RU2216027C2 - Способ определения очень малых емкостей и его применение - Google Patents
Способ определения очень малых емкостей и его применение Download PDFInfo
- Publication number
- RU2216027C2 RU2216027C2 RU2001105087/09A RU2001105087A RU2216027C2 RU 2216027 C2 RU2216027 C2 RU 2216027C2 RU 2001105087/09 A RU2001105087/09 A RU 2001105087/09A RU 2001105087 A RU2001105087 A RU 2001105087A RU 2216027 C2 RU2216027 C2 RU 2216027C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- channel
- conductor
- mosfets
- mosfet
- charge
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
- G01R27/2605—Measuring capacitance
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Image Input (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Использование: в поверхностных датчиках для емкостных измерений, в частности в датчиках отпечатков пальцев. Технический результат заключается в возможности совместно оценивать все проводники считывания при применении этого способа в датчике отпечатков пальцев. Растр конденсаторных пластинок подсоединяется к проводникам считывания и возбуждения. Проводники считывания (LL) попеременно подключаются к выходу операционного усилителя (ОР) с обратной связью и к накопительному конденсатору (Cs). Измеряемые емкости (Ср) многократно заряжаются, и заряды накапливаются на накопительных конденсаторах. Между циклами заряда потенциал на проводниках считывания за счет низкоомного выхода операционного усилителя поддерживается постоянным. 3 з.п. ф-лы, 7 ил.
Description
Настоящее изобретение относится к способу определения очень малых емкостей электрических компонентов, который может быть применен в особенности в поверхностных датчиках для емкостных измерений, в частности в датчиках отпечатков пальцев.
Очень малые емкости можно определять способом, при котором емкость многократно заряжается, и заряд соответственно накапливается на большей емкости. По величине заряда, накопленного за определенное число циклов заряда, можно сделать вывод о величине малой емкости. Этот способ может применяться, например, в датчике отпечатков пальцев, основанном на емкостных измерениях. Конфигурация проводников и компонентов электрической схемы, которые используются при этом, показана в виде схемы на фиг.4.
Для восприятия полного изображения, например отпечатка пальца, применяется конфигурация проводящих плоскостей в форме растра, которая снабжена покрытием и опорной плоскостью для кончика пальца. Вследствие различного расстояния от проводников до поверхности кожи, воспринимаемой как заземленной, формируются различные емкости. Поэтому конденсаторы, образуемые проводниками и размещенными на некотором расстоянии участками поверхности кожи, при приложении одинаковой разности потенциалов, заряжаются различным образом. Величины такого заряда являются мерой емкости по отношению к поверхности кожи и поэтому могут служить для определения отпечатка пальца. Чтобы иметь возможность измерять очень малые величины заряда, они накапливаются в течение нескольких циклов заряда на большей емкости и измеряются.
На фиг.4А в сечении представлена поверхность 1 определяемого изображения на расстоянии от поверхностей 2 проводников, обращенных к поверхности изображения. Такая поверхность 2 проводника соединена с проводником 3 и действует как пластина конденсатора по отношению к поверхности 1 измеряемого изображения. Она может соединяться через переключатели S1 и S2 поочередно с источником постоянного напряжения, который в данном примере выдает напряжение 5 вольт, и с конденсатором Cs, который функционирует в качестве накопительного конденсатора. Заряд, накопленный на этом конденсаторе Cs, измеряется показанным на чертеже кулонометром Сb.
На фиг.4В показаны сигналы переключения, с помощью которых приводятся в действие переключатели S1 и S2, а также измеренные кулонометром величины заряда в функции времени.
На фиг. 4С представлена эквивалентная электрическая схема, соответствующая устройству, показанному на фиг.4A.
Вместо измерения заряда конденсатора, который образован проводящими поверхностями в двух различных плоскостях, можно измерять емкости двух проводящих поверхностей в одной и той же плоскости. Предпочтительно для этого выбирают две расположенные рядом поверхности проводников. Эти проводники связаны друг с другом приложенной верхней стороной изображения, например поверхностью кожи. И в данном случае емкостная связь тем сильнее, чем меньше расстояние от поверхности кожи до поверхности проводников. Переносимый заряд измеряется с помощью прибора для измерения заряда. Соответствующая конфигурация датчика и электрическая эквивалентная схема показаны на фиг.5A и 5B.
