RU2201014C2 - Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов - Google Patents
Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2201014C2 RU2201014C2 RU2000101109A RU2000101109A RU2201014C2 RU 2201014 C2 RU2201014 C2 RU 2201014C2 RU 2000101109 A RU2000101109 A RU 2000101109A RU 2000101109 A RU2000101109 A RU 2000101109A RU 2201014 C2 RU2201014 C2 RU 2201014C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- evaporator
- spp
- channel
- steam
- diameter
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000003601 intercostal effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 abstract description 14
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 3
- CBEFDCMSEZEGCX-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,2-pentafluoro-n,n-bis(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)ethanamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)F CBEFDCMSEZEGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Использование: в статических преобразователях электрической энергии. Сущность: устройство состоит из отрезка прессованного профиля с внешним оребрением, внутренними вертикальными каналами конденсации и каналом-паропроводом. В нижней части внутреннего вертикального канала-паропровода (в зоне кипения) расположен встроенный испаритель, оребренный прямыми кольцами постоянного сечения из высокотеплопроводного материала, например меди. Торцевые поверхности основания испарителя, к которым прижаты один или два силовых полупроводниковых прибора, расположены вне канала-паропровода. Каналы конденсации и канал-паропровод вверху соединены паровым коллектором, внизу - коллектором конденсата. Нижняя часть канала-паропровода (зона кипения) и частично нижние части каналов конденсации заполнены жидким промежуточным теплоносителем, например перфтортриэтиламином. Технический результат заключается в повышении эффективности охлаждающего устройства, улучшении технологичности изготовления, снижении материалоемкости устройства. 4 з.п.ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к электротехнике, а именно к преобразовательной технике, и может использоваться в статических преобразователях электрической энергии.
Известно охлаждающее устройство для силовых полупроводниковых приборов (СПП) на основе цельнометаллических алюминиевых прессованных профилей (см. Охладители воздушных систем охлаждения для полупроводниковых приборов. - М. Информэлектро, 1966, с. 31).
Однако такие конструкции обладают низкой эффективностью теплоотвода и большой материапоемкостью.
Наиболее близким техническим решением к заявленному является устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов таблеточного типа на основе двухфазного термосифона (ДТС), состоящего из отрезка прессованного профиля из алюминиевого сплава с внешним оребрением и внутренними каналами, являющегося конденсатором, и испарителя, из алюминиевого сплава, имеющего внутренние цилиндрические каналы кипения, соединяемого с конденсатором сваркой; устройство частично заполнено жидким промежуточным теплоносителем (Исакеев А.И. и др. Эффективные способы охлаждения силовых полупроводниковых приборов. Л., Энергоиздат, 1982, с.105-111).
Недостатком данной конструкции является низкая технологичность изготовления из-за большого количества сварных соединений между конденсатором и испарителем, высокая материалоемкость. Кроме того, испаритель из алюминиевого сплава с цилиндрическими каналами кипения имеет большое тепловое сопротивление, вследствии чего охлаждающее устройство низкую теплоотводяшую способность в целом.
Технический эффект заключается в повышении эффективности охлаждающего устройства, улучшении технологичности изготовления, снижении материалоемкости устройства.
Сущность изобретения заключается в том, что в устройстве для охлаждения силовых полупроводниковых приборов, содержащем выполненные в корпусе из отрезка прессованного профиля с внешним оребрением внутренние каналы и испаритель, частично заполненные жидким промежуточным теплоносителем, в нижней части одного внутреннего вертикального канала, являющегося каналом-паропроводом, расположен оребренный прямыми кольцевыми ребрами постоянного сечения испаритель из высокотеплопроводного материала, к торцевым поверхностям которого прижаты один или два силовых полупроводниковых прибора, находящиеся вне канала-паропровода, при этом с верхней части корпуса канал-паропровод соединен с остальными внутренними вертикальными каналами, выполняющими роль конденсатора, паровым коллектором, а в нижней части - коллектором конденсата.
