RU2295581C2 - Способ и устройство для регулирования доли кристаллов в смеси жидкость - кристалл - Google Patents

Способ и устройство для регулирования доли кристаллов в смеси жидкость - кристалл Download PDF

Info

Publication number
RU2295581C2
RU2295581C2 RU2004113370/02A RU2004113370A RU2295581C2 RU 2295581 C2 RU2295581 C2 RU 2295581C2 RU 2004113370/02 A RU2004113370/02 A RU 2004113370/02A RU 2004113370 A RU2004113370 A RU 2004113370A RU 2295581 C2 RU2295581 C2 RU 2295581C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mixture
aluminum
crystals
electrodes
current
Prior art date
Application number
RU2004113370/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004113370A (ru
Inventor
ВРИС Пауль Александер ДЕ (NL)
ВРИС Пауль Александер ДЕ
Original Assignee
Корус Текнолоджи Бв
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Корус Текнолоджи Бв filed Critical Корус Текнолоджи Бв
Publication of RU2004113370A publication Critical patent/RU2004113370A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2295581C2 publication Critical patent/RU2295581C2/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B21/00Obtaining aluminium
    • C22B21/06Obtaining aluminium refining
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/02Refining by liquating, filtering, centrifuging, distilling, or supersonic wave action including acoustic waves
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20Recycling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретения относятся к регулированию доли алюминиевых кристаллов в смеси из расплавленного алюминиевого сплава и алюминиевых кристаллов. Способ включает регулирование температуры смеси, которое осуществляют с помощью определения электролитического сопротивления смеси путем его измерения в четырех контрольных точках. С помощью измеренного электрического сопротивления долю кристаллов в смеси можно поддерживать постоянной в узких пределах. Кроме того, изобретение касается устройства для реализации этого способа. Техническим результатом является повышение надежности и упрощение процесса для обеспечения его промышленного применения. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение касается способа регулирования доли алюминиевых кристаллов в смеси из расплавленного алюминиевого сплава и алюминиевых кристаллов.
Смесь из расплавленного алюминиевого сплава и алюминиевых кристаллов присутствует, например, при фракционной кристаллизации алюминия, загрязненного примесями. Фракционная кристаллизация является известным способом для очистки загрязненного металлического сплава и описана в числе других в патенте US 3840364. Одной из форм фракционной кристаллизации является суспензионная кристаллизация. При суспензионной кристаллизации загрязненный металлический сплав медленно охлаждают из расплавленного состояния. Когда начинается отверждение, кристаллизуется очень чистый металл, а поскольку охлаждение продолжается, то кристаллизуется металл, который постепенно становится менее чистым. Посредством отделения кристаллов от незакристаллизовавшейся жидкости в смеси получаются металлические кристаллы, состоящие из значительно более чистого сплава, чем исходный металлический сплав. Кроме того, суспензионная кристаллизация также может быть использована для очень сильно загрязненного металла, когда сначала кристаллизуется неочищенный металл.
Первая проблема, связанная с реализацией этого способа, заключается в том, что трудно регулировать соотношение кристаллов в смеси. Однако это необходимо для того, чтобы обеспечить промышленное применение способа. В случае суспензионной кристаллизации измерение температуры смеси не может или почти не может быть использовано для регулирования соотношения кристаллов. С одной стороны, измеряемая температура является высокой, приблизительно 700°С для алюминия, что затрудняет точное измерение температуры, а с другой стороны, чистый алюминий кристаллизуется при одной установленной температуре и поэтому при этой температуре может быть или полностью жидким, или полностью закристаллизованным, так же как возможно любое промежуточное состояние. Поэтому измерение температуры не может быть использовано для регулирования доли кристаллов в смеси; в случае чрезмерного охлаждения смесь может полностью отверждаться без возможности регулирования при помощи измерения температуры. Если алюминий содержит незначительное количество загрязнений, то имеется разность температур между полностью жидким состоянием и полностью кристаллизованным состоянием, но эта разность температур очень мала и зависит от присутствия примесей, которые обычно точно неизвестны. Поэтому измерение температуры не может быть использовано в промышленности при суспензионной кристаллизации загрязненного алюминия для сохранения соотношения кристаллов в смеси неизменным в соответствующих пределах.