При таком способе достаточно использовать единственную структурированную проводящую плоскость, которая практически состоит из поля проводящих поверхностей с перекрещивающимися проводниками. Так как нет необходимости соединять проводники с активными компонентами в непосредственной близости, то их можно расположить на изолирующих пленках. Однако заряды, которые получают при применении данного способа, имеют существенно меньшую величину, чем в варианте, представленном на фиг.4.
Прибор для измерения заряда состоит предпочтительно из усилителя. Если далее подключен аналого-цифровой преобразователь, чтобы иметь возможность получать цифровую оценку измерения, то такой усилитель и такой аналого-цифровой преобразователь для своего размещения требуют относительно большой площади, что приводит к тому, что имеется возможность возбуждения и считывания только одного элемента изображения. Все другие проводники возбуждения и считывания должны поддерживаться в низкоомном состоянии, что показано на фиг. 6 на виде сверху конфигурации проводящей поверхности. Проводники возбуждения здесь соответствуют вертикальным соединениям отдельных квадратных проводящих поверхностей. Проводники считывания проходят горизонтально. В точках пересечения проводники возбуждения и проводники считывания изолированы друг от друга. Емкостные связи показаны на чертеже скругленными стрелками.
Сопоставимый датчик отпечатков пальцев описан в SE 448408. За счет такого типа возбуждения достигается то, что только один проводник возбуждения имеет емкостную связь выше критической с проводниками. Однако для того чтобы проводники считывания не имели взаимную емкостную связь выше критической, все проводники считывания должны поддерживаться в низкоомном состоянии, что может быть реализовано с помощью переключателя или с помощью низкоомного входного сопротивления усилителя.
На фиг.7 показана схема, с помощью которой можно осуществить способ накачки зарядов с использованием последовательной емкости, что также используется в умножителях напряжения.
Задачей настоящего изобретения является создание способа определения очень малых емкостей конфигурации конденсаторов растровой формы. Этот способ должен быть пригодным для применения особенно в датчиках отпечатков пальцев.
Эта задача решается в способе, характеризуемом признаками п. 1 формулы изобретения. Варианты осуществления, в частности применение способа для определения изображений, изложены в зависимых пунктах формулы изобретения.
В предлагаемом способе все проводники считывания (LLn-1, LLn, LLn+1 на фиг. 6) считываются одновременно. Измеренное значение из каждого проводника считывания уже в процессе измерений преобразуется в цифровую форму. Для этого применяется способ накачки с последовательным конденсатором согласно фиг. 1. Чтобы подавить емкостную связь выше критической от одного проводника считывания к другому проводнику считывания, оба диода и заменены двумя переключателями и одним операционным усилителем.
Эти переключатели S1, S2 и операционный усилитель ОР показаны на схеме, представленной на фиг. 1A. На фиг.1B показана временная последовательность генерируемого напряжения Up и сигналы переключения переключателей S1 и S2, а также тока Iр и напряжения Us на конденсаторе. Непосредственно перед положительным фронтом генерируемого сигнала Up оба переключателя S1, S2 переключаются. Емкость Ср при этом становится непосредственно связанной с накопительной емкостью Cs.
В момент положительного, т.е. нарастающего фронта генерируемого напряжения Up заряд конденсатора Ср переносится на накопительный конденсатор Cs, причем емкость накопительного конденсатора Cs существенно больше, чем емкость конденсатора Ср. Напряжение Us возрастает на небольшую величину. Как только ток Iр затухает, переключатели вновь переключаются. Теперь емкость Ср связана с выходом операционного усилителя ОР. Этот операционный усилитель с обратной связью переносит напряжение Us на накопительном конденсаторе Cs непосредственно на свой выход в отношении 1:1.
