RU2236745C1 - Транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией - Google Patents

Транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией Download PDF

Info

Publication number
RU2236745C1
RU2236745C1 RU2003105583/09A RU2003105583A RU2236745C1 RU 2236745 C1 RU2236745 C1 RU 2236745C1 RU 2003105583/09 A RU2003105583/09 A RU 2003105583/09A RU 2003105583 A RU2003105583 A RU 2003105583A RU 2236745 C1 RU2236745 C1 RU 2236745C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
voltage
transistor
source
base
field
Prior art date
Application number
RU2003105583/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2003105583A (ru
Inventor
Б.Я. Гумановский (RU)
Б.Я. Гумановский
Original Assignee
Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники" filed Critical Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники"
Priority to RU2003105583/09A priority Critical patent/RU2236745C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2003105583A publication Critical patent/RU2003105583A/ru
Publication of RU2236745C1 publication Critical patent/RU2236745C1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электротехнике для использования в преобразователях, вторичных источниках электропитания. Технический результат заключается в уменьшении мощности источника постоянного напряжения управления, повышении кпд и упрощении его схемы. Транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией состоит из последовательно включенных высоковольтного биполярного транзистора (ВБТ) (1) и низковольтного полевого транзистора (НПТ) (2), затвор которого соединен с выводом для подключения источника управляющих импульсов. Между базой ВБТ (1) и истоком НПТ (2) включена параллельная цепь, состоящая из первого стабилитрона (СТ) (3), конденсатора (7) и второго СТ (5), последовательно соединенного анодом с началом вторичной обмотки трансформатора тока (6.2), первичная обмотка (6.1) которого включена в коллекторную цепь ВБТ (1) началом к источнику питания. Резистор включен между базой ВБТ (1) и источником управляющего напряжения. 1 ил.

Description

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в различных преобразователях, вторичных источниках электропитания.
Известны схемы транзисторных ключей, состоящих из последовательно включенных высоковольтного и низковольтного транзисторов, конденсатора, резисторного ограничителя тока и диода (а.с. №1320889, кл. Н 03 К 17/60, 1320890, кл. Н 03 К 17/60).
Недостатком этих аналогов является необходимость в мощном источнике управления, питающем базовую цепь высоковольтного транзистора. Как правило, высоковольтный биполярный транзистор имеет низкий коэффициент усиления по току, поэтому для удержания его в открытом состоянии требуется достаточно мощный источник управления. Кроме того, ток управления в этих схемах не зависит от изменения нагрузки транзисторного ключа, что создает избыточный ток базы при малых нагрузках ключа и понижает его кпд.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому положительному эффекту является ключевой транзисторный преобразователь напряжения (а.с. №1390752, кл. Н 02 М 7/538), который содержит последовательно соединенные биполярный и полевой транзисторы, а также дроссель (трансформатор тока) для форсированного запирания биполярного высоковольтного транзистора.
Этому ключевому транзисторному преобразователю напряжения присущи те же недостатки, также для управления ключом требуется мощный источник питания, рассчитанный на полный ток базы биполярного транзистора. Кроме того, в схеме требуется подбор количества диодов, соединенных последовательно и параллельно обмоткам дросселя (трансформатора тока), необходимых для безопасного накопительного заряда в базе высоковольтного биполярного транзистора, а также уверенного его запирания.
Цель изобретения - уменьшение мощности источника постоянного напряжения (управления), повышение кпд и упрощение его схемы.
Указанная цель достигается тем, что в транзисторный ключ введено пропорционально-токовое управление, осуществляемое с помощью трансформатора тока.
Предлагаемый транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией, показанный на чертеже, может быть выполнен как из последовательно включенных высоковольтного биполярного транзистора, так и транзистора со статической индукцией 1, низковольтного полевого транзистора 2 с изолированным затвором, стабилитрона 3, соединенного катодом к базе (или затвору) высоковольтного транзистора, а анодом - к истоку полевого транзистора, резистора 4 в базовой цепи высоковольтного транзистора и конденсатора 7. Между базой (или затвором) высоковольтного транзистора и истоком полевого транзистора включена цепь из последовательно соединенных стабилитрона 5, обращенного катодом к базе (или затвору) и началу вторичной обмотки трансформатора тока 6.2, первичная обмотка 6.1 которого включена в основную токовую цепь транзисторного ключа.
Транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией работает следующим образом.
При подаче управляющего импульса на затвор транзистора 2 последний отпирается. По цепи от “+” источника постоянного напряжения через резистор 4 переход база-эмиттер (затвор-исток) транзистора 1 и открытый транзистор 2 к “-” источника начинает проходить небольшой начальный базовый ток высоковольтного транзистора, что приводит к появлению тока в первичной обмотке трансформатора тока 6.1. Ток вторичной обмотки 6.2., пропорциональный току нагрузки ключа, суммируется с начальным базовым током и создает общий базовый ток высоковольтного транзистора. Поскольку величина начального базового тока составляет всего 5-10% от тока базы при максимальной нагрузке ключа, то основная доля тока управления при работе ключа поступает из силовой цепи, а не от источника напряжения.
При запирании транзистора 2 разрывается цепь эмиттера высоковольтного транзистора 1, что приводит к быстрому рассасыванию неосновных носителей и запиранию коллекторного перехода транзистора. Ток его быстро спадает до нуля, напряжение на вторичной обмотке 6.2. реверсируется и ограничивается стабилитронами 3 и 5, причем первый работает в прямую, а второй - в обратную сторону.
В предлагаемом транзисторном ключе с эмиттерной коммутацией пропорциональное изменение тока базы транзистора 1 в зависимости от тока нагрузки позволяет лучше использовать транзистор, уменьшить потери переключения, а значит повысить расчетную частоту его переключений при уменьшении мощности источника постоянного напряжения по сравнению с известной схемой.
Суммарное падение напряжения на обоих транзисторах в открытом состоянии ключа может составлять величину порядка одного вольта.
Кроме того, в схеме транзисторного ключа с эмиттерной коммутацией отсутствует явление вторичного пробоя, т.к. при его отключении обрывается эмиттер силового высоковольтного транзистора и расширяется область его безопасной работы, а также практически отсутствует отрицательная обратная связь из-за негативного влияния емкости сток-затвор полевых транзисторов (эффект Миллера), т.к. полевой транзистор работает на малых напряжениях.
Таким образом, по сравнению с известными предлагаемый транзисторный ключ повышает кпд устройства в следствии пропорционально-токового управления за счет положительной обратной связи по току.