Задачей изобретения является создание способа, с помощью которого можно регулировать долю алюминиевых кристаллов в смеси из расплавленного алюминиевого сплава и алюминиевых кристаллов, например, во время фракционной кристаллизации.
Другой задачей изобретения является создание способа указанного типа, который можно использовать с высокой точностью и в промышленном масштабе.
Помимо этого, другой задачей изобретения является предоставление способа этого типа, который является простым и надежным.
Кроме того, задачей изобретения является предоставление устройства, с помощью которого может быть реализован этот способ.
Одна или несколько задач решаются в способе регулирования доли кристаллов алюминия в смеси из расплавленного загрязненного алюминия или алюминиевого сплава и кристаллов алюминия при фракционной кристаллизации, включающем регулирование температуры смеси, при котором регулирование температуры осуществляют с помощью определения электролитического сопротивления смеси путем его измерения в четырех контрольных точках.
Измерение электрического сопротивления делает возможным точное регулирование доли кристаллов в расплаве, даже если процентное соотношение кристаллов неизвестно, поскольку кристаллы имеют значительно более низкое сопротивление, чем расплав (показатель 2,2). Этим способом в соответствии с изобретением можно поддерживать долю кристаллов в смеси постоянной с достаточной для промышленного использования точностью без наличия точных сведений о присутствии конкретных примесей и без знания фазовых диаграмм.
Однако сопротивление в расплавленном алюминии является низким и должно быть измерено очень точно. Поэтому сопротивление измеряется с помощью метода измерения в четырех контрольных точках, в котором ток передается через смесь между двумя точками, а напряжение в напряженном поле между двумя точками подвода тока измеряется между двумя отдельными точками измерения напряжения. В двух точках измерения напряжения генерируют незначительный ток, так что устранено измерение контактного сопротивления. Сила тока, которая должна использоваться между токоподводящими точками, составляет, по меньшей мере, 5 ампер для обеспечения напряжения в несколько десятых милливольт, измеренного на пути 40 мм.
Метод измерения в четырех контрольных точках может быть реализован совершенно независимо от любого температурного измерения.
Смесь предпочтительно постоянно перемешивается, чтобы поддерживать постоянным соотношение между кристаллами и расплавом во всем объеме смеси и чтобы препятствовать, насколько это возможно, росту кристаллов на стенках сосуда, в котором осуществляется измерение.
Способ предпочтительно реализуется во время фракционной кристаллизации загрязненного примесями алюминия. Точное регулирование доли кристаллов в смеси является очень важным для фракционной кристаллизации загрязненного примесями алюминия.
Способ в соответствии с изобретением может быть реализован в процессе периодической фракционной кристаллизации алюминия, чтобы отделить смесь, как только будет получена определенная процентная доля кристаллов.
Однако способ предпочтительно используется, когда осуществляется непрерывная кристаллизация. В случае непрерывной фракционной кристаллизации непрерывно подается расплавленный загрязненный примесями алюминий, и непрерывно отводится смесь из кристаллов и расплавленного алюминиевого сплава. Для этой цели смесь должна охлаждаться в большей или меньшей степени, например в зависимости от температуры подаваемого загрязненного алюминия. При этом охлаждение смеси должно регулироваться с использованием метода измерения в четырех контрольных точках.
Электрическое сопротивление предпочтительно поддерживается постоянным в процессе непрерывной кристаллизации. В таком случае доля кристаллов в отводимой смеси также постоянна и может быть установлена в оптимальном интервале. Чтобы поддерживать сопротивление постоянным, в качестве примера может регулироваться охлаждение и/или подача и отвод алюминия.
Доля алюминиевых кристаллов предпочтительно поддерживается постоянной в пределах плюс или минус 4%, более предпочтительно плюс или минус 2%. Такое отклонение означает, что в последующем процессе смесь может быть легко разделена на кристаллы и расплавленный алюминий.