После переключения переключателей следует отрицательный, т.е. спадающий фронт генерируемого напряжения Up. Через низкоомный выход операционного усилителя конденсатор Ср вновь заряжается без стекания заряда накопительного конденсатора Cs. Поэтому после еще одного переключения переключателей можно повторить процесс разряда конденсатора Ср на накопительный конденсатор Cs.
Данный процесс в последующем называется циклом накачки. В течение цикла накачки напряжение на проводнике считывания изменяется лишь незначительно, так что можно не опасаться емкостной связи выше критической от одного проводника считывания к другому проводнику считывания. Поэтому таким способом можно осуществить накачку всех проводников считывания поля элементов изображения через один проводник возбуждения (проводники SLk-2, SLk-1, SLk, SLk+1 на фиг.6) и произвести оценку всех проводников считывания.
Предпочтительно способ выполняется таким образом, что накопительные конденсаторы Cs заряжаются до предварительно заданного значения, превышение этого предварительно заданного значения устанавливается с помощью компаратора с использованием опорного напряжения Uref, и число циклов накачки до достижения этого значения отсчитывается соответствующим счетчиком. Подобное устройство показано на фиг.2, где ссылочной позицией Ct обозначен счетчик, а ссылочной позицией Rg обозначен блок регистрации. Переключатель S3 служит для того, чтобы счетчик Ct попеременно подключать к выходу компаратора К и к входу блока регистрации. Таким путем можно остановить счетчик в момент, когда на накопительном конденсаторе достигнуто значение опорного напряжения. Подсчитанное счетчиком число циклов накачки может после переключения переключателя S3 сохраняться в блоке регистрации и/или подаваться для последующей оценки.
На фиг. 3 показан возможный вариант выполнения операционного усилителя ОР, пригодного для использования в описываемом способе, в том виде, как он может использоваться в устройствах по фиг.1A и 2. Другие возможности реализации операционного усилителя также не исключаются.
Существенным для предлагаемого способа является то, что малые измеряемые значения заряда или соответственно приложенные к конденсаторам напряжения не усиливаются непосредственно, а посредством накопления до предварительно заданного предельного значения непосредственно преобразуются в цифровой результат измерения. Кроме того, для данного способа существенным является то, что соответствующая группа измеряемых емкостей измеряется одновременно. При этом речь может идти предпочтительно о соответствующем столбце матричной конфигурации, составленной отдельными конденсаторами. Путем соответствующей схемы, как описано выше, можно обеспечить исключение емкостной связи выше критической между отдельными проводниками считывания.
Способ накачки может, в частности, применяться в датчике, который посредством связи двух расположенных рядом проводящих поверхностей, определяет изображение емкостным способом. В датчике отпечатков пальцев, который по существу образован структурированной проводящей поверхностью, способ может использоваться для измерения емкости элементов изображения (пикселей). В качестве пикселя обозначают наименьшую измеряемую площадь датчика, т.е. элемент изображения. Чем больше число пикселей на единицу площади датчика, тем выше его разрешение. Размер пикселя в датчике отпечатков пальцев имеет порядок величины от 50 до 100 мкм. Значение емкости пикселя обратно пропорционально расстоянию от поверхности кожи пальца до проводящей поверхности. Поэтому число n циклов накачки до достижения определенного опорного значения прямо пропорционально расстоянию от поверхности кожи до проводящей поверхности датчика.
Отклонение заряда равно: Qp=CpΔUp.
Накопленный заряд равен: Qs=CsUs, причем Us имеет наибольшее значение, равное опорному напряжению Uref.
Так как, кроме того, Qs=nQp, то для Us=Uref справедливо соотношение n= Qs/Qp.
Емкость Ср обратно пропорциональна расстоянию между поверхностью кожи пальца и проводящей поверхностью; поэтому число циклов накачки пропорционально этому расстоянию.
Схема операционного усилителя, компаратора и накопительного конденсатора настолько компактна, что она может быть предусмотрена для каждой ячейки устройства. Потенциально возможное смещение операционных усилителей компенсируется постоянными переключениями.