Claims (1)

  1. Транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией, состоящий из последовательно включенных высоковольтного биполярного транзистора или транзистора со статической индукцией и низковольтного полевого транзистора, затвор которого соединен с выводом для подключения источника управляющих импульсов, и резистора, отличающийся тем, что между базой высоковольтного транзистора и истоком полевого транзистора включена параллельная цепь, состоящая из первого стабилитрона, соединенного анодом с истоком полевого транзистора, конденсатора и второго стабилитрона, последовательно соединенного анодом с началом вторичной обмотки трансформатора тока, первичная обмотка которого включена в коллекторную цепь транзисторного ключа началом к источнику питания, а резистор включен между базой высоковольтного транзистора и источником управляющего напряжения.
RU2003105583/09A 2003-02-26 2003-02-26 Транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией RU2236745C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003105583/09A RU2236745C1 (ru) 2003-02-26 2003-02-26 Транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003105583/09A RU2236745C1 (ru) 2003-02-26 2003-02-26 Транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2003105583A RU2003105583A (ru) 2004-09-20
RU2236745C1 true RU2236745C1 (ru) 2004-09-20

Family

ID=33433573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003105583/09A RU2236745C1 (ru) 2003-02-26 2003-02-26 Транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2236745C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101686018B (zh) * 2008-09-23 2011-08-10 洋鑫科技股份有限公司 单向金属氧化物半导体场效应晶体管及其应用
CN102315758A (zh) * 2010-07-07 2012-01-11 英飞特电子(杭州)有限公司 一种提高器件耐压的电路
CN104682696A (zh) * 2012-11-05 2015-06-03 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种自供电的源极驱动电路及应用其的开关电源
RU207070U1 (ru) * 2021-07-23 2021-10-11 Акционерное общество "Морион" Кварцевый резонатор с частичным внутренним размещением элементов термостата генератора

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
International reectifier Hexfet Databook, 1982-1983, p.A-112, fig.2. *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101686018B (zh) * 2008-09-23 2011-08-10 洋鑫科技股份有限公司 单向金属氧化物半导体场效应晶体管及其应用
CN102315758A (zh) * 2010-07-07 2012-01-11 英飞特电子(杭州)有限公司 一种提高器件耐压的电路
WO2012003685A1 (zh) * 2010-07-07 2012-01-12 英飞特电子(杭州)有限公司 一种提高器件耐压的电路
CN104682696A (zh) * 2012-11-05 2015-06-03 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种自供电的源极驱动电路及应用其的开关电源
CN104682696B (zh) * 2012-11-05 2019-07-16 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种自供电的源极驱动电路及应用其的开关电源
RU207070U1 (ru) * 2021-07-23 2021-10-11 Акционерное общество "Морион" Кварцевый резонатор с частичным внутренним размещением элементов термостата генератора

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5424933A (en) Resonant forward converter circuit with control circuit for controlling switching transistor on and off times
US8810287B2 (en) Driver for semiconductor switch element
US6201713B1 (en) Switching power supply unit having sub-switching element and time constant circuit
US6580626B2 (en) Switching power supply
US7596003B2 (en) Electric power converter
US10951122B2 (en) Electronic converter and related method of operating an electronic converter
US7148668B1 (en) Completely isolated synchronous boost DC-to-DC switching regulator
RU2236745C1 (ru) Транзисторный ключ с эмиттерной коммутацией
CN108736748B (zh) 电源转换装置及其同步整流控制器
US9722599B1 (en) Driver for the high side switch of the cascode switch
US20230275526A1 (en) Rectifying element and voltage converter comprising such a rectifying element
US11489451B1 (en) Power conversion apparatus and synchronous rectification controller thereof
US7894217B2 (en) DC to DC converter
US7542309B2 (en) Voltage stabilizer circuit of forward converter
US20210143739A1 (en) Power conversion device
CN111799998B (zh) 一种适用于高压电子设备的变换器
US20210159776A1 (en) Voltage clamp
US11532983B2 (en) Systems and methods for reducing power loss of power converters
JP2018153037A (ja) 直流変換装置
US20230179084A1 (en) Controllers configured to detect demagnetization with external bipolar transistors and internal mos transistors and methods thereof
US10454473B2 (en) Optical-control driving circuit for high utility power
SU1725352A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
RU2017202C1 (ru) Источник питания
SU1721766A1 (ru) Транзисторный инвертор
SU1742955A1 (ru) Преобразователь напр жени

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20060227