерально-барьерные ретроградно-легированные p+-области 16, 17, 18 и 9 также препятствуют взаимному проникновению фотогенерированных носителей между имеющимися каналами диффузии и считывающими области пространственного заряда p-n-переходов 8, 9, 10.
Сформированные таким образом компоненты фототока, отвечающие спектральному составу падающего на поверхность фотоячейки светового потока, собираются с выходов 1, 2, 3 посредством контактов 5, 6, 7 к схемам считывания A1, A2, A3. Схемы считывания являются внешними по отношению к фотоприемной ячейке и могут быть выполнены известными способами, например так же, как в прототипе.
Фотоприемная ячейка с разделением цветов может найти широкое применение в многоэлементных фотоприемниках для видеокамер и цифровых фотоаппаратов.
Литература
1. USA Patent №5,668,596 September, 1997.
2. USA Patent №5,965,875 October, 1999.
3. Agilent Technologies HDCS Family of CMOS Image Sensors, Product Technical Specification HDCS-2020/1020 // Imaging Electronics Division / Agilent Technologies, Inc. / March 30, 2000.
4. High Speed CMOS Logic Data Book. Texas Instruments Ltd, 1991.
5. LVT Low Voltage Technology. Texas Instruments Ltd, 1992.

Claims (1)

  1. Фотоприемная ячейка с разделением цветовых компонент света, падающего на ее поверхность, сформирована в кремниевой подложке первого типа проводимости с невыпрямляющим контактом и включающая первую область второго типа проводимости, расположенную в приповерхностном слое подложки, разделенную на первую, вторую и третью части областями двуокиси кремния, снабженные первым, вторым и третьим невыпрямляющими контактами и образующие с подложкой первый, второй и третий р-n-переходы; первую высоколегированную область одинакового с подложкой типа проводимости, расположенную под упомянутой первой второго типа проводимости областью и формирующую первый потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки под первым барьером; вторую высоколегированную область одинакового с подложкой типа проводимости, расположенную под упомянутой первой высоколегированной областью, формирующую второй потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки под вторым барьером; третью высоколегированную область одинакового с подложкой типа проводимости, расположенную под упомянутой второй высоколегированной областью, формирующую третий потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки под третьим барьером; упомянутые первая, вторая и третья высоколегированные области имеют взаимное расположение и конфигурацию, обеспечивающую формирование первого и второго каналов для диффузии неосновных носителей заряда, генерированных в областях подложки, расположенных под первым и вторым потенциальными барьерами соответственно к первому и третьему р-n-переходам, при этом длина каналов не превышает диффузионной длины неосновных носителей заряда; упомянутые первый, второй и третий невыпрямляющие контакты подключены к первому, второму и третьему выходам фоточувствительной ячейки, которые через схемы считывания подключены к положительному источнику напряжения, отрицательный полюс которого соединен с невыпрямляющим контактом к подложке.
RU2005133734/28A 2004-12-17 2004-12-17 Фотоприемная ячейка с разделением цветов RU2297074C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005133734/28A RU2297074C2 (ru) 2004-12-17 2004-12-17 Фотоприемная ячейка с разделением цветов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005133734/28A RU2297074C2 (ru) 2004-12-17 2004-12-17 Фотоприемная ячейка с разделением цветов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005133734A RU2005133734A (ru) 2006-05-27
RU2297074C2 true RU2297074C2 (ru) 2007-04-10

Family

ID=36711281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005133734/28A RU2297074C2 (ru) 2004-12-17 2004-12-17 Фотоприемная ячейка с разделением цветов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2297074C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2456708C1 (ru) * 2011-03-29 2012-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) Способ изготовления ячейки фотоприемного устройства

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2456708C1 (ru) * 2011-03-29 2012-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) Способ изготовления ячейки фотоприемного устройства

Also Published As

Publication number Publication date
RU2005133734A (ru) 2006-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7132724B1 (en) Complete-charge-transfer vertical color filter detector
EP0625803B1 (en) Photodiode structure
KR101458052B1 (ko) 혼색 방지 구조를 갖는 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법
US11888003B2 (en) Photodetector
US8445950B2 (en) Solid-state imaging device
US7687837B2 (en) Image sensor and fabrication method thereof
US20060255372A1 (en) Color pixels with anti-blooming isolation and method of formation
US7964928B2 (en) Photodetector with an improved resolution
JP5165588B2 (ja) 可視光を検出するために最適化された半導体放射線検出器
KR20010034780A (ko) 트리플-웰 구조를 이용하는 액티브픽셀 셀 이미징어레이에서의 컬러 분리
US10770505B2 (en) Per-pixel performance improvement for combined visible and ultraviolet image sensor arrays
US7671392B2 (en) Photoreceiver cell with color separation
JPH0728049B2 (ja) グレーデッドギャップ反転層フオトダイオードアレイ
CN112331684B (zh) 图像传感器及其形成方法
JPS5812746B2 (ja) 半導体光検出装置
US20130001729A1 (en) High Fill-Factor Laser-Treated Semiconductor Device on Bulk Material with Single Side Contact Scheme
US11973093B2 (en) Visible-to-longwave infrared single photon avalanche photodetector on silicon
US20210296377A1 (en) Spad pixel circuits and methods thereof for direct time of flight sensors
RU2297074C2 (ru) Фотоприемная ячейка с разделением цветов
KR100329770B1 (ko) 반구형상의포토다이오드를갖는이미지센서
KR100326267B1 (ko) 큰정전용량의포토다이오드를갖는이미지센서및그제조방법
WO2007100269A1 (fr) Photocellule à séparation de couleur
US10886322B2 (en) Multi-spectral sensor with stacked photodetectors
Jansz et al. Extrinsic evolution of the stacked gradient poly-homojunction photodiode genre
RU2273916C2 (ru) Фотоприемная ячейка с разделением цветов

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20101218