Claims (4)
1. Способ определения очень малых емкостей компоновки конденсаторов (Сp) в форме растра, которые образованы парами электрических проводящих поверхностей (2), при котором a) осуществляют распределение проводящих поверхностей (2) по группам, b) каждую из проводящих поверхностей (2) одних групп электрически соединяют друг с другом посредством проводника считывания (LLn-1, LLn, LLn+1), c) каждую из проводящих поверхностей (2) других групп электрически соединяют друг с другом посредством проводника возбуждения (SLk-1, SLk, SLk+1), d) к соответствующему проводнику возбуждения в течение предварительно заданного времени прикладывают электрический потенциал так, что между проводником возбуждения и несколькими проводниками считывания возникает разность потенциалов, которая заряжает конденсаторы (Ср), образованные по меньшей мере одной связанной с проводником возбуждения проводящей поверхностью и по меньшей мере одной связанной с одним из этих проводников считывания проводящей поверхностью, e) заряд отводят посредством каждого проводника считывания в отдельности на накопительный конденсатор (Сs), f) приложенный к проводнику возбуждения потенциал отключают и к соответствующему проводнику считывания прикладывают при низком электрическом сопротивлении соответствующий потенциал, который определяет состояние заряда соответствующего накопительного конденсатора относительно опорного потенциала, g) этапы от (d) до (f) повторяют до тех пор, пока не будет реализовано предварительно заданное количество циклов заряда или пока к каждому накопительному конденсатору (Сs) не будет приложена разность потенциалов, которая превышает предварительно заданное значение, и h) для каждого проводника считывания определяют заряд или разность потенциалов накопительного конденсатора или соответственно число циклов заряда.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на этапе (f) используют операционный усилитель (ОР) с обратной связью, который не позже чем в момент времени, когда отключается потенциал, приложенный к соответствующему проводнику возбуждения, подключается своим выходом между соответствующим измеряемым конденсатором (Ср) и относящимся к нему накопительным конденсатором (Сs) к проводнику считывания.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в качестве операционного усилителя (ОР) используется схема, состоящая из двух полевых МОП-транзисторов с р-каналом (M1, M2) и трех полевых МОП-транзисторов с n-каналом (М3, М4, М5), причем выводы истока полевых МОП-транзисторов с р-каналом (M1, M2) и вывод стока первого полевого МОП-транзистора с n-каналом (М5) соединены с выводом напряжения питания, выводы стока полевых МОП-транзисторов с р-каналом соединены с выводами стока соответственно одного из упомянутых, второго и третьего, полевых МОП-транзисторов с n-каналом (М3, М4), выводы затвора полевых МОП-транзисторов с р-каналом соединены друг с другом и с выводом стока третьего полевого МОП-транзистора с n-каналом, выводы истока второго и третьего полевых МОП-транзисторов с n-каналом соединены друг с другом и через источник тока с другим выводом напряжения питания, вывод затвора первого полевого МОП-транзистора n-каналом соединен с выводом стока второго полевого МОП-транзистора с n-каналом, вывод истока первого полевого МОП-транзистора с n-каналом соединен с выводом затвора второго полевого МОП-транзистора с n-каналом и через другой источник тока - с другим выводом напряжения питания и образует выход схемы, а вывод затвора третьего полевого МОП-транзистора с n-каналом образует вход схемы.