Диаметры основания испарителя и контактной поверхности силового полупроводникового прибора соотносятся как
Dи=(1,0÷1,1)Dспп к,
где Dи - диаметр основания испарителя, м;
Dспп к - диаметр контактной поверхности СПП, м.
Dи=(1,0÷1,1)Dспп к,
где Dи - диаметр основания испарителя, м;
Dспп к - диаметр контактной поверхности СПП, м.
Диаметр кольцевых ребер испарителя и габаритный диаметр СПП соотносятся как
Dр=(1,1÷1,2)Dспп,
где Dр - диаметр кольцевых ребер испарителя, м;
Dспп - габаритный диаметр СПП, м.
Dр=(1,1÷1,2)Dспп,
где Dр - диаметр кольцевых ребер испарителя, м;
Dспп - габаритный диаметр СПП, м.
Количество кольцевых ребер испарителя определяется из следующего соотношения:
где Sор - площадь оребренной поверхности испарителя, м2;
n - количество ребер испарителя;
Рспп - подводимая мощность тепловых потерь СПП (одного или двух), Вт;
b - толщина кольцевых ребер, м;
δ - межреберное расстояние, м;
b= δ≈(1,5÷2)10-3м - при использовании МД-3Ф в качестве промежуточного теплоносителя;
к - коэффициент подвода мощности тепловых потерь СПП;
к= (1,6÷2) - при одностороннем подводе тепла от СПП к испарителю (один СПП);
к= (1,2÷1,3) - при двухстороннем подводе тепла от СПП к испарителю (два СПП).
где Sор - площадь оребренной поверхности испарителя, м2;
n - количество ребер испарителя;
Рспп - подводимая мощность тепловых потерь СПП (одного или двух), Вт;
b - толщина кольцевых ребер, м;
δ - межреберное расстояние, м;
b= δ≈(1,5÷2)10-3м - при использовании МД-3Ф в качестве промежуточного теплоносителя;
к - коэффициент подвода мощности тепловых потерь СПП;
к= (1,6÷2) - при одностороннем подводе тепла от СПП к испарителю (один СПП);
к= (1,2÷1,3) - при двухстороннем подводе тепла от СПП к испарителю (два СПП).
Глубина внутреннего канала-паропровода (зоны кипения) определяется следующим образом:
С=nb+(n+1)δ,
где С - глубина канала-паропровода (зоны кипения), м.
С=nb+(n+1)δ,
где С - глубина канала-паропровода (зоны кипения), м.
Ширина внутреннего канала-паропровода (зоны кипения) определяется следующим образом:
d=(1,05÷1,1)Dр
где d - ширина внутреннего канала-паропровода (зоны кипения), м.
d=(1,05÷1,1)Dр
где d - ширина внутреннего канала-паропровода (зоны кипения), м.
На фиг.1 изображена конструкция охлаждающего устройства, на фиг.2 - разрез устройства. Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов состоит из отрезка прессованного профиля 1 с внешним оребрением 2 и внутренними вертикальными каналами конденсации 3 и каналом-паропроводом 4. В нижней части внутреннего вертикального канала-паропровода 4 (в зоне кипения) расположен встроенный испаритель 5, оребренный прямыми кольцами постоянного сечения из высокотеплопроводного материала, например меди. Торцевые поверхности основания испарителя, к которым прижаты один или два СПП 6, расположены вне канала-паропровода 4. Каналы конденсации 3 и канал-паропровод 4 вверху соединены паровым коллектором 7, внизу - коллектором конденсата 8. Нижняя часть канала-паропровода 4 (зона кипения) и частично нижние части каналов конденсации 3 заполнены жидким промежуточным теплоносителем, например перфтортриэтиламином.
Устройство работает следующим образом. При работе СПП 6, одного или двух, мощность тепловых потерь Рспп передается медному оребренному испарителю 5 через его торцевые поверхности, находящемуся в нижней части (зоне кипения) канала-паропровода 4. Диаметр основания испарителя 5 и контактной поверхности СПП 6 соотносятся как
Dи=(1,0÷1,1)Dспп к,
где Dи - диаметр основания испарителя, м;
Dспп.к - диаметр контактной поверхности СПП, м.