Способ предпочтительно используется для алюминия, в котором загрязняющие примеси включают в себя, по меньшей мере, частично железо. В частности, в случае AlFe точка эвтектического плавления немного ниже точки плавления чистого алюминия, так что необходимо точное регулирование процесса, а следовательно, точное измерение.
Кроме того, изобретение относится к устройству для регулирования доли алюминиевых кристаллов описанным выше способом, при этом устройство для регулирования доли кристаллов алюминия в смеси из расплавленного загрязненного алюминия или алюминиевого сплава и кристаллов алюминия при фракционной кристаллизации содержит сосуд для смеси и средство регулирования температуры смеси, причем оно содержит четырехточечный омметр с двумя электродами для пропускания тока и двумя электродами для измерения напряжения, причем электроды предпочтительно окружены защитной трубкой.
Способ в соответствии с изобретением реализуется при использовании известного сосуда, с температурным контролем, в котором предусмотрен контроль температуры и в котором осуществляется метод измерения в четырех контрольных точках, используя четырехточечный омметр известной конструкции, и в котором токоподводящие электроды предпочтительно, по меньшей мере, частично окружены защитной трубкой. Используемая защитная трубка защищает металлический электрод от плавления в расплаве, а кроме того, служит каналом для тока, подаваемого в расплав и из него в надлежащих местах.
Защитные трубки предпочтительно выполнены из керамического материала, более предпочтительно - из Al2O3. Керамический материал может противостоять воздействию расплавленного алюминия, а Al2O3 легко доступный и относительно дешевый материал.
В соответствии с предпочтительным вариантом осуществления токоподводящие и измеряющие напряжение электроды в защитных трубках содержат во время использования расплавленный алюминий. Использование электродов из расплавленного металла означает, что будет отсутствовать оксидный слой между электродами и расплавом, за счет чего контактное сопротивление является низким.
В соответствии с предпочтительным вариантом осуществления токоподводящие электроды позиционированы на расстоянии от стенок сосуда, которое равно, по меньшей мере, половине расстояния между токоподводящими электродами. В результате в случае роста кристаллов на внутренней стенке сосуда ток будет проходить почти полностью через смесь между токоподводящими электродами и не будет или почти не будет проходить через кристаллы на стенке сосуда.
Для каждого измеряющего напряжение электрода предпочтительно позиционирование на расстоянии, по меньшей мере, 5 мм от согласованного с ним токоподводящего электрода. Какой-либо рост кристаллов на токоподводящих электродах тогда не оказывает или оказывает малое воздействие на измерение напряжения с помощью измеряющих напряжение электродов.
Изобретение далее поясняется на примере типичного варианта осуществления и со ссылками на приложенные фигуры, на которых:
Фиг.1 - схематично представлен типичный вариант осуществления устройства в соответствии с изобретением.
Фиг.2 - схематично представлена электрическая схема измерения в четырех контрольных точках в соответствии с изобретением.
Фиг.1 схематично представляет вариант осуществления устройства 1 для регулирования соотношения кристаллов в смеси из расплавленного алюминиевого сплава и кристаллов алюминия во время фракционной кристаллизации загрязненного примесями алюминия. Устройство 1 содержит сосуд 2, вмещающий смесь 3, защитные трубки 4, 5, 6 и 7 для электродов для осуществления измерения в четырех контрольных точках, и оборудование для регулирования температуры смеси (не показано) и оборудование для перемешивания (не показано). Очевидно, что сосуд может быть оборудован входным и выходным отверстиями для смеси, изоляционными материалами и т.п. в соответствии со знанием специалиста в данной области техники.
Защитные трубки 4, 5, 6 и 7 выполнены из керамического материала, и каждая трубка имеет токоподводящий электрод (I1 и I2) или измеряющий напряжение электрод (U1 и U2). Токоподводящие или измеряющие напряжение электроды показаны на фиг.1 в виде твердых электродов, изготовленных из алюминиевой проволоки диаметром 2 мм, которая выступает за пределы керамического материала.