4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что структурированные проводящие поверхности в форме растров, которые образованы из пар электрических проводящих поверхностей, используют для емкостного определения изображения.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833211A DE19833211C2 (de) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | Verfahren zur Bestimmung sehr kleiner Kapazitäten und Verwendung |
DE19833211.4 | 1998-07-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2001105087A RU2001105087A (ru) | 2003-03-10 |
RU2216027C2 true RU2216027C2 (ru) | 2003-11-10 |
Family
ID=7875089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2001105087/09A RU2216027C2 (ru) | 1998-07-23 | 1999-07-01 | Способ определения очень малых емкостей и его применение |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6583632B2 (ru) |
EP (1) | EP1099118B1 (ru) |
JP (1) | JP3482189B2 (ru) |
KR (1) | KR100363287B1 (ru) |
CN (1) | CN1182404C (ru) |
AT (1) | ATE250769T1 (ru) |
BR (1) | BR9912364A (ru) |
DE (2) | DE19833211C2 (ru) |
MX (1) | MXPA01000773A (ru) |
RU (1) | RU2216027C2 (ru) |
WO (1) | WO2000005592A1 (ru) |
Families Citing this family (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19833211C2 (de) | 1998-07-23 | 2000-05-31 | Siemens Ag | Verfahren zur Bestimmung sehr kleiner Kapazitäten und Verwendung |
US7265494B2 (en) | 1998-10-09 | 2007-09-04 | Azoteq Pty Ltd. | Intelligent user interface with touch sensor technology |
US7528508B2 (en) | 1998-10-09 | 2009-05-05 | Azoteq Pty Ltd. | Touch sensor user interface with compressible material construction |
DE10105286A1 (de) * | 2001-02-06 | 2002-08-29 | Infineon Technologies Ag | Fingerabdrucksensor |
JP4511064B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2010-07-28 | 三菱電機株式会社 | 凹凸検出センサ |
DE60201751T2 (de) * | 2001-03-16 | 2006-02-09 | Eilersen, Nils Age Juul | Kapazitätsmessschaltung |
JP2004534217A (ja) | 2001-04-27 | 2004-11-11 | アトルア テクノロジーズ インコーポレイテッド | 改善されたキャパシタンス測定感度を持つ容量性のセンサシステム |
AU2002310087A1 (en) * | 2001-05-22 | 2002-12-03 | Atrua Technologies, Inc. | Improved connection assembly for integrated circuit sensors |
US7259573B2 (en) * | 2001-05-22 | 2007-08-21 | Atrua Technologies, Inc. | Surface capacitance sensor system using buried stimulus electrode |
DE10134680A1 (de) * | 2001-07-20 | 2003-02-06 | Endress & Hauser Gmbh & Co Kg | Schaltungsanrdnung für einen kapazitiven Sensor |
DE10203816C1 (de) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Siemens Ag | Sensorfeld zur Feuchtemessung |
KR100443081B1 (ko) * | 2002-03-09 | 2004-08-04 | (주)멜파스 | 지문신호의 시변화 특성을 이용한 지문감지장치 및지문감지방법 |
DE10350410A1 (de) * | 2003-10-28 | 2005-01-20 | Infineon Technologies Ag | Fingerabdrucksensor mit Sensorschaltung zur Erfassung eines Messparameters |
JP4363281B2 (ja) * | 2004-09-08 | 2009-11-11 | オムロン株式会社 | 容量計測装置および方法、並びにプログラム |
US7504833B1 (en) * | 2005-04-01 | 2009-03-17 | Cypress Semiconductor Corporation | Automatically balanced sensing device and method for multiple capacitive sensors |
TW200644422A (en) * | 2005-04-22 | 2006-12-16 | Cypress Semiconductor Corp | Directional capacitive sensor system and method |
US7375535B1 (en) | 2005-09-19 | 2008-05-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Scan method and topology for capacitive sensing |
US7129712B1 (en) * | 2005-10-24 | 2006-10-31 | Sun Microsystems, Inc. | Attofarad capacitance measurement |
US7312616B2 (en) | 2006-01-20 | 2007-12-25 | Cypress Semiconductor Corporation | Successive approximate capacitance measurement circuit |
US7721609B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-05-25 | Cypress Semiconductor Corporation | Method and apparatus for sensing the force with which a button is pressed |