Dи=(1,0÷1,1)Dспп к,
где Dи - диаметр основания испарителя, м;
Dспп.к - диаметр контактной поверхности СПП, м.
Тепловые потери передаются от основания испарителя к его кольцевым ребрам за счет теплопроводности. Диаметр кольцевых ребер испарителя 5 и габаритный диаметр СПП 6 соотносятся как
Dр=(1,1÷1,2)Dспп,
где Dр - диаметр кольцевых ребер испарителя, м;
Dспп - габаритный диаметр СПП, м.
Dр=(1,1÷1,2)Dспп,
где Dр - диаметр кольцевых ребер испарителя, м;
Dспп - габаритный диаметр СПП, м.
Количество кольцевых ребер испарителя 5 определяется из следующих соотношений:
где n - количество ребер испарителя;
Sop - площадь оребренной поверхности испарителя, м2;
Рспп - подводимая мощность тепловых потерь СПП (одного или двух), Вт;
b - толщина кольцевых ребер, м;
δ - межреберное расстояние, м;
к - коэффициент подвода мощности тепловых потерь СПП;
к= (1,6÷2) - при одностороннем подводе тепла от СПП к испарителю (один СПП);
к= (1,2÷1,3) - при двухстороннем подводе тепла от СПП к испарителю (два СПП).
где n - количество ребер испарителя;
Sop - площадь оребренной поверхности испарителя, м2;
Рспп - подводимая мощность тепловых потерь СПП (одного или двух), Вт;
b - толщина кольцевых ребер, м;
δ - межреберное расстояние, м;
к - коэффициент подвода мощности тепловых потерь СПП;
к= (1,6÷2) - при одностороннем подводе тепла от СПП к испарителю (один СПП);
к= (1,2÷1,3) - при двухстороннем подводе тепла от СПП к испарителю (два СПП).
b= δ≈(1,5÷2)10-3 м - при использовании МД-3Ф в качестве промежуточного теплоносителя;
Оребренный испаритель 5 находится в среде жидкого промежуточного диэлектрического теплоносителя 9. Жидкость закипает на нагретой поверхности оребренного испарителя 5, пар поднимется вверх по каналу-паропроводу 4. Размеры канала-паропровода 4 (зоны кипения): глубина и ширина определяются следующим образом:
С=nb+(n+1)δ;
d=(1,05÷1,1)Dр,
где С - глубина канала-паропровода, м;
d - ширина канала-паропровода, м.
Оребренный испаритель 5 находится в среде жидкого промежуточного диэлектрического теплоносителя 9. Жидкость закипает на нагретой поверхности оребренного испарителя 5, пар поднимется вверх по каналу-паропроводу 4. Размеры канала-паропровода 4 (зоны кипения): глубина и ширина определяются следующим образом:
С=nb+(n+1)δ;
d=(1,05÷1,1)Dр,
где С - глубина канала-паропровода, м;
d - ширина канала-паропровода, м.
По каналу паропровода пар попадает в паровой коллектор 7, паровой коллектор направляет пар в каналы конденсации 3, которые находятся внутри отрезка прессованного профиля 1, конденсируется, конденсат стекает в коллектор конденсата 8 и далее в объем промежуточного теплоносителя 9, находящегося в зоне кипения устройства. Теплота при конденсации пара передается к внешней оребренной поверхности прессованного профиля 2 и отводится в окружающее пространство.
Эффективность устройства повышается за счет того, что испаритель 5, выполненный из высокотеплопроводного материала, имеет оптимальную цилиндрическо-кольцевую геометрию для отвода тепла при кипении от источника (СПП) с круглой поверхностью теплопередачи: все это значительно снижает тепловое сопротивление испарителя и, следовательно, устройство в целом.
Технологичность изготовления устройства повышается за счет того, что из его конструкции по сравнению с прототипом исключается большое количество сварных швов для соединения испарителя с конденсатором: сварка деталей из алюминиевых сплавов весьма трудоемка и энергоемка.