При эксплуатации ток будет протекать от токоподводящего электрода I1 к токоподводящему электроду I2. Измеряющие напряжение электроды U1 и U2 расположены между токоподводящими электродами I1 и I2, так как там разность напряжения самая большая. Чтобы гарантировать, что ток не будет или почти не будет протекать через стенку (кристаллов на ней) сосуда и находящиеся на ней кристаллы, электроды должны быть расположены на расстоянии от стенок сосуда, которое составляет, по меньшей мере, половину расстояния между токоподводящими электродами. Расстояние а между измеряющими напряжение электродами составляет, например, приблизительно 50 мм. Расстояние b между токоподводящими электродом и согласованным с ним измеряющим напряжение электродом составляет, например, 5 мм.
Возможность электродов частично расплавляться не показана. В этом случае электрод, который в твердом состоянии выступает за пределы защитной трубки, будет, по меньшей мере, частично расплавлен на конце и будет сформирован вогнутый мениск в соответствующей защитной трубке. Так как электрод (частично) расплавлен на конце, контактное сопротивление между смесью 3 и электродами будет очень низким, а следовательно, измерение в четырех контактных точках будет иметь большую точность.
На фиг.2 схематично представлен способ осуществления измерения в четырех контактных точках. Ток I от источника тока последовательно проходит через эталонный резистор R1 и через расплав. Понятно, что расплав также является резистором, обозначенным как R2. Напряжение измеряется параллельно двум резисторам R1 и R2. Ток I непрерывно измеряется с высокой степенью точности. Затем значение сопротивления резистора R2 может быть определено на основе измеренных значений напряжения параллельно резисторам R1 и R2 и известного значения сопротивления эталонного резистора R1.
Понятно, что вычислительное и регулирующее оборудование присутствует для того, чтобы измерять и обрабатывать значения силы тока и напряжения и чтобы на основе этой информации настраивать регулирующее температуру оборудование.
Соответствующий изобретению способ далее будет описан со ссылкой на фиг.1.
Алюминий с незначительным содержанием загрязнений помещают в сосуд 2 и нагревают до его полного расплавления. Защитные трубки 4, 5, 6 и 7 с токоподводящими электродами I1 и I2 и измеряющими напряжение электродами U1 и U2 помещают в расплавленный алюминий. Предпочтительно подождать, пока концы электродов (частично) расплавятся. Затем ток, например, силой 10 А пропускают через расплав в соответствии со схемой, изображенной на фиг.2. После этого расплав медленно охлаждают с помощью регулирующего температуру оборудования. В заданный момент в расплаве будут выделяться кристаллы, которые будут по возможности равномерно распределены в расплаве при помощи оборудования для перемешивания. Состав кристаллов чище, чем состав расплава. Так как кристаллы имеют более низкое сопротивление, чем расплав, то сопротивление смеси будет падать. В теории процентная доля кристаллов, присутствующих в расплаве, может быть определена на основе напряжения между измеряющим напряжение электродами U1 и U2, которое измеряется методом измерения в четырех контрольных точках, и известного состава алюминия содержащего загрязнения. На практике будет необходимо определить на основе экспериментов для определенной схемы конкретных электродов, какое процентное содержание кристаллов присутствует при конкретном напряжении.
Вышеприведенный текст описывает периодический процесс. На практике способ предпочтительно осуществлять как непрерывный процесс, при котором непрерывно подается полностью расплавленный алюминий, содержащий загрязнения, и непрерывно отводится смесь из (более загрязненного) расплавленного алюминия и кристаллов. В этом случае важно прежде всего поддерживать постоянным сопротивление в смеси посредством охлаждения или нагрева, так что процентное содержание кристаллов, которые отводятся, оставалось постоянным. Процентное содержание кристаллов, которое получается, может медленно регулироваться в непрерывном процессе.