US8040142B1 (en) | 2006-03-31 | 2011-10-18 | Cypress Semiconductor Corporation | Touch detection techniques for capacitive touch sense systems |
US8004497B2 (en) | 2006-05-18 | 2011-08-23 | Cypress Semiconductor Corporation | Two-pin buttons |
US8902173B2 (en) * | 2006-09-29 | 2014-12-02 | Cypress Semiconductor Corporation | Pointing device using capacitance sensor |
US8547114B2 (en) | 2006-11-14 | 2013-10-01 | Cypress Semiconductor Corporation | Capacitance to code converter with sigma-delta modulator |
US8089288B1 (en) | 2006-11-16 | 2012-01-03 | Cypress Semiconductor Corporation | Charge accumulation capacitance sensor with linear transfer characteristic |
US8058937B2 (en) | 2007-01-30 | 2011-11-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Setting a discharge rate and a charge rate of a relaxation oscillator circuit |
US20080236374A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Cypress Semiconductor Corporation | Instrument having capacitance sense inputs in lieu of string inputs |
JP2008292446A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-12-04 | Seiko Instruments Inc | 近接検出装置及び近接検出方法 |
US7804307B1 (en) | 2007-06-29 | 2010-09-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Capacitance measurement systems and methods |
US9500686B1 (en) | 2007-06-29 | 2016-11-22 | Cypress Semiconductor Corporation | Capacitance measurement system and methods |
WO2009006556A1 (en) | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Cypress Semiconductor Corporation | Normalizing capacitive sensor array signals |
US8570053B1 (en) | 2007-07-03 | 2013-10-29 | Cypress Semiconductor Corporation | Capacitive field sensor with sigma-delta modulator |
US8089289B1 (en) | 2007-07-03 | 2012-01-03 | Cypress Semiconductor Corporation | Capacitive field sensor with sigma-delta modulator |
US8169238B1 (en) | 2007-07-03 | 2012-05-01 | Cypress Semiconductor Corporation | Capacitance to frequency converter |
US8525798B2 (en) | 2008-01-28 | 2013-09-03 | Cypress Semiconductor Corporation | Touch sensing |
US8319505B1 (en) | 2008-10-24 | 2012-11-27 | Cypress Semiconductor Corporation | Methods and circuits for measuring mutual and self capacitance |
US8358142B2 (en) | 2008-02-27 | 2013-01-22 | Cypress Semiconductor Corporation | Methods and circuits for measuring mutual and self capacitance |
JP4968121B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2012-07-04 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 容量センサー |
CN101349716B (zh) * | 2008-07-22 | 2012-06-20 | 上海海事大学 | 微电容参比测量电路 |
US8321174B1 (en) | 2008-09-26 | 2012-11-27 | Cypress Semiconductor Corporation | System and method to measure capacitance of capacitive sensor array |
US8723827B2 (en) | 2009-07-28 | 2014-05-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Predictive touch surface scanning |
KR101053424B1 (ko) | 2010-04-22 | 2011-08-02 | 서울대학교산학협력단 | 캐패시티브 마이크로폰의 신호 검출 방법 및 이를 구현한 회로 시스템 |
CN104169850B (zh) | 2012-01-12 | 2017-06-06 | 辛纳普蒂克斯公司 | 单层电容性成像传感器 |
CN103679163B (zh) * | 2012-09-18 | 2017-03-22 | 成都方程式电子有限公司 | 新型电容式指纹图像采集系统 |
US9542023B2 (en) | 2013-08-07 | 2017-01-10 | Synaptics Incorporated | Capacitive sensing using matrix electrodes driven by routing traces disposed in a source line layer |
US20150091842A1 (en) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Synaptics Incorporated | Matrix sensor for image touch sensing |
US10042489B2 (en) | 2013-09-30 | 2018-08-07 | Synaptics Incorporated | Matrix sensor for image touch sensing |
US9298325B2 (en) | 2013-09-30 | 2016-03-29 | Synaptics Incorporated | Processing system for a capacitive sensing device |
US9459367B2 (en) | 2013-10-02 | 2016-10-04 | Synaptics Incorporated | Capacitive sensor driving technique that enables hybrid sensing or equalization |