Снижение материалоемкости устройства происходит за счет того, что из конструкции прототипа исключается отдельный испаритель из алюминиевого сплава большими АД-31, который соединяется с отрезком прессованного профиля сваркой; в предлагаемой конструкции испаритель находится внутри канала-конденсатора в самом отрезке прессованного профиля.
Claims (5)
1. Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов, содержащее выполненные в корпусе из отрезка прессованного профиля с внешним оребрением внутренние каналы и испаритель, частично заполненные жидким промежуточным теплоносителем, отличающееся тем, что в нижней части одного внутреннего вертикального канала, являющегося каналом-паропроводом, расположен оребренный прямыми кольцевыми ребрами постоянного сечения испаритель из высокотеплопроводного материала, к торцевым поверхностям которого прижаты один или два силовых полупроводниковых прибора (СПП), находящихся вне канала-паропровода, при этом в верхней части корпуса канал-паропровод соединен с остальными внутренними вертикальными каналами, выполняющими роль конденсатора, паровым коллектором, а в нижней части - коллектором конденсата.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что диаметры основания испарителя и контактной поверхности силового полупроводникового прибора соотносятся как
Dи= (1,0÷1,1)Dспп к,
где Dи - диаметр основания испарителя, м;
Dспп к - диаметр контактной поверхности СПП, м.
Dи= (1,0÷1,1)Dспп к,
где Dи - диаметр основания испарителя, м;
Dспп к - диаметр контактной поверхности СПП, м.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что диаметр кольцевых ребер испарителя и габаритный диаметр СПП соотносятся как
Dр= (1,1÷1,2)Dспп,
где Dр - диаметр кольцевых ребер испарителя, м;
Dспп - габаритный диаметр СПП, м.
Dр= (1,1÷1,2)Dспп,
где Dр - диаметр кольцевых ребер испарителя, м;
Dспп - габаритный диаметр СПП, м.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что количество кольцевых ребер испарителя определяется из соотношения
где Sор - площадь оребренной поверхности испарителя, м2;
n - количество ребер испарителя;
Рспп - подводимая мощность тепловых потерь СПП (одного или двух), Вт;
b - толщина кольцевых ребер, м;
δ - межреберное расстояние, м;
b= δ≈(1,5÷2)•10-3 м - при использовании МД-3Ф в качестве промежуточного теплоносителя;
к - коэффициент подвода мощности тепловых потерь СПП; к= (1,6÷2) - при одностороннем подводе тепла от СПП к испарителю (один СПП); к= (1,2÷1,3) - при двустороннем подводе тепла от СПП к испарителю (два СПП).
где Sор - площадь оребренной поверхности испарителя, м2;
n - количество ребер испарителя;
Рспп - подводимая мощность тепловых потерь СПП (одного или двух), Вт;
b - толщина кольцевых ребер, м;
δ - межреберное расстояние, м;
b= δ≈(1,5÷2)•10-3 м - при использовании МД-3Ф в качестве промежуточного теплоносителя;
к - коэффициент подвода мощности тепловых потерь СПП; к= (1,6÷2) - при одностороннем подводе тепла от СПП к испарителю (один СПП); к= (1,2÷1,3) - при двустороннем подводе тепла от СПП к испарителю (два СПП).
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что размеры канала-паропровода определены следующим образом:
С = nb + (n +1)δ;
d = (1,05 ÷ 1,1) Dр,
где С - глубина канала-паропровода, м;
d - ширина канала-паропровода, м.