Claims (11)

1. Способ регулирования доли кристаллов алюминия в смеси из расплавленного загрязненного алюминия или алюминиевого сплава и кристаллов алюминия при фракционной кристаллизации, включающий регулирование температуры смеси, отличающийся тем, что регулирование температуры осуществляют путем определения электрического сопротивления смеси по измерениям в четырех контрольных точках.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что смесь непрерывно перемешивают.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что кристаллизацию осуществляют непрерывно.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что электрическое сопротивление поддерживают по существу постоянным.
5. Способ по п.3 или 4, отличающийся тем, что долю алюминиевых кристаллов поддерживают постоянной в пределах плюс или минус 4%, предпочтительно плюс или минус 2%.
6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что алюминиевый сплав содержит, по меньшей мере, частично железо в качестве загрязняющей примеси.
7. Устройство для регулирования доли кристаллов алюминия в смеси из расплавленного загрязненного алюминия или алюминиевого сплава и кристаллов алюминия при фракционной кристаллизации, содержащее сосуд для смеси и средство регулирования температуры смеси, отличающееся тем, что оно содержит четырехточечный омметр с двумя электродами для пропускания тока и двумя электродами для измерения напряжения, причем электроды предпочтительно окружены защитной трубкой.
8. Устройство по п.7, отличающееся тем, что защитные трубки выполнены из керамического материала, предпочтительно Al2O3.
9. Устройство по п.7 или 8, отличающееся тем, что токоподводящие и измеряющие напряжение электроды в защитных трубках во время использования содержат расплавленный алюминий.
10. Устройство по п.7 или 8, отличающееся тем, что токоподводящие электроды расположены на расстоянии от стенок сосуда, которое, по меньшей мере, равно половине расстояния между токоподводящими электродами.
11. Устройство по п.7 или 8, отличающееся тем, что каждый из измеряющих напряжение электродов расположен на расстоянии, по меньшей мере, 5 мм от согласованного с ним токоподводящего электрода.
RU2004113370/02A 2001-10-03 2002-10-02 Способ и устройство для регулирования доли кристаллов в смеси жидкость - кристалл RU2295581C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1019105 2001-10-03
NL1019105A NL1019105C2 (nl) 2001-10-03 2001-10-03 Werkwijze en inrichting voor het beheersen van het aandeel kristallen in een vloeistof-kristalmengsel.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004113370A RU2004113370A (ru) 2005-03-27
RU2295581C2 true RU2295581C2 (ru) 2007-03-20

Family

ID=19774124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004113370/02A RU2295581C2 (ru) 2001-10-03 2002-10-02 Способ и устройство для регулирования доли кристаллов в смеси жидкость - кристалл

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7442228B2 (ru)
EP (1) EP1442146A1 (ru)
JP (1) JP2005518477A (ru)
CA (1) CA2462674C (ru)
NL (1) NL1019105C2 (ru)
RU (1) RU2295581C2 (ru)
WO (1) WO2003031663A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2593881C1 (ru) * 2015-04-08 2016-08-10 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ") Способ очистки технического алюминия

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1380658A1 (en) 2002-07-05 2004-01-14 Corus Technology BV Method for fractional crystallisation of a molten metal
EP1380659A1 (en) * 2002-07-05 2004-01-14 Corus Technology BV Method for fractional crystallisation of a metal