US9274662B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-03-01 | Synaptics Incorporated | Sensor matrix pad for performing multiple capacitive sensing techniques |
US9081457B2 (en) | 2013-10-30 | 2015-07-14 | Synaptics Incorporated | Single-layer muti-touch capacitive imaging sensor |
US9798429B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-10-24 | Synaptics Incorporated | Guard electrodes in a sensing stack |
US10133421B2 (en) | 2014-04-02 | 2018-11-20 | Synaptics Incorporated | Display stackups for matrix sensor |
US9927832B2 (en) | 2014-04-25 | 2018-03-27 | Synaptics Incorporated | Input device having a reduced border region |
US9690397B2 (en) | 2014-05-20 | 2017-06-27 | Synaptics Incorporated | System and method for detecting an active pen with a matrix sensor |
US10444862B2 (en) | 2014-08-22 | 2019-10-15 | Synaptics Incorporated | Low-profile capacitive pointing stick |
US10175827B2 (en) | 2014-12-23 | 2019-01-08 | Synaptics Incorporated | Detecting an active pen using a capacitive sensing device |
US9778713B2 (en) | 2015-01-05 | 2017-10-03 | Synaptics Incorporated | Modulating a reference voltage to preform capacitive sensing |
US9939972B2 (en) | 2015-04-06 | 2018-04-10 | Synaptics Incorporated | Matrix sensor with via routing |
US10095948B2 (en) | 2015-06-30 | 2018-10-09 | Synaptics Incorporated | Modulation scheme for fingerprint sensing |
US9715304B2 (en) | 2015-06-30 | 2017-07-25 | Synaptics Incorporated | Regular via pattern for sensor-based input device |
US9720541B2 (en) | 2015-06-30 | 2017-08-01 | Synaptics Incorporated | Arrangement of sensor pads and display driver pads for input device |
US9639226B2 (en) * | 2015-08-31 | 2017-05-02 | Cypress Semiconductor Corporation | Differential sigma-delta capacitance sensing devices and methods |
CN205028263U (zh) | 2015-09-07 | 2016-02-10 | 辛纳普蒂克斯公司 | 一种电容传感器 |
US9971463B2 (en) * | 2015-09-29 | 2018-05-15 | Synaptics Incorporated | Row-based sensing on matrix pad sensors |
US10037112B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-07-31 | Synaptics Incorporated | Sensing an active device'S transmission using timing interleaved with display updates |
US10067587B2 (en) | 2015-12-29 | 2018-09-04 | Synaptics Incorporated | Routing conductors in an integrated display device and sensing device |
CN106933400B (zh) | 2015-12-31 | 2021-10-29 | 辛纳普蒂克斯公司 | 单层传感器图案和感测方法 |
CN107764178B (zh) * | 2017-11-06 | 2020-08-11 | 武汉航空仪表有限责任公司 | 一种线绕电位计线性度调试方法 |
CN109377619A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-02-22 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种开启智能门锁的方法、装置、计算装置和存储介质 |
DE102018131856A1 (de) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | Huf Hülsbeck & Fürst Gmbh & Co. Kg | Anordnung für ein Fahrzeug |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3781855A (en) * | 1970-03-13 | 1973-12-25 | Identification Systems Inc | Fingerprint identification system and method |
US4039940A (en) * | 1976-07-30 | 1977-08-02 | General Electric Company | Capacitance sensor |
US4353056A (en) * | 1980-06-05 | 1982-10-05 | Siemens Corporation | Capacitive fingerprint sensor |
DE3413849C2 (de) * | 1984-02-21 | 1986-07-10 | Dietrich 8891 Obergriesbach Lüderitz | Kapazitäts-Meßgerät |
SE448408B (sv) * | 1985-07-01 | 1987-02-16 | Asea Ab | Anordning for kapacitiv avkenning av ett topologiskt monster |
DE3544187A1 (de) * | 1985-12-13 | 1987-06-19 | Flowtec Ag | Kapazitaetsmessschaltung |
DE3942159A1 (de) * | 1989-12-20 | 1991-06-27 | Endress Hauser Gmbh Co | Anordnung zur verarbeitung von sensorsignalen |
FR2675583B1 (fr) * | 1991-04-18 | 1993-08-27 | Marelli Autronica | Procede et dispositif de mesure de condensateur. |
DE4237196C1 (de) * | 1992-11-04 | 1994-02-10 | Vega Grieshaber Gmbh & Co | Verfahren und Anordnung zur Messung zumindest einer Kapazität |