С = nb + (n +1)δ;
d = (1,05 ÷ 1,1) Dр,
где С - глубина канала-паропровода, м;
d - ширина канала-паропровода, м.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000101109A RU2201014C2 (ru) | 2000-01-12 | 2000-01-12 | Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000101109A RU2201014C2 (ru) | 2000-01-12 | 2000-01-12 | Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2000101109A RU2000101109A (ru) | 2001-11-10 |
| RU2201014C2 true RU2201014C2 (ru) | 2003-03-20 |
Family
ID=20229444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2000101109A RU2201014C2 (ru) | 2000-01-12 | 2000-01-12 | Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2201014C2 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2497232C1 (ru) * | 2012-06-19 | 2013-10-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" | Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов |
| RU2498451C1 (ru) * | 2012-06-19 | 2013-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" | Устройство для интенсивного охлаждения силовых полупроводниковых приборов |
| RU2548052C1 (ru) * | 2014-01-09 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" | Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4036291A (en) * | 1974-03-16 | 1977-07-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cooling device for electric device |
| SU1725295A1 (ru) * | 1990-04-20 | 1992-04-07 | Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева | Силовой полупроводниковый модуль с испарительным охлаждением |
| RU2026574C1 (ru) * | 1991-07-12 | 1995-01-09 | Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева | Устройство для испарительно-жидкостного охлаждения |
| RU2142660C1 (ru) * | 1996-10-04 | 1999-12-10 | Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева | Силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением |
-
2000
- 2000-01-12 RU RU2000101109A patent/RU2201014C2/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4036291A (en) * | 1974-03-16 | 1977-07-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cooling device for electric device |
| SU1725295A1 (ru) * | 1990-04-20 | 1992-04-07 | Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева | Силовой полупроводниковый модуль с испарительным охлаждением |
| RU2026574C1 (ru) * | 1991-07-12 | 1995-01-09 | Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева | Устройство для испарительно-жидкостного охлаждения |
| RU2142660C1 (ru) * | 1996-10-04 | 1999-12-10 | Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева | Силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ИСАКЕЕВ А.И. и др. Эффективные способы охлаждения силовых полупроводниковых приборов. - Л.: Энергоиздат, 1982, с.105-111. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2497232C1 (ru) * | 2012-06-19 | 2013-10-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" | Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов |
| RU2498451C1 (ru) * | 2012-06-19 | 2013-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" | Устройство для интенсивного охлаждения силовых полупроводниковых приборов |
| RU2548052C1 (ru) * | 2014-01-09 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" | Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201044554Y (zh) | 水冷式微槽群与热电组合激光器热控制系统 | |
| CN101242729A (zh) | 毛细微槽群与热电组合热控制方法及系统 | |
| CN104851857B (zh) | 一种芯片冷却系统 | |
| CN110035642A (zh) | 一种液冷式导热块及水冷式散热器 | |
| CN106033749A (zh) | 并联式平行微通道多芯片散热器 | |
| CN209766407U (zh) | 空气冷却的大功率高热流散热装置 | |
| CN111664733A (zh) | 一种微通道换热器结合热管的散热装置 | |
| CN113660833A (zh) | 一种散热装置及高热流密度通讯机盒 | |
| CN211451987U (zh) | 热量传导装置 | |
| RU2201014C2 (ru) | Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов | |
| CN111010847B (zh) | 一种均热板式散热装置 | |
| CN201044553Y (zh) | 风冷式微槽群与热电组合激光器热控制系统 | |
| CN105222389A (zh) | 一种脉管制冷机 | |
| CN214336706U (zh) | 基于脉动热管的数据中心芯片级冷却装置 | |
| CN101814464A (zh) | 可控硅装置的微槽群复合相变集成冷却散热方法及装置 | |
| CN112512264B (zh) | 一种散热装置及散热系统 | |
| KR200242427Y1 (ko) | 고효율 열매체 방열기를 이용한 3중관 열교환기 및 이를이용한 보일러장치 | |
| CN111397412B (zh) | 一种上下蓄热能力不同的环路热管蓄热器 | |
| RU2636385C1 (ru) | Устройство охлаждения одиночного мощного светодиода с интенсифицированной конденсационной системой | |
| CN103954155B (zh) | 抗重力型螺旋盘管式非相变取热装置 | |
| CN112968008A (zh) | 基于脉动热管的数据中心芯片级冷却装置及其制造方法 | |
| CN109945705B (zh) | 一种放热能力高度变化的环路热管蓄热器 | |
| CN106455431A (zh) | 板式环路热虹吸均温板 | |
| JPS5864488A (ja) | 熱交換器 | |
| CN201345360Y (zh) | 可控硅装置的自冷式微槽群复合相变集成冷却散热装置 |