NZ546693A (en) * 2003-11-19 2009-02-28 Aleris Switzerland Gmbh Method of cooling molten metal during fractional crystallisation
ATE393245T1 (de) 2004-03-19 2008-05-15 Aleris Switzerland Gmbh Verfahren zur reinigung eines schmelzflüssigen metalls
NZ598070A (en) * 2005-10-28 2013-03-28 Akuatech S R L New highly stable aqueous solution, electrode with nanocoating for preparing the solution and method for making this electrode
WO2007147587A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Aleris Switzerland Gmbh Method for the separation of molten aluminium and solid inclusions
ATE475724T1 (de) * 2006-06-28 2010-08-15 Aleris Switzerland Gmbh Kristallisationsverfahren zur reinigung eines schmelzflüssigen metalls, insbesondere rezyklierten aluminiums
US7955414B2 (en) * 2006-07-07 2011-06-07 Aleris Switzerland Gmbh Method and device for metal purification and separation of purified metal from metal mother liquid such as aluminium

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE258283C (ru)
US1562090A (en) 1923-11-08 1925-11-17 Aluminum Co Of America Electrolytic cell
US1938101A (en) 1931-08-11 1933-12-05 Arthur E Hall Metal refining process
GB615590A (en) 1940-07-08 1949-01-07 Spolek Process of separating alloys
GB885503A (en) 1956-10-10 1961-12-28 Secr Aviation Apparatus for contacting a liquid with a liquid or a particulate solid
US3211547A (en) 1961-02-10 1965-10-12 Aluminum Co Of America Treatment of molten aluminum
GB974829A (en) 1963-01-15 1964-11-11 Secr Aviation Improvements in apparatus for contacting a liquid with a liquid or a particulate solid
US3308666A (en) * 1963-04-29 1967-03-14 Cook Electric Co High temperature measuring devices
US3296811A (en) * 1963-12-20 1967-01-10 Phillips Petroleum Co Fractional crystallization melt control responsive to product composition
US3303019A (en) 1964-04-23 1967-02-07 Aluminum Co Of America Purification of aluminum
FR1594154A (ru) 1968-12-06 1970-06-01
GB1352567A (en) * 1971-04-28 1974-05-08 Baeckerud S L Method of checking adjusting the content of crystallization nuclei in a melt
US3840364A (en) 1972-01-28 1974-10-08 Massachusetts Inst Technology Methods of refining metal alloys
GB1407078A (en) 1972-08-23 1975-09-24 British Steel Corp Tuyeres
US3839019A (en) 1972-09-18 1974-10-01 Aluminum Co Of America Purification of aluminum with turbine blade agitation
US4133517A (en) 1974-09-30 1979-01-09 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Continuous reflux refining of metals
GB1519999A (en) * 1974-09-30 1978-08-02 Commw Scient Ind Res Org Method for the continuous reflux reflux refining of metal
FR2325727A1 (fr) 1975-09-26 1977-04-22 Servimetal Flux pour l'elimination des metaux alcalins et alcalino-terreux de l'aluminium et de ses alliages et procedes de mise en oeuvre
JPS52135797A (en) * 1976-05-08 1977-11-14 Mitsubishi Electric Corp Apparatus for detecting phase change of liquid
US4050683A (en) 1976-05-25 1977-09-27 Klockner-Werke Ag Smelting plant and method
FR2431542A1 (fr) 1978-07-19 1980-02-15 Creusot Loire Tuyere de soufflage
US4305763A (en) 1978-09-29 1981-12-15 The Boeing Company Method of producing an aluminum alloy product
JPS5912731B2 (ja) 1978-10-05 1984-03-26 株式会社神戸製鋼所 アルミニウム又はアルミニウム合金の精製法
US4222830A (en) 1978-12-26 1980-09-16 Aluminum Company Of America Production of extreme purity aluminum
US4239606A (en) 1979-12-26 1980-12-16 Aluminum Company Of America Production of extreme purity aluminum