US6016355A (en) * | 1995-12-15 | 2000-01-18 | Veridicom, Inc. | Capacitive fingerprint acquisition sensor |
US6114862A (en) * | 1996-02-14 | 2000-09-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Capacitive distance sensor |
US6317508B1 (en) * | 1998-01-13 | 2001-11-13 | Stmicroelectronics, Inc. | Scanning capacitive semiconductor fingerprint detector |
DE19833211C2 (de) | 1998-07-23 | 2000-05-31 | Siemens Ag | Verfahren zur Bestimmung sehr kleiner Kapazitäten und Verwendung |
US6346739B1 (en) * | 1998-12-30 | 2002-02-12 | Stmicroelectronics, Inc. | Static charge dissipation pads for sensors |
-
1998
- 1998-07-23 DE DE19833211A patent/DE19833211C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-07-01 EP EP99942748A patent/EP1099118B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-01 JP JP2000561506A patent/JP3482189B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-01 AT AT99942748T patent/ATE250769T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-07-01 KR KR1020017000863A patent/KR100363287B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-07-01 DE DE59907122T patent/DE59907122D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-01 MX MXPA01000773A patent/MXPA01000773A/es unknown
- 1999-07-01 WO PCT/DE1999/001930 patent/WO2000005592A1/de active IP Right Grant
- 1999-07-01 BR BR9912364-9A patent/BR9912364A/pt not_active IP Right Cessation
- 1999-07-01 RU RU2001105087/09A patent/RU2216027C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1999-07-01 CN CNB998090999A patent/CN1182404C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-23 US US09/767,392 patent/US6583632B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1099118A1 (de) | 2001-05-16 |
DE19833211A1 (de) | 2000-02-17 |
MXPA01000773A (es) | 2004-12-06 |
CN1311859A (zh) | 2001-09-05 |
JP3482189B2 (ja) | 2003-12-22 |
JP2002521671A (ja) | 2002-07-16 |
BR9912364A (pt) | 2001-06-05 |
US20010017548A1 (en) | 2001-08-30 |
EP1099118B1 (de) | 2003-09-24 |
DE19833211C2 (de) | 2000-05-31 |
KR20010071000A (ko) | 2001-07-28 |
ATE250769T1 (de) | 2003-10-15 |
KR100363287B1 (ko) | 2002-12-05 |
WO2000005592A1 (de) | 2000-02-03 |
CN1182404C (zh) | 2004-12-29 |
DE59907122D1 (de) | 2003-10-30 |
US6583632B2 (en) | 2003-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2216027C2 (ru) | Способ определения очень малых емкостей и его применение | |
US7256589B2 (en) | Capacitive sensor system with improved capacitance measuring sensitivity | |
RU2001105087A (ru) | Способ определения очень малых емкостей и его применение | |
RU2192665C1 (ru) | Способ емкостной съемки изображения | |
US20030091220A1 (en) | Capacitive sensor device | |
JPH06501316A (ja) | 集積可能な導電率測定装置 | |
US4953410A (en) | Pressure distribution detecting device | |
EP1093586B1 (de) | Integrierte schaltung mit verbesserter synchronität zum externen taktsignal am datenausgang | |
US5083467A (en) | Piezo-electric type of pressure sensor and pressure-detecting device employing the same | |
US7259573B2 (en) | Surface capacitance sensor system using buried stimulus electrode | |
JP2001512836A (ja) | 非常に小さな容量を求めるための方法およびこれにより構想されたセンサ | |
EP3914906B1 (en) | Capacitive sensor | |
JP4511064B2 (ja) | 凹凸検出センサ | |
EP4211800A1 (en) | Biometric skin contact sensor and methods of operating a biometric skin contact sensor | |
EP4211799A1 (en) | Biometric skin contact sensor and methods of operating a biometric skin contact sensor | |
KR19980085037A (ko) | 액체 레벨 검출기 | |
KR20050046586A (ko) | 전류-전압 변환 회로 및 리세트 방법 | |
JPS6341040A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR20000019785A (ko) | 캐패시터 배열 구조를 이용한 2차원적 이미지 감지 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080702 |