JPS5779052A (en) 1980-10-16 1982-05-18 Takeshi Masumoto Production of amorphous metallic filament
JPS57152435A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Mitsubishi Keikinzoku Kogyo Kk Purifying method for aluminum
JPS58104132A (ja) 1981-12-14 1983-06-21 Mitsubishi Keikinzoku Kogyo Kk アルミニウムの純化方法
FR2524489A1 (fr) 1982-03-30 1983-10-07 Pechiney Aluminium Procede de purification de metaux par segregation
DE3274369D1 (en) 1982-07-28 1987-01-08 Showa Aluminum Corp Process for producing high-purity aluminum
JPS5928538A (ja) 1982-08-09 1984-02-15 Mitsubishi Keikinzoku Kogyo Kk アルミニウムの純化方法
US4411747A (en) 1982-08-30 1983-10-25 Aluminum Company Of America Process of electrolysis and fractional crystallization for aluminum purification
JPS59205424A (ja) 1983-05-06 1984-11-21 Kasei Naoetsu:Kk 金属の純化方法
GB8403976D0 (en) 1984-02-15 1984-03-21 British Steel Corp Analysis of materials
JPS60234930A (ja) 1984-05-07 1985-11-21 Toyota Motor Corp アルミニウム合金の鉄分低減方法
FR2564485B1 (fr) 1984-05-17 1986-08-14 Pechiney Aluminium Procede de purification en continu de metaux par cristallisation fractionnee sur un cylindre tournant
SE445677B (sv) * 1984-11-19 1986-07-07 Alfa Laval Food & Dairy Eng Forfarande for metning av halten kristaller i en blandning av vetska och kristaller samt anordning for genomforande av forfarandet
FR2592663B1 (fr) 1986-01-06 1992-07-24 Pechiney Aluminium Procede ameliore de purification de metaux par cristallisation fractionnee
DD258283A1 (de) * 1987-03-06 1988-07-13 Dessau Tornau Impfstoffwerk Messfuehler zur bestimmung der leitfaehigkeit in abhaengigkeit von der temperatur
US5221377A (en) 1987-09-21 1993-06-22 Aluminum Company Of America Aluminum alloy product having improved combinations of properties
SU1589173A1 (ru) * 1988-11-02 1990-08-30 Предприятие П/Я Р-6496 Способ определени начала кристаллизации при выращивании кристаллов из раствора-расплава
EP0375308A1 (en) 1988-12-22 1990-06-27 Alcan International Limited Process and apparatus for producing high purity aluminum
US5160532A (en) 1991-10-21 1992-11-03 General Electric Company Direct processing of electroslag refined metal
US5312498A (en) 1992-08-13 1994-05-17 Reynolds Metals Company Method of producing an aluminum-zinc-magnesium-copper alloy having improved exfoliation resistance and fracture toughness
US5968223A (en) 1993-07-13 1999-10-19 Eckert; C. Edward Method for heating molten metal using heated baffle
DE4325793C2 (de) * 1993-07-31 1997-07-17 Integral Technologie Gmbh Verfahren zur Messung einer Eiskonzentration und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP3329013B2 (ja) 1993-09-02 2002-09-30 日本軽金属株式会社 Al−Si系アルミニウムスクラップの連続精製方法及び装置
NL1000456C2 (nl) 1995-05-31 1996-12-03 Hoogovens Aluminium Bv Werkwijze voor het raffineren van een aluminium schrootsmelt, en aluminium legering uit geraffineerd aluminium schroot.
FR2744377B1 (fr) 1996-02-07 1998-03-06 Pechiney Recherche Procede et dispositif de separation de particules contenues dans un ecoulement de liquide electro-conducteur a l'aide de forces electromagnetiques
RU2105084C1 (ru) 1996-06-11 1998-02-20 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное культурно-просветительское объединение "Благовест" Способ федорова л.е. защиты металлов от окисления
DE69629113T2 (de) 1996-09-11 2004-04-22 Aluminum Company Of America Aluminiumlegierung für Verkehrsflugzeugflügel
NL1004824C2 (nl) 1996-12-18 1998-06-19 Tno Werkwijze en inrichting voor het scheiden van metalen en/of metaallegeringen met verschillende smeltpunten.
US6290900B1 (en) 1998-03-13 2001-09-18 Denso Corporation Molten metal vessel for filtering impurities
US6143070A (en) 1998-05-15 2000-11-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Silicon-germanium bulk alloy growth by liquid encapsulated zone melting
CA2393397C (en) * 1999-12-02 2009-05-05 Cabot Corporation Carbon blacks useful in wire and cable compounds
IL156386A0 (en) 2000-12-21 2004-01-04 Alcoa Inc Aluminum alloy products and artificial aging method
ATE270348T1 (de) 2001-09-03 2004-07-15 Corus Technology Bv Verfahren zum reinigen einer aluminium-legierung
US6909505B2 (en) 2002-06-24 2005-06-21 National Research Council Of Canada Method and apparatus for molten material analysis by laser induced breakdown spectroscopy
EP1380659A1 (en) 2002-07-05 2004-01-14 Corus Technology BV Method for fractional crystallisation of a metal
EP1380658A1 (en) 2002-07-05 2004-01-14 Corus Technology BV Method for fractional crystallisation of a molten metal
US20050145071A1 (en) 2003-03-14 2005-07-07 Cates Larry E. System for optically analyzing a molten metal bath
NZ546693A (en) 2003-11-19 2009-02-28 Aleris Switzerland Gmbh Method of cooling molten metal during fractional crystallisation
ATE393245T1 (de) 2004-03-19 2008-05-15 Aleris Switzerland Gmbh Verfahren zur reinigung eines schmelzflüssigen metalls
NL1029612C2 (nl) 2005-07-26 2007-01-29 Corus Technology B V Werkwijze voor het analyseren van vloeibaar metaal en inrichting voor gebruik daarbij.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2593881C1 (ru) * 2015-04-08 2016-08-10 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ") Способ очистки технического алюминия

Also Published As

Publication number Publication date
US7442228B2 (en) 2008-10-28
JP2005518477A (ja) 2005-06-23
US20050039578A1 (en) 2005-02-24
CA2462674A1 (en) 2003-04-17
EP1442146A1 (en) 2004-08-04
RU2004113370A (ru) 2005-03-27
CA2462674C (en) 2009-09-01
WO2003031663A1 (en) 2003-04-17
NL1019105C2 (nl) 2003-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2295581C2 (ru) Способ и устройство для регулирования доли кристаллов в смеси жидкость - кристалл
TWI361175B (en) Method for preventing bubbles on precious metal components
KR0183398B1 (ko) 가스의 열 전도율 측정 방법 및 장치
US3067123A (en) Apparatus for regulating current density and other factors in an electrolytic bath
US5723337A (en) Method for measuring and controlling the oxygen concentration in silicon melts and apparatus therefor
CA1143418A (en) Electrically heated glass forehearth
US3471390A (en) Alumina concentration meter
Turchanin et al. Enthalpies of solution of vanadium and chromium in liquid copper by high temperature calorimetry
Shevchenko et al. Experimental liquidus studies of the Pb-Cu-Si-O system in equilibrium with metallic Pb-Cu alloys
Evans et al. An intercomparison of high temperature platinum resistance thermometers and standard thermocouples
Nityanand et al. The effect of TiO 2 additions and oxygen potential on liquidus temperatures of some CaO-Al 2 O 3 melts
EP0694779B1 (de) Vorrichtung zur Messung der Oberflächenspannung
SU1048989A3 (ru) Установка дл электрошлакового переплава
SE419930B (sv) Forfarande och anordning for styrning av elektroslaggraffineringen av nedsmeltbara elektroder i en utvidgad kokill
Stretz et al. The high temperature heat content of liquid yttrium by levitation calorimetry
SE409056B (sv) Forfarande for bestemning av de metallurgiska tillstanden, sasom drifttemperatur eller dylikt, i en elektrisk ljusbagsugn
SU908489A1 (ru) Способ управлени процессом кристаллизации металла
Hoffman et al. PHOTOCHEMICAL TECHNIQUE. III. QUARTZ CAPILLARY ARC LAMPS OF BISMUTH, CADMIUM, LEAD, MERCURY, THALLIUM AND ZINC
Bouhajib et al. Partial enthalpies of silicon, vanadium, zirconium, niobium and molybdenum in liquid tin at high dilution
Burgess Melting points of the iron group elements by a new radiation method
EP0459049A1 (en) Apparatus and process for determining thickness of the slag formed on molten steel
SU1032431A1 (ru) Устройство дл термостатировани
JPS6472927A (en) Flow controller for molten glass
SU441505A1 (ru) Устройство дл определени активности кислорода в металлургических расплавах
Northrup et al. New method for measuring resistivity of molten materials: Results for certain alloys

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20091003